JP2773947B2 - テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの製造方法 - Google Patents
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの製造方法Info
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- tetrakis
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ヒドロシリル化、カルボニル化等に用いら
れるテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
の製造方法に関するものである。
れるテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
の製造方法に関するものである。
（従来技術とその問題点） 従来、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウムの製造方法は塩化パラジウムとトリフェニルホスフ
ィンをモル比で1:5をジメチルスルホキシドに140℃で加
熱溶解し、加熱源の油浴を取り除き、激しくかきまぜた
後、ヒドラジン水和物をゆっくり加え、次いで125℃ま
で冷却したのち、ゆっくりと室温まで冷却してテトラキ
ス（トリフェニルホスィン）パラジウムを合成していた
が、加熱源の油浴を取り除くとトリフェニルホスフィン
が析出する欠点と、140℃前後でヒドラジン水和物を加
えるとパラジウムが還元してブラックとなり沈澱する欠
点がありテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウムの純度が低下（不純物の混入による）し、得られた
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムが分
解しやすいという欠点があった。
ウムの製造方法は塩化パラジウムとトリフェニルホスフ
ィンをモル比で1:5をジメチルスルホキシドに140℃で加
熱溶解し、加熱源の油浴を取り除き、激しくかきまぜた
後、ヒドラジン水和物をゆっくり加え、次いで125℃ま
で冷却したのち、ゆっくりと室温まで冷却してテトラキ
ス（トリフェニルホスィン）パラジウムを合成していた
が、加熱源の油浴を取り除くとトリフェニルホスフィン
が析出する欠点と、140℃前後でヒドラジン水和物を加
えるとパラジウムが還元してブラックとなり沈澱する欠
点がありテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウムの純度が低下（不純物の混入による）し、得られた
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムが分
解しやすいという欠点があった。
（発明の目的） 本発明は、上記従来法の欠点を解決するために成され
たもので、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウムの純度低下の原因となっているトリフェニルホス
フィンの析出を生じさせず、パラジウムブラックの沈澱
をも生成させないで、分解しにくい結晶の大きなテトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウムを高い純度
と安定性を得ることのできる方法を提供することを目的
とする。
たもので、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウムの純度低下の原因となっているトリフェニルホス
フィンの析出を生じさせず、パラジウムブラックの沈澱
をも生成させないで、分解しにくい結晶の大きなテトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウムを高い純度
と安定性を得ることのできる方法を提供することを目的
とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、塩化パラジウムとトリフェニルホスフィン
にジメチルスルホキシドを加えて加熱溶解した溶液の温
度を125〜135℃として保ち、ヒドラジン水和物を５〜20
g/分の速度で加え窒素雰囲気下で反応させたのち、室温
まで徐々に冷却することを特徴とするテトラキス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウムの製造方法である。
にジメチルスルホキシドを加えて加熱溶解した溶液の温
度を125〜135℃として保ち、ヒドラジン水和物を５〜20
g/分の速度で加え窒素雰囲気下で反応させたのち、室温
まで徐々に冷却することを特徴とするテトラキス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウムの製造方法である。
