JP5452196B2 - p型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法 - Google Patents
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Description
(式中、R1、R2、R3、R4は水素または炭素数が1〜10のアルキル基であって、R1〜R4中少なくとも一つがアルキル基を示し、R1〜R4はそれぞれ同じでも異なっていてもよい)
(式中、R5はジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、水素または炭素数が1〜10のアルキル基、nは0または1の整数、R6、R7は水素または炭素数が1〜10のアルキル基を示し、R6、R7はそれぞれ同じでも異なっていてもよい)
R8C5H4NH+ (III)
(式中、R8はジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、水素または炭素数が1〜10のアルキル基を示す)
これを塗布液として用いて製膜した。
実施例1で作成した塗布液を実施例5と同様に無アルカリガラス基板にスピンコート法で塗布し、乾燥後、空気雰囲気中にて500℃で30分間熱処理して黒褐色の膜を得た。X線回折測定にて得られた膜の結晶構造を調べたところ図1の上に示すように酸化銅(II)に帰属されるピーク以外は観察されないことから、酸化銅(II)が製膜できていることが分かった。また、半導体の性質を調べるためにホール効果測定を行ったところ、抵抗が高く導電性を示さなかったため測定できなかった。
Claims (3)
- 銅アミノポリカルボン酸錯体および/または銅ポリカルボン酸錯体が溶解した溶液を基材表面にスピンコート法、ディップ法、バーコート法、フローコート法、スプレーコート法の内のいずれかの方法により塗布する工程、基板表面に溶液を塗布した後、溶媒を揮発させて所定の厚さに溶液組成物を乾燥する工程、および第18族の希ガス族、窒素から選ばれる単独かまたは2種以上を組み合わせた不活性ガス雰囲気の中で300℃〜700℃で1分から3時間の熱処理する工程を含むp型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜の製造方法。
- 水溶液中でアミノポリカルボン酸、ポリカルボン酸から選ばれる1種以上の化合物と銅塩を反応させて得た銅アミノポリカルボン酸錯体および/または銅ポリカルボン酸錯体を低級アルコール、グリコール、グリコールエーテル、水に代表される極性溶媒の中でアンモニア、アミン化合物から選ばれる1種以上の化合物と反応させて得た銅を0.1〜30wt%含む請求項1記載の溶液の製造方法。
- 低級アルコール、グリコール、グリコールエーテルに代表される極性溶媒の中でアンモニア、アミン化合物から選ばれる1種以上の化合物とアミノポリカルボン酸、ポリカルボン酸から選ばれる1種以上の化合物を反応させた後、次いで銅アルコキシドを加え反応させて得た銅を0.1〜30wt%含む請求項1記載の溶液の製造方法。
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