KR100721811B1 - 장파장 자외선용 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광체 및이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 장파장 자외선용 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 녹색 형광체는 380 내지 420nm의 장파장 자외선 영역에서 높은 흡수 피크를 나타내며, 형광체 모체의 스트론튬 자리에 아연을 일부 치환하고 알루미늄 자리에 붕소를 일부 치환시킴으로써 종래의 스트론튬 알루미네이트계 형광체에 비해 녹색 발광 특성이 우수하여 자외선 발광소자에서 고효율 녹색 형광물질로 적용될 수 있다:
<화학식 1>
(Sr1-x,Znx)1-y(Alw-z,Bz)O4:Euy
상기 식에서, 0<x<0.6, 0.001≤y≤0.3, 2.0≤w≤2.5, 및 0.001≤z≤0.5 이다.
Description
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 형광체의 흡수 스펙트럼을 나타낸 것이며;
도 3 및 4는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 형광체의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
본 발명은 장파장 자외선용 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 자외선 발광 다이오드(ultraviolet light emitting diode; UV LED)에서 나오는 380 내지 420 nm의 빛을 흡수하여 녹색 빛을 낼 수 있는 형광체 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode; LED)를 활용한 반도체 광원은 높은 에 너지 효율과 낮은 소비전력, 장수명, 친환경적이라는 측면에서 차세대 광원으로서 인식되고 있다. 이러한 반도체 광원을 일반 조명 뿐만 아니라 전자기기의 후면광원(backlight)으로 활용하기 위해, 청색, 녹색 및 적색의 LED 소자 또는 형광체를 이용하여 백색을 구현하는 기술들이 다양하게 연구되고 있다.
예를 들어, 미국 특허 제5,998,925호 및 유럽 특허 제862,794호에는 Ga(In)N의 청색 LED 소자에 YAG:Ce 황색 형광체를 혼합하여 백색 광원을 제조하는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 상기 백색 광원은 태양광에서 나오는 자연광과 같이 모든 가시광선을 함유하지 못하여 연색성(color rendering)이 떨어지는 등 그 응용이 제한되는 단점이 있다.
따라서, 청색 LED 소자를 이용한 백색 구현 기술이 갖는 문제점을 해결하기 위해, 장파장 자외선(380 내지 420nm 파장대의 빛) 발광을 위한 소자와 이에 적합한 적색, 녹색, 황색, 청색의 형광체 개발 및 이들을 활용한 백색 광원의 개발이 대두되고 있으며, 장파장 LED를 활용한 백색 광원을 개발하기 위해서는 상기 영역의 빛에 보다 효율적으로 발광하는 형광체가 요구된다.
고품질의 백색 광원 제조에 필요한 장파장 자외선용 형광체로는 황화물계와 산화물계로 나눌 수 있다. 황화물계 형광체는 본래 음극선 발광용으로 개발된 것으로서, 장파장 자외선에서도 우수한 발광특성을 나타내지만 열적 및 화학적 안정성과 수명 특성이 좋지 않은 단점이 있다. 상기 황화물계 형광체의 단점을 극복하기 위해, 주로 램프 및 플라즈마 디스플레이용으로 개발된 산화물계 형광체가 장파장 자외선용으로 사용되고 있으나, 산화물계 형광체는 장파장 자외선에서의 발광 특성이 황화물계에 비해 다소 떨어지는 경향이 있다.
한편, 스트론튬 알루미네이트 모체에 활성제로서의 유로피움(Eu) 및 축광 특성을 부여하기 위한 디스프로슘(Dy)을 도핑시켜 얻은 SrAl2O4:Eu,Dy 형광체도 장파장 자외선 영역의 빛을 효과적으로 흡수할 수 있는 것으로 알려져 있다. 그러나, 장시간의 축광 특성을 갖는 SrAl2O4:Eu,Dy 형광체를 광원용으로 사용하기에는 발광 특성이 부족하다.
이에, 본 발명자들은 380 내지 420nm 범위의 장파장을 흡수할 수 있는 스트론튬 알루미네이트계 형광체의 제조에 있어서, 형광체 모체인 스트론튬 알루미네이트에 축광성을 부여하는 Dy의 도핑 대신에, 활성제로서 유로피움만을 첨가하고, 스트론튬 자리에 아연을 일부 치환하며 알루미늄 자리에 붕소를 일부 치환시키는 경우 발광 특성이 현저히 향상됨을 발견하고 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명의 목적은 장파장 자외선에서 우수한 발광 특성을 나타내는 고효율의 녹색형광체를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 하기 화학식 1로 표시되는 장파장 자외선용 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광체 및 이의 제조방법을 제공한 다:
상기 식에서, 0<x<0.6, 0.001≤y≤0.3, 2.0≤w≤2.5, 및 0.001≤z≤0.5 이다.
