JP2009084531A - バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法 - Google Patents
バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009084531A JP2009084531A JP2007259862A JP2007259862A JP2009084531A JP 2009084531 A JP2009084531 A JP 2009084531A JP 2007259862 A JP2007259862 A JP 2007259862A JP 2007259862 A JP2007259862 A JP 2007259862A JP 2009084531 A JP2009084531 A JP 2009084531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- vanadium oxide
- substrate
- oxide phosphor
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 45
- LUYWGGWGYMURNR-UHFFFAOYSA-M [O-2].[O-2].[OH-].O.P.[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[OH-].O.P.[V+5] LUYWGGWGYMURNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 12
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 3
- -1 organic acid salt Chemical class 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N caproic acid ethyl ester Natural products CCCCCC(=O)OCC SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000005609 naphthenate group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PUBNEYGUKKXPLA-UHFFFAOYSA-M 2-ethylhexanoate;rubidium(1+) Chemical compound [Rb+].CCCCC(CC)C([O-])=O PUBNEYGUKKXPLA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSWAJEGOBDLNHN-UHFFFAOYSA-I [V+5].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O Chemical compound [V+5].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O XSWAJEGOBDLNHN-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
【解決手段】基板上に形成された、A(AはK、RbおよびCsから選ばれる1種又は2種以上の原子である)とVを実質的に1:1の原子比で含む薄膜を、25℃〜450℃の温度に保持した後、波長400nm以下の紫外線レーザを照射し、バナジウム酸化物を結晶化させて組成式AVO3で示されるバナジウム酸化物蛍光体薄膜を得る。
【選択図】なし
Description
このように単一物質で出来るだけ演色性の良い白色蛍光を示すことは困難であった。
本発明者等は、このような問題点を解決するために、鋭意検討した結果、バナジウム酸化物(AVO3;AはK、Rb、Csからなる群より選ばれる1種以上であって、Li、Na、NH4からなる群より選ばれる1種以上を含んでいてもよい)が、単一物質でブロードな発光スペクトルを示し、250〜390nmの紫外・近紫外光励起により蛍光スペクトルが490〜495nm付近に極大を持ち390〜680nmの範囲にブロードに広がる白色蛍光を発する蛍光体であることを知見し、先に特許出願した(特許文献3)。
たとえば、ガラス基板に製膜する場合でも600℃以下の低温で行うことが必要で製膜プロセス温度の低減が必要となっている。ここで製膜温度の低減は基板の選択肢を多くすることから、応用範囲も拡大することが期待される。例えば200℃以下程度に製膜温度下げることが可能になればプラスチックなどの有機基板上に製膜が可能となり、フレキシブルな発光材料の開発も期待できる。
〈1〉基板上に形成された、A(AはK、RbおよびCsから選ばれる1種又は2種以上の原子である)とVを実質的に1:1の原子比で含む薄膜を、25℃〜450℃の温度に保持した後、波長400nm以下の紫外線レーザを照射し、バナジウム酸化物を結晶化させることを特徴とする組成式AVO3で示されるバナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
〈2〉10〜20mJ/cm2の範囲で紫外線レーザを照射することを特徴とする〈1〉に記載のバナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
〈3〉基板上に形成された、A(AはK、RbおよびCsから選ばれる1種又は2種以上の原子である)とVを実質的に1:1の原子比で含む薄膜を、25℃〜450℃の温度に保持した後、波長400nm以下の紫外線ランプを照射し、バナジウム酸化物を結晶化させることを特徴とする組成式AVO3で示されるバナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
