JPH03251591A - テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムの製造方法 - Google Patents

テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムの製造方法

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JPH03251591A
JPH03251591A JP4826990A JP4826990A JPH03251591A JP H03251591 A JPH03251591 A JP H03251591A JP 4826990 A JP4826990 A JP 4826990A JP 4826990 A JP4826990 A JP 4826990A JP H03251591 A JPH03251591 A JP H03251591A
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triphenylphosphine
palladium
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hydrazine hydrate
tetrakis
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ヒドロシリル化、カルボニル化等に用いられ
るテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムの
製造方法に関するものである。
(従来技術とその問題点) 従来、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウ
ムの製造方法は塩化パラジウムとトリフェニルホスフィ
ンをモル比でl:5をジメチルスルホキシドに140℃
で加熱溶解し、加熱源の油浴を取り除き、激しくかきま
ぜた後、ヒドラジン水和物をゆっくり加え、次いで12
5℃まで冷却したのち、ゆっくりと室温まで冷却してテ
トラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを合成
していたが、加熱源の油浴を取り除くとトリフェニルホ
スフィンが析出する欠点と、140℃前後でヒドラジン
水和物を加えるとパラジウムが還元してブラックとなり
沈澱する欠点がありテトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウムの純度が低下(不純物の混入による)し
、得られたテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウムが分解しやすいという欠点があった。
(発明の目的) 本発明は、上記従来法の欠点を解決するために成された
もので、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウムの純度低下の原因となっているトリフェニルホスフ
ィンの析出を生じさせず、パラジウムブラックの沈澱を
も生成させないで、分解しにくい結晶の大きなテトラキ
ス(トリフェニルホスフィン)パラジウムを高い純度と
安定性を得ることのできる方法を提供することを目的と
する。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、塩化パラジウムとトリフェニルホスフィンに
ジメチルスルホキシドを加えて加熱溶解した溶液の温度
を125〜135℃として保ち、ヒドラジン水和物を5
〜20g/分の速度で加え窒素雰囲気下で反応させたの
ち、室温まで徐々に冷却することを特徴とするテトラキ
ス(トリフェニルホスフィン)パラジウムの製造方法で
ある。
以下、本発明の詳細な説明する。
塩化パラジウムとトリフェニルホスフィンをモル比でl
:5をジメチルスルホキシドに1406Cで加熱溶解し
たのち、該溶液の温度を125〜135℃の範囲に僅か
に温度を下げる。
上記のトリフェニルホスフィンはメタノールから再結晶
したものを用いるのがよ(、トリフェニルホスフィン中
に含まれている不純物により、生成させたテトラキス(
トリフェニルホスフィン)パラジウムが分解されてしま
うからである。
上記溶液の温度の範囲にするのはトリフェニルホスフィ
ンの析出をさせることなく、パラジウムブラックの沈澱
が生じにくい温度であるからである。
次いで、ヒドラジン水和物を上記の温度を保ち攪拌しな
がら、5〜10g/分の速度で加える。
該速度でヒドラジン水和物を加えるのはゆつ(すしすぎ
るとヒドラジン水和物の分解が起き反応が不完全となり
、速すぎると溶液の温度が保てなくなりトリフェニルホ
スフィンが析出するからである。
次いで、加熱源の油浴を取り除き徐々に室温まで冷却す
ると結晶が生成する。
徐々に室温まで冷却するのは、結晶が太き(なり分解さ
れにく(なるからである。
また、以上のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウムの生成反応操作は窒素雰囲気下で行い空気酸化
等のないようにさせる必要がある。
該結晶を濾過分離したのち、エタノール、エーテル等で
洗浄し、デシケータ中で減圧乾燥するとテトラキス(ト
リフェニルホスフィン)パラジウムが得られる。
以上の方法によればテトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウムの純度は98%程度で収率は96%前後
の安定したものが得られる。
以下、本発明の実施例を記載するが該実施例は本発明を
限定するものではない。
(実施例1) 塩化パラジウム(21,25g、0.12モル)とメタ
ノールから再結晶したトリフェニルホスフィン(157
,2g、0.6モル)を還流器付きフラスコに入れ、次
いでジメチルスルホキシド(13201nl)を加えて
窒素ガス雰囲気とし、油浴上で攪拌下で加熱し140℃
で完全な溶液とする。
その後、攪拌は続けながら還流器付きフラスコの位置を
上方に移動させ該フラスコ中の溶液が油浴の油面より僅
かに上になるようにして溶液の温度を130℃とした。
次いで、ヒドラジン水和物(22g、0.44モル)を
3分間で加えたのち油浴を取り除き、室温までゆっくり
冷却して結晶を生成させた。
次いで、上記生成した結晶をガラスフィルタを用いて濾
過しエタノール50rrLlで2回、次いでエーテル5
0m1で2回洗浄したのち、デシケータ中で2時間減圧
乾燥して132.5gの結晶が得られた。
上記の方法で得られた結晶をCHNコーダーで元素分析
したところ、Cは74.2wt%で、Hは5.34wt
%であり、パラジウムは化学分析したところ9.07w
t%であった。
この結果からテトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム〔化学式=Pd (P (C6H5)。
)4〕から理論元素の含有率は、Cは74.9wt%、
Hは5.20wt%、Pdは9.22wt%、残はPで
あるから、純度は98.4wt%で、収率は96%であ
った。
また、上記で得られた結晶の分解温度は1150Cで理
論分解温度〔テトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウムは116℃〕とほぼ一致した。
(従来例) 塩化パラジウム(21,25g、0.12モル)とトリ
フェニルホスフィン(157,2g、0.6モル)を還
流器付きフラスコに入れ、次いでジメチルスルホキシド
(1320ml)を加えて油浴上で攪拌下で加熱し14
0℃で完全な溶液とする。
その後、油浴を取り除き激しくかきまぜたのち、ヒドラ
ジン水和物(22g、0.44モル)を15分間かけて
ゆっくり加えたのち125℃に冷却し、その後、放冷し
て室温までゆっくり冷却して結晶を生成させた。
次いで、上記生成した結晶をガラスフィルタを用いて濾
過しエタノール5077+7!とエーテル50rnlで
それぞれ2回洗浄したのち、デシケータ中で2時間減圧
乾燥して124.1gの結晶が得られた。
上記の方法で得られた結晶を実施例1と同様に元素分析
したところ、Cは73.8wt%で、Hは5.50wt
%で、Pdは10.12wt%であ っ ブこ。
この結果からテトラキス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム〔化学式=Pd (P (C6H5)。
)4〕から理論元素の含有率は、Cは74.9wt%、
Hは5.20wt%、Pdは9.22wt%、残はPで
あるから、純度は91wt%で、収率は90%であった
また、上記で得られた結晶の分解温度は100℃で理論
分解温度〔テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウムは116℃〕と比べ極めて低い温度であった。
(実施例2) 実施例1と同様に塩化パラジウムとトリフェニルホスフ
ィンとジメチルスルホキシドを加えて140℃で加熱し
完全に溶液としたのち、溶液の温度を125℃として保
ち、ヒドラジン水和物を5分間で加えて油浴を取り除き
徐々に室温まで冷却した。
以下実施例Iと同様に操作して結晶を得た。
該結晶の得られた量は131.5gで元素分析したとこ
ろ、Cは75.2wt%、Hは5.5゜wt%、Pdは
9.18wt%で、テトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウムとしての純度は99.7wt%で収率は
95%であった。
(実施例3) 実施例1と同様に塩化パラジウムとトリフェニルホスフ
ィンとジメチルスルホキシドを加えて140℃で加熱し
完全に溶液としたのち、溶液の温度を135℃として保
ち、ヒドラジン水和物を1分間で加えて油浴を取り除き
徐々に室温まで冷却した。
以下実施例1と同様に操作して結晶を得た。
該結晶の得られた量は131.0gで元素分析したとこ
ろ、Cは74.8wt%、Hは5.45wt%、Pdは
9.20wt%で、テトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウムとしての純度は99.9wt%で収率は
95%であった。
また、実施例2と3で得た結晶の分解温度は115℃、
116℃であった。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明の方法ではメタノールから
再結晶したトリフェニルホスフィンを用い溶液の温度を
125〜135℃に調節して保ちながらヒドラジン水和
物を加える速度も定めて、窒素雰囲気下で反応させるこ
とと、また、反応させた後に徐々に冷却することにより
パラジウムブラックやトリフェニルホスフィンが混入す
ることがほとんどなく、安定な高い純度のテトラキス(
トリフェニルホスフィン)パラジウムが高い収率で得ら
れるという優れた製造方法である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)塩化パラジウムとメタノールから再結晶したトリ
    フェニルホスフィンにジメチルスルホキシドを加えて加
    熱溶解した溶液の温度を125〜135℃として保ち、
    ヒドラジン水和物を5〜20g/分の速度で加え、窒素
    雰囲気下で反応させたのち、室温まで徐々に冷却するこ
    とを特徴とするテトラキス(トリフェニルホスフィン)
    パラジウムの製造方法。
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