JPH09157855A - 金属酸化物薄膜の形成方法 - Google Patents
金属酸化物薄膜の形成方法Info
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- JPH09157855A JPH09157855A JP34532295A JP34532295A JPH09157855A JP H09157855 A JPH09157855 A JP H09157855A JP 34532295 A JP34532295 A JP 34532295A JP 34532295 A JP34532295 A JP 34532295A JP H09157855 A JPH09157855 A JP H09157855A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゾル−ゲル法により金属酸化物薄膜を形成す
る場合に、金属酸化物を結晶化するのに高温での熱処理
を不要とし、耐熱性の低い基板上にも金属酸化物薄膜を
形成することを可能にする。 【解決手段】 金属酸化物ゲルの薄膜を形成した後、そ
の薄膜に対し波長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射
して金属酸化物を結晶化する。
る場合に、金属酸化物を結晶化するのに高温での熱処理
を不要とし、耐熱性の低い基板上にも金属酸化物薄膜を
形成することを可能にする。 【解決手段】 金属酸化物ゲルの薄膜を形成した後、そ
の薄膜に対し波長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射
して金属酸化物を結晶化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラス、セラミ
ックス、プラスチックス等の基板の表面に金属酸化物の
薄膜、例えばＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴＯ）の透明導電
性膜やＢａＴｉＯ3の誘電体膜などを形成する方法に関
する。
ックス、プラスチックス等の基板の表面に金属酸化物の
薄膜、例えばＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴＯ）の透明導電
性膜やＢａＴｉＯ3の誘電体膜などを形成する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、金属酸化物の薄膜を形成する場
合、例えばＩＴＯ薄膜を形成する場合には、ジャーナル
・オブ・ザ・セラミック・ソサイアティ・オブ・ジャパ
ン（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｅｒａｍｉｃ
Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ）１０２［２］２０
０−２０５（１９９４）に記載されているように、硝酸
インジウムと塩化錫のような金属塩を原料としてＩＴＯ
ゾルを形成し、そのＩＴＯゾルを適当な基板上にコーテ
ィングし乾燥させてゲル膜とし、そのゲル膜を５５０℃
の温度で熱処理することにより、ＩＴＯを結晶化するよ
うにしていた。このように、従来は、ゾル−ゲル法によ
り金属酸化物を形成して結晶化するには、一般に比較的
高温での熱処理が必要であった。
合、例えばＩＴＯ薄膜を形成する場合には、ジャーナル
・オブ・ザ・セラミック・ソサイアティ・オブ・ジャパ
ン（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｅｒａｍｉｃ
Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ）１０２［２］２０
０−２０５（１９９４）に記載されているように、硝酸
インジウムと塩化錫のような金属塩を原料としてＩＴＯ
ゾルを形成し、そのＩＴＯゾルを適当な基板上にコーテ
ィングし乾燥させてゲル膜とし、そのゲル膜を５５０℃
の温度で熱処理することにより、ＩＴＯを結晶化するよ
うにしていた。このように、従来は、ゾル−ゲル法によ
り金属酸化物を形成して結晶化するには、一般に比較的
高温での熱処理が必要であった。
【０００３】また、ゾル−ゲル法により形成されたゲル
膜をパターン化する方法としては、例えば特開平６−１
６６５０１号公報に開示された方法が知られている。こ
の方法では、紫外光の波長域に吸収を有するβ−ジケト
ンを配位子とした金属アルコキシド、例えばテトラ（ｎ
−ブトキシ）ジルコニウムを原料とし、そのゾルを基板
上にコーティングし乾燥させて薄膜を形成した後、その
薄膜に紫外光を照射する。これにより、光照射部分のみ
で金属アルコキシドの配位子が外れてアルカリへの溶解
度が低下し、アルカリエッチングによって薄膜にパター
ンを形成するものである。また、特開平２−１０９２０
７号公報に開示されているように、光重合性モノマーと
金属塩や金属アルコキシドとの混合ゾルを作製し、その
混合ゾルを基板上にコーティングし乾燥させて薄膜を形
成した後、その薄膜にパターン化された紫外光を照射
し、これにより、光照射部分のみでモノマーの重合が起
こって望まれるパターンの膜が得られる、といった方法
も知られている。
膜をパターン化する方法としては、例えば特開平６−１
６６５０１号公報に開示された方法が知られている。こ
の方法では、紫外光の波長域に吸収を有するβ−ジケト
ンを配位子とした金属アルコキシド、例えばテトラ（ｎ
−ブトキシ）ジルコニウムを原料とし、そのゾルを基板
上にコーティングし乾燥させて薄膜を形成した後、その
薄膜に紫外光を照射する。これにより、光照射部分のみ
で金属アルコキシドの配位子が外れてアルカリへの溶解
度が低下し、アルカリエッチングによって薄膜にパター
