JP2012191187A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 結晶性シリコン基板と、
   前記結晶性シリコン基板の一方の面上の第１の電極と、
   前記結晶性シリコン基板の他方の面上の第１の透光性導電膜と、
   前記第１の透光性導電膜を介して、前記結晶性シリコン基板の前記他方の面上に位置する第２の電極と、を有し、
   前記結晶性シリコン基板は、前記結晶性シリコン基板の前記一方の面側に、第１の不純物領域を有し、
   前記結晶性シリコン基板の導電型は、前記第１の不純物領域の導電型とは逆であり、
   前記第１の透光性導電膜は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。
2. 請求項１において、
   前記結晶性シリコン基板は、前記結晶性シリコン基板の前記他方の面側に第２の不純物領域を有し、
   前記結晶性シリコン基板の導電型は、前記第２の不純物領域の導電型と同じであり、
   前記第２の不純物領域は、前記結晶性シリコン基板よりもキャリア密度の高いことを特徴とする光電変換装置。
3. 結晶性シリコン基板と、
   前記結晶性シリコン基板の一方の面側に位置する第１の電極と、
   前記結晶性シリコン基板の他方の面側に位置する第２の電極と、
   前記結晶性シリコン基板と前記第１の電極との間に位置する、第１の半導体層と、第２の半導体層と、第１の透光性導電膜との積層と、
   前記結晶性シリコン基板と前記第２の電極との間に位置する、第３の半導体層と、第４の半導体層と、第２の透光性導電膜との積層と、を有し、
   前記第１の透光性導電膜は、前記第１の電極と接し、
   前記第２の透光性導電膜は、前記第２の電極と接し、
   前記第１の透光性導電膜は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。
4. 請求項３において、
   前記第１の半導体層と前記第３の半導体層は、前記結晶性シリコン基板に接し、
   前記第１の半導体層及び第３の半導体層は、ｉ型の非晶質シリコンであることを特徴とする光電変換装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記第１の透光性導電膜の膜厚は、０ｎｍより厚く、６０ｎｍ以下であることを特徴とする光電変換装置。