JP2003258279A - 多接合型薄膜太陽電池とその製造方法 - Google Patents
多接合型薄膜太陽電池とその製造方法Info
- Publication number
- JP2003258279A JP2003258279A JP2002057875A JP2002057875A JP2003258279A JP 2003258279 A JP2003258279 A JP 2003258279A JP 2002057875 A JP2002057875 A JP 2002057875A JP 2002057875 A JP2002057875 A JP 2002057875A JP 2003258279 A JP2003258279 A JP 2003258279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solar cell
- semiconductor layer
- film solar
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物の取り込みやピンホールの発生が無
く、変換効率が高く、かつ製造が容易な多接合型薄膜太
陽電池とその製造方法を提供する。 【解決手段】 ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性な
ｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層し
たｐｉｎ型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側
セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層（前
記ｎ層またはｐ層）の少なくともいずれかの層又はその
一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上
側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率
層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、前記低屈
折率層（５）はシリコンオキサイド半導体層とする。
く、変換効率が高く、かつ製造が容易な多接合型薄膜太
陽電池とその製造方法を提供する。 【解決手段】 ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性な
ｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層し
たｐｉｎ型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側
セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層（前
記ｎ層またはｐ層）の少なくともいずれかの層又はその
一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上
側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率
層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、前記低屈
折率層（５）はシリコンオキサイド半導体層とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、低屈折率層を有
する多接合型薄膜太陽電池とその製造方法に関する。
する多接合型薄膜太陽電池とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】非単結晶膜を用いた光電変換装置、特に
シリコン系の非単結晶薄膜であるアモルファス（非晶
質）シリコン（a-Si）、およびアモルファス（非晶質）
シリコンゲルマニウム（a-SiGe）等の薄膜を、プラズマ
放電によって形成した薄膜光電変換装置は、単結晶シリ
コンデバイスと比較して、大面積に、低温で、安価に作
製できることから、電力用の大面積薄膜太陽電池等への
適用において特に期待されている。
シリコン系の非単結晶薄膜であるアモルファス（非晶
質）シリコン（a-Si）、およびアモルファス（非晶質）
シリコンゲルマニウム（a-SiGe）等の薄膜を、プラズマ
放電によって形成した薄膜光電変換装置は、単結晶シリ
コンデバイスと比較して、大面積に、低温で、安価に作
製できることから、電力用の大面積薄膜太陽電池等への
適用において特に期待されている。
【０００３】しかしながら、このa-Siやa-SiGe太陽電池
は、単結晶Siや多結晶Si等のバルク結晶型太陽電池に比
べて変換効率が低く、さらには、固有の問題として光照
射によって変換効率が１〜３割程度低下する光劣化とい
う問題を抱えている。これらの問題を解決して高効率、
高信頼性を実現する方法として複数のpin型セルを積層
してマルチ接合化したもの、即ち、多接合型薄膜太陽電
池が知られている。
は、単結晶Siや多結晶Si等のバルク結晶型太陽電池に比
べて変換効率が低く、さらには、固有の問題として光照
射によって変換効率が１〜３割程度低下する光劣化とい
う問題を抱えている。これらの問題を解決して高効率、
高信頼性を実現する方法として複数のpin型セルを積層
してマルチ接合化したもの、即ち、多接合型薄膜太陽電
池が知られている。
【０００４】これは、ｐ，ｉ，ｎ型の半導体層から成る
光電変換層を、基板上に複数積層したもので、光入射側
に、相対的に光学的禁制帯幅（以下、光学的バンドギャ
ップともいう。）の大きい非晶質シリコンを用い、光入
射側から遠い光電変換層に、光学的バンドギャップの小
さい非晶質シリコンゲルマニウムを用いて、非晶質シリ
コンでは吸収され難い赤外線領域の光も効率よく吸収し
て、変換効率の向上を図るものである。さらに、一つの
半導体層の膜厚方向の原子組成比を変化させることによ
り、光学的バンドギャップをその層内で変化させるグレ
ーデッド構成の採用により、さらに変換効率の向上を図
る技術も知られている。
光電変換層を、基板上に複数積層したもので、光入射側
に、相対的に光学的禁制帯幅（以下、光学的バンドギャ
ップともいう。）の大きい非晶質シリコンを用い、光入
射側から遠い光電変換層に、光学的バンドギャップの小
さい非晶質シリコンゲルマニウムを用いて、非晶質シリ
コンでは吸収され難い赤外線領域の光も効率よく吸収し
て、変換効率の向上を図るものである。さらに、一つの
半導体層の膜厚方向の原子組成比を変化させることによ
り、光学的バンドギャップをその層内で変化させるグレ
ーデッド構成の採用により、さらに変換効率の向上を図
る技術も知られている。
【０００５】前記光劣化の問題や多層化による変換効率
の向上について、さらに以下に詳述する。前記光劣化は
ｉ層中に発生する光誘起欠陥に起因する。ｉ層の膜厚を
薄くすれば内部電界が強くなるために、効率低下を抑え
ることが可能であるが光吸収量が減って初期効率が低下
してしまう。そこで、ｉ層の膜厚が薄いセルを複数個積
層すれば、１個のときよりも光吸収量を増加させること
ができ、高効率と高信頼性の両立を図ることが可能とな
る。さらに、前記a-SiGeや薄膜多結晶シリコンあるいは
薄膜微結晶シリコン（μc-Si）等のナローギャップ（光
学的バンドギャップの小さい）材料をｉ層に用いたセル
をボトムあるいはミドルセルとして組み合わせればa-Si
セルでは用いることができなかった波長800nm以上の赤
外光も吸収することが可能となり、高効率化が達成でき
る。これらはすべてa-Siと同様にプラズマＣＶＤ法で製
膜することができる。
の向上について、さらに以下に詳述する。前記光劣化は
ｉ層中に発生する光誘起欠陥に起因する。ｉ層の膜厚を
薄くすれば内部電界が強くなるために、効率低下を抑え
ることが可能であるが光吸収量が減って初期効率が低下
してしまう。そこで、ｉ層の膜厚が薄いセルを複数個積
層すれば、１個のときよりも光吸収量を増加させること
ができ、高効率と高信頼性の両立を図ることが可能とな
る。さらに、前記a-SiGeや薄膜多結晶シリコンあるいは
薄膜微結晶シリコン（μc-Si）等のナローギャップ（光
学的バンドギャップの小さい）材料をｉ層に用いたセル
をボトムあるいはミドルセルとして組み合わせればa-Si
セルでは用いることができなかった波長800nm以上の赤
外光も吸収することが可能となり、高効率化が達成でき
る。これらはすべてa-Siと同様にプラズマＣＶＤ法で製