이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 장파장 자외선용 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광체는, 형광체 원료로서 스트론튬; 아연; 알루미늄; 붕소; 및 유로피움 화합물들을 용매, 예를 들면 물, 알코올 또는 이들의 혼합 용매에 용해시킨 후 액적 발생장치, 예를 들면 초음파, 초음파 노즐 및 공기 노즐을 이용하여 수 내지 수십 마이크론 크기의 액적으로 분무시키면서 800 내지 1500℃ 범위의 반응기 온도에서 건조 및 열분해를 통해 형광체 분말을 합성하고, 합성된 형광체 분말을 환원 분위기하에서 1000 내지 1500 ℃에서 2 내지 10시간 동안 열처리함으로써 제조할 수 있다.
상기 제조방법에 있어서, 원료물질인 스트론튬 화합물 및 아연 화합물로는 이들의 질산염, 초산염, 염화물, 산화물, 탄산염 등의 수용성 물질이 바람직하고, 알루미늄 화합물로는 이의 질산염 및 염화물이 바람직하고, 붕소 화합물로는 붕산이 바람직하며, 유로피움 화합물로는 이의 질산염을 사용하거나 산화유로피움(Eu2O3)을 질산에 용해시켜 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 원료물질 용액의 총 농도는 최종 생성되는 형광체 분말의 크기 및 생산 속도를 고려하여, 0.1 내지 2.0M, 바람직하게는 0.5 내지 1.5M, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 1.0M이다. 용액의 농도가 0.1M 미만인 경우에는 분말 입자의 크기가 수백 nM 이하로 작아져 생산성이 저하되고, 2.0M을 초과하는 경우에는 형광체 분말을 구성하는 성분 중 낮은 용해도를 갖는 성분들의 석출이 일어나 조성이 불균일해지거나 용액의 점도가 높아져 액적화가 어렵다. 한편, 각 성분들의 사용량은 상기 화학식 1의 조건을 만족하도록 적절히 조절할 수 있다.
상기 형광체 원료물질 용액을 이용한 형광체 분말의 제조 공정에 있어서는 원료물질 용액을 액적으로 분무시켜 기상분위기, 예컨대 산소 또는 공기 분위기하에 800 내지 1500℃에서 건조 및 열분해를 통해 형광체 입자를 합성하는 분무열분해법을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 분무 열분해법은 조성의 균일한 합성이 가능하고, 일반적인 고상법이나 액상법에 비해 형광체 입자의 형태 조절이 비교적 간단하기 때문에, 보다 규칙적인 형상의 형광체 입자를 얻을 수 있어, 이를 소자에 적용할 경우 도포 및 발광 특성이 우수하다.
상기와 같은 분무열분해 공정에 이어, 수득된 형광체 전구체 분말들은 활성제인 유로피움의 환원과 동시에 분말의 고결정성을 위해, 환원가스의 존재하에 1000 내지 1500℃, 바람직하게는 1200℃에서 2 내지 10 시간, 바람직하게는 3시간 동안 열처리된다. 상기 환원가스로는 5 내지 15% 수소/75 내지 99% 질소의 혼합 가스, 바람직하게는 10% 수소/90% 질소의 혼합가스가 0.1 내지 2 ℓ/분, 바람직하게는 0.3 내지 0.5 ℓ/분의 유량으로 사용되는 것이 바람직하다. 이때, 열처리 온 도가 1500℃를 초과하는 경우, 형광체 입자끼리의 응집이 일어나 입자의 과대 성장이 유발되고, 1000℃ 미만인 경우에는 분말의 고결정성을 이루기 어렵다. 한편, 환원가스의 유량이 2 ℓ/분을 초과하는 경우에는 모체의 과환원을 유발할 수 있으며, 0.1 ℓ/분 미만인 경우에는 유로피움 활성제의 환원이 제대로 이루어지지 않아 환원시간을 길게 해야 하는 문제점이 발생한다. 또한, 상기 환원 분위기 하에서의 열처리 공정 전에, 형광체 분말을 산소 또는 공기 분위기하에 800 내지 1300℃에서 0.5 내지 3시간 동안 열처리함으로써 전구체 분말상에 잔존할 수 있는 유기물들을 제거할 수 있다.