ンを形成するものである。また、特開平２−１０９２０
７号公報に開示されているように、光重合性モノマーと
金属塩や金属アルコキシドとの混合ゾルを作製し、その
混合ゾルを基板上にコーティングし乾燥させて薄膜を形
成した後、その薄膜にパターン化された紫外光を照射
し、これにより、光照射部分のみでモノマーの重合が起
こって望まれるパターンの膜が得られる、といった方法
も知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たように、金属塩を原料として金属酸化物ゾルを形成
し、ゾル−ゲル法によりゲル膜を形成して熱処理により
金属酸化物を結晶化する、といった従来の方法では、一
般的なゾル−ゲルによる金属酸化物の結晶化に数百度と
いう高温が必要である。このため、従来の方法によって
は、プラスチック基板のような耐熱性の低い基板上に金
属酸化物の薄膜を形成することは不可能であった。
たように、金属塩を原料として金属酸化物ゾルを形成
し、ゾル−ゲル法によりゲル膜を形成して熱処理により
金属酸化物を結晶化する、といった従来の方法では、一
般的なゾル−ゲルによる金属酸化物の結晶化に数百度と
いう高温が必要である。このため、従来の方法によって
は、プラスチック基板のような耐熱性の低い基板上に金
属酸化物の薄膜を形成することは不可能であった。
【０００５】また、特開平６−１６６５０１号公報や特
開平２−１０９２０７号公報に開示されているような金
属酸化物のパターン化方法では、β−ジケトンのような
有機配位子を使用したり、光重合性の有機ポリマーを使
用したりする。このため、ゾル−ゲル法でゲル膜を形成
した後に、膜中に残存する有機成分を分解する必要があ
り、この有機成分の分解のために、結局高温での熱処理
が不可欠となる。
開平２−１０９２０７号公報に開示されているような金
属酸化物のパターン化方法では、β−ジケトンのような
有機配位子を使用したり、光重合性の有機ポリマーを使
用したりする。このため、ゾル−ゲル法でゲル膜を形成
した後に、膜中に残存する有機成分を分解する必要があ
り、この有機成分の分解のために、結局高温での熱処理
が不可欠となる。
【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、ゾル−ゲル法により金属酸化物の薄
膜を形成する場合において、金属酸化物を結晶化するの
に高温での熱処理を必要とせず、従って、耐熱性の低い
基板上にも金属酸化物の薄膜を形成することが可能であ
る金属酸化物薄膜の形成方法を提供することを第１の目
的とする。
されたものであり、ゾル−ゲル法により金属酸化物の薄
膜を形成する場合において、金属酸化物を結晶化するの
に高温での熱処理を必要とせず、従って、耐熱性の低い
基板上にも金属酸化物の薄膜を形成することが可能であ
る金属酸化物薄膜の形成方法を提供することを第１の目
的とする。
【０００７】また、第２の目的は、パターン化された金
属酸化物の薄膜を得る場合において、ゾル−ゲル法でゲ
ル膜を形成した後に高温での熱処理を行なう必要が無い
金属酸化物薄膜の形成方法を提供することにある。
属酸化物の薄膜を得る場合において、ゾル−ゲル法でゲ
ル膜を形成した後に高温での熱処理を行なう必要が無い
金属酸化物薄膜の形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明では、上記第１
の目的を達成するための手段として、ゾル−ゲル法によ
り形成されたゲル薄膜を構成する金属酸化物を結晶化す
るのに紫外光を利用するようにした。すなわち、請求項
１に係る発明は、金属アルコキシド又は金属塩を主原料
として得られる金属酸化物ゾルを被塗布物の表面に塗布
して、被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成した
後、その薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下である紫外
光を照射し、薄膜を形成している金属酸化物を結晶化す
ることを特徴とする。
の目的を達成するための手段として、ゾル−ゲル法によ
り形成されたゲル薄膜を構成する金属酸化物を結晶化す
るのに紫外光を利用するようにした。すなわち、請求項
１に係る発明は、金属アルコキシド又は金属塩を主原料
として得られる金属酸化物ゾルを被塗布物の表面に塗布
して、被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成した
後、その薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下である紫外
光を照射し、薄膜を形成している金属酸化物を結晶化す
ることを特徴とする。
【０００９】請求項１に係る発明の金属酸化物薄膜の形
成方法では、主原料である金属アルコキシド又は金属塩
は、ゾル化及びゲル化の段階において殆んどが金属−酸
素−金属（Ｍ−Ｏ−Ｍ）の結合及び金属水酸化物（Ｍ−
ＯＨ）に変化しているが、ゾル−ゲル法で形成されたゲ
ル薄膜中には、未だ比較的多くの金属水酸化物が残存し
ている。この金属水酸化物は、水酸基（−ＯＨ）及び金
属（Ｍ）に基づいた３６０ｎｍ以下の波長の紫外光に対
し吸収性を示す。このため、その吸収波長域の紫外光が
金属水酸化物ゲルの薄膜に照射されると、金属水酸化物
（Ｍ−ＯＨ）及び金属（Ｍ）が活性化される。この結
果、金属−酸素−金属（Ｍ−Ｏ−Ｍ）の結合が効率良く
形成されることになり、ゲル薄膜の緻密化と同時に、ゲ
ル薄膜を形成している金属酸化物の結晶化も促進される
こととなる。
成方法では、主原料である金属アルコキシド又は金属塩
は、ゾル化及びゲル化の段階において殆んどが金属−酸
素−金属（Ｍ−Ｏ−Ｍ）の結合及び金属水酸化物（Ｍ−
ＯＨ）に変化しているが、ゾル−ゲル法で形成されたゲ
ル薄膜中には、未だ比較的多くの金属水酸化物が残存し