〈4〉15〜50mW/cm2の範囲で紫外線ランプを照射することを特徴とする〈3〉に記載のバナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
〈5〉薄膜に紫外ランプを照射した後、紫外線レーザを照射して結晶化させることを特徴とする〈1〉から〈4〉4のいずれかに記載のバナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
〈6〉〈1〉から〈5〉のいずれかに記載の製造方法によって得られる、基板上に作製されたバナジウム酸化物蛍光体薄膜からなる発光材料。
〈7〉基板がガラス基板又はプラスチック基板であることを特徴とする〈6〉に記載のバナジウム酸化物蛍光体薄膜からなる発光材料。
また、本発明において得られる組成式AVO3で示されるバナジウム酸化物蛍光体薄膜は白色LEDの励起光源である紫外・近紫外LEDによって励起出来る250〜390nmの範囲に励起スペクトルを持つ。この励起光によって発せられる蛍光スペクトルは390〜680nmに広がり、白色に発光する。そのため白色LED用の蛍光体として好適である。発光スペクトルのピークは490〜502nmの範囲にあるため比較的色温度は高いが、長波長側に強い発光を持つ蛍光体との組み合わせによって暖色系の白色が得ることもできる。また水銀や鉛などを含まないため、環境・人体への悪影響も少ない。
A(イオン)を含む化合物としては、K、RbおよびCsから選ばれる1種又は2種以上の原子を含む無機化合物または有機化合物が挙げられる。
無機化合物の例としては、結晶化に至っていないアモルファスなKVO3、RbVO3、CsVO3等の前駆体が挙げられる。
有機化合物の例としては、一般的に、これらの元素を含む、β−ジケトナト、炭素数6以上の長鎖のアルコキシド、ハロゲンを含んでもよい有機酸塩などが挙げられる。
具体的には、ナフテン酸塩、2エチルヘキサン酸塩、アセチルアセトナト塩などが挙げられる。
なお、A(イオン)を含む化合物には、Li、Na、NH4から選ばれる1種又は2種以上を含んでいても構わない。
無機化合物の例としては、結晶化に至っていないアモルファスなKVO3、RbVO3、CsVO3等の前駆体が挙げられる。
有機化合物の例としては、一般的に、バナジウムを含む、β−ジケトナト、炭素数6以上の長鎖のアルコキシド、ハロゲンを含んでもよい有機酸塩などが挙げられる。
具体的には、ナフテン酸塩、2エチルヘキサン酸塩、アセチルアセトナト塩などが挙げられる。
ついでこの溶液は、適宜方法により基板上に有機金属薄膜として製膜される。この場合、酸化物への反応が起こり易く、質の良い膜を製造するために、溶液の作製後(A及びVを含む有機金属溶液の混合後)、速やかに製膜を行うことが望ましい。
製膜方法は制約されず、スパッタリング、MBE,真空蒸着、CVD、化学溶液法(塗布熱分解法、スプレー法)などが適宜用いられる。
紫外線レーザの場合、具体的には、製膜後、たとえば、100℃で乾燥し、その後、基板温度は室温にし、低エネルギーで紫外レーザ照射を行う。この場合、アブレーションによる膜厚の減少を抑制し、酸化バナジウムの結晶化を促進するために、10〜20mJ/cm2の範囲でレーザ照射をすることが望ましい。
また紫外線ランプの場合には、製膜後、基板温度は室温にし、低エネルギーで紫外ランプ照射を行う。この場合、酸化バナジウムの結晶化を促進するために、15〜50mW/cm2の条件で紫外線ランプ照射をすることが望ましい。
また、本発明においては、製膜時間の短縮を目的とする場合には、薄膜に紫外ランプを短時間照射した後、紫外線レーザを照射して結晶化させることが好ましい。
基板としては、無機基板、有機基板のいずれも使用できるが、無機固体の場合には室温で融解したり、空気中の湿度によって溶けたりすることのないものであれば何れの基板にも製膜可能である。また、有機基板においては光照射によって結晶化するが、実際は光照射した場合、光によって基板温度が10分程度の照射時間で60〜70℃程度に加熱される。そのため、この温度付近で溶けないような材料を用いることが望ましい。また、プラスチック等の有機基板は青色発光するものも多いため、白色光を現すには基板の青色発光が小さいポリカーボネートのようなものを選ぶか、蛍光体の膜厚を厚くすることが望ましい。
したがって、バナジウム酸化物蛍光体薄膜は白色LEDとしてきわめて有用なものであり、たとえば白色光を必要とする日常灯等の照明器具や各種表示機器に用いられるバックライト等の表示器具等として利用することができる。
2エチルヘキサン酸ルビジウム溶液に2エチルヘキサン酸バナジウム溶液を定比で混合した溶液(C1溶液;Rb:V=1:1(原子比))を作成した。C1溶液をガラス基板に4000rpm、10秒間でスピンコートし、100℃で10分間乾燥した。その後、室温、大気中で308nmのパルスレーザをフルエンス20mJ/cm2、10Hz、10分照射した。このようにして作製したRbVO3膜は紫外励起による白色蛍光を示した。
実施例1において、レーザフルエンス30mJ/cm2で照射したところレーザ照射部は、紫外励起による白色蛍光を示した。
C1溶液を有機基板(PETフィルム)に4000rpm、10秒間でスピンコートし、100℃で10分間乾燥した。その後、室温、大気中で172nmの紫外線ランプを照射エネルギー38mW/cm2で、10分照射した。このようにして作製したRbVO3膜は光照射部のみ良い結晶性を持ち、紫外励起による白色蛍光を示した。
実施例3において、乾燥工程を行わずに紫外線ランプを照射したところ光照射部のみ良い結晶性を持ち、紫外励起による白色蛍光を示した。
実施例4において紫外線ランプの波長を222nmにして15mW/cm2のエネルギー密度で光照射したところ、照射部のみ良い結晶性を持ち、紫外励起による白色蛍光を示した。
C1溶液をガラス基板に4000rpm、10秒間でスピンコートし、100℃で10分間乾燥した。その後、室温、大気中で172nmの紫外線ランプを照射エネルギー38mW/cm2で、10分照射した。このようにして作製したRbVO3膜は光照射部のみ良い結晶性を持ち、紫外励起による白色蛍光を示した。
