JP2008182226A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. ２以上の表面（１１５，１２０）を有する基板（１１０）、
   基板（１１０）の２以上の表面（１１５，１２０）の少なくとも１表面の少なくとも一部上に配置された多層膜（１０５）、
   多層膜（１０５）上に配置された複数の細長いナノ構造体（１２５）及び
   複数の細長いナノ構造体（１２５）上に配置された１以上の層（１３０）を備え、
   複数の細長いナノ構造体（１２５）に接触する多層膜（１０５）の最上層が第１トンネル接合（１４０）層であり、
   １以上の層（１３０）が光活性接合の一部である、
   光起電力デバイス（１００）。
2. 前記多層膜（１０５）がさらに、多結晶層、単結晶層、非晶質層及び第２トンネル接合（１４０）層からなる群から選択される少なくとも１層を含む、請求項１記載の光起電力デバイス（１００）。
3. 前記多層膜（１０５）がさらに、ｐ−ドープト層、ｎ−ドープト層及び真性層からなる群から選択される少なくとも１層の要素を含む、請求項１又は請求項２記載の光起電力デバイス（１００）。
4. 前記多層膜（１０５）がドーパント濃度が厚さ方向に傾斜した単一層である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
5. 前記１以上の層（１３０）が複数の細長いナノ構造体（１２５）上にコンフォーマルに配置された、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
6. 前記１以上の層（１３０）が、ｐ−ドープト層、ｎ−ドープト層、真性層及び第２トンネル接合（１４０）層からなる群から選択される少なくとも１層の要素を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
7. 前記１以上の層（１３０）がドーパント濃度が厚さ方向に傾斜した単一層である、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
8. ナノ多孔質テンプレート（１４５）が多層膜（１０５）上に配置された、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
9. 多層膜（１０５）、複数の細長いナノ構造体（１２５）及び１以上の層（１３０）が前記基板（１１０）の２以上の表面（１１５，１２０）に対して両面配列になっている、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
10. さらに、前記１以上の層（１３０）上に配置された透明導電性材料（ＴＣＭ）（１０７）を備える、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。