膜することができる。
【０００６】これらのナローギャップ材料を用いると、
光入射側の上側セル（以下、トップセルともいう。）と
反入射側の下側セル（以下、ボトムセルともいう。）と
を合わせて２０〜２８mA/cm2程度の短絡電流（Jsc）が
得られるが、トップセルは、ほぼその半分の１０〜１４
mA/cm2のJsc を受け持つことになる。しかしながら、ト
ップセルでは、反射光の効果を殆ど期待できないので、
膜厚を２００〜３００nmと厚くする必要があり、このた
め、曲線因子（FF）が低下し、光劣化率が高くなるとい
う特性面の問題、および材料コストが嵩むというコスト
上の問題があった。
光入射側の上側セル（以下、トップセルともいう。）と
反入射側の下側セル（以下、ボトムセルともいう。）と
を合わせて２０〜２８mA/cm2程度の短絡電流（Jsc）が
得られるが、トップセルは、ほぼその半分の１０〜１４
mA/cm2のJsc を受け持つことになる。しかしながら、ト
ップセルでは、反射光の効果を殆ど期待できないので、
膜厚を２００〜３００nmと厚くする必要があり、このた
め、曲線因子（FF）が低下し、光劣化率が高くなるとい
う特性面の問題、および材料コストが嵩むというコスト
上の問題があった。
【０００７】このうち特性上の問題を解決する手段とし
ては、ミラー層と称する低屈折率の金属酸化物をトップ
セルとボトムセル間のｎ／ｐ接合部に挟み、屈折率の差
を利用して、故意にある程度の光をミラー層で反射させ
て、トップセルの短絡電流を増加させる技術がニューシ
ャテル大のフィッシャーらによって提案されている（25
th IEEE PVSC 1053 〜1056頁参照）。
ては、ミラー層と称する低屈折率の金属酸化物をトップ
セルとボトムセル間のｎ／ｐ接合部に挟み、屈折率の差
を利用して、故意にある程度の光をミラー層で反射させ
て、トップセルの短絡電流を増加させる技術がニューシ
ャテル大のフィッシャーらによって提案されている（25
th IEEE PVSC 1053 〜1056頁参照）。
【０００８】また、本件出願人の関係会社である出願人
により、100℃以下の低温においてｎ型の微結晶シリコ
ンを製膜して屈折率を２．５〜３以下とし、この低屈折
率層のミラー効果により変換効率（Eff）の向上を図っ
た多接合型薄膜太陽電池の発明に関する出願を行なって
いる（特願２０００−２５８５１１号参照）。
により、100℃以下の低温においてｎ型の微結晶シリコ
ンを製膜して屈折率を２．５〜３以下とし、この低屈折
率層のミラー効果により変換効率（Eff）の向上を図っ
た多接合型薄膜太陽電池の発明に関する出願を行なって
いる（特願２０００−２５８５１１号参照）。
【０００９】なお、一見、類似技術に関わり、特公平２
−３７１１６号公報には、複数のｐｉｎセルを積層した
多接合型の光起電力装置において、アモルファス半導体
からなるｐｉｎセル間に微結晶化半導体層を挟むことが
記載されている。しかしながら、この微結晶化半導体層
は各セル間の逆方向整流性を排除するために設けるもの
であって、厚さは10nmと薄く、屈折率についても考慮さ
れておらず、また反射光に関する記述もない。従って、
上記公告公報に記載された多接合型の光起電力装置は、
前記特願２０００−２５８５１１号に開示され低屈折率
層を有する多接合型薄膜太陽電池を意図したものとは異
なるものと考えられる。
−３７１１６号公報には、複数のｐｉｎセルを積層した
多接合型の光起電力装置において、アモルファス半導体
からなるｐｉｎセル間に微結晶化半導体層を挟むことが
記載されている。しかしながら、この微結晶化半導体層
は各セル間の逆方向整流性を排除するために設けるもの
であって、厚さは10nmと薄く、屈折率についても考慮さ
れておらず、また反射光に関する記述もない。従って、
上記公告公報に記載された多接合型の光起電力装置は、
前記特願２０００−２５８５１１号に開示され低屈折率
層を有する多接合型薄膜太陽電池を意図したものとは異
なるものと考えられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記特願２
０００−２５８５１１号に記載された、100℃以下の低
温においてｎ型の微結晶シリコンを形成する場合、200
℃以上の基板を100℃以下に冷却する必要があるため
に、製造時間が長時間となり量産に適さない問題があっ
た。さらに、最適な温度範囲が狭く、60℃以下ではパウ
ダーを発生してデバイス性能や歩留りを大幅に低下させ
ることことが判明し、さらにまた、屈折率としても２．
５未満を実現することはできず、変換効率（Eff）など
の太陽電池の特性向上には限界があることが判明した。
０００−２５８５１１号に記載された、100℃以下の低
温においてｎ型の微結晶シリコンを形成する場合、200
℃以上の基板を100℃以下に冷却する必要があるため
に、製造時間が長時間となり量産に適さない問題があっ
た。さらに、最適な温度範囲が狭く、60℃以下ではパウ
ダーを発生してデバイス性能や歩留りを大幅に低下させ
ることことが判明し、さらにまた、屈折率としても２．
５未満を実現することはできず、変換効率（Eff）など
の太陽電池の特性向上には限界があることが判明した。
【００１１】また、前記フィッシャーらによって提案さ
れたミラー層としての金属酸化物層は、スパッタリング
や蒸着により形成されるため、半導体層を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置に組み込むことは、困難であり、２台の
製膜装置を必要とする。さらに、ボトムセル製膜とミラ
ー層製膜との間、ならびに、ミラー層製膜とトップセル
製膜との間で、一部製膜された基板を大気に晒すことと
なり、不純物の取り込みやピンホールの発生等の問題が
あった。
れたミラー層としての金属酸化物層は、スパッタリング
や蒸着により形成されるため、半導体層を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置に組み込むことは、困難であり、２台の
製膜装置を必要とする。さらに、ボトムセル製膜とミラ
ー層製膜との間、ならびに、ミラー層製膜とトップセル
製膜との間で、一部製膜された基板を大気に晒すことと
なり、不純物の取り込みやピンホールの発生等の問題が
あった。
【００１２】この発明は、上記の点に鑑みてなされたも
ので、本発明の課題は、不純物の取り込みやピンホール
の発生が無く、変換効率が高く、かつ製造が容易な多接
合型薄膜太陽電池とその製造方法を提供することにあ
る。
ので、本発明の課題は、不純物の取り込みやピンホール
の発生が無く、変換効率が高く、かつ製造が容易な多接
合型薄膜太陽電池とその製造方法を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前述の課題を達成するた
め、この発明は、ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性
なｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層
したｐｉｎ型セルを複数層積層してなり、光入射側の上
側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層
（前記ｎ層またはｐ層）の少なくともいずれかの層又は
その一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層よ
り上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈
折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、前記
低屈折率層はシリコンオキサイド半導体層とする（請求
項１の発明）。
め、この発明は、ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性
なｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層
したｐｉｎ型セルを複数層積層してなり、光入射側の上
側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層
（前記ｎ層またはｐ層）の少なくともいずれかの層又は
その一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層よ
り上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈
折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、前記
低屈折率層はシリコンオキサイド半導体層とする（請求
項１の発明）。
【００１４】上記請求項１の発明において、上側ｐｉｎ
セルの最下層またはその一部の層が低屈折率層であって
も、下側ｐｉｎセルの最上層またはその一部の層が低屈
折率層であってもよい。また、上側セルと下側セルとの
境界に、上側セルの半導体層と比較して屈折率の低い低
屈折率層を有するものとしても良い。
セルの最下層またはその一部の層が低屈折率層であって
も、下側ｐｉｎセルの最上層またはその一部の層が低屈
折率層であってもよい。また、上側セルと下側セルとの
境界に、上側セルの半導体層と比較して屈折率の低い低
屈折率層を有するものとしても良い。
【００１５】上記のように、低屈折率の半導体層を設け
ることにより、その層がミラー層と同じ役割を果たし、
光を反射させて、上側セルの短絡電流を増大させる。し
かも、他の半導体層と同じプラズマＣＶＤ装置で製膜で
きるので、金属酸化物のミラー層の形成のように、製膜
装置から基板を取り出し大気に晒されることが無くなる
ので、不純物の取り込みやピンホールの発生が無くな
り、変換効率が高くかつ製造が容易な多接合型薄膜太陽
電池が提供できる。
ることにより、その層がミラー層と同じ役割を果たし、
光を反射させて、上側セルの短絡電流を増大させる。し
かも、他の半導体層と同じプラズマＣＶＤ装置で製膜で
きるので、金属酸化物のミラー層の形成のように、製膜
装置から基板を取り出し大気に晒されることが無くなる
ので、不純物の取り込みやピンホールの発生が無くな
り、変換効率が高くかつ製造が容易な多接合型薄膜太陽
電池が提供できる。
【００１６】シリコンの屈折率は約３．５であり、微結
晶シリコン薄膜、アモルファスシリコン薄膜の屈折率も
ほぼ似た値である。従って、屈折率が３を越えたμc-Si
層では、光を反射させる効果が少なくなる。従来の低温
処理した微結晶シリコン薄膜では、屈折率が２．５未満
のｎ型のμc-Si層を製膜することは困難であったが、シ
リコンオキサイド半導体では、良好な電気伝導率を維持
しながら屈折率を２．５未満に低下させることが可能で
ある。
晶シリコン薄膜、アモルファスシリコン薄膜の屈折率も
ほぼ似た値である。従って、屈折率が３を越えたμc-Si
層では、光を反射させる効果が少なくなる。従来の低温
処理した微結晶シリコン薄膜では、屈折率が２．５未満
のｎ型のμc-Si層を製膜することは困難であったが、シ
リコンオキサイド半導体では、良好な電気伝導率を維持
しながら屈折率を２．５未満に低下させることが可能で
ある。
【００１７】上記請求項１の発明の実施態様としては、
下記請求項１ないし４の発明が好適である。即ち、請求
項１に記載の多接合型薄膜太陽電池において、前記シリ
コンオキサイド半導体層は、微結晶シリコン（μc-Si）
の結晶粒と非晶質シリコンオキサイド（a-SixO1-x）の
２フェーズからなる半導体層とし、かつこのシリコンオ
キサイド半導体層内の酸素原子の割合は、５〜５０原子
％とする（請求項２の発明）。上記により、詳細は後述
するように、低屈折率層の屈折率を、２〜３とすること
ができる。
下記請求項１ないし４の発明が好適である。即ち、請求
項１に記載の多接合型薄膜太陽電池において、前記シリ
コンオキサイド半導体層は、微結晶シリコン（μc-Si）
の結晶粒と非晶質シリコンオキサイド（a-SixO1-x）の
２フェーズからなる半導体層とし、かつこのシリコンオ
キサイド半導体層内の酸素原子の割合は、５〜５０原子
％とする（請求項２の発明）。上記により、詳細は後述
するように、低屈折率層の屈折率を、２〜３とすること
ができる。
【００１８】また、請求項１または２に記載の多接合型
薄膜太陽電池において、前記光入射側の上側セルのｉ層
は、非晶質シリコンからなりその膜厚を７０〜２００ｎ
ｍとし、前記反入射側の下側セルは、非晶質シリコンゲ
ルマニウムからなるものとする（請求項３の発明）こと
もできるし、さらにまた、請求項３に記載の多接合型薄
膜太陽電池において、前記反入射側の下側セルは、前記
非晶質シリコンゲルマニウムに代えて、微結晶シリコン
からなるものとする（請求項４の発明）こともできる。
薄膜太陽電池において、前記光入射側の上側セルのｉ層
は、非晶質シリコンからなりその膜厚を７０〜２００ｎ
ｍとし、前記反入射側の下側セルは、非晶質シリコンゲ
ルマニウムからなるものとする（請求項３の発明）こと
もできるし、さらにまた、請求項３に記載の多接合型薄
膜太陽電池において、前記反入射側の下側セルは、前記
非晶質シリコンゲルマニウムに代えて、微結晶シリコン
からなるものとする（請求項４の発明）こともできる。
【００１９】前記請求項３または４の発明において、上
側セルのｉ層の膜厚を７０〜２００ｎｍとする理由は、
下記のとおりである。即ち、膜厚７０ｎｍ未満では、光
吸収が不十分で短絡電流が小さく、２００ｎｍを越える
場合には、トップセルの光劣化が大きくなり、安定化後
の高い変換効率を維持することができなくなるからであ
る。
側セルのｉ層の膜厚を７０〜２００ｎｍとする理由は、
下記のとおりである。即ち、膜厚７０ｎｍ未満では、光
吸収が不十分で短絡電流が小さく、２００ｎｍを越える
場合には、トップセルの光劣化が大きくなり、安定化後
の高い変換効率を維持することができなくなるからであ
る。
【００２０】また、前記本発明の薄膜太陽電池の製造方
法としては、下記請求項５ないし６の発明が好適であ
る。即ち、請求項１ないし４のいずれかに記載の多接合
型薄膜太陽電池の製造方法であって、下記の工程を含む
（請求項５の発明）。詳細は後述する。 １）電気絶縁性基板上に、金属電極層をスパッタリング
法により形成する工程。 ２）前記金属電極層の上に、基板温度を１３０〜１７０
℃（但し、最下層のｉ層は２００〜２５０℃）として、
前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層を
含むｐ，ｉ，ｎ層の各半導体層を複数層、プラズマＣＶ
Ｄ法により形成する工程。 ３）前記各半導体層の最上層の上に、透明電極層をスパ
ッタリング法により形成する工程。
法としては、下記請求項５ないし６の発明が好適であ
る。即ち、請求項１ないし４のいずれかに記載の多接合
型薄膜太陽電池の製造方法であって、下記の工程を含む
（請求項５の発明）。詳細は後述する。 １）電気絶縁性基板上に、金属電極層をスパッタリング
法により形成する工程。 ２）前記金属電極層の上に、基板温度を１３０〜１７０
℃（但し、最下層のｉ層は２００〜２５０℃）として、
前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層を
含むｐ，ｉ，ｎ層の各半導体層を複数層、プラズマＣＶ
Ｄ法により形成する工程。 ３）前記各半導体層の最上層の上に、透明電極層をスパ
ッタリング法により形成する工程。
【００２１】さらに、前記請求項５に記載の製造方法に
おいて、前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈
折率層は、基板温度を１００℃以下として形成する（請
求項６の発明）。この場合、基板温度を低下させる時間
が余分に必要となるが、低屈折率層の屈折率を２．２以
下のより低い値とすることが可能となる。
おいて、前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈
折率層は、基板温度を１００℃以下として形成する（請
求項６の発明）。この場合、基板温度を低下させる時間
が余分に必要となるが、低屈折率層の屈折率を２．２以
下のより低い値とすることが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】この発明の実施例について以下に
述べる。
述べる。
【００２３】図１は、この発明の実施例に関わる多接合
型薄膜太陽電池の模式的断面構造を示し、ボトムセルに
a-SiGeセルを適用した面積１cm2 のa-Si/a-SiGe 太陽電
池の実施例を示す。図１の太陽電池の各層の構成と製造
プロセスの具体例につき、以下に述べる。
型薄膜太陽電池の模式的断面構造を示し、ボトムセルに
a-SiGeセルを適用した面積１cm2 のa-Si/a-SiGe 太陽電
池の実施例を示す。図１の太陽電池の各層の構成と製造
プロセスの具体例につき、以下に述べる。
【００２４】図１に示す薄膜太陽電池は、ガラス基板１
上に金属電極層２として銀（Ａｇ）/ZnO積層薄膜が設け
られている。その金属電極層２上に、a-Siのボトムｎ層