以下、本発明を詳細に説明する。
塩化パラジウムとトリフェニルホスフィンをモル比で
1:5をジメチルスルホキシドに140℃で加熱溶解したの
ち、該溶液の温度を125〜135℃の範囲に僅かに温度を下
げる。
1:5をジメチルスルホキシドに140℃で加熱溶解したの
ち、該溶液の温度を125〜135℃の範囲に僅かに温度を下
げる。
上記のトリフェニルホスフィンはメタノールから再結
晶したものを用いるのがよく、トリフェニルホスフィン
中に含まれている不純物により、生成させたテトラキス
（トリフェニルホスフィン）パラジウムが分解されてし
まうからである。
晶したものを用いるのがよく、トリフェニルホスフィン
中に含まれている不純物により、生成させたテトラキス
（トリフェニルホスフィン）パラジウムが分解されてし
まうからである。
上記溶液の温度の範囲にするのはトリフェニルホスフ
ィンの析出をさせることなく、パラジウムブラックの沈
澱が生じにくい温度であるからである。
ィンの析出をさせることなく、パラジウムブラックの沈
澱が生じにくい温度であるからである。
次いで、ヒドラジン水和物を上記の温度を保ち撹拌し
ながら、５〜10g/分の速度で加える。
ながら、５〜10g/分の速度で加える。
該速度でヒドラジン水和物を加えるのはゆっくりしす
ぎるとヒドラジン水和物の分解が起き反応が不完全とな
り、速すぎると溶液の温度が保てなくなりトリフェニル
ホスフィンが析出するからである。
ぎるとヒドラジン水和物の分解が起き反応が不完全とな
り、速すぎると溶液の温度が保てなくなりトリフェニル
ホスフィンが析出するからである。
次いで、加熱源の油浴を取り除き徐々に室温まで冷却
すると結晶が生成する。
すると結晶が生成する。
徐々に室温まで冷却するのは、結晶が大きくなり分解
されにくくなるからである。
されにくくなるからである。
また、以上のテトラキス（トリフェニルホスフィン）
パラジウムの生成反応操作は窒素雰囲気下で行い空気酸
化等のないようにさせる必要がある。
パラジウムの生成反応操作は窒素雰囲気下で行い空気酸
化等のないようにさせる必要がある。
該結晶を濾過分離したのち、エタノール、エーテル等
で洗浄し、デシケータ中で減圧乾燥するとテトラキス
（トリフェニルホスフィン）パラジウムが得られる。
で洗浄し、デシケータ中で減圧乾燥するとテトラキス
（トリフェニルホスフィン）パラジウムが得られる。
以上の方法によればテトラキス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウムの純度は98％程度で収率は96％前後の
安定したものが得られる。
ィン）パラジウムの純度は98％程度で収率は96％前後の
安定したものが得られる。
以下、本発明の実施例を記載するが該実施例は本発明
を限定するものではない。
を限定するものではない。
（実施例１） 塩化パラジウム（21.25g、0.12モル）とメタノールか
ら再結晶したトリフェニルホスフィン（157.2g、0.6モ
ル）を還流器付きフラスコに入れ、次いでジメチルスル
ホキシド（1320ml）を加えて窒素ガス雰囲気とし、油浴
上で撹拌下で加熱し140℃で完全な溶液とする。
ら再結晶したトリフェニルホスフィン（157.2g、0.6モ
ル）を還流器付きフラスコに入れ、次いでジメチルスル
ホキシド（1320ml）を加えて窒素ガス雰囲気とし、油浴
上で撹拌下で加熱し140℃で完全な溶液とする。
その後、撹拌は続けながら還流器付きフラスコの位置
を上方に移動させ該フラスコ中の溶液が油浴の油面より
僅かに上になるようにして溶液の温度を130℃とした。
を上方に移動させ該フラスコ中の溶液が油浴の油面より
僅かに上になるようにして溶液の温度を130℃とした。
次いで、ヒドラジン水和物（22g、0.44モル）を３分
間で加えたのち油浴を取り除き、室温までゆっくりと冷
却して結晶を生成させた。
間で加えたのち油浴を取り除き、室温までゆっくりと冷
却して結晶を生成させた。
次いで、上記生成した結晶をガラスフィルタを用いて
濾過しエタノール50mlで２回、次いでエーテル50mlで２
回洗浄したのち、デシケータ中で２時間減圧乾燥して13
2.5gの結晶が得られた。
濾過しエタノール50mlで２回、次いでエーテル50mlで２
回洗浄したのち、デシケータ中で２時間減圧乾燥して13
2.5gの結晶が得られた。
上記の方法で得られた結晶をCHNコーダーで元素分析
したところ、Ｃは74.2wt％で、Ｈは5.34wt％であり、パ
ラジウムは化学分析したところ9.07wt％であった。
したところ、Ｃは74.2wt％で、Ｈは5.34wt％であり、パ
ラジウムは化学分析したところ9.07wt％であった。
この結果からテトラキス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム〔化学式＝Pd｛Ｐ（C6H5）３｝４〕から理論
元素の含有率は、Ｃは74.9wt％、Ｈは5.20wt％、Pdは9.
