JP2012134468A5 - 半導体膜、半導体素子、及び半導体装置 - Google Patents

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  1. 絶縁表面に一方の面を接し、第1の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層と、
    前記種結晶層の他方の面に接し、第2の結晶構造を有する結晶を含む酸化物半導体膜と、を有し、
    前記第1の結晶構造ウルツ鉱型の結晶構造であり、
    前記第2の結晶構造ウルツ鉱以外の六方晶であるヘテロ構造を有することを特徴とする半導体膜。
  2. 絶縁表面に一方の面を接し、第1の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層と、
    前記種結晶層の他方の面に接し、第2の結晶構造を有する結晶を含む酸化物半導体膜と、を有し、
    前記第1の結晶構造ウルツ鉱型の結晶構造であり、
    前記第2の結晶構造YbFe型構造、YbFe型構造及びその変形型構造のいずれか一であるヘテロ構造を有することを特徴とする半導体膜。
  3. 請求項1又は2において、
    前記種結晶層の厚さは、0.1nm以上10nm以下であることを特徴とする半導体膜。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一において、
    前記種結晶層は、窒化インジウム又は窒化ガリウムを含むことを特徴とする半導体膜。
  5. 請求項1乃至3のいずれか一において、
    前記種結晶層は、亜鉛、インジウム、ガリウム、酸素、及び窒素を含むことを特徴とする半導体膜。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一において、
    前記種結晶層、窒素を0.1原子%以上5原子%未満含むことを特徴とする半導体膜。
  7. 請求項1乃至6のいずれか一において、
    前記酸化物半導体膜、窒素を1×1017/cm以上5×1019/cm未満含むことを特徴とする半導体膜。
  8. ゲート電極と、
    前記ゲート電極と接する領域を有する第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、且つヘテロ構造を有する半導体膜と、
    記半導体膜と接する第2の絶縁膜と、を有し、
    記半導体膜は、前記第1の絶縁膜と接して第1の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層と、前記第2の絶縁膜と接してc軸配向した第2の結晶構造を有する異方性結晶を含む酸化物半導体膜と、を有し
    前記第1の結晶構造ウルツ鉱型の結晶構造であり、
    前記第2の結晶構造ウルツ鉱以外の六方晶であるヘテロ構造を有することを特徴とする半導体素子。
  9. ゲート電極と、
    前記ゲート電極と接する領域を有する第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、且つヘテロ構造を有する半導体膜と、
    記半導体膜と接する第2の絶縁膜と、を有し、
    記半導体膜は、前記第1の絶縁膜と接して第1の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層と、前記第2の絶縁膜と接してc軸配向した第2の結晶構造を有する異方性結晶を含む酸化物半導体膜と、を有し
    前記第1の結晶構造ウルツ鉱型の結晶構造であり、
    前記第2の結晶構造YbFe型構造、YbFe型構造及びその変形型構造のいずれか一であるヘテロ構造を有することを特徴とする半導体素子。
  10. 請求項8又は請求項9記載の半導体素子を用いることを特徴とする半導体装置。
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