ている。この金属水酸化物は、水酸基（−ＯＨ）及び金
属（Ｍ）に基づいた３６０ｎｍ以下の波長の紫外光に対
し吸収性を示す。このため、その吸収波長域の紫外光が
金属水酸化物ゲルの薄膜に照射されると、金属水酸化物
（Ｍ−ＯＨ）及び金属（Ｍ）が活性化される。この結
果、金属−酸素−金属（Ｍ−Ｏ−Ｍ）の結合が効率良く
形成されることになり、ゲル薄膜の緻密化と同時に、ゲ
ル薄膜を形成している金属酸化物の結晶化も促進される
こととなる。
【００１０】請求項２に係る発明は、請求項１記載の金
属酸化物薄膜の形成方法において、上記金属酸化物を、
Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、
Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれた１種の金属の
単一酸化物又は２種以上の金属が組み合わされた複合酸
化物とすることを特徴とする。
属酸化物薄膜の形成方法において、上記金属酸化物を、
Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、
Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、
Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれた１種の金属の
単一酸化物又は２種以上の金属が組み合わされた複合酸
化物とすることを特徴とする。
【００１１】請求項３に係る発明は、請求項１又は請求
項２記載の金属酸化物薄膜の形成方法において、上記金
属酸化物を酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）又はＩＴＯ（Ｉ
ｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2）とすることを特徴とする。
項２記載の金属酸化物薄膜の形成方法において、上記金
属酸化物を酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）又はＩＴＯ（Ｉ
ｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2）とすることを特徴とする。
【００１２】請求項４に係る発明は、請求項１ないし請
求項３のいずれかに記載の金属酸化物薄膜の形成方法に
おいて、金属酸化物ゲルの薄膜に対して照射する上記紫
外光の光源を、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、Ａｒ
Ｆエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、エキシマラ
ンプ又はシンクロトロン放射光とすることを特徴とす
る。
求項３のいずれかに記載の金属酸化物薄膜の形成方法に
おいて、金属酸化物ゲルの薄膜に対して照射する上記紫
外光の光源を、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、Ａｒ
Ｆエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、エキシマラ
ンプ又はシンクロトロン放射光とすることを特徴とす
る。
【００１３】また、この発明では、上記第２の目的を達
成するための手段として、ゾル−ゲル法により形成され
た金属酸化物のゲル薄膜をパターン化するのにパターン
化された紫外光を利用するようにした。すなわち、請求
項５に係る発明は、金属アルコキシド又は金属塩を主原
料として得られる金属酸化物ゾルを被塗布物の表面に塗
布して、被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成し
た後、その薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下であるパ
ターン化された紫外光を照射し、その後に、金属酸化物
の薄膜をエッチングして、光照射部分と非照射部分との
エッチング速度の違いにより金属酸化物の薄膜をパター
ン化することを特徴とする。
成するための手段として、ゾル−ゲル法により形成され
た金属酸化物のゲル薄膜をパターン化するのにパターン
化された紫外光を利用するようにした。すなわち、請求
項５に係る発明は、金属アルコキシド又は金属塩を主原
料として得られる金属酸化物ゾルを被塗布物の表面に塗
布して、被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成し
た後、その薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下であるパ
ターン化された紫外光を照射し、その後に、金属酸化物
の薄膜をエッチングして、光照射部分と非照射部分との
エッチング速度の違いにより金属酸化物の薄膜をパター
ン化することを特徴とする。
【００１４】請求項５に係る発明の金属酸化物薄膜の形
成方法では、上述した請求項１に係る発明の方法と同様
に、３６０ｎｍ以下の波長の紫外光が金属水酸化物ゲル
の薄膜に照射されると、ゲル薄膜中の金属水酸化物（Ｍ
−ＯＨ）及び金属（Ｍ）が活性化される。これにより、
金属−酸素−金属（Ｍ−Ｏ−Ｍ）の結合の形成が促進さ
れることになるが、ゲル薄膜に対してパターン化された
紫外光が照射されるため、光照射部分と非照射部分とで
金属−酸素−金属（Ｍ−Ｏ−Ｍ）結合の形成度合に違い
が生じて、薄膜がパターニングされることとなる。そし
て、金属酸化物の薄膜をエッチングすると、光照射部分
と非照射部分とのエッチング速度の違いにより、パター
ン化された金属酸化物薄膜が得られる。
成方法では、上述した請求項１に係る発明の方法と同様
に、３６０ｎｍ以下の波長の紫外光が金属水酸化物ゲル