본 발명의 방법에 따라 제조된, 상기 화학식 1로 표시되는 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광체는 형광체 모체에 활성제로 유로피움을 첨가하고, 모체의 일부를 아연 또는 붕소로 치환시킴으로써, 종래의 장파장 자외선용 녹색 형광체, 예컨대 SrAl2O4:Eu 형광체에 비해 개선된 발광 특성을 나타낸다. 상기 화학식 1의 녹색 형광체에서, 아연 성분이 첨가되지 않은 경우(x=0)에는 380~420nm 장파장 자외선의 흡수정도 및 녹색 발광강도가 낮으며, 아연 성분이 특정량 이상 첨가되는 경우(x>1) 및 붕소 성분이 첨가되지 않는(z=0) 경우 역시 발광강도가 낮기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 알루미늄 성분의 함량에 있어서, w 값이 2 내지 2.5의 범위를 만족하는 경우에 폭넓은 발광 범위와 향상된 발광 강도를 나타낼 수 있다. 한편, 유로피움의 도핑량(y)이 0.001 보다 적은 경우에는 활성점이 적어서 발광강도가 낮고, 0.3 보다 높은 경우에는 농도 소광 현상에 의해 발광강도가 감소한다.
본 발명은 또한 상기 장파장 자외선용 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광물질을 포함하는 장파장 자외선 발광소자(LED)를 제공한다.
이하에서는 본 발명의 실시예들을 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1: (Sr0.9,Zn0.1)0.9(Al1.98,B0.02)O4:Eu0.1 (화학식 1에서 x=0.1, y=0.1, w=2.0 및 z=0.02 임) 형광체의 제조
질산 스트론튬(Sr(NO3)2), 질산 아연(Zn(NO3)2), 질산 알루미늄(Al(NO3)3), 붕산 및 질산 유로피움(Eu(NO3)3)을 각 성분의 화학양론비에 맞게 측량하여 증류수 500㎖에 균일하게 혼합시켜 농도가 1M이 되도록 분무 용액을 제조하였다. 생성 용액을 초음파 액적 발생 장치에 넣고 5 마이크론 정도의 미세한 액적으로 발생시켰다. 발생된 액적들을 반응기 온도 900℃에서 건조 및 열분해시켜 미세한 분말로 변환시키고, 이렇게 수득된 형광체 입자를 알루미나 보트에 넣고, 공기중에 900℃에서 1시간 동안 열처리한 다음, 1200℃에서 3시간 동안 10% 수소/90% 질소 혼합 가스를 0.6ℓ/분의 유량으로 흘려주면서 열처리하여 표제 화합물을 제조하였다.
비교예 1: Sr0.9(Al1.98,B0.02)O4:Eu0.1 (화학식 1에서 x=0, y=0.1, w=2.0 및 z=0.02 임) 형광체의 제조
질산 아연(Zn(NO3)2)을 사용하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 표제 화합물을 제조하였다.
비교예 2: Sr0.9Al2.0O4:Eu0.1 (화학식 1에서 x=0.0, y=0.1, w=2.0 및 z=0.0 임) 형광체의 제조
질산 아연(Zn(NO3)2) 및 붕산을 사용하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 표제 화합물을 제조하였다.
실시예 2: (Sr0.7,Zn0.3)0.9(Al1.98,B0.02)O4:Eu0.1 (화학식 1에서 x=0.3, y=0.1, w=2.0 및 z=0.02 임) 형광체의 제조
질산 아연(Zn(NO3)2)의 함량을 제시된 화학양론비에 맞게 변화시키는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 표제 화합물을 제조하였다.
실시예 3: (Sr0 .6,Zn0 .4)0.9(Al1 .98,B0.02)O4:Eu0 .1 (화학식 1에서 x=0.4, y=0.1, w=2.0 및 z=0.02 임) 형광체의 제조
질산 아연(Zn(NO3)2)의 함량을 제시된 화학양론비에 맞게 변화시키는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 표제 화합물을 제조하였다.
실시예 4: (Sr0.5,Zn0.5)0.9(Al1.98,B0.02)O4:Eu0.1 (화학식 1에서 x=0.5, y=0.1, w=2.0 및 z=0.02 임) 형광체의 제조
질산 아연(Zn(NO3)2)의 함량을 제시된 화학양론비에 맞게 변화시키는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 표제 화합물을 제조하였다.
실시예 5: (Sr0.6,Zn0.4)0.9(Al2.48,B0.02)O4:Eu0.1 (화학식 1에서 x=0.4, y=0.1, w=2.5 및 z=0.02 임) 형광체의 제조
질산 알루미늄의 함량을 제시된 화학양론비에 맞게 변화시키는 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법을 수행하여 표제 화합물을 제조하였다.
