JP2013123043A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- 一対の電極間に、
一導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に形成された、前記シリコン基板とは逆の導電型を有する透光性半導体層と、
前記透光性半導体層上に形成された透光性導電膜と、
を有し、
前記透光性半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン又は酸化レニウムを有することを特徴とする光電変換装置。 - 一対の電極間に、
一導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に形成された、ｉ型または前記シリコン基板とは逆の導電型を有する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上に形成された、前記シリコン基板とは逆の導電型を有する透光性半導体層と、
前記透光性半導体層上に形成された透光性導電膜と、
前記シリコン基板の他方の面に形成された、ｉ型または前記シリコン基板と同じ導電型を有する第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上に形成された、前記シリコン基板と同じ導電型を有する第３のシリコン半導体層と、
を有し、
前記透光性半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン又は酸化レニウムを有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項２において、前記第２のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が低く、前記第３のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。
- 請求項２または３において、前記透光性半導体層のキャリア濃度は、前記第１のシリコン半導体層のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする光電変換装置。
- 一対の電極間に、
一導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に形成された前記シリコン基板とは逆の導電型を有する透光性半導体層と、
前記透光性半導体層上に形成された透光性導電膜と、
前記シリコン基板の他方の面に形成されたｉ型または前記シリコン基板と同じ導電型を有する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上に形成された前記シリコン基板と同じ導電型を有する第２のシリコン半導体層と、
を有し、
前記透光性半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン又は酸化レニウムを有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項５において、前記第１のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が低く、前記第２のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。
- 一対の電極間に、
透光性半導体層、第１のシリコン半導体層、および第２のシリコン半導体層を順に接して積層させた構造を有し、
前記透光性半導体層は、一導電型を有し、
前記第１のシリコン半導体層は、ｉ型の導電型を有し、
前記第２のシリコン半導体層は、前記透光性半導体層とは逆の導電型を有し、
前記透光性半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン又は酸化レニウムを有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項７において、前記第１のシリコン半導体層は、非単結晶、非晶質、微結晶または多結晶であることを特徴とする光電変換装置。
- 請求項１乃至８のいずれか一において、前記透光性半導体層のバンドギャップは２ｅＶ以上であることを特徴とする光電変換装置。
- 一対の電極間に、
第１の透光性半導体層、第１のシリコン半導体層、第２のシリコン半導体層、第２の透光性半導体層、第３のシリコン半導体層、および第４のシリコン半導体層を順に接して積層させた構造を有し、
前記第１の透光性半導体層および前記第２の透光性半導体層は、一導電型を有し、
前記第１のシリコン半導体層および前記第３のシリコン半導体層は、ｉ型の導電型を有し、
前記第２のシリコン半導体層および前記第４のシリコン半導体層は、前記第１の透光性半導体層および前記第２の透光性半導体層とは逆の導電型を有し、
前記第１の透光性半導体層および前記第２の透光性半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン又は酸化レニウムを有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１０において、前記第１のシリコン半導体層は非晶質であり、前記第３のシリコン半導体層は微結晶または多結晶であることを特徴とする光電変換装置。
- 請求項１０又は１１において、前記第１の透光性半導体層および前記第２の透光性半導体層のバンドギャップは２ｅＶ以上であることを特徴とする光電変換装置。
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