の薄膜に照射されると、ゲル薄膜中の金属水酸化物（Ｍ
−ＯＨ）及び金属（Ｍ）が活性化される。これにより、
金属−酸素−金属（Ｍ−Ｏ−Ｍ）の結合の形成が促進さ
れることになるが、ゲル薄膜に対してパターン化された
紫外光が照射されるため、光照射部分と非照射部分とで
金属−酸素−金属（Ｍ−Ｏ−Ｍ）結合の形成度合に違い
が生じて、薄膜がパターニングされることとなる。そし
て、金属酸化物の薄膜をエッチングすると、光照射部分
と非照射部分とのエッチング速度の違いにより、パター
ン化された金属酸化物薄膜が得られる。
【００１５】請求項６に係る発明は、請求項５記載の金
属酸化物薄膜の形成方法において、上記金属酸化物をＩ
ｎ2Ｏ3又はＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2とすることを特徴とす
る。
属酸化物薄膜の形成方法において、上記金属酸化物をＩ
ｎ2Ｏ3又はＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2とすることを特徴とす
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１７】この発明に係る金属酸化物薄膜の形成方法
では、まず、金属アルコキシド又は金属塩の溶液を加水
分解して金属酸化物ゾルを調製する。金属酸化物として
は、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃ
ａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌ
ａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕの金属のうち、何れか１種の金
属の単一酸化物、例えばＩｎ2Ｏ3などでもよいし、２種
以上の金属が組み合わされた複合酸化物、例えばＩＴＯ
などでもよい。この金属酸化物ゾルを基板の表面に、ス
ピンコーティング方式やディップコーティング方式など
で塗布して、基板表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成す
る。この際、ゲル膜を十分に乾燥させる目的で、ゲル膜
が結晶化しない温度、例えば２００℃の温度でゲル膜を
乾燥させるようにしてもよい。
では、まず、金属アルコキシド又は金属塩の溶液を加水
分解して金属酸化物ゾルを調製する。金属酸化物として
は、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃ
ａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌ
ａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕの金属のうち、何れか１種の金
属の単一酸化物、例えばＩｎ2Ｏ3などでもよいし、２種
以上の金属が組み合わされた複合酸化物、例えばＩＴＯ
などでもよい。この金属酸化物ゾルを基板の表面に、ス
ピンコーティング方式やディップコーティング方式など
で塗布して、基板表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成す
る。この際、ゲル膜を十分に乾燥させる目的で、ゲル膜
が結晶化しない温度、例えば２００℃の温度でゲル膜を
乾燥させるようにしてもよい。
【００１８】基板表面にゲル膜が形成されると、そのゲ
ル膜に対して波長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射
する。紫外光の光源としては、高圧水銀ランプ、低圧水
銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレー
ザ、エキシマランプ又はシンクロトロン放射光のうちの
何れかを使用すればよい。そして、ゲル膜に対して紫外
光が照射されることにより、ゲル膜を形成している金属
酸化物が結晶化され、基板の表面にＩｎ2Ｏ3膜やＩＴＯ
膜などが形成される。
ル膜に対して波長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射
する。紫外光の光源としては、高圧水銀ランプ、低圧水
銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレー
ザ、エキシマランプ又はシンクロトロン放射光のうちの
何れかを使用すればよい。そして、ゲル膜に対して紫外
光が照射されることにより、ゲル膜を形成している金属
酸化物が結晶化され、基板の表面にＩｎ2Ｏ3膜やＩＴＯ
膜などが形成される。
【００１９】また、パターン化された金属酸化物薄膜を
形成する場合には、上記と同様にして基板表面に金属酸
化物ゲルの薄膜を形成した後、ゲル膜に、パターン化さ
れたフォトマスクを介して波長が３６０ｎｍ以下である
紫外光を照射する。その後に、基板を塩酸水溶液などの
エッチング液に浸漬させてエッチングを行なうようにす
る。これにより、光照射部分と非照射部分とのエッチン
グ速度の違いにより、金属酸化物の薄膜がパターニング
されることになる。
形成する場合には、上記と同様にして基板表面に金属酸
化物ゲルの薄膜を形成した後、ゲル膜に、パターン化さ
れたフォトマスクを介して波長が３６０ｎｍ以下である
紫外光を照射する。その後に、基板を塩酸水溶液などの
エッチング液に浸漬させてエッチングを行なうようにす
る。これにより、光照射部分と非照射部分とのエッチン
グ速度の違いにより、金属酸化物の薄膜がパターニング
されることになる。
【００２０】
【実施例】次に、紫外光による金属酸化物の結晶化につ
いての具体的な実施例を説明し、併せて比較例について
説明する。
いての具体的な実施例を説明し、併せて比較例について
説明する。
【００２１】〔実施例１〕インジウム第２ブトキシド