３、a-SiGeのボトムｉ層４、膜中に５〜５０原子％の酸
素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フ
ェーズからなるシリコンオキサイド半導体からなるボト
ムｐ層５、μc-Siの第一トップｎ層６、アモルファス酸
化シリコン（a-SiO）の第二トップｎ層７、a-Siのトッ
プｉ層８、a-SiOのトップｐ／ｉ界面層９、a-SiOのトッ
プｐ層１０が積層され、そのトップｐ層１０の表面に酸
化インジウム錫（ＩＴＯ）の透明電極層１１が設けられ
ている。
上に金属電極層２として銀（Ａｇ）/ZnO積層薄膜が設け
られている。その金属電極層２上に、a-Siのボトムｎ層
３、a-SiGeのボトムｉ層４、膜中に５〜５０原子％の酸
素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フ
ェーズからなるシリコンオキサイド半導体からなるボト
ムｐ層５、μc-Siの第一トップｎ層６、アモルファス酸
化シリコン（a-SiO）の第二トップｎ層７、a-Siのトッ
プｉ層８、a-SiOのトップｐ／ｉ界面層９、a-SiOのトッ
プｐ層１０が積層され、そのトップｐ層１０の表面に酸
化インジウム錫（ＩＴＯ）の透明電極層１１が設けられ
ている。
【００２５】以下に試作セルの製造工程を説明する。ガ
ラス基板１としては、旭硝子社製のＵタイプ二酸化錫
（SnO2）付きガラス基板を用いた。このガラス基板１上
に、金属電極層２としてスパッタリング法により厚さ１
００〜２００nmの銀（Ａｇ）/ZnO積層薄膜を製膜した。
ラス基板１としては、旭硝子社製のＵタイプ二酸化錫
（SnO2）付きガラス基板を用いた。このガラス基板１上
に、金属電極層２としてスパッタリング法により厚さ１
００〜２００nmの銀（Ａｇ）/ZnO積層薄膜を製膜した。
【００２６】次に、プラズマＣＶＤ法によりa-Si系膜３
〜１０の製膜を行なった。まず、基板温度を１３０〜１
７０℃として、モノシラン（SiH4）を主ガス、フォスフ
ィン（PH3）をドーピングガス、水素（H2）を希釈ガス
として、膜厚１０〜２０nmのa-Siのボトムｎ層３を製膜
し、続いて基板温度を２００〜２５０℃として、SiH4と
ゲルマン（GeH4）を主ガス、H2を希釈ガスとして、膜厚
１００〜１５０nmのa-SiGeからなるボトムｉ層４を製膜
した。ここで、ｉ層４のバンドギャップは１．４５eVと
した。
〜１０の製膜を行なった。まず、基板温度を１３０〜１
７０℃として、モノシラン（SiH4）を主ガス、フォスフ
ィン（PH3）をドーピングガス、水素（H2）を希釈ガス
として、膜厚１０〜２０nmのa-Siのボトムｎ層３を製膜
し、続いて基板温度を２００〜２５０℃として、SiH4と
ゲルマン（GeH4）を主ガス、H2を希釈ガスとして、膜厚
１００〜１５０nmのa-SiGeからなるボトムｉ層４を製膜
した。ここで、ｉ層４のバンドギャップは１．４５eVと
した。
【００２７】次に基板温度を１３０〜１７０℃として、
SiH4を主ガス、これにCO2および、ジボラン（B2H6 ）を
ドーピングガス、水素（H2）を希釈ガスとして、膜厚１
０〜２０nmの膜中に５〜５０原子％の酸素を含み、微結
晶シリコンの結晶粒とa-Si xO1-xの２フェーズからなる
シリコンオキサイド半導体のボトムｐ層５を製膜した。
酸素を３０％含むシリコンオキサイド半導体の場合、屈
折率が２．４となり、良好なミラー層としての性能を示
した。このときの水素希釈度（H2/SiH4 ）は１００〜３
００倍とし、ドーピング量は、B2H6/SiH4 ＝０．１〜１
％とした。
SiH4を主ガス、これにCO2および、ジボラン（B2H6 ）を
ドーピングガス、水素（H2）を希釈ガスとして、膜厚１
０〜２０nmの膜中に５〜５０原子％の酸素を含み、微結
晶シリコンの結晶粒とa-Si xO1-xの２フェーズからなる
シリコンオキサイド半導体のボトムｐ層５を製膜した。
酸素を３０％含むシリコンオキサイド半導体の場合、屈
折率が２．４となり、良好なミラー層としての性能を示
した。このときの水素希釈度（H2/SiH4 ）は１００〜３
００倍とし、ドーピング量は、B2H6/SiH4 ＝０．１〜１
％とした。
【００２８】なお、ボトムｐ層５を二層構造として、ｐ
型のアモルファスシリコンオキサイド（a-SiO:H）をま
ず形成し、その後に、膜厚１０〜２０nmの膜中に５〜５
０原子％の酸素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-Si
xO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体
を形成しても良い。
型のアモルファスシリコンオキサイド（a-SiO:H）をま
ず形成し、その後に、膜厚１０〜２０nmの膜中に５〜５
０原子％の酸素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-Si
xO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体
を形成しても良い。
【００２９】ボトムｐ層５製膜後、同じ基板温度１３０
〜１７０℃で、SiH4を主ガス、PH3をドーピングガス、H
2を希釈ガスとして、膜厚１５〜８０nmのμc-Siの第一
トップｎ層６を製膜した。このときのドーピング量は、
PH3/SiH4 ＝０．２〜２とし、水素希釈度は７５〜１０
０倍とした。
〜１７０℃で、SiH4を主ガス、PH3をドーピングガス、H
2を希釈ガスとして、膜厚１５〜８０nmのμc-Siの第一
トップｎ層６を製膜した。このときのドーピング量は、
PH3/SiH4 ＝０．２〜２とし、水素希釈度は７５〜１０
０倍とした。
【００３０】この上に同じ基板温度１３０〜１７０℃
で、SiH4および炭酸ガス（CO2 ）を主ガス、PH3をドー
ピングガス、H2を希釈ガスとして、膜厚１０〜２０nmの
a-SiOの第二トップｎ層７を製膜し、二層構造のトップ
ｎ層とした。第二トップｎ層７の屈折率は約３．５であ
る。
で、SiH4および炭酸ガス（CO2 ）を主ガス、PH3をドー
ピングガス、H2を希釈ガスとして、膜厚１０〜２０nmの
a-SiOの第二トップｎ層７を製膜し、二層構造のトップ
ｎ層とした。第二トップｎ層７の屈折率は約３．５であ
る。
【００３１】その後、SiH4を主ガス、H2を希釈ガスとし
て、膜厚８０〜３００nmのa-Siのトップｉ層８、再びSi
H4および炭酸ガス（CO2 ）を主ガス、B2H6 をドーピン
グガス、H2を希釈ガスとして、膜厚５〜２０nmのa-SiO
のトップ界面層９と膜厚４〜１５nmのトップｐ層１０を
順次製膜した。トップ界面層９とトップｐ層のドーピン
グ量は、それぞれB2H6/SiH4 ＝２０〜５００ppm 、０．
５〜３％とした。
て、膜厚８０〜３００nmのa-Siのトップｉ層８、再びSi
H4および炭酸ガス（CO2 ）を主ガス、B2H6 をドーピン
グガス、H2を希釈ガスとして、膜厚５〜２０nmのa-SiO
のトップ界面層９と膜厚４〜１５nmのトップｐ層１０を
順次製膜した。トップ界面層９とトップｐ層のドーピン
グ量は、それぞれB2H6/SiH4 ＝２０〜５００ppm 、０．
５〜３％とした。
【００３２】最後にスパッタリング法により、透明電極
層１１として膜厚８０〜３００nmのＩＴＯを形成した。
層１１として膜厚８０〜３００nmのＩＴＯを形成した。
【００３３】次に、本発明に係る多接合型薄膜太陽電池
の諸特性について、実験した結果について、比較例とと
もに以下に述べる。上記のようにして完成した本発明に
係る太陽電池の他に、比較例としてシリコンオキサイド
半導体のボトムｐ層５に代えて、屈折率を３.３とした
従来方式の太陽電池を試作した。
の諸特性について、実験した結果について、比較例とと
もに以下に述べる。上記のようにして完成した本発明に
係る太陽電池の他に、比較例としてシリコンオキサイド
半導体のボトムｐ層５に代えて、屈折率を３.３とした
従来方式の太陽電池を試作した。
【００３４】図２〜図５は、上記のようにして試作した
実施例と比較例のa-Si/a-SiGe タンデムセルにおける、
トップｉ層８の膜厚と、セル特性との関係を示す特性関
係図である。図２〜図５は、それぞれ、短絡電流（Js
c），開放電圧（Voc），曲線因子（FF），変換効率（Ef
f）の実験結果を示し、各図において、本発明に係る実
施例のセルの測定値は●印、比較例は○印で示した。
実施例と比較例のa-Si/a-SiGe タンデムセルにおける、
トップｉ層８の膜厚と、セル特性との関係を示す特性関