비교예 3: (Sr0 .4,Zn0 .6)0.9(Al1 .98,B0.02)O4:Eu0 .1 (화학식 1에서 x=0.6, y=0.1, w=2.0 및 z=0.02 임) 형광체의 제조
질산 아연(Zn(NO3)2)의 함량을 제시된 화학양론비에 맞게 변화시키는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 표제 화합물을 제조하였다.
시험예 1: 발광 특성
실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 3에서 제조한 형광체들, 및 상용되고 있는 자외선용 녹색형광체인 SrGa2S4:Eu 형광체의 250 내지 45nm 사이에서의 흡수 스펙트 럼과, 405nm 자외선을 여기 에너지원으로 사용하여 발광시켰을 때의 발광 스펙트럼을 도 1 내지 4에 나타내었다.
구체적으로, 도 1은 스트론튬 알루미네이트계 형광체에 있어서, 스트론튬에 대한 아연의 치환 정도에 따른 380 내지 420nm 장파장 자외선 영역에서의 흡수 정도를 나타낸 것으로서, 아연의 치환율이 일정 수준까지 증가할수록 상기 영역에서 높은 흡수 피크를 보여주고 있다.
도 2는 형광체를 구성하는 알루미늄의 화학양론값 조절에 따른 380 내지 420nm 장파장 자외선 영역에서의 흡수 정도를 나타낸 것으로서, 상용의 SrGa2S4:Eu 형광체에 비해 본 발명에 따른 형광체가 상기 영역에서 높은 흡수 피크를 보여주고 있으며, 또한 본 발명에 따른 형광체중에서도 알루미늄의 조성값이 높을수록 높은 흡수 피크를 보여주고 있다.
도 3은 스트론튬 알루미네이트계 형광체에 있어서, 스트론튬에 대한 아연의 치환 정도 및 붕소 치환에 따른 형광체들의 발광 스펙트럼을 나타낸 것으로, 실시예 3의 형광체(x=0.4)인 경우에 가장 높은 발광 세기를 갖고, 비교예 1 및 2의 형광체와 같이 아연 또는 붕소가 치환되지 않은 경우에는 발광세기가 현저히 낮았다. 또한, 비교예 3의 형광체와 같이 아연의 치환정도가 일정 수준 이상되면 발광세기가 다시 낮아짐을 볼 수 있다.
도 4는 형광체를 구성하는 알루미늄의 화학양론값 조절에 따른 발광세기를 비교한 것으로서, 알루미늄의 조성값이 높을수록 발광강도가 높아짐을 볼 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 아연 및 붕소가 일부 치환된 스트론튬 알루미네이트계 형광체는 380 내지 420nm의 장파장 자외선 영역에서 높은 흡수 피크를 가지며, 종래의 녹색 형광체에 비해 발광강도가 높기 때문에 자외선 발광 다이오드의 고효율 녹색 형광물질로 적용될 수 있다.
Claims (4)
- 하기 화학식 1로 표시되는 장파장 자외선용 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광체:화학식 1(Sr1-x,Znx)1-y(Alw-z,Bz)O4:Euy상기 식에서, 0.3≤x≤0.5, 0.001≤y≤0.3, 2.0≤w≤2.5, 및 0.001≤z≤0.5 이다.
- 스트론튬, 아연, 알루미늄, 붕소 및 유로피움 화합물들을 용매에 용해시킨 후, 생성 혼합용액을 액적 발생장치를 이용하여 미세 액적으로 분무하면서 반응기 온도 800 내지 1500℃에서 건조 및 열분해하여 형광체 분말을 합성하고, 합성된 형광체 분말을 환원 분위기하에서 1000 내지 1500 ℃에서 2 내지 10시간 동안 열처리하는 것을 포함하는, 제1항의 장파장 자외선용 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광체의 제조방법.
- 제2항에 있어서,스트론튬 화합물 및 아연 화합물이 이들의 질산염, 초산염, 염화물, 산화물 또는 탄산염으로서 사용되고, 알루미늄 화합물이 이의 질산염 및 염화물으로서 사용되고, 붕소 화합물이 붕산으로 사용되며, 유로피움 화합물이 이의 질산염 또는 산화유로피움(Eu2O3)을 질산에 용해시킨 형태로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항의 장파장 자외선용 스트론튬 알루미네이트계 녹색 형광체를 발광층에 포함하는, 장파장 자외선 발광소자.
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