TWI567232B - 含氧化銦的層之製法 - Google Patents

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Description

含氧化銦的層之製法
本發明關於一種用於製造含氧化銦的層之方法、以本發明的方法製造之含氧化銦的層、及其用途。
與許多其他方法相比，例如化學氣相沉積(CVD)，從加工技術及更低許多之製造成本來看，藉由印刷及其他液體沉積方法製造半導體電子組件能夠簡化，因為以此方法半導體可以連續作業方式沉積。再者，在較低操作溫度之案例中，其變得也可在撓性基材上作業，及任意地(尤其是在非常薄的層及更特別的是在使用氧化物半導體之案例中)達成印刷層之光透明度。半導體層在此及下文為對於在50 V之閘極-源極電壓及50 V之源極-汲極電壓具有20 μm之通道長度的組件而言具有1至50 cm2/Vs之電荷載子移動率的層。
因為能經由印刷或其他液態沉積方法製造之組件層的材料關鍵地決定分別之層性質，所以材料之選擇對於含此組件層之任何組件具有顯著的影響。印刷的半導體層之重要參數為其分別之電荷載子移動率及其製造時使用之可印刷前驅物的加工性質和加工溫度。為了適用於多數應用及基材，該材料必須具有良好之電荷載子及必須可由溶液及於低於500℃相當多之溫度製造。許多創新應用也盼望所製造之半導體層的部件具有光透明度。
氧化銦(氧化銦(III)，In2O3)具有介於3.6與3.75 eV之大能帶間隙(以由氣相沉積法施加之層測量，H.S. Kim,P.D. Byrne,A. Facchetti,T.J. Marks;J. Am. Chem. Soc. 2008,130,12580-12581)，使其成為非常有希望及因此廣泛使用之半導體。再者，數百奈米厚度之薄膜可於可見光譜範圍中的高透明度，於550 nm具有高於90%之透明度。再者，在非常高度有序排列之氧化銦單晶中，可測到高達160 cm2/Vs之電荷載子移動率。然而，至今仍無法藉由溶液加工達到這樣之值(H. Nakazawa,Y. Ito,E. Matsumoto,K. Adachi,N. Aoki,Y. Ochiai;J. Appl. Phys. 2006,100,093706及A. Gupta,H. Cao,Parekh,K.K.V. Rao,A.R. Raju,U.V. Waghmare;J. Appl. Phys. 2007,101,09N513)。
氧化銦經常與氧化錫(IV)(SnO2)以半導體性混合氧化物ITO形式一起使用。考慮到ITO層之比較高的傳導度，以及在可見光譜範圍中之透明度，ITO之一應用是在液晶顯示器(LCD：液晶顯示器)的領域，尤其是作為“透明電極”。這些金屬氧化物層，通常有摻雜，在工業上特別是得藉由昂貴之氣相沉積法在高真空下製造。由於經ITO塗覆之基材有很高的經濟效益，所以關於含氧化銦之層現在有某些建基於尤其是溶膠-凝膠技術之塗覆方法。
關於經由印刷方法製造氧化銦半導體原則上有兩個選項：1)粒子方法，其中(奈米)粒子係存於印刷分散液中及在印刷作業之後藉由煅燒作業轉化成所欲之半導體層，及2)前驅物方法，其中在適當組成物印刷好之後，使至少一種可溶性或分散性前驅物反應，以形成含氧化銦之層。在此前驅物是可加熱或以電磁輻射分解並可用以在氧或其他氧化劑存在或不存在下形成含金屬氧化物之層的化合物。該粒子方法與前驅物之應用相比具有兩個顯著缺點：首先，該粒子分散液具有膠態不穩定性，其需要使用分散添加物(此對於後續層的性質係不利的)；其次，許多可使用之粒子在煅燒之後僅不完全地形成層(由於鈍化層，例如)，意指該等層中仍有一些微粒狀構造。於此構造之粒子邊界處，有相當大之粒子-粒子抗阻，其減小該電荷載子之移動率並提高整體層電阻。
有各種不同之前驅物能用於製造氧化銦層。例如，可使用銦烷氧化物(均配體化合物，即僅含銦及烷氧基之化合物，更特別的是In(OR)3類型的銦化合物，且R=烷基及/或烷氧烷基)及銦鹵烷氧化物(即同時含鹵基及烷氧基之銦化合物，更特別的是InXm(OR)3-m類型的三價銦化合物，且X=鹵素，R=烷基及/或烷氧烷基，及m=1、2)，以及其銦-鹽，作為用於製造含氧化銦之層的前驅物。
例如，Marks等人描述利用於甲氧基乙醇溶液中包含鹽InCl3和鹼單乙醇胺(MEA)之含前驅物的組成物製造之組件。在旋塗該組成物之後，於400℃藉由熱處理製造對應之氧化銦層(H.S. Kim,P.D. Byrne,A. Facchetti,T.J. Marks;J. Am. Chem. Soc. 2008,130,12580-12581及補充資料)。
與含銦鹽之組成物相比，含銦烷氧化物及/或銦鹵烷氧化物之組成物提供使其可於較低溫度轉化成含氧化銦之塗層的優點。再者，迄今仍假設含鹵素之前驅物可能具有導致降低品質之含鹵素層的缺點。為此原因，在過去，只使用銦烷氧化物進行層形成之實驗。
銦烷氧化物及銦鹵烷氧化物及其合成早在1970年代就描述過。
例如Carmalt等人，在回顧論文中，彙總當時特別涉及銦(III)烷氧化物及銦(III)烷基烷氧化物的化合物之合成、構造及反應性的資料(Carmalt et al.,Coord. Chem Rev. 250(2006),682-709)。