実施例6において、乾燥工程を行わずに紫外線ランプを照射したところ光照射部のみ良い結晶性を持ち、紫外励起による白色蛍光を示した。
実施例7において、紫外線ランプの波長を222nmにして15mW/cm2のエネルギー密度で光照射したところ照射部のみ良い結晶性を持ち、紫外励起による白色蛍光を示した。
また、本発明において得られる組成式AVO3で示されるバナジウム酸化物蛍光体薄膜は白色LEDの励起光源である紫外・近紫外LEDによって励起出来る250〜390nmの範囲に励起スペクトルを持つ。この励起光によって発せられる蛍光スペクトルは390〜680nmに広がり、白色に発光する。そのため白色LED用の蛍光体として好適である。発光スペクトルのピークは490〜502nmの範囲にあるため比較的色温度は高いが、長波長側に強い発光を持つ蛍光体との組み合わせによって暖色系の白色が得ることもできる。また水銀や鉛などを含まないため、環境・人体への悪影響も少ない。
Claims (7)
- 基板上に形成された、A(AはK、RbおよびCsから選ばれる1種又は2種以上の原子である)とVを実質的に1:1の原子比で含む薄膜を、25℃〜450℃の温度に保持した後、波長400nm以下の紫外線レーザを照射し、バナジウム酸化物を結晶化させることを特徴とする組成式AVO3で示されるバナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
- 10〜20mJ/cm2の範囲で紫外線レーザを照射することを特徴とする請求項1に記載のバナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
- 基板上に形成された、A(AはK、RbおよびCsから選ばれる1種又は2種以上の原子である)とVを実質的に1:1の原子比で含む薄膜を、25℃〜450℃の温度に保持した後、波長400nm以下の紫外線ランプを照射し、バナジウム酸化物を結晶化させることを特徴とする組成式AVO3で示されるバナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
- 15〜50mW/cm2の範囲で紫外線ランプを照射することを特徴とする請求項3に記載のバナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
- 薄膜に紫外ランプを照射した後、紫外線レーザを照射して結晶化させることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のバナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
- 請求項1から5のいずれかに記載の製造方法によって得られる、基板上に作製されたバナジウム酸化物蛍光体薄膜からなる発光材料。
- 基板がガラス基板又はプラスチック基板であることを特徴とする請求項6に記載のバナジウム酸化物蛍光体薄膜からなる発光材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007259862A JP5182851B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007259862A JP5182851B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009084531A true JP2009084531A (ja) | 2009-04-23 |
JP5182851B2 JP5182851B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=40658366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007259862A Active JP5182851B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5182851B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017014349A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | バナジウム酸化物蛍光粉体と製造方法 |
JP2018203936A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | リンテック株式会社 | 発光膜形成用塗布液及びその調製方法、並びに発光膜の製造方法 |
CN109534811A (zh) * | 2017-09-21 | 2019-03-29 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种偏钒酸盐荧光陶瓷块体材料及其制备方法 |
JP2020090594A (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | リンテック株式会社 | 発光膜およびその製造方法、並びに紫外線照射型発光シート |
CN114619737A (zh) * | 2021-10-12 | 2022-06-14 | 金华市华翰智能科技合伙企业(有限合伙) | 一种偏钒酸盐荧光贴膜及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59121121A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法 |
JPH09157855A (ja) * | 1995-12-06 | 1997-06-17 | Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