（Ｉｎ（ＯＣ4Ｈ5）3）をブタノールに溶解させ、この
溶液に１Ｎの塩酸水溶液を添加して加水分解を行ない、
ゾルを調製した。このゾルをシリコンウエハ上にスピン
コーティングし、シリコンウエハ上にＩｎ2Ｏ3の前駆体
であるゲル膜を形成させた。このゲル膜に、低圧水銀ラ
ンプ（２５３ｎｍ、１．４ｍＷ／ｃｍ2）を用いて紫外
光を、照射時間を種々に変えて照射した。この際の温度
は、室温とした。
（Ｉｎ（ＯＣ4Ｈ5）3）をブタノールに溶解させ、この
溶液に１Ｎの塩酸水溶液を添加して加水分解を行ない、
ゾルを調製した。このゾルをシリコンウエハ上にスピン
コーティングし、シリコンウエハ上にＩｎ2Ｏ3の前駆体
であるゲル膜を形成させた。このゲル膜に、低圧水銀ラ
ンプ（２５３ｎｍ、１．４ｍＷ／ｃｍ2）を用いて紫外
光を、照射時間を種々に変えて照射した。この際の温度
は、室温とした。
【００２２】図１は、照射時間を２４時間、５０時間、
１４３時間及び２１３時間としたときの、それぞれ紫外
光照射後における膜の薄膜Ｘ線回折の測定結果を示す。
図１に示した結果より、照射時間を５０時間以上とした
ときに、（３２１）面に相当するＩｎ2Ｏ3の結晶ピーク
が観察され、熱板処理しなくても紫外光照射によりＩｎ
2Ｏ3の結晶化が起こることが確認された。
１４３時間及び２１３時間としたときの、それぞれ紫外
光照射後における膜の薄膜Ｘ線回折の測定結果を示す。
図１に示した結果より、照射時間を５０時間以上とした
ときに、（３２１）面に相当するＩｎ2Ｏ3の結晶ピーク
が観察され、熱板処理しなくても紫外光照射によりＩｎ
2Ｏ3の結晶化が起こることが確認された。
【００２３】〔実施例２〕上記実施例１と同様にして、
シリコンウエハ上にＩｎ2Ｏ3の前駆体であるゲル膜を形
成させた。そして、ゲル膜を十分に乾燥させる目的で、
ゲル膜が結晶化しない温度である２００℃でゲル膜を１
時間乾燥させた後、室温において低圧水銀ランプ（２５
３ｎｍ、１．４ｍＷ／ｃｍ2）を用いて紫外光をゲル膜
に照射した。
シリコンウエハ上にＩｎ2Ｏ3の前駆体であるゲル膜を形
成させた。そして、ゲル膜を十分に乾燥させる目的で、
ゲル膜が結晶化しない温度である２００℃でゲル膜を１
時間乾燥させた後、室温において低圧水銀ランプ（２５
３ｎｍ、１．４ｍＷ／ｃｍ2）を用いて紫外光をゲル膜
に照射した。
【００２４】図２は、照射時間を５０時間、１８６時間
及び３５３時間としたときの、それぞれ紫外光照射後に
おける膜の薄膜Ｘ線回折の測定結果を示す。図２に示し
た結果より、照射時間を１８６時間以上としたときに、
（３２１）面に相当するＩｎ2Ｏ3の結晶ピークが観察さ
れ、実施例１と同様に、熱板処理しなくても低圧水銀ラ
ンプの紫外光照射によりＩｎ2Ｏ3を結晶化することが可
能であることが分かった。
及び３５３時間としたときの、それぞれ紫外光照射後に
おける膜の薄膜Ｘ線回折の測定結果を示す。図２に示し
た結果より、照射時間を１８６時間以上としたときに、
（３２１）面に相当するＩｎ2Ｏ3の結晶ピークが観察さ
れ、実施例１と同様に、熱板処理しなくても低圧水銀ラ
ンプの紫外光照射によりＩｎ2Ｏ3を結晶化することが可
能であることが分かった。
【００２５】〔実施例３〕上記実施例１と同様にして、
シリコンウエハ上にＩｎ2Ｏ3の前駆体であるゲル膜を形
成させた。このゲル膜に室温においてＡｒＦエキシマレ
ーザ（１９３ｎｍ、２７ｍＪ／ｓｈｏｔ）を１，８００
ｓｈｏｔ照射した。
シリコンウエハ上にＩｎ2Ｏ3の前駆体であるゲル膜を形
成させた。このゲル膜に室温においてＡｒＦエキシマレ
ーザ（１９３ｎｍ、２７ｍＪ／ｓｈｏｔ）を１，８００
ｓｈｏｔ照射した。
【００２６】エキシマレーザ照射後におけるゲル膜のＸ
線回折の測定を行なった結果、図３に示すように、結晶
化度の高いＩｎ2Ｏ3膜を形成することができた。
線回折の測定を行なった結果、図３に示すように、結晶
化度の高いＩｎ2Ｏ3膜を形成することができた。
【００２７】〔比較例１〕上記実施例１と同様にして、
シリコンウエハ上にＩｎ2Ｏ3の前駆体であるゲル膜を形
成させた。実施例１〜３に示した方法における紫外光照
射の効果を明らかにするために、従来の方法である熱処
理によってＩｎ2Ｏ3ゲル膜の結晶化を試みた。熱処理温
度を１００℃、２００℃、３００、４００℃及び６５０
℃と種々に変えたときの、それぞれ膜のＸ線回折による
結晶化の評価を行なった。
シリコンウエハ上にＩｎ2Ｏ3の前駆体であるゲル膜を形
成させた。実施例１〜３に示した方法における紫外光照
射の効果を明らかにするために、従来の方法である熱処
理によってＩｎ2Ｏ3ゲル膜の結晶化を試みた。熱処理温
度を１００℃、２００℃、３００、４００℃及び６５０
℃と種々に変えたときの、それぞれ膜のＸ線回折による
結晶化の評価を行なった。
【００２８】図４は、そのときの測定結果を示す。図４
に示した結果より、２００℃以下の熱処理温度ではＩｎ
2Ｏ3の結晶化が起こらず、３００℃以上の温度で熱処理
したときにＩｎ2Ｏ3の結晶化が起こり始めることが確認
された。すなわち、従来のゾル−ゲル法では、Ｉｎ2Ｏ3
の結晶化のためには最低３００℃以上の温度での熱処理
が必要であり、このことから、上記実施例１〜３に示し
た方法は、紫外光照射により室温でのＩｎ2Ｏ3の結晶化
が可能である点において、従来の方法に比べて優位性を
有していることが明らかになった。
に示した結果より、２００℃以下の熱処理温度ではＩｎ
2Ｏ3の結晶化が起こらず、３００℃以上の温度で熱処理
したときにＩｎ2Ｏ3の結晶化が起こり始めることが確認
された。すなわち、従来のゾル−ゲル法では、Ｉｎ2Ｏ3
の結晶化のためには最低３００℃以上の温度での熱処理
が必要であり、このことから、上記実施例１〜３に示し
た方法は、紫外光照射により室温でのＩｎ2Ｏ3の結晶化
が可能である点において、従来の方法に比べて優位性を
有していることが明らかになった。
【００２９】〔実施例４〕インジウム第２ブトキシドと
スズ第２ブトキシド（Ｓｎ（ＯＣ4Ｈ5）4）とを、モル
比で１０：１の割合で混合し、この混合物をブタノール
に溶解させ、１Ｎの塩酸水溶液を添加して加水分解を行
ない、ＩＴＯゾルを調製した。このＩＴＯゾルをシリコ
ンウエハ上にスピンコーティングし、シリコンウエハ上
にＩＴＯの前駆体であるＩＴＯゲル膜を形成させた。こ
のＩＴＯゲル膜に、低圧水銀ランプ（２５３ｎｍ、１．
４ｍＷ／ｃｍ2）を用いて紫外光を、照射時間を種々に
変えて照射した。この際の温度は、室温とした。
スズ第２ブトキシド（Ｓｎ（ＯＣ4Ｈ5）4）とを、モル
比で１０：１の割合で混合し、この混合物をブタノール
に溶解させ、１Ｎの塩酸水溶液を添加して加水分解を行
ない、ＩＴＯゾルを調製した。このＩＴＯゾルをシリコ
ンウエハ上にスピンコーティングし、シリコンウエハ上
にＩＴＯの前駆体であるＩＴＯゲル膜を形成させた。こ
のＩＴＯゲル膜に、低圧水銀ランプ（２５３ｎｍ、１．
４ｍＷ／ｃｍ2）を用いて紫外光を、照射時間を種々に
変えて照射した。この際の温度は、室温とした。
【００３０】図５は、照射時間を２４時間、５０時間、
１４３時間、２１３時間及び３４９時間としたときの、
それぞれ紫外光照射後における膜の薄膜Ｘ線回折の測定
結果を示す。図５に示した結果より、照射時間を２１３
時間以上としたときに、ＩＴＯの結晶ピークが観察さ
れ、熱板処理しなくても紫外光照射によりＩＴＯの結晶
化が起こることが確認された。
１４３時間、２１３時間及び３４９時間としたときの、
それぞれ紫外光照射後における膜の薄膜Ｘ線回折の測定
結果を示す。図５に示した結果より、照射時間を２１３
時間以上としたときに、ＩＴＯの結晶ピークが観察さ
れ、熱板処理しなくても紫外光照射によりＩＴＯの結晶
化が起こることが確認された。
【００３１】〔実施例５〕上記実施例４と同様にして、
シリコンウエハ上にＩＴＯの前駆体であるゲル膜を形成
させた。そして、ゲル膜を十分に乾燥させる目的で、ゲ
ル膜が結晶化しない温度である２００℃でゲル膜を５時
間乾燥させた後、室温において低圧水銀ランプ（２５３
ｎｍ、１．４ｍＷ／ｃｍ2）を用いて紫外光をゲル膜に
照射した。
シリコンウエハ上にＩＴＯの前駆体であるゲル膜を形成
させた。そして、ゲル膜を十分に乾燥させる目的で、ゲ
ル膜が結晶化しない温度である２００℃でゲル膜を５時
間乾燥させた後、室温において低圧水銀ランプ（２５３
ｎｍ、１．４ｍＷ／ｃｍ2）を用いて紫外光をゲル膜に
照射した。
【００３２】図６は、１６７時間の紫外光照射後におけ
る膜の薄膜Ｘ線回折の測定結果を示す。図６に示したよ
うに、（３２１）面に相当するＩＴＯの結晶ピークが観
察され、実施例４と同様に、熱板処理しなくても低圧水
銀ランプの紫外光照射によりＩＴＯ膜を結晶化すること
が可能であることが分かった。
る膜の薄膜Ｘ線回折の測定結果を示す。図６に示したよ
うに、（３２１）面に相当するＩＴＯの結晶ピークが観
察され、実施例４と同様に、熱板処理しなくても低圧水
銀ランプの紫外光照射によりＩＴＯ膜を結晶化すること
が可能であることが分かった。
【００３３】〔実施例６〕日本曹達株式会社が市販して
いるＩＴＯゾル（商品名：アトロン）を用い、その市販
ＩＴＯゾルをシリコンウエハ上へスピンコーティング
し、ＩＴＯゲル膜をシリコンウエハ上に形成させた。こ
のＩＴＯゲル膜に室温においてＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ、２７ｍＪ／ｓｈｏｔ）を３ｓｈｏｔ、１
０ｓｈｏｔ、５０ｓｈｏｔ及び５００ｓｈｏｔそれぞれ
照射し、それぞれの照射後におけるゲル膜のＸ線回折の
測定を行なった
いるＩＴＯゾル（商品名：アトロン）を用い、その市販
ＩＴＯゾルをシリコンウエハ上へスピンコーティング
し、ＩＴＯゲル膜をシリコンウエハ上に形成させた。こ
のＩＴＯゲル膜に室温においてＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ、２７ｍＪ／ｓｈｏｔ）を３ｓｈｏｔ、１
０ｓｈｏｔ、５０ｓｈｏｔ及び５００ｓｈｏｔそれぞれ
照射し、それぞれの照射後におけるゲル膜のＸ線回折の
測定を行なった
【００３４】図７は、その測定結果を示し、図７に示す
ように、５０ｓｈｏｔ以上のエキシマレーザの照射によ
り結晶化度の高いＩＴＯ膜を形成することができた。
ように、５０ｓｈｏｔ以上のエキシマレーザの照射によ
り結晶化度の高いＩＴＯ膜を形成することができた。
【００３５】〔比較例２〕上記実施例４と同様にして、
シリコンウエハ上にＩＴＯゲル膜を形成させた。実施例
４〜６に示した方法における紫外光照射の効果を明らか
にするために、従来の方法である熱処理によってＩＴＯ
ゲル膜の結晶化を試みた。熱処理温度を１００℃、２０
０℃、３００℃、４００℃及び６５０℃と種々に変えた
ときの、それぞれ膜のＸ線回折による結晶化の評価を行
なった。
シリコンウエハ上にＩＴＯゲル膜を形成させた。実施例
４〜６に示した方法における紫外光照射の効果を明らか
にするために、従来の方法である熱処理によってＩＴＯ
ゲル膜の結晶化を試みた。熱処理温度を１００℃、２０
０℃、３００℃、４００℃及び６５０℃と種々に変えた
ときの、それぞれ膜のＸ線回折による結晶化の評価を行
なった。
【００３６】図８は、そのときの測定結果を示す。図８
に示した結果より、２００℃以下の熱処理温度ではＩＴ
Ｏの結晶化が起こらず、３００℃以上の温度で熱処理し
たときにＩＴＯの結晶化が起こり始めることが確認され
た。すなわち、従来のゾル−ゲル法では、ＩＴＯの結晶
化のためには最低３００℃以上の温度での熱処理が必要
であり、このことから、上記実施例４〜６に示した方法
は、紫外光照射により室温でのＩＴＯの結晶化が可能で
ある点において、従来の方法に比べて優位性を有してい
ることが明らかになった。