銦烷氧化物最早知道之合成方法之一係由Chatterjee等人描述過。其描述由氯化銦(III)(InCl3)與烷氧化鈉NaOR製得銦三烷氧化物In(OR)3，其中R表示甲基、乙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基及戊基(S Chatterjee,S.R. Bindal,R.C. Mehrotra;J. Indian Chem. Soc.1976,53,867)。
Bradley等人記載類似於Chatterjee等人之反應，及大約相同之反應物(InCl3，異丙基鈉)和反應條件，獲得以氧為中心原子之銦氧烷氧化物團簇(D.C. Bradley,H. Chudzynska,D.M. Frigo,M.E. Hammond,M.B. Hursthouse,M.A. Mazid;Polyhedron 1990,9,719)。
US 2009-0112012 A1揭示此方法之一特別好的變化例，導致產物中特別低之氯雜質含量。努力達成產物中儘可能低之氯雜質含量歸因於先前假設氯雜質造成電子組件之性能或壽命降低(比較，例如，US 6,246,425 B2)。
US 5,237,081 A描述之方法也建基於鹵化銦，但為不同的鹼，該方法係藉由使鹼性介質中之鹵化銦(III)與醇反應製得純銦烷氧化物。據稱該鹼是具有低親核力之強鹼。例舉之鹼類以及作為實例引用之複雜的環狀雜環包括三級胺類。
Seigi Suh等人於J. Am. Chem. Soc. 2000,122,9396-9404描述均配體銦烷氧化物錯合物之替代合成途徑。然而，其中所述之方法的成本高且不方便及/或係建基於無法由市面購得之反應物(及因此必須事先於某個步驟中合成，此為缺點)。
US 4,681,959 A中描述用於製得鹵烷氧基金屬化合物之一般方法。其中大體描述的是一種兩階段方法，其係藉由使至少一種二價金屬之鹵化物與醇反應-任意在芳族溶劑存在下-以於最初形成中間產物(該金屬之鹵烷氧基化合物)以製得金屬烷氧化物(尤其是四烷氧基化合物如鈦酸四甲酯)。在反應過程中形成之鹵化氫較佳是使用惰性氣體(例如，像是氮)排出。
JP 02-113033 A及JP 02-145459 A中也描述銦鹵烷氧化物及其合成方法。因此，JP 02-113033 A揭示銦之含氯的烷氧化物能夠怎樣製得，其係在氯化銦溶於對應待設立之烷氧基的醇中之後，藉由於其後添加特定比例之鹼金屬或鹼金屬烷氧化物。JP 02-145459 A也有描述此類方法。
由銦烷氧化物及銦鹵烷氧化物製得含氧化銦之層的方法原則上可以下列方式進行：i)藉由溶膠-凝膠程序，其中所用之前驅物在水存在下藉由水解及隨後之縮合反應，最初形成凝膠，及接著轉化成金屬氧化物，或ii)由不含水之溶液。轉化成含氧化銦之層可以加熱方式及/或藉由電磁輻射進行。
藉由熱轉化製得含氧化銦之層的方法為先前技藝之一部分。WO 2008/083310 A1，例如，描述用於基材上製造無機層或有機/無機混成層之方法，該方法係將金屬氧化物(例如通式R1M(OR2)y-x之一)或其預聚物施加於該基材，及接著在水存在下利用與水之反應同時供應熱而將所得之金屬氧化物層固化。在該等金屬氧化物當中可使用的是銦烷氧化物。接著該轉化之後，製得之層可於隨後以熱或UV處理。
JP 01-115010 A也一樣係於溶膠-凝膠程序中涉及熱轉化。此文件描述用於透明且薄且傳導性的層之組成物，該等組成物具有長使用期限，不會以組成物形式進行水解，並包含式In(OR)xCl3-X之含氯的銦烷氧化物。這些組成物可在施加於基材，藉由空氣中之水分使該基材上之烷氧化物凝膠化，及隨後於至高200℃乾燥之後轉化，且轉化於400至600℃之溫度進行。
JP 02-113033 A描述用於將防靜電塗層施加於非金屬材料之方法，該方法係以包含含氯之銦烷氧化物的組成物塗覆該非金屬材料，使該組成物於空氣中凝膠化，及接著將其煅燒。
JP 2007-042689 A描述可包含銦烷氧化物之金屬烷氧化物溶液，及使用這些金屬烷氧化物溶液製造半導體組件之方法。該等金屬烷氧化物溶液可藉由熱處理轉化以形成氧化物層。
JP 02-145459 A描述含銦鹵烷氧化物之塗覆組成物，其於儲存過程中不會進行水解，及其可藉由煅燒轉化成含銦烷氧化物之層。
JP 59-198607 A描述用於製造可具有多種不同樹脂之保護膜的透明傳導層之方法。該透明傳導層可為含氧化銦之層，及可經由液相方法製造，其中將對應組成物施加於基材，乾燥，及加熱轉化。根據實施例，可使用包含InCl(OC3H7)2之組成物。
JP 59-198606 A描述用於形成透明導電層之組成物，該組成物包含InClx(OR)3-x及有機溶劑，並具有以該有機溶劑為基準為0.1%至10%之水分。因此，此組成物為銦鹵烷氧化物之溶膠。為了形成該透明傳導層，將該組成物施加於基材及通常於150℃乾燥，及接著於較佳300℃之溫度烘烤。
然而，僅藉由熱進行轉化具有無法用以製造微細構造之缺點及，再者，不能精確控制所得之層性質。
為此原因，開發出用於轉化成含氧化銦之層的方法，其係建基於電磁輻射(尤其是UV輻射)之應用。
例如，JP 09-157855 A描述製造金屬氧化物層之溶膠-凝膠方法，該方法藉由將水解製得及由金屬烷氧化物或金屬鹽(例如銦烷氧化物或銦鹽)構成之金屬氧化物溶膠施加於基材表面，該施加任意於凝膠仍未結晶化之溫度進行，及接著乾燥及於短於360 nm進行UV輻射。
然而，僅藉由輻射進行轉化具有需要經歷相當長時間之非常高的能量密度及因此就裝置之觀點來看非常昂貴且不方便。為此原因，開發出不僅建基於熱轉化而且還建基於使用電磁輻射轉化之方法。
JP 2000-016812 A描述經由溶膠-凝膠方法製造金屬氧化物層之方法。在此方法中，以包含金屬鹽或金屬烷氧化物之金屬氧化物溶膠的塗覆組成物，更特別的是In2O3-SnO2組成物，塗覆該基材，及於短於360 nm之波長以UV輻射照射該塗層，及進行熱處理。
JP 11-106935 A描述用於製造建基於氧化物之透明傳導膜的方法，其中將尤其是包含金屬(例如銦)之烷氧化物的無水組成物施加於基材並加熱。該膜也可隨後使用UV或VIS輻射轉化成建基於金屬氧化物之薄層。
DE 10 2009 054 997描述自不含水溶液製造含氧化銦之層的液相方法，該方法係藉由將包含至少一種溶劑或分散介質及至少一種式InX(OR)2之前驅物在無水氣氛中施加於基材及以<360 nm之電磁輻射對其施以照射及熱轉化。
然而，經由結合之熱轉化及電磁輻射轉化製造含氧化銦之層的習知方法具有在文獻中徹底描述過之銦烷氧化物的應用顯示非常差之半導體性質的缺點。再者，甚至是僅熱轉化與僅藉由電磁或UV輻射之轉化的組合也無法造成充分令人滿意之結果，特別是關於所得之場效移動率μFET。
因此，面臨的問題是克服先前技藝略述的缺點及提供用於製造含氧化銦之層的改良方法。
此問題係藉由如申請專利範圍第1項之用於製造含氧化銦的層之液相方法依據本發明來解決，其中由包含至少一種氧化銦前驅物及至少一種溶劑及/或分散介質的混合物製得之塗覆組成物，按照下列a)至d)階段之順序，
a)施加於基材，及
b)以電磁輻射照射該該被施加於該基材的組成物，
c)任意地乾燥，及
d)熱轉化成含氧化銦的層，
其中
-　該氧化銦前驅物為通式InX(OR)2的銦鹵烷氧化物，其中R為烷基及/或烷氧烷基，且X為F、Cl、Br或I，及
-　該照射係以在170至210 nm和250至258 nm的範圍具有顯著輻射分率的電磁輻射進行。
本發明之用於製造含氧化銦的層之液相方法是一種包括至少一個加工步驟之方法，其中以建基於至少一種通式InX(OR)2的銦鹵烷氧化物之液態塗覆組成物塗覆該待塗覆之基材，其中R=烷基及/或烷氧烷基，及X=F、Cl、Br或I，以電磁輻射照射，接著任意地乾燥，及隨後加熱轉化。特別是，此操作不是濺鍍或CVD操作。本發明之上下文中的液態組成物是在SATP條件(“標準周遭溫度及壓力”；T=25℃及p=1013 hPa)下及施加於待塗覆之基材之後呈液態的組成物。
由包含該至少一種通式InX(OR)2的氧化銦前驅物之混合物製得之塗覆組成物不僅包括包含該前驅物InX(OR)2之塗覆組成物，還包括包含(任意地除了InX(OR)2以外)由帶有至少一種溶劑或分散介質的混合物中之InX(OR)2製得的銦氧烷氧化物或銦鹵氧烷氧化物(尤其是通式In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x或In6O2X6(OR)6(R’CH(O)COOR”)2(HOR)x(HNR’’’2)y的烷氧化物)之塗覆組成物。然而，本發明之方法較佳係以包含InX(OR)2之塗覆組成物進行。
本發明之方法的加工產物，該含氧化銦之層，係理解為意指具有銦原子及/或實質上呈氧化物形態之銦離子的含金屬-或半金屬-之層。該含氧化銦之層可任意地也具有來自形成之副產物的不完全轉化或不完全移除之氮部分(來自該反應)、碳部分(尤其是碳烯)、鹵素部分及/或烷氧化物部分。此含氧化銦之層可為純氧化銦層，即忽略任何氮、碳(尤其是碳烯)、烷氧化物或鹵素部分，其可實質由銦原子及/或呈氧化物形態之銦離子所構成，或可部分也包括其他金屬、半金屬或非金屬，其本身可呈元素或氧化物形態。為了製造純氧化銦層，本發明之方法中必須僅使用銦鹵烷氧化物，較佳僅一種銦鹵烷氧化物。相反地，為了製造包含其他金屬、半金屬及/或非金屬之層也是一樣，除了該等銦鹵烷氧化物以外還必須使用這些元素呈0氧化態之前驅物(以製造包含呈中性態之其他金屬的層)及/或包含呈正氧化態之含氧前驅物(例如，像是其他金屬烷氧化物或金屬鹵烷氧化物)。
令人驚訝的是也已經發現至今含鹵素前驅物必然導致不利的層之假設不一定正確。例如，在本發明之方法中，當液態氧化銦前驅物組成物施加於基材及在熱轉化之前該塗膜先以UV輻射處理時，使用銦氯二烷氧化物比銦烷氧化物事實上造成更好之結果，因為這些層具有更好之電氣性質，更特別的是更高之場效移動率。再者，令人驚訝的是當使用銦鹵二烷氧化物代替銦烷氧化物時，可獲得更不定形之層。與個別奈米晶體之層比較時，不定形層具有更高均質性之優點，及這同樣產生更好之電氣性質，尤其是在更大型基材上產生更均勻的場效移動率。
依據本發明以電磁輻射照射使用在170至210 nm和250至258 nm之範圍具有顯著輻射分率的電磁輻射進行。“在170至210 nm和250至258 nm之範圍具有顯著輻射分率”之輻射在此意指其強度，把這兩個波長範圍累積測定，建基於待照射之樣品，總計為至少5 mW/cm2，先決條件為從強度的觀點，該二範圍的較弱部份經常能解釋為至少0.5 mW/cm2之基材相關的強度。絕對值可使用多種不同商業裝置以直接及波長相關的方式測量。舉例來說來自Hamamatsu之“UV Power Meter C9536”。
較佳是-因為造成特別好的μFET值-以在183至187 nm和250至258 nm之範圍具有顯著輻射分率的電磁輻射照射該塗層，其再次建基於該措辭“具有顯著分率”之相同理解(這兩個波長範圍之累積測定強度，建基於待照射之樣品，為至少5 mW/cm2，先決條件為從強度的觀點，該二範圍的較弱部份經常能解釋為至少0.5 mW/cm2之基材相關的強度)。