係図である。図２〜図５は、それぞれ、短絡電流（Js
c），開放電圧（Voc），曲線因子（FF），変換効率（Ef
f）の実験結果を示し、各図において、本発明に係る実
施例のセルの測定値は●印、比較例は○印で示した。
【００３５】図２は、横軸にトップｉ層８の膜厚（ｎ
ｍ）を、縦軸に短絡電流密度Jsc（mA/cm2）を示す。図
２の結果によれば、本実施例のa-Si/a-SiGe タンデムセ
ルでは、トップｉ層が薄い領域で、Jsc が増大している
ことがわかる。また、Jsc が最大になる最適マッチング
の膜厚は、従来が３００nm程度だったのに対し本実施例
では、１８０nm程度と大幅に薄くなっている。さらに、
実施例においては、比較例と比べて約６０〜７０% 程度
のトップｉ層膜厚で、同じJsc が得られることがわか
る。
ｍ）を、縦軸に短絡電流密度Jsc（mA/cm2）を示す。図
２の結果によれば、本実施例のa-Si/a-SiGe タンデムセ
ルでは、トップｉ層が薄い領域で、Jsc が増大している
ことがわかる。また、Jsc が最大になる最適マッチング
の膜厚は、従来が３００nm程度だったのに対し本実施例
では、１８０nm程度と大幅に薄くなっている。さらに、
実施例においては、比較例と比べて約６０〜７０% 程度
のトップｉ層膜厚で、同じJsc が得られることがわか
る。
【００３６】図３は、横軸にトップｉ層８の膜厚（ｎ
ｍ）を、縦軸に開放電圧Voc（Ｖ）を示す。また、図４
は、横軸にトップｉ層８の膜厚（ｎｍ）を、縦軸に曲線
因子FFを示す。開放電圧Voc およびFFでは、実施例と比
較例とであまり差は見られない。
ｍ）を、縦軸に開放電圧Voc（Ｖ）を示す。また、図４
は、横軸にトップｉ層８の膜厚（ｎｍ）を、縦軸に曲線
因子FFを示す。開放電圧Voc およびFFでは、実施例と比
較例とであまり差は見られない。
【００３７】図５は、横軸にトップｉ層８の膜厚（ｎ
ｍ）を、縦軸に変換効率Eff（％）を示す。a-Siセルで
は、i 層膜厚を薄くする程、内部電界が強くなることに
よって、変換効率（Eff）が向上する。本実施例では、
最適マッチングになるトップｉ層を薄膜化できるように
なったため、最適条件での変換効率（Eff）が向上し
た。図５の結果によれば、本実施例の最高効率は１２．
９％（トップｉ層１５０nm時）となり、従来例の最高効
率１１．３％（トップｉ層２５０nm時）よりも約１．６
％効率が向上した。
ｍ）を、縦軸に変換効率Eff（％）を示す。a-Siセルで
は、i 層膜厚を薄くする程、内部電界が強くなることに
よって、変換効率（Eff）が向上する。本実施例では、
最適マッチングになるトップｉ層を薄膜化できるように
なったため、最適条件での変換効率（Eff）が向上し
た。図５の結果によれば、本実施例の最高効率は１２．
９％（トップｉ層１５０nm時）となり、従来例の最高効
率１１．３％（トップｉ層２５０nm時）よりも約１．６
％効率が向上した。
【００３８】前記短絡電流密度Jscおよび変換効率（Ef
f）の向上効果は、トップセルとボトムセルとの境界部
分に低屈折率のボトムｐ層６を設けることによって、入
射光の反射分が増えたミラー効果によるものである。
f）の向上効果は、トップセルとボトムセルとの境界部
分に低屈折率のボトムｐ層６を設けることによって、入
射光の反射分が増えたミラー効果によるものである。
【００３９】また、従来の技術の項で述べた低温形成μ
c-Siによっても、ある程度の性能改善効果を得ることは
可能であるが、屈折率が2.5より大きいために、その効
果は少なく、さらに、温度を低下させるための時間４０
分、および再び昇温するための時間２０分の合計６０分
が、前記実施例に相当するケースにおいては必要とな
り、量産性がよくないことが分った。
c-Siによっても、ある程度の性能改善効果を得ることは
可能であるが、屈折率が2.5より大きいために、その効
果は少なく、さらに、温度を低下させるための時間４０
分、および再び昇温するための時間２０分の合計６０分
が、前記実施例に相当するケースにおいては必要とな
り、量産性がよくないことが分った。
【００４０】なお、本実施例では屈折率２．４のシリコ
ンオキサイド半導体を適用した場合について述べたが、
屈折率３以下の膜を適用することで、ミラー効果が得ら
れることが確認できている。上記に関わり、シリコンオ
キサイド半導体と屈折率との関係を調べるために行なっ
た実験結果について、以下に述べる。
ンオキサイド半導体を適用した場合について述べたが、
屈折率３以下の膜を適用することで、ミラー効果が得ら
れることが確認できている。上記に関わり、シリコンオ
キサイド半導体と屈折率との関係を調べるために行なっ
た実験結果について、以下に述べる。
【００４１】図６は、水素希釈度（H2/SiH4 ）２００
倍、基板温度160℃で製膜した微結晶シリコンの結晶粒
とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド
半導体層の膜中酸素原子％と屈折率との関係を示す。酸
素原子％は、図６の横軸にＯ／（Ｏ＋Ｓｉ）％として示
し、屈折率ｎは縦軸に示す。
倍、基板温度160℃で製膜した微結晶シリコンの結晶粒
とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド
半導体層の膜中酸素原子％と屈折率との関係を示す。酸
素原子％は、図６の横軸にＯ／（Ｏ＋Ｓｉ）％として示
し、屈折率ｎは縦軸に示す。
【００４２】図６の結果によれば、酸素原子％が増加す
るに従い屈折率ｎは減少する。酸素原子％が５０％を超
えても屈折率は減少を続けるが、導電率が10-6 S/cm以
下となり、デバイス特性に不具合を生じることも、別途
確認されており、屈折率ｎを３以下とする場合、酸素原
子％は、５〜５０％が好ましい。また、基板温度を１０
０℃に低下させると、酸素原子％が５０％で，屈折率ｎ
が２．２となることが確認された。基板温度を低下させ
る程、屈折率はより低下可能であるが、この場合、基板
温度を低下させる時間が余分に必要となるので、要請に
応じて、低屈折率層製膜時の適切な基板温度を決めれば
よい。
るに従い屈折率ｎは減少する。酸素原子％が５０％を超
えても屈折率は減少を続けるが、導電率が10-6 S/cm以
下となり、デバイス特性に不具合を生じることも、別途
確認されており、屈折率ｎを３以下とする場合、酸素原
子％は、５〜５０％が好ましい。また、基板温度を１０
０℃に低下させると、酸素原子％が５０％で，屈折率ｎ
が２．２となることが確認された。基板温度を低下させ
る程、屈折率はより低下可能であるが、この場合、基板
温度を低下させる時間が余分に必要となるので、要請に
応じて、低屈折率層製膜時の適切な基板温度を決めれば
よい。
【００４３】
【発明の効果】上記のとおり、この発明によれば、ｐ型
半導体層（ｐ層）、実質的に真性なｉ型半導体層（ｉ
層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層したｐｉｎ型セルを
複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の
下側セルとの境界をなす二つの層（前記ｎ層またはｐ
層）の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前
記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の
屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多
接合型薄膜太陽電池において、前記低屈折率層はシリコ
ンオキサイド半導体層とし、上記多接合型薄膜太陽電池
の製造方法として、１）電気絶縁性基板上に、金属電極
層をスパッタリング法により形成する工程と、２）前記
金属電極層の上に、基板温度を１３０〜１７０℃（但
し、最下層のｉ層は２００〜２５０℃）として、前記シ
リコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層を含む
ｐ，ｉ，ｎ層の各半導体層を複数層、プラズマＣＶＤ法
により形成する工程と、３）前記各半導体層の最上層の
上に、透明電極層をスパッタリング法により形成する工
程とを含む製造プロセスとしたので、不純物の取り込み
やピンホールの発生が無く、変換効率が高く、かつ製造
が容易な多接合型薄膜太陽電池とその製造方法を提供す
ることができる。
半導体層（ｐ層）、実質的に真性なｉ型半導体層（ｉ
層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層したｐｉｎ型セルを
複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の
下側セルとの境界をなす二つの層（前記ｎ層またはｐ
層）の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前
記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の
屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多
接合型薄膜太陽電池において、前記低屈折率層はシリコ
ンオキサイド半導体層とし、上記多接合型薄膜太陽電池
の製造方法として、１）電気絶縁性基板上に、金属電極
層をスパッタリング法により形成する工程と、２）前記
金属電極層の上に、基板温度を１３０〜１７０℃（但
し、最下層のｉ層は２００〜２５０℃）として、前記シ
リコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層を含む
ｐ，ｉ，ｎ層の各半導体層を複数層、プラズマＣＶＤ法
により形成する工程と、３）前記各半導体層の最上層の
上に、透明電極層をスパッタリング法により形成する工
程とを含む製造プロセスとしたので、不純物の取り込み
やピンホールの発生が無く、変換効率が高く、かつ製造
が容易な多接合型薄膜太陽電池とその製造方法を提供す
ることができる。
【図１】本発明の実施例に関わる多接合型薄膜太陽電池
の模式的断面構造図
の模式的断面構造図
【図２】短絡電流密度（Jsc）に関する実施例と従来例
との比較実験結果を示す図
との比較実験結果を示す図
【図３】開放電圧（Voc）に関する実施例と従来例との
比較実験結果を示す図
比較実験結果を示す図
【図４】曲線因子（FF）に関する実施例と従来例との比
較実験結果を示す図
較実験結果を示す図
【図５】変換効率（Eff）に関する実施例と従来例との
比較実験結果を示す図
比較実験結果を示す図
【図６】本発明に係るシリコンオキサイド半導体層の膜
中酸素原子％と屈折率との関係の実験結果を示す図
中酸素原子％と屈折率との関係の実験結果を示す図
１：ガラス基板、２：銀（Ａｇ）/ZnO層（金属電極
層）、３：a-Siのボトムｎ層、４：a-SiGeのボトムｉ
層、５：シリコンオキサイド半導体からなるボトムｐ
層、６：μc-Siの第一トップｎ層、７：a-SiOの第二ト
ップｎ層、８：a-Siのトップｉ層、９：a-SiOのトップ
ｐ／ｉ界面層、１０：a-SiOのトップｐ層、１１：ＩＴ
Ｏの透明電極層。
層）、３：a-Siのボトムｎ層、４：a-SiGeのボトムｉ
層、５：シリコンオキサイド半導体からなるボトムｐ
層、６：μc-Siの第一トップｎ層、７：a-SiOの第二ト
ップｎ層、８：a-Siのトップｉ層、９：a-SiOのトップ
ｐ／ｉ界面層、１０：a-SiOのトップｐ層、１１：ＩＴ
Ｏの透明電極層。
Claims (6)
- 【請求項１】 ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性な
ｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層し
たｐｉｎ型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側
セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層（前
記ｎ層またはｐ層）の少なくともいずれかの層又はその
一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上
側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率
層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、 前記低屈折率層はシリコンオキサイド半導体層とするこ
とを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。 - 【請求項２】 請求項１に記載の多接合型薄膜太陽電池
において、前記シリコンオキサイド半導体層は、微結晶
シリコン（μc-Si）の結晶粒と非晶質シリコンオキサイ
ド（a-SixO1-x）の２フェーズからなる半導体層とし、
かつこのシリコンオキサイド半導体層内の酸素原子の割
合は、５〜５０原子％とすることを特徴とする多接合型
薄膜太陽電池。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の多接合型薄膜
太陽電池において、前記光入射側の上側セルのｉ層は、
非晶質シリコンからなりその膜厚を７０〜２００ｎｍと
し、前記反入射側の下側セルは、非晶質シリコンゲルマ
ニウムからなることを特徴とする多接合型薄膜太陽電
池。 - 【請求項４】 請求項３に記載の多接合型薄膜太陽電池
において、前記反入射側の下側セルは、前記非晶質シリ
コンゲルマニウムに代えて、微結晶シリコンからなるこ
とを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の多
接合型薄膜太陽電池の製造方法であって、下記の工程を
含むことを特徴とする多接合型薄膜太陽電池の製造方
法。 １）電気絶縁性基板上に、金属電極層をスパッタリング
法により形成する工程。 ２）前記金属電極層の上に、基板温度を１３０〜１７０
℃（但し、最下層のｉ層は２００〜２５０℃）として、
前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層を
含むｐ，ｉ，ｎ層の各半導体層を複数層、プラズマＣＶ
Ｄ法により形成する工程。 ３）前記各半導体層の最上層の上に、透明電極層をスパ
ッタリング法により形成する工程。 - 【請求項６】 請求項５に記載の製造方法において、前
記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層は、
基板温度を１００℃以下として形成することを特徴とす
る多接合型薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002057875A JP4284582B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 多接合型薄膜太陽電池とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002057875A JP4284582B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 多接合型薄膜太陽電池とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258279A true JP2003258279A (ja) | 2003-09-12 |
| JP4284582B2 JP4284582B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=28668035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002057875A Expired - Lifetime JP4284582B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 多接合型薄膜太陽電池とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4284582B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005135987A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Kaneka Corp | 積層型光電変換装置及びその製造方法 |
| WO2005093856A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Kaneka Corporation | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
| WO2006038453A1 (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-13 | Kaneka Corporation | 光電変換装置 |