JP2009057434A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | バナジウム酸化物蛍光体 |
-
2007
- 2007-10-03 JP JP2007259862A patent/JP5182851B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59121121A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法 |
JPH09157855A (ja) * | 1995-12-06 | 1997-06-17 | Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
JP2009057434A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | バナジウム酸化物蛍光体 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017014349A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | バナジウム酸化物蛍光粉体と製造方法 |
JP2018203936A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | リンテック株式会社 | 発光膜形成用塗布液及びその調製方法、並びに発光膜の製造方法 |
CN109534811A (zh) * | 2017-09-21 | 2019-03-29 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种偏钒酸盐荧光陶瓷块体材料及其制备方法 |
JP2020090594A (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | リンテック株式会社 | 発光膜およびその製造方法、並びに紫外線照射型発光シート |
JP7185823B2 (ja) | 2018-12-04 | 2022-12-08 | リンテック株式会社 | 発光膜およびその製造方法、並びに紫外線照射型発光シート |
CN114619737A (zh) * | 2021-10-12 | 2022-06-14 | 金华市华翰智能科技合伙企业(有限合伙) | 一种偏钒酸盐荧光贴膜及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5182851B2 (ja) | 2013-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI418609B (zh) | MCNO is a phosphor | |
JP5182851B2 (ja) | バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法 | |
JP5120949B2 (ja) | 白色蛍光体の製造方法 | |
WO2013136732A1 (ja) | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 | |
CN112961669A (zh) | 固相碳量子点的制备方法、由其制备的固相碳量子点及发光器件 | |
JP5912121B2 (ja) | Mn賦活蛍光物質 | |
TWI384639B (zh) | 紅磷光體以及使用此紅磷光體的發光元件 | |
JP5116016B2 (ja) | 蛍光体薄膜の製造方法 | |
Zhang et al. | Synthesis and electroluminescence of novel white fluorescence quantum dots based on a Zn–Ga–S host | |
US20080044590A1 (en) | Manufacturing Method of Phosphor Film | |
JP5331021B2 (ja) | 黄色蛍光体とその製造方法 | |
JP5765737B2 (ja) | バナジウム酸化物蛍光体 | |
WO2014014070A1 (ja) | 発光ガラス薄膜の製造方法 | |
KR101694959B1 (ko) | 금속 산화물이 코팅된 형광체 분말의 제조 방법 및 그에 의한 형광체 분말 | |
JP2011157485A (ja) | 橙色蛍光体とその製造方法 | |
TW201006913A (en) | Red phosphor and forming method thereof for use in solid state lighting | |
JP5420015B2 (ja) | 硫化物蛍光体及びその製造方法 | |
KR100656993B1 (ko) | 황이 포함된 형광체 및 이의 제조방법 | |
JP6952142B2 (ja) | 白色発光素材の製造方法 | |
JP3873507B2 (ja) | GaN蛍光体の製造方法及びGaN蛍光体 | |
KR100430755B1 (ko) | 장파장 자외선용 청색 형광체 및 그의 제조방법 | |
JP2007109489A (ja) | 陽極、その製造方法及び蛍光ランプ | |
CN114622173A (zh) | 一种偏钒酸盐荧光纳米薄膜 | |
KR100721811B1 (ko) | 장파장 자외선용 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광체 및이의 제조 방법 | |
JP5674005B2 (ja) | 白色蛍光体薄膜及びその製造方法並びに発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5182851 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |