JP4394153B2 - タンデム型薄膜光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Description
ρ=Rp/Rs=tan(Ψ)exp(iΔ) (iは虚数単位)
p型シリコン層115pまで積層した状態で、このp型シリコン層に波長範囲が250〜1100nmの光を入射角55〜70°で入射し反射させることにより、波長とΨの関係を示す曲線と波長とΔの関係を示す曲線を得る(実測曲線)。また、本半導体層のシリコン膜の組成について結晶シリコンと非晶質シリコンとボイドの3要素からなるモデルを仮定し、それぞれの体積分率、膜厚、屈折率を設定して、上記の2曲線をシミュレートする(シミュレ−ション曲線)。上記の実測曲線とシミュレ−ション曲線を誤差率10%以内で分散分析することで比較し、結晶シリコンの体積分率を計算し結晶化率とする。
10 薄膜光電変換セル
11 直列アレイ
12 電極バスバー
101 薄膜光電変換セル
111 透明絶縁基板
112 透明絶縁層
113 非晶質光電変換ユニット
113p p型シリコン層
113i i型非晶質シリコン層
113n n型シリコン層
114 中間反射層
115 結晶質光電変換ユニット
115p p型シリコン層
115i i型結晶質シリコン層
115n n型シリコン層
116 裏面金属電極層
117 溝
118 溝
119 溝
120 溝
201 薄膜光電変換セル
211 透明絶縁基板
212 透明絶縁層
213 非晶質光電変換ユニット
213p p型シリコン層
213i i型非晶質シリコン層
213n n型シリコン層
214 中間反射層
215 結晶質光電変換ユニット
215n1 n型シリコン層
215p p型シリコン層
215i i型結晶質シリコン層
215n2 n型シリコン層
216 裏面金属電極層
217 溝
218 溝
219 溝
220 溝
Claims (2)
- 透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層、少なくとも1つの非晶質シリコン系光電変換ユニット、部分的に光を反射しかつ透過する導電性の中間反射層、少なくとも1つの結晶質シリコン系光電変換ユニット、および裏面金属電極層を有するタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法であって、
前記中間反射層の上にプラズマCVDにより結晶質n型層を形成した後、p型層、結晶質i型光電変換層、およびn型層を順次形成することで結晶質シリコン系光電変換ユニットを形成することを特徴とするタンデム型薄膜光電変換装置の製造方法。 - 透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層、少なくとも1つの非晶質シリコン系光電変換ユニット、部分的に光を反射しかつ透過する導電性の中間反射層、少なくとも1つの結晶質シリコン系光電変換ユニット、および裏面金属電極層を有するタンデム型薄膜光電変換セルを、複数個接続した太陽電池の製造方法であって、
前記透明絶縁基板上に透明電極層を形成する工程、
前記透明電極層を厚み方向に貫通する第1の溝を形成する工程、
前記透明電極層上に非晶質シリコン系光電変換ユニットを形成する工程、
前記非晶質シリコン系光電変換ユニット上に中間反射層を形成する工程、
前記非晶質シリコン系光電変換ユニットおよび中間反射層を厚み方向に貫通する第2の溝を形成する工程、
前記中間反射層の上にプラズマCVDにより結晶質n型層を形成した後、p型層、結晶質i型光電変換層、およびn型層を順次形成することにより結晶質シリコン系光電変換ユニットを形成する工程、
前記非晶質シリコン系光電変換ユニット、中間反射層、および結晶質光電変換ユニットを厚み方向に貫通する第3の溝を形成する工程、
結晶質シリコン系光電変換ユニット上に裏面金属電極層を形成する工程、
前記非晶質シリコン系光電変換ユニット、中間反射層、結晶質光電変換ユニット、裏面金属電極層を厚み方向に貫通する第4の溝を形成する工程
を順次有し、
前記第1ないし第4の溝によって、各層をタンデム型薄膜光電変換セルに分離し、かつ分離されたセルを電気的に直列に接続することを特徴とする太陽電池の製造方法。
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