再者，當在170至210 nm和250至258 nm之範圍具有顯著輻射分率之輻射，更佳是在183至187 nm和250至258 nm之範圍具有顯著輻射分率的輻射，在各案例中與二軸呈線性關係之強度/波長光譜中，在該燈之全發射範圍內，於各案例中鑑別的二範圍內展現至少85%強度時(以子範圍的積分總和百分比例於呈涵蓋該光譜所有波長的積分測得之總輻射強度中的比例測得)，達成特別好之結果。
在170至210 nm和250至258 nm的範圍具有顯著輻射分率的對應輻射較佳可藉由使用低壓汞蒸汽燈產生，更特別的是低壓石英玻璃汞蒸汽燈。特佳的一種石英玻璃低壓汞蒸汽燈是配備GLF-100照明器之燈，其可以註冊名稱Model 144AX-220自Jelight股份有限公司購得，其光譜係描繪於第1圖。
依據本發明使用的氧化銦前驅物InX(OR)2較佳具有選自C1至C15烷基或烷氧烷基之群組的烷基及/或烷氧烷基R，即具有總共1至15個碳原子之烷基及/或烷氧烷基。較佳之烷基及/或烷氧烷基R係選自-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2OCH3、-CH(CH3)2或-C(CH3)3。
銦鹵烷氧化物可含有相同或不同之基團R。然而，關於本發明之方法，較佳為使用具有相同烷基及/或烷氧烷基R之銦鹵烷氧化物。
所有的鹵素原則上可用於銦鹵烷氧化物。然而，使用銦氯烷氧化物(即當X=Cl時)將達成尤其好之結果。
當所用的銦鹵烷氧化物是InCl(OMe)2、InCl(OCH2CH2OCH3)2、InCl(OEt)2、InCl(OiPr)2或InCl(OtBu)2時將達成最佳結果。
該銦鹵烷氧化物InX(OR)2較佳是以該組成物的總質量為基準之0.1重量%至10重量%，更佳是1重量%至5重量%的分率使用。
包含該銦鹵烷氧化物的組成物可使烷氧化物包含於溶液中，即在分子層級，被溶劑分子解離或與溶劑錯合，或包含於分散液的液相中。
在僅使用含銦的前驅物方面，本發明的方法尤其適用於製造具有高品質和良好性質的特徵之In2O3層。當唯一使用的前驅物是銦鹵烷氧化物時將引起特別好的層。
然而，除了該銦鹵烷氧化物之外，該組成物也可包含其他前驅物，較佳是其他元素的烷氧化物或鹵烷氧化物包含於溶液中或分散液中。特佳是B、Al、Ga、Ge、Sn、Pb、P、Hf、Zn及Sb的烷氧化物及鹵烷氧化物。烷氧化物及鹵烷氧化物特別有益的是化合物Ga(OiPr)3、Ga(OtBu)3、Zn(OMe)2、Sn(OtBu)4。因此，可使用這些化合物製造另外包含元素B、Al、Ga、Ge、Sn、Pb、P、Zn及Sb及/或其氧化物的含氧化銦之層。
該組成物另包含至少一種溶劑及/或分散介質。因而該組成物也可包含二或多種溶劑及/或分散介質。然而，為了達成特別好的含氧化銦之層，應該僅一種溶劑或分散介質存在於該組成物中。
溶劑及分散介質較佳是非質子性及弱質子性溶劑及分散介質，即選自非質子性非極性溶劑/分散介質之群組，即烷類、經取代的烷類、烯類、炔類、含或不含脂族或芳族取代基的芳烴類、鹵化烴類、四甲基矽烷；非質子性極性溶劑/分散介質之群組，即醚類、芳族醚類、經取代的醚類、酯類或酸酐類、酮類、三級胺類、硝基甲烷、DMF(二甲基甲醯胺)、DMSO(二甲基亞碸)或碳酸伸丙酯；及弱質子性溶劑/分散介質，即醇類、一級和二級胺類及甲醯胺。溶劑及分散介質特佳是醇類及甲苯、二甲苯、苯甲醚、三甲苯、正己烷、正庚烷、參(3,6-二氧雜庚基)胺(TDA)、2-胺甲基四氫呋喃、苯乙醚(phenetole)、4-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、苯甲酸甲酯、醋酸丁酯、乳酸乙酯、甲氧基乙醇、丁氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、N-甲基-2-吡咯酮(NMP)、四氫荼、苯甲酸乙酯及二乙醚。尤其佳的溶劑及分散介質是甲醇、乙醇、異丙醇、四氫呋喃甲醇、第三丁醇、醋酸丁酯、乳酸乙酯、甲氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇及甲苯，還有其混合物。考慮到其低毒性，又更佳是溶劑乙醇、異丙醇、四氫呋喃甲醇、第三丁醇、醋酸丁酯、乳酸乙酯、1-甲氧基-2-丙醇及甲苯。
溶劑及/或分散介質較佳使用以該組成物的總質量為基準為99.9重量%至90重量%的分率。
為達成特別好的印刷性，本發明的方法中使用之組成物依據DIN 53019第1和2部分測定，及於20℃測量，較佳具有1 mPa.s至10 Pa.s的黏度，更特別的是1 mPa.s至100 mPa.s。此黏度可藉由添加聚合物、纖維素衍生物或SiO2(可以例如註冊名稱Aerosil購得)來調定，及特佳是藉由PMMA、聚乙烯醇、胺基甲酸酯黏稠劑或聚丙烯酸酯增稠劑來調定。
本發明的方法使用之基材較佳是由玻璃、矽、二氧化矽、金屬氧化物或過渡金屬氧化物、金屬或聚合性材料所組成的基材，更特別的是PI、PEN、PEEK、PC或PET。
本發明的方法特別有益的是選自下列的印刷方法：印刷方法(更特別的是軟版/凹版印刷、噴墨印刷，非常佳的是連續式、加熱式或壓電式噴墨印刷，或平版印刷，包括數位平版印刷、及網版印刷)、噴塗法、旋轉塗覆法(旋塗)、沉積法(浸塗)，及選自下列之方法：彎液面塗覆、狹縫塗覆、槽模塗覆、及簾塗覆。的確非常佳地，本發明的方法是印刷方法。特別適合的印刷方法包括噴墨及液體調色劑法(例如，像是HP Indigo)，因為這些方法尤其適用於該印刷材料的圖案化應用。
如前述，以在170至210 nm和250至258 nm的範圍具有顯著輻射分率的輻射進行照射。在此案例中，當該照射係於氧(O2)存在下進行時所獲得的結果尤其好。當該照射在含15至25體積%的氧之氣氛內進行時將達成尤其好的結果。在本發明的方法中使用氧具有，由於選擇波長的結果，原子氧(O)及/或臭氧(O3)由O2選擇性產生，及這些物種與該前驅物的有機基團反應從而降低熱轉化成具有指定品質的含氧化銦之層所需的溫度之優點。
若步驟b)中的照射經由界定所欲的圖案之遮罩進行，本發明的方法可以特別好的效果用以製造圖案化的半導體區域。所形成的原子氧與通過該遮罩到達的位置處之有機前驅物成分反應及/或移除該有機前驅物成分。隨後，選擇性照射的區域因此在經過熱處理之後比未經照射的區更不耐處理。經過熱處理之後，該未經照射的區域可簡單藉由使用酸類，尤其是弱酸類(更佳是0.1 M草酸)移除。本發明因此也提供一種對應方法，其中步驟b)中的照射經由界定所欲的圖案之遮罩進行，及經過熱處理之後，在步驟e)中，使用含水的酸類移除未經照射的區域。特佳的遮罩類型是接觸式遮罩及蔭罩。接觸式遮罩是貼在該樣品上的遮罩及其在發生圖案化的位置具有裁剪圖案或較薄材料區域(更特別的是，洞孔)。接觸式遮罩的一種特佳類型是具有產生最終設計圖的裁剪圖案之蝕刻或雷射切削金屬薄板。相對於接觸式遮罩，蔭罩是當形成圖案時於離該樣品一定的距離使用。較佳的蔭罩由石英玻璃組成，因為石英玻璃具有對於UV光透明的優點。蔭蔽的區域較佳是以鉻蒸汽塗覆，及防止UV光通過。此種蔭罩經常也被稱作鉻玻璃遮罩。使用蔭罩比接觸式遮罩更佳，因為蔭罩具有不與樣品表面直接接觸的優點。
用於製造含氧化銦層的本發明方法原則上也同樣適合在水不存在或存在下實行。“在水存在下”實行在此意指，特別是，該氧化銦前驅物在照射之前在水存在下反應以形成凝膠，接著照射該凝膠的溶膠-凝膠方法。然而，本發明的方法較佳是不以溶膠-凝膠方法進行，因為其簡化了加工方式。
再者，本發明的方法原則上可於完全無水的氣氛(即，含少於500 ppm的水之氣氛)中及以無水組成物(即，同樣含少於500 ppm的水之組成物)進行，或於對應的含水氣氛中及以含水組成物進行。為了獲得特別好的結果，及特別是為了獲得極平滑的表面，相對大氣濕度係為不大於70%。
經過塗覆及照射之後，及在轉化之前，該經塗覆的基材較佳也被乾燥過。熟於此藝之士知道關於此目的的對應測量方法及條件。乾燥與轉化不同之處在於乾燥係在於還不會實質產生任可材料轉變的溫度下移除溶劑及/或分散介質。在以加熱方式完成乾燥時，溫度不高於120℃。
最終轉化成含氧化銦之層係以加熱方式進行。該最終轉化較佳藉由低於500℃及高於120℃的溫度進行。然而，若轉化使用150℃至400℃的溫度進行，可達成特別好的結果。用於達成這些溫度的方法較佳是建基於烘箱、熱空氣、加熱板、IR發射器及電子束裝置的利用。
在此典型使用介於數秒至數小時的轉化時間。
再者，熱轉化可在熱處理之前、期間或之後以UV、IR或VIS輻射照射該經塗覆的基材，或以空氣及/或氧處理該經塗覆的基材而完成。
本發明的方法所製造之層的品質也可在該轉化步驟之後，藉由溫度與氣體處理(以H2或O2)、電漿處理(Ar、N2、O2或H2電漿)、雷射處理(以在UV、IR或VIS範圍的波長)或臭氧處理之組合而進一步改善。
該塗覆作業可反複進行以增加厚度。在此案例中，該塗覆作業可採取下列方式，其中在各自個別施加之後，以電磁輻射照射該塗層並接著轉化，或有二或更多次施加，各自接著電磁照射，且在最後一次施加之後接著進行單一熱轉化步驟。
本發明另提供可藉由本發明的方法製造之含氧化銦的層。在此案例中可藉由本發明的方法製造且為純氧化銦層之含氧化銦的層擁有特別好的性質。如以上載明的，其僅使用含銦前驅物製造，較佳是僅銦鹵烷氧化物，更佳是僅一種銦鹵烷氧化物。
該等可藉由本發明的方法製造之含氧化銦的層係有利地適用於製造供電子組件用的導體或半導體層，更特別是用於製造供電晶體(尤其是薄膜電晶體)、二極體、感測器或太陽能電池用的導體或半導體層。
本身沒有任何限制作用，下列實施例意欲更詳細地闡明本發明的主題。
實施例： 發明實施例(銦氯烷氧化物作為前驅物)
把1.0重量%之InCl(OMe)2於100μl乙醇中的溶液施加於摻矽基材，該摻矽基材具有大約15mm的邊緣長度，大約200nm厚之氧化矽塗層及由ITO/金製造之指圖案。在這之後接著於2000rpm旋塗(5秒)。經過此塗覆程序之後，該經塗覆的基材立刻以在150至300nm波長範圍的汞蒸汽燈(照明器GLF-100，Jelight 144AX-220，石英玻璃，Jelight)之UV輻射照射5分鐘。該基材接著於350℃的溫度在加熱板上加熱1小時。轉化之後，在手套箱中可測到8.5cm2/Vs的場效移動率μFET值。
比較例(銦烷氧化物作為前驅物)
把1.0重量%In(OiPr)3於100μl乙醇中的溶液施加 於摻矽基材，該摻矽基材具有大約15mm的邊緣長度，大約200nm厚之氧化矽塗層及由ITO/金製造之指圖案。在這之後接著於2000rpm旋塗(5秒)。經過此塗覆程序之後，該經塗覆的基材立刻以在150至300nm波長範圍的汞蒸汽燈(照明器GLF-100，Jelight 144AX-220，石英玻璃，Jelight)之UV輻射照射5分鐘。該基材接著於350℃的溫度在加熱板上加熱1小時。轉化之後，在手套箱中可測到3.8cm2/Vs的場效移動率μFET值。
比較例(銦氯烷氧化物作為前驅物及不同的UV來源)
把1.0重量% InCl(OMe)2於100μl乙醇中的溶液施加於摻矽基材，該摻矽基材具有大約15mm的邊緣長度，大約200nm厚之氧化矽塗層及由ITO/金製造之指圖案。在這之後接著於2000rpm旋塗(5秒)。經過此塗覆程序之後，該經塗覆的基材立刻以在230至350nm波長範圍的汞蒸汽燈(照明器GFG-100，Jelight 144AX-220，不含臭氧，Jelight，於<210nm的波長範圍沒有輻射)之UV輻射照射5分鐘。該基材接著於350℃的溫度在加熱板上加熱1小時。轉化之後，在手套箱中可測到4.5cm2/Vs的場效移動率μFET值。
第1圖顯示本案所用的石英玻璃低壓汞蒸汽燈之一實例的光譜。

Claims (15)

  1. 一種用於製造含氧化銦的層之液相方法，其中由包含至少一種氧化銦前驅物及至少一種溶劑及/或分散介質的混合物製得之塗覆組成物，按照下列a)至d)階段之順序，a)施加於基材，及b)以電磁輻射照射該被施加於該基材的組成物，c)任意地乾燥，及d)熱轉化成含氧化銦的層，該方法的特徵為- 該氧化銦前驅物為通式InX(OR)2的銦鹵烷氧化物，其中R為烷基及/或烷氧烷基，且X為F、Cl、Br或I，及- 該照射係以在170至210nm和250至258nm的範圍具有顯著輻射分率的電磁輻射進行。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該照射係以在183至187nm和250至258nm的範圍具有顯著輻射分率的電磁輻射進行。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該照射利用低壓汞蒸汽燈進行。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一種銦鹵烷氧化物的烷基及/或烷氧烷基為C1至C15烷氧基或烷氧烷基。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該銦鹵烷氧 化物為InCl(OMe)2、InCl(OCH2CH2OCH3)2、InCl(OEt)2、InCl(OiPr)2或InCl(OtBu)2。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該銦鹵烷氧化物InX(OR)2係以該組成物的總質量為基準為0.1重量%至10重量%的分率使用。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該組成物之溶液或分散液形式不僅包含該銦鹵烷氧化物還包含其他前驅物，較佳是其他元素的烷氧化物或鹵烷氧化物，更佳是B、Al、Ga、Ge、Sn、Pb、P、Hf、Zn及Sb的烷氧化物或鹵烷氧化物。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一種溶劑或分散介質為甲醇、乙醇、異丙醇、四氫呋喃甲醇、第三丁醇、醋酸丁酯、甲氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇或甲苯。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一種溶劑或分散介質係以該組成物的總質量為基準為90重量%至999重量%的分率存在。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該步驟b)中的輻射係於氧(O2)存在下進行。
  11. 如申請專利範圍第10項之用於製造圖案化的含氧化銦的層之方法，其中該步驟b)中的照射係經由界定對應的圖案之光罩進行。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中經過熱處理之後，在步驟e)中，用含水的酸類除去未被照射的區 域。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該轉化藉由低於500℃及高於120℃的溫度以加熱方式進行。
  14. 一種含氧化銦之層，其可藉由申請專利範圍第1至13項中任一項之方法製造。
  15. 一種如申請專利範圍第14項之至少一種含氧化銦的層之用途，其係用於製造供電子組件用的導體或半導體層，更特別是用於製造供電晶體、二極體、感測器或太陽能電池用的導體或半導體層。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009009338A1 (de) 2009-02-17 2010-08-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102010031895A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010031592A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102011084145A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung
DE102012209918A1 (de) 2012-06-13 2013-12-19 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102013212018A1 (de) 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung
DE102013212017A1 (de) 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung
DE102013212019A1 (de) 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102014202718A1 (de) 2014-02-14 2015-08-20 Evonik Degussa Gmbh Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JP6828293B2 (ja) 2015-09-15 2021-02-10 株式会社リコー ｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液、ｎ型酸化物半導体膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法
FR3061210B1 (fr) 2016-12-22 2021-12-24 Electricite De France Procede sol-gel de fabrication d'un revetement anticorrosion sur substrat metallique
JP2019057698A (ja) * 2017-09-22 2019-04-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 薄膜形成方法および薄膜形成装置
DE112019002901T5 (de) * 2018-06-08 2021-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101270238A (zh) * 2007-03-20 2008-09-24 德古萨有限责任公司 透明的导电层,制备该层的方法及其应用

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59198607A (ja) 1983-04-27 1984-11-10 三菱マテリアル株式会社 保護膜を備えた透明導電膜
JPS59198606A (ja) 1983-04-27 1984-11-10 三菱マテリアル株式会社 透明導電膜形成用組成物
US4681959A (en) 1985-04-22 1987-07-21 Stauffer Chemical Company Preparation of insoluble metal alkoxides
JPS61295208A (ja) * 1985-06-07 1986-12-26 Sumitomo Chem Co Ltd 薄片状金属酸化物の製造法
JPH01115010A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Central Glass Co Ltd 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法
JPH02113033A (ja) * 1988-10-21 1990-04-25 Central Glass Co Ltd 静電防止処理を施された非金属材料およびこれらの処理方法
JPH02145459A (ja) * 1988-11-28 1990-06-04 Central Glass Co Ltd 複写機用ガラスおよびその製造法
FR2659649B1 (fr) * 1990-03-16 1992-06-12 Kodak Pathe Preparation d'alkoxydes d'indium solubles dans les solvants organiques.
JPH09157855A (ja) 1995-12-06 1997-06-17 Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk 金属酸化物薄膜の形成方法
JP3901285B2 (ja) * 1997-05-26 2007-04-04 株式会社Ｋｒｉ Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２系薄膜の製造方法
JPH11106935A (ja) 1997-09-30 1999-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd 金属酸化物薄膜の製造方法及び金属酸化物薄膜
JP2000016812A (ja) 1998-07-02 2000-01-18 Kansai Shingijutsu Kenkyusho:Kk 金属酸化物膜の製造方法
JP2001172006A (ja) * 1999-12-15 2001-06-26 Fujitsu Ltd 金属酸化物膜の形成方法
JP4073146B2 (ja) 2000-03-17 2008-04-09 株式会社高純度化学研究所 ガリウムアルコキシドの精製方法
JP2005272189A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Japan Science & Technology Agency 紫外光照射による酸化物半導体薄膜の作製法
JP2008500151A (ja) * 2004-05-28 2008-01-10 独立行政法人科学技術振興機構 パターン膜形成方法、装置と材料および製品
JP4767616B2 (ja) 2005-07-29 2011-09-07 富士フイルム株式会社 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
JP5249240B2 (ja) 2006-12-29 2013-07-31 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 金属アルコキシド含有フィルムの硬化方法
KR100819062B1 (ko) * 2007-03-19 2008-04-03 한국전자통신연구원 인듐 틴 산화물 전자빔 레지스트의 합성 방법 및 이를이용한 인듐 틴 산화물 패턴 형성 방법
DE102007018431A1 (de) 2007-04-19 2008-10-30 Evonik Degussa Gmbh Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor
GB2454019B (en) * 2007-10-27 2011-11-09 Multivalent Ltd Improvements in or relating to synthesis of gallium and indium alkoxides
DE102008041276A1 (de) 2008-08-15 2010-02-18 Evonik Degussa Gmbh Reichweiten- und Material-optimiertes Antennendesign für eine UHF-RFID-Antenne mit an den Chip angepasster Impedanz
DE102008058040A1 (de) 2008-11-18 2010-05-27 Evonik Degussa Gmbh Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten
DE102009009338A1 (de) 2009-02-17 2010-08-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102009009337A1 (de) 2009-02-17 2010-08-19 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung
DE102009001221A1 (de) 2009-02-27 2010-09-02 Evonik Degussa Gmbh Druckverfahren zur Herstellung individualisierter elektrischer und/oder elektronischer Strukturen
DE102009028802B3 (de) * 2009-08-21 2011-03-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung
DE102009028801B3 (de) * 2009-08-21 2011-04-14 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung
DE102009050703B3 (de) 2009-10-26 2011-04-21 Evonik Goldschmidt Gmbh Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis
DE102009053943A1 (de) 2009-11-19 2011-05-26 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Erzeugung silberhaltiger Strukturen, die silberhaltigen Strukturen aufweisende Erzeugnisse und ihre Verwendung
DE102009054998A1 (de) * 2009-12-18 2011-06-22 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden
DE102009054997B3 (de) * 2009-12-18 2011-06-01 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
DE102010031895A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010031592A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101270238A (zh) * 2007-03-20 2008-09-24 德古萨有限责任公司 透明的导电层,制备该层的方法及其应用

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