JP2013042126A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 11
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 11
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 2
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N Dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N Dibenzothiophene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N Manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N Niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 aromatic amine compound Chemical class 0.000 claims 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 claims 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910000468 manganese oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese(II,III) oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000737 periodic Effects 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N vanadium dioxide Chemical compound O=[V]=O GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (11)
- 結晶性シリコン基板と、
前記結晶性シリコン基板の一方の面に部分的に形成された、第1のシリコン半導体層、第2のシリコン半導体層、及び第1の電極を有する積層体と、
前記結晶性シリコン基板の一方の面、及び前記積層体を覆う透光性半導体層と、
前記結晶性シリコン基板の他方の面に形成された、第3のシリコン半導体層、第4のシリコン半導体層、及び第2の電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。 - 結晶性シリコン基板と、
前記結晶性シリコン基板の一方の面に形成された第1のシリコン半導体層と、
前記第1のシリコン半導体層上に部分的に形成された、第2のシリコン半導体層、及び第1の電極を有する積層体と、
前記第1のシリコン半導体層、及び前記積層体を覆う透光性半導体層と、
前記結晶性シリコン基板の他方の面に形成された、第3のシリコン半導体層、第4のシリコン半導体層、及び第2の電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1のシリコン半導体層、及び前記第3のシリコン半導体層の導電型は、i型であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記結晶性シリコン基板の導電型はn型であり、
前記第2のシリコン半導体層の導電型はp型であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記結晶性シリコン基板の導電型はn型であり、
前記第4のシリコン半導体層の導電型はn型であり、
前記第4のシリコン半導体層は、前記結晶性シリコン基板よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記結晶性シリコン基板の導電型はn型であり、
前記透光性半導体層はp型であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記透光性半導体層は、有機化合物及び無機化合物を含むことを特徴とする光電変換装置。 - 請求項7において、
前記無機化合物は、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項7において、
前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、及び酸化レニウムのいずれか一であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項7乃至9のいずれか一項において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物、及びジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環化合物のいずれか一であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至10のいずれか一項において、
前記第2のシリコン半導体層は、前記透光性半導体層よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012159879A JP5973273B2 (ja) | 2011-07-21 | 2012-07-18 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011159797 | 2011-07-21 | ||
JP2011159797 | 2011-07-21 | ||
JP2012159879A JP5973273B2 (ja) | 2011-07-21 | 2012-07-18 | 光電変換装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013042126A JP2013042126A (ja) | 2013-02-28 |
JP2013042126A5 true JP2013042126A5 (ja) | 2015-07-30 |
JP5973273B2 JP5973273B2 (ja) | 2016-08-23 |
Family
ID=47534704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012159879A Expired - Fee Related JP5973273B2 (ja) | 2011-07-21 | 2012-07-18 | 光電変換装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9159939B2 (ja) |
JP (1) | JP5973273B2 (ja) |
CN (1) | CN102891257B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013058562A (ja) | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
JP5927027B2 (ja) | 2011-10-05 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
JP5917082B2 (ja) | 2011-10-20 | 2016-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の作製方法 |
JP6108858B2 (ja) | 2012-02-17 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | p型半導体材料および半導体装置 |
JPWO2015045263A1 (ja) * | 2013-09-26 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
CN110265550B (zh) * | 2014-07-17 | 2023-10-24 | 索尼公司 | 光电转换元件及其制造方法、成像装置、光学传感器 |
JP6529743B2 (ja) * | 2014-11-06 | 2019-06-12 | 株式会社豊田中央研究所 | 光電変換素子 |
JP7064823B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2022-05-11 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池及びその製造方法 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0795603B2 (ja) | 1990-09-20 | 1995-10-11 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
US5213628A (en) | 1990-09-20 | 1993-05-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
FR2694451B1 (fr) | 1992-07-29 | 1994-09-30 | Asulab Sa | Cellule photovoltaïque. |
JP3203078B2 (ja) * | 1992-12-09 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
JP2891600B2 (ja) * | 1992-12-25 | 1999-05-17 | 三洋電機株式会社 | ヘテロ接合デバイスの製造方法 |
JPH088484A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Sony Corp | Ii−vi族化合物半導体から成る発光受光素子用の電極 |
JPH08102360A (ja) | 1994-09-29 | 1996-04-16 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機無機複合薄膜型電界発光素子 |
JP2824411B2 (ja) | 1995-08-25 | 1998-11-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機薄膜発光素子 |
JPH09181343A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
DE69722976T2 (de) * | 1996-01-10 | 2004-05-13 | Canon K.K. | Solarzellenmodul mit einer spezifischen Abdeckung der zeitlichen Oberflächen, die einen ausgezeichneten Widerstand gegen Feuchtigkeit sowie eine ausgezeichnete Durchsichtigkeit aufweist |
JP3469729B2 (ja) | 1996-10-31 | 2003-11-25 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池素子 |
JPH11307259A (ja) | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP3966638B2 (ja) | 1999-03-19 | 2007-08-29 | 株式会社東芝 | 多色色素増感透明半導体電極部材とその製造方法、多色色素増感型太陽電池、及び表示素子 |
JP4420486B2 (ja) | 1999-04-30 | 2010-02-24 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP4461656B2 (ja) | 2000-12-07 | 2010-05-12 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換素子 |
US7288887B2 (en) | 2001-03-08 | 2007-10-30 | Lg.Philips Lcd Co. Ltd. | Devices with multiple organic-metal mixed layers |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7291782B2 (en) | 2002-06-22 | 2007-11-06 | Nanosolar, Inc. | Optoelectronic device and fabrication method |
US7158161B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element |
JP2004128267A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Fujikura Ltd | 光電変換素子用の導電性ガラス基板並びにその製造方法 |
WO2004032274A1 (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-15 | Fujikura Ltd. | 電極基板、光電変換素子、導電性ガラス基板およびその製造方法、並びに色素増感太陽電池 |
US7605327B2 (en) * | 2003-05-21 | 2009-10-20 | Nanosolar, Inc. | Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template |
JP2005026121A (ja) | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Fujitsu Ltd | 有機el素子及びその製造方法並びに有機elディスプレイ |
TWI422066B (zh) | 2003-09-26 | 2014-01-01 | Semiconductor Energy Lab | 發光元件和其製法 |
JP4476594B2 (ja) | 2003-10-17 | 2010-06-09 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP4243237B2 (ja) | 2003-11-10 | 2009-03-25 | 淳二 城戸 | 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法 |
JP4300176B2 (ja) | 2003-11-13 | 2009-07-22 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005251587A (ja) | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP4925569B2 (ja) | 2004-07-08 | 2012-04-25 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7989694B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element, solar battery, and photo sensor |
JP5227497B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2013-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換素子の作製方法 |
JP4712372B2 (ja) | 2004-12-16 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US7626198B2 (en) | 2005-03-22 | 2009-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonlinear element, element substrate including the nonlinear element, and display device |
US8659008B2 (en) | 2005-07-08 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material |
US20090139558A1 (en) | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
JP5286046B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-09-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の製造方法 |
EP2075850A3 (en) | 2007-12-28 | 2011-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
US7888167B2 (en) * | 2008-04-25 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
JP5503946B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
WO2011001842A1 (en) | 2009-07-03 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
JP5514207B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2014-06-04 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
US20110041910A1 (en) | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
KR101119916B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-03-13 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 전극과 유기물/무기물 복합소재를 사용한 전자 소자 및 그 제조 방법 |
JP5452196B2 (ja) * | 2009-12-03 | 2014-03-26 | 株式会社Tftech | p型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法 |
KR100990864B1 (ko) * | 2010-05-11 | 2010-10-29 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조 방법 |
-
2012
- 2012-07-02 US US13/539,547 patent/US9159939B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-18 JP JP2012159879A patent/JP5973273B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-20 CN CN201210252771.0A patent/CN102891257B/zh not_active Expired - Fee Related
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