| EP1717869A2 (en) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Stacked photovoltaic apparatus |
| JP2006310694A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Kaneka Corp | 集積化多接合薄膜光電変換装置 |
| JP2006319068A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Kaneka Corp | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法 |
| WO2007026480A1 (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Kaneka Corporation | シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法 |
| WO2007074683A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Kaneka Corporation | 積層型光電変換装置 |
| CN100420039C (zh) * | 2003-07-24 | 2008-09-17 | 株式会社钟化 | 层积型光电变换装置 |
| US7550665B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-06-23 | Kaneka Corporation | Stacked photoelectric converter |
| JP2009290115A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Kaneka Corp | シリコン系薄膜太陽電池 |
| JP2010093296A (ja) * | 2010-01-25 | 2010-04-22 | Kaneka Corp | 積層型光電変換装置 |
| JP2011216586A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sharp Corp | 積層型光電変換装置および積層型光電変換装置の製造方法 |
| WO2012001857A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置 |
| JP2012243874A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Kaneka Corp | 積層型光電変換装置 |
| US20150083203A1 (en) * | 2012-04-03 | 2015-03-26 | Lg Electronics Inc. | Thin film solar cell |
| EP1650812B2 (en) † | 2003-07-24 | 2019-10-23 | Kaneka Corporation | Method for making a silicon based thin film solar cell |
| CN111378958A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-07 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种可提升单面perc电池转换效率的背膜制备方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4490740B2 (ja) | 2004-06-17 | 2010-06-30 | 株式会社アドバンテスト | 信号読出装置及び試験装置 |
| KR101610895B1 (ko) | 2015-06-30 | 2016-04-08 | 성균관대학교산학협력단 | 원자층 접합 산화물 및 이의 제조 방법 |
-
2002
- 2002-03-04 JP JP2002057875A patent/JP4284582B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1650812B2 (en) † | 2003-07-24 | 2019-10-23 | Kaneka Corporation | Method for making a silicon based thin film solar cell |
| US7550665B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-06-23 | Kaneka Corporation | Stacked photoelectric converter |
| CN100420039C (zh) * | 2003-07-24 | 2008-09-17 | 株式会社钟化 | 层积型光电变换装置 |
| JP2005135987A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Kaneka Corp | 積層型光電変換装置及びその製造方法 |
| WO2005093856A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Kaneka Corporation | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
| WO2006038453A1 (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-13 | Kaneka Corporation | 光電変換装置 |
| JPWO2006038453A1 (ja) * | 2004-10-04 | 2008-05-15 | 株式会社カネカ | 光電変換装置 |
| EP1717869A3 (en) * | 2005-04-26 | 2009-07-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Stacked photovoltaic apparatus |
| EP1717869A2 (en) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Stacked photovoltaic apparatus |
| US7952018B2 (en) * | 2005-04-26 | 2011-05-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Stacked photovoltaic apparatus |
| JP2006310694A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Kaneka Corp | 集積化多接合薄膜光電変換装置 |
| JP2006319068A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Kaneka Corp | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法 |
| WO2007026480A1 (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Kaneka Corporation | シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法 |
| EP1939947A1 (en) * | 2005-08-30 | 2008-07-02 | Kaneka Corporation | Silicon-based thin-film photoelectric converter and method of manufacturing the same |
| US7960646B2 (en) | 2005-08-30 | 2011-06-14 | Kaneka Corporation | Silicon-based thin-film photoelectric converter and method of manufacturing the same |