に示した結果より、２００℃以下の熱処理温度ではＩＴ
Ｏの結晶化が起こらず、３００℃以上の温度で熱処理し
たときにＩＴＯの結晶化が起こり始めることが確認され
た。すなわち、従来のゾル−ゲル法では、ＩＴＯの結晶
化のためには最低３００℃以上の温度での熱処理が必要
であり、このことから、上記実施例４〜６に示した方法
は、紫外光照射により室温でのＩＴＯの結晶化が可能で
ある点において、従来の方法に比べて優位性を有してい
ることが明らかになった。
【００３７】また、紫外光を利用した金属酸化物薄膜の
パターン化方法についての具体的な実施例を説明し、併
せて比較例について説明する。
パターン化方法についての具体的な実施例を説明し、併
せて比較例について説明する。
【００３８】〔実施例７〕Ｎ，Ｎ−ジメチルフォルムア
ミド０．１モルを第２ブタノール溶媒に、全量が１４．
０ｇとなるように混合して溶解させる。この溶液にスズ
第２ブトキシド０．０００５モル及びインジウム第２ブ
トキシド０．００９５モルを順次滴下してＡ液を調製す
る。また、塩酸０．００００２モルを含む水０．０１モ
ルを第２ブタノール溶媒１３．７ｇと混合してＢ液を調
製する。撹拌下においてＢ液をＡ液に滴下させ、これに
より、透明導電膜（ＩＴＯ）形成用組成物（ゾル）が得
られる。
ミド０．１モルを第２ブタノール溶媒に、全量が１４．
０ｇとなるように混合して溶解させる。この溶液にスズ
第２ブトキシド０．０００５モル及びインジウム第２ブ
トキシド０．００９５モルを順次滴下してＡ液を調製す
る。また、塩酸０．００００２モルを含む水０．０１モ
ルを第２ブタノール溶媒１３．７ｇと混合してＢ液を調
製する。撹拌下においてＢ液をＡ液に滴下させ、これに
より、透明導電膜（ＩＴＯ）形成用組成物（ゾル）が得
られる。
【００３９】上記のようにして得られた組成物を用い、
その組成物を予め洗浄したソーダライムガラス基板に、
引上げ速度３０ｃｍ／ｍｉｎの条件でディップコーティ
ングを施した。コーティング基板を１００℃の温度で１
０分間乾燥させて、これを光照射用のサンプルとした。
その組成物を予め洗浄したソーダライムガラス基板に、
引上げ速度３０ｃｍ／ｍｉｎの条件でディップコーティ
ングを施した。コーティング基板を１００℃の温度で１
０分間乾燥させて、これを光照射用のサンプルとした。
【００４０】このＩＴＯコーティング膜にパターン化さ
れたフォトマスクを介して、１７２ｎｍ、２２２ｎｍ及
び３０８ｎｍの各波長の紫外光をそれぞれ３０分ずつ照
射した。その後、基板をｐＨ３の塩酸水溶液に浸漬させ
てエッチングを行なった。この結果、各サンプルとも、
紫外光照射部分が選択的にエッチングされ、パターニン
グが成されていることが確認された。
れたフォトマスクを介して、１７２ｎｍ、２２２ｎｍ及
び３０８ｎｍの各波長の紫外光をそれぞれ３０分ずつ照
射した。その後、基板をｐＨ３の塩酸水溶液に浸漬させ
てエッチングを行なった。この結果、各サンプルとも、
紫外光照射部分が選択的にエッチングされ、パターニン
グが成されていることが確認された。
【００４１】〔比較例３〕実施例７と同様の方法によ
り、ソーダライムガラス基板にＩＴＯコーティング膜を
形成し、そのＩＴＯコーティング膜にパターン化された
フォトマスクを介して４００ｎｍの波長の光を３０分照
射した後、基板をｐＨ３の塩酸水溶液に浸漬させてエッ
チングを行なった。
り、ソーダライムガラス基板にＩＴＯコーティング膜を
形成し、そのＩＴＯコーティング膜にパターン化された
フォトマスクを介して４００ｎｍの波長の光を３０分照
射した後、基板をｐＨ３の塩酸水溶液に浸漬させてエッ
チングを行なった。
【００４２】この結果、照射部分と非照射部分との間に
エッチング速度の差が認められず、パターニングをする
ことはできなかった。
エッチング速度の差が認められず、パターニングをする
ことはできなかった。
【００４３】
【発明の効果】請求項１ないし請求項４に係る各発明の
方法を用いると、ゾル−ゲル法により金属酸化物の薄膜
を形成する場合において、金属酸化物を結晶化するのに
高温での熱処理を必要としない。従って、プラスチック
基板のような耐熱性の低い基板上にも、ゾル−ゲルによ
って金属酸化物の薄膜を形成することが可能になる。
方法を用いると、ゾル−ゲル法により金属酸化物の薄膜
を形成する場合において、金属酸化物を結晶化するのに
高温での熱処理を必要としない。従って、プラスチック
基板のような耐熱性の低い基板上にも、ゾル−ゲルによ
って金属酸化物の薄膜を形成することが可能になる。
【００４４】また、請求項５及び請求項６に係る各発明
の方法を用いると、パターン化された金属酸化物の薄膜
を形成する場合において、ゾル−ゲル法でゲル膜を形成
した後に高温での熱処理を行なう必要が無くなる。
の方法を用いると、パターン化された金属酸化物の薄膜
を形成する場合において、ゾル−ゲル法でゲル膜を形成
した後に高温での熱処理を行なう必要が無くなる。
【図１】この発明の実施例１に係る試験における薄膜Ｘ
線回折の測定結果を示すチャートである。
線回折の測定結果を示すチャートである。
【図２】この発明の実施例２に係る試験における薄膜Ｘ
線回折の測定結果を示すチャートである。
線回折の測定結果を示すチャートである。
【図３】この発明の実施例３に係る試験における薄膜Ｘ
線回折の測定結果を示すチャートである。
線回折の測定結果を示すチャートである。
【図４】比較例１に係る試験における薄膜Ｘ線回折の測
定結果を示すチャートである。
定結果を示すチャートである。
【図５】この発明の実施例４に係る試験における薄膜Ｘ
線回折の測定結果を示すチャートである。
線回折の測定結果を示すチャートである。
【図６】この発明の実施例５に係る試験における薄膜Ｘ
線回折の測定結果を示すチャートである。
線回折の測定結果を示すチャートである。
【図７】この発明の実施例６に係る試験における薄膜Ｘ
線回折の測定結果を示すチャートである。
線回折の測定結果を示すチャートである。
【図８】比較例２に係る試験における薄膜Ｘ線回折の測
定結果を示すチャートである。
定結果を示すチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 24/00 Ｃ２３Ｃ 24/00
Claims (6)
- 【請求項１】 金属アルコキシド又は金属塩を主原料と
して得られる金属酸化物ゾルを被塗布物の表面に塗布し
て、被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成した
後、その薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下である紫外
光を照射し、薄膜を形成している金属酸化物を結晶化す
ることを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 金属酸化物が、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、
Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒ
ｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、
Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐ
ｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから
なる群より選ばれた１種の金属の単一酸化物又は２種以
上の金属が組み合わされた複合酸化物である請求項１記
載の金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 金属酸化物が、Ｉｎ2Ｏ3又はＩｎ2Ｏ3−
ＳｎＯ2である請求項１又は請求項２記載の金属酸化物
薄膜の形成方法。 - 【請求項４】 金属酸化物ゲルの薄膜に対して照射する
紫外光の光源が、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、Ａ
ｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、エキシマ
ランプ又はシンクロトロン放射光である請求項１ないし
請求項３のいずれかに記載の金属酸化物薄膜の形成方
法。 - 【請求項５】 金属アルコキシド又は金属塩を主原料と
して得られる金属酸化物ゾルを被塗布物の表面に塗布し
て、被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成した
後、その薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下であるパタ
ーン化された紫外光を照射し、その後に、金属酸化物の
薄膜をエッチングして、光照射部分と非照射部分とのエ
ッチング速度の違いにより金属酸化物の薄膜をパターン
化することを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項６】 金属酸化物が、Ｉｎ2Ｏ3又はＩｎ2Ｏ3−
ＳｎＯ2である請求項５記載の金属酸化物薄膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34532295A JPH09157855A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34532295A JPH09157855A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09157855A true JPH09157855A (ja) | 1997-06-17 |
Family
ID=18375813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34532295A Pending JPH09157855A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09157855A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0941773A1 (fr) * | 1998-03-13 | 1999-09-15 | Saint-Gobain Vitrage | Procédé de dépÔt de couches à base d'oxyde(s) métallique(s) |
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| JP2006282464A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
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| KR20120011839A (ko) | 2009-03-26 | 2012-02-08 | 린텍 가부시키가이샤 | 금속 산화막의 형성 방법 및 금속 산화막 |
| DE102010043668A1 (de) | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
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-
1995
- 1995-12-06 JP JP34532295A patent/JPH09157855A/ja active Pending
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