22wt％、残はＰであるから、純度は98.4wt％で、収率は
96％であった。
パラジウム〔化学式＝Pd｛Ｐ（C6H5）３｝４〕から理論
元素の含有率は、Ｃは74.9wt％、Ｈは5.20wt％、Pdは9.
22wt％、残はＰであるから、純度は98.4wt％で、収率は
96％であった。
また、上記で得られた結晶の分解温度は115℃で理論
分解温度〔テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウムは116℃〕とほぼ一致した。
分解温度〔テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウムは116℃〕とほぼ一致した。
（従来例） 塩化パラジウム（21.25g、0.12モル）とトリフェニル
ホスフィン（157.2g、0.6モル）を還流器付きフラスコ
に入れ、次いでジメチルスルホキシド（1320ml）を加え
て油浴上で撹拌下で加熱し140℃で完全な溶液とする。
ホスフィン（157.2g、0.6モル）を還流器付きフラスコ
に入れ、次いでジメチルスルホキシド（1320ml）を加え
て油浴上で撹拌下で加熱し140℃で完全な溶液とする。
その後、油浴を取り除き激しくかきまぜたのち、ヒド
ラジン水和物（22g、0.44モル）を15分間かけてゆっく
り加えたのち125℃に冷却し、その後、放冷して室温ま
でゆっくり冷却して結晶を生成させた。
ラジン水和物（22g、0.44モル）を15分間かけてゆっく
り加えたのち125℃に冷却し、その後、放冷して室温ま
でゆっくり冷却して結晶を生成させた。
次いで、上記生成した結晶をガラスフィルタを用いて
濾過しエタノール50mlとエーテル50mlでそれぞれ２回洗
浄したのち、デシケータ中で２時間減圧乾燥して124.1g
の結晶が得られた。
濾過しエタノール50mlとエーテル50mlでそれぞれ２回洗
浄したのち、デシケータ中で２時間減圧乾燥して124.1g
の結晶が得られた。
上記の方法で得られた結晶を実施例１と同様に元素分
析したところ、Ｃは73.8wt％で、Ｈは5.50wt％で、Pdは
10.12wt％であった。
析したところ、Ｃは73.8wt％で、Ｈは5.50wt％で、Pdは
10.12wt％であった。
この結果からテトラキス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム〔化学式＝Pd｛Ｐ（C6H5）３｝４〕から理論
元素の含有率は、Ｃは74.9wt％、Ｈは5.20wt％、Pdは9.
22wt％、残はＰであるから、純度は91wt％で、収率は90
％であった。
パラジウム〔化学式＝Pd｛Ｐ（C6H5）３｝４〕から理論
元素の含有率は、Ｃは74.9wt％、Ｈは5.20wt％、Pdは9.
22wt％、残はＰであるから、純度は91wt％で、収率は90
％であった。
また、上記で得られた結晶の分解温度は100℃で理論
分解温度〔テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム116℃〕と比べ極めて低い温度であった。
分解温度〔テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム116℃〕と比べ極めて低い温度であった。
（実施例２） 実施例１と同様に塩化パラジウムとトリフェニルホス
フィンとジメチルスルホキシドを加えて140℃で加熱し
完全に溶液としたのち、溶液の温度を125℃として保
ち、ヒドラジン水和物を５分間で加えて油浴を取り除き
徐々に室温まで冷却した。
フィンとジメチルスルホキシドを加えて140℃で加熱し
完全に溶液としたのち、溶液の温度を125℃として保
ち、ヒドラジン水和物を５分間で加えて油浴を取り除き
徐々に室温まで冷却した。
以下実施例１と同様に操作して結晶を得た。
該結晶の得られた量は131.5gで元素分析したところ、
Ｃは75.2wt％、Ｈは5.50wt％、Pdは9.18wt％で、テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウムとしての純
度は99.7wt％で収率は95％であった。
Ｃは75.2wt％、Ｈは5.50wt％、Pdは9.18wt％で、テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウムとしての純
度は99.7wt％で収率は95％であった。
（実施例３） 実施例１と同様に塩化パラジウムとトリフェニルホス
フィンとジメチルスルホキシドを加えて140℃で加熱し
完全に溶液としたのち、溶液の温度を135℃として保
ち、ヒドラジン水和物を１分間で加えて油浴を取り除き
徐々に室温まで冷却した。
フィンとジメチルスルホキシドを加えて140℃で加熱し
完全に溶液としたのち、溶液の温度を135℃として保
ち、ヒドラジン水和物を１分間で加えて油浴を取り除き
徐々に室温まで冷却した。
以下実施例１と同様に操作して結晶を得た。
該結晶の得られた量は131.0gで元素分析したところ、
Ｃは74.8wt％、Ｈは5.45wt％、Pdは9.20wt％で、テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウムとしての純
度は99.9wt％で収率は95％であった。
Ｃは74.8wt％、Ｈは5.45wt％、Pdは9.20wt％で、テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウムとしての純
度は99.9wt％で収率は95％であった。
また、実施例２と３で得た結晶の分解温度は115℃、1
16℃であった。
16℃であった。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明の方法ではメタノールか
ら再結晶したトリフェニルホスフィンを用い溶液の温度
を125〜135℃に調節して保ちながらヒドラジン水和物を
加える速度も定めて、窒素雰囲気下で反応させること
と、また、反応させた後に徐々に冷却することによりパ
ラジウムブラックやトリフェニルホスフィンが混入する
ことがほとんどなく、安定な高い純度のテトラキス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウムが高い収率で得られ
るという優れた製造方法である。
ら再結晶したトリフェニルホスフィンを用い溶液の温度
を125〜135℃に調節して保ちながらヒドラジン水和物を
加える速度も定めて、窒素雰囲気下で反応させること
と、また、反応させた後に徐々に冷却することによりパ
ラジウムブラックやトリフェニルホスフィンが混入する
ことがほとんどなく、安定な高い純度のテトラキス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウムが高い収率で得られ
るという優れた製造方法である。
Claims (1)
- 【請求項１】塩化パラジウムとメタノールから再結晶し
たトリフェニルホスフィンにジメチルスルホキシドを加
えて加熱溶解した溶液の温度を125〜135℃として保ち、
ヒドラジン水和物を５〜20g/分の速度で加え、窒素雰囲
気下で反応させたのち、室温まで徐々に冷却することを
特徴とするテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4826990A JP2773947B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4826990A JP2773947B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03251591A JPH03251591A (ja) | 1991-11-11 |
| JP2773947B2 true JP2773947B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=12798720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4826990A Expired - Lifetime JP2773947B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773947B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180058135A (ko) * | 2016-11-23 | 2018-05-31 | 희성금속 주식회사 | 팔라듐 촉매의 제조방법 및 이로부터 제조된 팔라듐 촉매 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112592370A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-02 | 内蒙古新威远生物化工有限公司 | 液相结晶合成四三苯基膦钯的方法及其在甲维盐生产中的应用 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP4826990A patent/JP2773947B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180058135A (ko) * | 2016-11-23 | 2018-05-31 | 희성금속 주식회사 | 팔라듐 촉매의 제조방법 및 이로부터 제조된 팔라듐 촉매 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03251591A (ja) | 1991-11-11 |
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