| EP1939947A4 (en) * | 2005-08-30 | 2017-03-29 | Kaneka Corporation | Silicon-based thin-film photoelectric converter and method of manufacturing the same |
| JP5156379B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2013-03-06 | 株式会社カネカ | シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法 |
| WO2007074683A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Kaneka Corporation | 積層型光電変換装置 |
| US7851695B2 (en) | 2005-12-26 | 2010-12-14 | Kaneka Corporation | Stacked-type photoelectric conversion device |
| JP5180590B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2013-04-10 | 株式会社カネカ | 積層型光電変換装置 |
| JP2009290115A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Kaneka Corp | シリコン系薄膜太陽電池 |
| JP2010093296A (ja) * | 2010-01-25 | 2010-04-22 | Kaneka Corp | 積層型光電変換装置 |
| JP2011216586A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sharp Corp | 積層型光電変換装置および積層型光電変換装置の製造方法 |
| WO2012001857A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置 |
| JP5554409B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2014-07-23 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置 |
| US9184320B2 (en) | 2010-06-21 | 2015-11-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Photoelectric conversion device |
| JP2012243874A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Kaneka Corp | 積層型光電変換装置 |
| US20150083203A1 (en) * | 2012-04-03 | 2015-03-26 | Lg Electronics Inc. | Thin film solar cell |
| CN111378958A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-07 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种可提升单面perc电池转换效率的背膜制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4284582B2 (ja) | 2009-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4284582B2 (ja) | 多接合型薄膜太陽電池とその製造方法 | |
| US8648251B2 (en) | Tandem thin-film silicon solar cell and method for manufacturing the same | |
| US7879644B2 (en) | Hybrid window layer for photovoltaic cells | |
| US20080156372A1 (en) | Thin film solar cell module of see-through type and method of fabricating the same | |
| US20050076945A1 (en) | Solar battery and manufacturing method thereof | |
| JPS6249672A (ja) | アモルフアス光起電力素子 | |
| JPH05243596A (ja) | 積層型太陽電池の製造方法 | |
| GB2339963A (en) | Photovoltaic module | |
| KR101072472B1 (ko) | 광기전력 장치의 제조 방법 | |
| EP2386124B1 (en) | Solar cell | |
| EP2296193A2 (en) | Photovoltaic device and method for manufacturing the same | |
| JP2001267598A (ja) | 積層型太陽電池 | |
| US20130000706A1 (en) | Tandem solar cell with improved tunnel junction | |
| US20100037940A1 (en) | Stacked solar cell | |
| JP4032610B2 (ja) | 非単結晶薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPWO2005109526A1 (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
| US20110114177A1 (en) | Mixed silicon phase film for high efficiency thin film silicon solar cells | |
| JP2001028452A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2008283075A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JP4110718B2 (ja) | 多接合型薄膜太陽電池の製造方法 | |
| US8669465B2 (en) | Photovoltaic device and method for manufacturing the same | |
| JP2002016271A (ja) | 薄膜光電変換素子 | |
| JP2004153028A (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
| JP2003008038A (ja) | 薄膜太陽電池とその製造方法 | |
| JP2003258286A (ja) | 薄膜太陽電池とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040713 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071206 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080124 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20081016 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081016 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081016 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090226 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4284582 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140403 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |