JPS59121121A - 基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法 - Google Patents
基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法Info
- Publication number
- JPS59121121A JPS59121121A JP57231842A JP23184282A JPS59121121A JP S59121121 A JPS59121121 A JP S59121121A JP 57231842 A JP57231842 A JP 57231842A JP 23184282 A JP23184282 A JP 23184282A JP S59121121 A JPS59121121 A JP S59121121A
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- Japan
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- oxide film
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- vanadium oxide
- solution
- vanadate
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- Pending
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法、
特に電圧印加により可逆的な発消色を示す酸化バナジウ
ム膜を基材表面に析出させる方法に関する。
特に電圧印加により可逆的な発消色を示す酸化バナジウ
ム膜を基材表面に析出させる方法に関する。
酸化バナジウム膜は電圧の印加により可逆的な発消色を
示すため、エレクトロクロミック（以下ＥＣと略称する
）素子に用いられることが提案されており、またその半
導体性質を利用した電気素子としであるいはその赤外線
領域のエネルギー反射特性を利用した熱線反射膜として
用いることが研究されている。
示すため、エレクトロクロミック（以下ＥＣと略称する
）素子に用いられることが提案されており、またその半
導体性質を利用した電気素子としであるいはその赤外線
領域のエネルギー反射特性を利用した熱線反射膜として
用いることが研究されている。
しかしながら、基材表面に酸化バナジウム膜を安定して
形成させるのは困難であった。例えばバナジウム有機化
合物を用いて熱分解により基材表面に酸化バナジウム膜
を形成しようとしても均質な被膜が得られなかったり、
遷移金属酸イオンと修酸イオンを含む溶液の電解還元に
より遷移金属酸化物膜を析出させる方法を応用しても酸
化バナジウム膜は全く形成できない。
形成させるのは困難であった。例えばバナジウム有機化
合物を用いて熱分解により基材表面に酸化バナジウム膜
を形成しようとしても均質な被膜が得られなかったり、
遷移金属酸イオンと修酸イオンを含む溶液の電解還元に
より遷移金属酸化物膜を析出させる方法を応用しても酸
化バナジウム膜は全く形成できない。
このため、酸化バナジウム膜の形成には真空蒸着法、又
はスパッタ法が用いられてきたが、真空蒸着装置あるい
はスパッタ装置が高価なこと、大面積の基材を処理する
上で困難が大きいことながら新しい酸化バナジウム膜の
形成方法が望まれていた。
はスパッタ法が用いられてきたが、真空蒸着装置あるい
はスパッタ装置が高価なこと、大面積の基材を処理する
上で困難が大きいことながら新しい酸化バナジウム膜の
形成方法が望まれていた。
本発明者はかかる問題点に鑑み鋭意研究の結果、酸化バ
ナジウム膜を生成する安価にして且つ大面積の基板に対
しても均一な被覆が可能な方法を見出すに至った。
ナジウム膜を生成する安価にして且つ大面積の基板に対
しても均一な被覆が可能な方法を見出すに至った。
すなわち本発明は、バナジン酸塩を含むＰＨ値が３．０
以下の酸性液中に基材を浸漬した後、当該溶液をｊＯｏ
Ｃ乃至１００′ｃの間に加熱するが、あるいはｊＯｏＣ
乃至／ ００ ’Ｃの間に加熱されたバナジン酸塩を含
む酸性液中に基材を浸漬することにより、該基材表面に
酸化バナジウム膜を形成する方法である。
以下の酸性液中に基材を浸漬した後、当該溶液をｊＯｏ
Ｃ乃至１００′ｃの間に加熱するが、あるいはｊＯｏＣ
乃至／ ００ ’Ｃの間に加熱されたバナジン酸塩を含
む酸性液中に基材を浸漬することにより、該基材表面に
酸化バナジウム膜を形成する方法である。
本発明において用いられるバナジン酸塩を含む酸性液は
ＳＯｏＣ乃至１０（１７′Ｃ，好ましくはｓｏ乃至９ｊ
’Ｃに加熱される。
ＳＯｏＣ乃至１０（１７′Ｃ，好ましくはｓｏ乃至９ｊ
’Ｃに加熱される。
また、本発明に、おいて用いられるバナジン酸塩として
はＭ （ＶＯ３）Ｘ１又［Ｍ３（ＶＯ４）２ （但１．
Ｘ ハ／ 又は２であり、ＭはＬｉｌＮａｔＫＩＲｂ
ｌＭｇまたはＣａである。）であられされるメタバナジ
ン酸塩、または正バナジン酸塩が好んで用いられる。
はＭ （ＶＯ３）Ｘ１又［Ｍ３（ＶＯ４）２ （但１．
Ｘ ハ／ 又は２であり、ＭはＬｉｌＮａｔＫＩＲｂ
ｌＭｇまたはＣａである。）であられされるメタバナジ
ン酸塩、または正バナジン酸塩が好んで用いられる。
更にまた、本発明に用いられる酸性液中におけるバナジ
ン酸塩は液／ｌ当りＯ，Ｓ乃至Ｓ、Ｏり含まれるように
するのが被膜の形成に好ましい。
ン酸塩は液／ｌ当りＯ，Ｓ乃至Ｓ、Ｏり含まれるように
するのが被膜の形成に好ましい。
更にまた、本発明に用いられる酸性液としては塩酸、硫
酸、硝酸等の水溶液が用いられ、ＰＨ値が３．０以下に
調節されることが好ましい。
酸、硝酸等の水溶液が用いられ、ＰＨ値が３．０以下に
調節されることが好ましい。
本発明はバナジン酸塩を含む酸性液中に基材を浸漬した
後、当該溶液を５０″Ｃ２乃至／ ００ ’Ｃの間に加
熱するか、あるいは５０℃乃至／ ＯＯ’Ｃの間に加熱
されたバナジン酸塩を含むＰＨ値が３．０以下の酸性液
中に基材を浸漬するものであるから、簡単な装置で大面
積の基材に酸化バナジウム膜を容易に形成することがで
きる。
後、当該溶液を５０″Ｃ２乃至／ ００ ’Ｃの間に加
熱するか、あるいは５０℃乃至／ ＯＯ’Ｃの間に加熱
されたバナジン酸塩を含むＰＨ値が３．０以下の酸性液
中に基材を浸漬するものであるから、簡単な装置で大面
積の基材に酸化バナジウム膜を容易に形成することがで
きる。
また、本発明はバナジン酸塩を含む酸性液のＰＨ値を３
．０以下に調節することにより、基材表面に酸化バナジ
ウム膜の形成が良好となるが、そのＰＨ値ｔｉ：３．ｏ
未満にするとその酸性液中にピロバナジン酸塩が生成し
基材表面に酸化バナジウム膜の形成が困難となる。
．０以下に調節することにより、基材表面に酸化バナジ
ウム膜の形成が良好となるが、そのＰＨ値ｔｉ：３．ｏ
未満にするとその酸性液中にピロバナジン酸塩が生成し
基材表面に酸化バナジウム膜の形成が困難となる。
本発明では例えば前述したバナジン酸塩を含むＰＨ値が
３．０以下酸性液中にガラス・セラミックスなどの基材
を浸漬し、その後酸性液を加熱して、透明な酸性液が橙
黄色に濁るまで所定の温度に保持し、濁りが見られた時
点で加熱を中止し酸性液が室温になるまで冷却すると基
材の表面には既に橙黄色の酸化バナジウムが形成されて
いる。
３．０以下酸性液中にガラス・セラミックスなどの基材
を浸漬し、その後酸性液を加熱して、透明な酸性液が橙
黄色に濁るまで所定の温度に保持し、濁りが見られた時
点で加熱を中止し酸性液が室温になるまで冷却すると基
材の表面には既に橙黄色の酸化バナジウムが形成されて
いる。
このような本発明の方法で形成させた酸化バナジウム膜
はＥＣ特性を有している。すなわち当該被膜を２つの電
極板ではさみこの電極間にへＳ〜乙、０ポルＢｖ）の電
圧を印加することで橙黄色であった酸化バナジウム膜は
灰緑色に変る。
はＥＣ特性を有している。すなわち当該被膜を２つの電
極板ではさみこの電極間にへＳ〜乙、０ポルＢｖ）の電
圧を印加することで橙黄色であった酸化バナジウム膜は
灰緑色に変る。
以下本発明の実施例について詳述する。
実施例１
メタバナジン酸カリウム（ＫＶＯ３）を５９／ｌの濃度
割合で含む水溶液ｓｏ’ｏｍｚを調整した後５等分し、
各ｉｏｏｍｌの溶液に所定量の塩酸を加えＰＨ値が２．
Ｏ１３，Ｏｒグ、ｏ、ｓ、ｏ、６．０である５種類のバ
ナジン酸塩を含む酸性溶液を準備した。次いでこれらの
５種類の溶液中に透明な酸化錫膜を表面に付着した大き
さ！；ＯＴｎ×１０Ｃｊｍのガラス基板を７つずつ鉛直
に浸漬し、その後これらの５種の溶液をｇＯｏＣに加温
し、７０分間その温度に保持した後、自然放冷で室温ま
で冷却した。その後、ガラス基板を取出し、基板表面へ
の酸化バナジウム膜の形成の有無を確認した。（但しＰ
Ｈ値が１．０゜！、０及び６．０のバナジン酸塩を含む
溶液を用いたものは比較例である。）次に酸化ノくナジ
ウム膜形成の認められた試料についてはガラス基板表面
の酸化錫膜上に形成された酸化バナジウム膜の表面にＫ
Ｃｌの水溶液を接触させ、Ｋｃｌの水溶液と酸化錫膜と
の間に八ｒｖの電圧を印加し、ＥＣ特性の有無を調べた
。
割合で含む水溶液ｓｏ’ｏｍｚを調整した後５等分し、
各ｉｏｏｍｌの溶液に所定量の塩酸を加えＰＨ値が２．
Ｏ１３，Ｏｒグ、ｏ、ｓ、ｏ、６．０である５種類のバ
ナジン酸塩を含む酸性溶液を準備した。次いでこれらの
５種類の溶液中に透明な酸化錫膜を表面に付着した大き
さ！；ＯＴｎ×１０Ｃｊｍのガラス基板を７つずつ鉛直
に浸漬し、その後これらの５種の溶液をｇＯｏＣに加温
し、７０分間その温度に保持した後、自然放冷で室温ま
で冷却した。その後、ガラス基板を取出し、基板表面へ
の酸化バナジウム膜の形成の有無を確認した。（但しＰ
Ｈ値が１．０゜！、０及び６．０のバナジン酸塩を含む
溶液を用いたものは比較例である。）次に酸化ノくナジ
ウム膜形成の認められた試料についてはガラス基板表面
の酸化錫膜上に形成された酸化バナジウム膜の表面にＫ
Ｃｌの水溶液を接触させ、Ｋｃｌの水溶液と酸化錫膜と
の間に八ｒｖの電圧を印加し、ＥＣ特性の有無を調べた
。
更に酸化バナジウム膜の付着力を調べるために１０ｍｍ
ＸＪＱｍｍのセロノ・ン粘着テープを酸化錫上の酸化バ
ナジウム膜に強く貼りつけて急激にはがしたとき酸化バ
ナジウム膜がはく離するが否かをテストした。最後に酸
化バナジウム膜の膜厚をタリサーフで測定した。
ＸＪＱｍｍのセロノ・ン粘着テープを酸化錫上の酸化バ
ナジウム膜に強く貼りつけて急激にはがしたとき酸化バ
ナジウム膜がはく離するが否かをテストした。最後に酸
化バナジウム膜の膜厚をタリサーフで測定した。
以上の結果を第７表にまとめて示した。第１表よりメタ
バナジン酸カリウムを含む溶液のＰＨ値が３．０以下の
時にＥＣ特性を有する酸化バナジウム膜を良好に形成す
ることがわかる。
バナジン酸カリウムを含む溶液のＰＨ値が３．０以下の
時にＥＣ特性を有する酸化バナジウム膜を良好に形成す
ることがわかる。
オ ｌ 表
実施例コ
メタバナジン酸ナトリウム（Ｈａ ＶＯ３）を３９／ｌ
の濃度割合で含む水溶液！；００ ＩＩＩ／を調整し、
所定量の塩酸を加えＰＨ値を２．０にした後、３等分し
各１００ｍ１の溶液を準備した。次いで夫々のバナジン
酸塩を含む酸性溶液中に透明な酸化錫膜を表面に付着し
た大きさｊＯｙｎＸｌｏｏｙｎのガラス基板を７つずつ
鉛直に浸漬し、その抜去々を２０°Ｃ８３０°Ｃ，！；
０°Ｃ、７！；”Ｃ、１００°Ｃに加温し、夫々１０分
間その温度に保持した後、自然放冷し室温まで冷却した
。その後、ガラス基板を取出し、実施例／と同様に酸化
バナジウム膜形成の有無・ＥＣ特性の有無・付着力を調
べ、結果をオノ表にまとめて示した。（但し、２０°Ｃ
及び３０°Ｃのバナジン酸塩を含む酸性液中で処理した
ものは比較例である。）同表よりメタバナジン酸ナトリ
ウムを含む溶液をｊＯ℃〜１００°Ｃの間に加熱するこ
とによりＥＣ特性を有する酸化バナジウム膜が析出する
ことがわかる。
の濃度割合で含む水溶液！；００ ＩＩＩ／を調整し、
所定量の塩酸を加えＰＨ値を２．０にした後、３等分し
各１００ｍ１の溶液を準備した。次いで夫々のバナジン
酸塩を含む酸性溶液中に透明な酸化錫膜を表面に付着し
た大きさｊＯｙｎＸｌｏｏｙｎのガラス基板を７つずつ
鉛直に浸漬し、その抜去々を２０°Ｃ８３０°Ｃ，！；
０°Ｃ、７！；”Ｃ、１００°Ｃに加温し、夫々１０分
間その温度に保持した後、自然放冷し室温まで冷却した
。その後、ガラス基板を取出し、実施例／と同様に酸化
バナジウム膜形成の有無・ＥＣ特性の有無・付着力を調
べ、結果をオノ表にまとめて示した。（但し、２０°Ｃ
及び３０°Ｃのバナジン酸塩を含む酸性液中で処理した
ものは比較例である。）同表よりメタバナジン酸ナトリ
ウムを含む溶液をｊＯ℃〜１００°Ｃの間に加熱するこ
とによりＥＣ特性を有する酸化バナジウム膜が析出する
ことがわかる。
以上は本発明の実施例を示したものであり、本発明は以
上の実施例に限定されることはない。
上の実施例に限定されることはない。
すなわち実施例においてバナジン酸塩としてメタバナジ
ン酸カリウム（ＫＶＯ３）またはメタバナジン酸ナトリ
ウム（ＮａＶＯ３）を用いたが例えばＬ１ＶＯ３゜第２
表 ＲｂＶＯ３，Ｍｇ （ＶＯ３） ２まりＧｔ Ｏａ （
ＶＯ３） ２も用イルコとができる。また、実施例にお
いて酸として塩酸（Ｈ（Ｊ）を用いたが、特にバナジン
酸塩にＫＶＯ３１又はＮａＶＯ３を用いた場合には酸と
して硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を用いることができ、またバナ
ジン酸塩にＫＶＯ３を用いた場合には硝酸（ＨＮＯ３）
を用いることができる。
ン酸カリウム（ＫＶＯ３）またはメタバナジン酸ナトリ
ウム（ＮａＶＯ３）を用いたが例えばＬ１ＶＯ３゜第２
表 ＲｂＶＯ３，Ｍｇ （ＶＯ３） ２まりＧｔ Ｏａ （
ＶＯ３） ２も用イルコとができる。また、実施例にお
いて酸として塩酸（Ｈ（Ｊ）を用いたが、特にバナジン
酸塩にＫＶＯ３１又はＮａＶＯ３を用いた場合には酸と
して硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を用いることができ、またバナ
ジン酸塩にＫＶＯ３を用いた場合には硝酸（ＨＮＯ３）
を用いることができる。
手 続 補 正 書
昭和５ｇ年２月ｌ？日
／ 事件の表示
特願昭３７−２３７ｇ’ｌ、！号
２ 発明の名称
基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法３ 補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名称 （
４ｔθ０）日本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信
雄 グ代理人 ７ 補正の内容 （１） 明細書オＳ頁オノ行目の「値を３．０未満に
すると」を「値が３．０を超えると」に補正する。
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名称 （
４ｔθ０）日本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信
雄 グ代理人 ７ 補正の内容 （１） 明細書オＳ頁オノ行目の「値を３．０未満に
すると」を「値が３．０を超えると」に補正する。
以 上
Claims (3)
- （１）バナジン酸塩を含むＰＨ値が３．０以下の酸性液
中に基材を浸漬した後、当該溶液をｊＯｏＣ乃至１００
°Ｃの間に加熱するか、あるいはｊＯｏＣ乃至１００６
Ｃの間に加熱されたバナジン酸塩を含む酸性液中に暴利
を浸漬することにより、該基材表面に酸化バナジウム膜
を形成する方法。 - （２）前記バナジン酸塩がＭ （ＶＯ３）Ｘ又はＭ３
（ＶＯ４）２（但し、Ｘは／又は２であり、ＭはＬｉ
＋ Ｎａ ＋ Ｋ ＋Ｒｂ 、 Ｍｇ またはＣａであ
る。）であられされる化合物である特許請求の範囲オ／
に記載の基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法。 - （３）前記酸性液中にバナジン酸塩が０．！；ｇ／ＩＩ
乃至！；、Ｏｇ／／ｌ含まれる特許請求の範囲オ１項ま
たはオノ項に記載の基材表面に酸化バナジウム膜を形成
する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231842A JPS59121121A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231842A JPS59121121A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121121A true JPS59121121A (ja) | 1984-07-13 |
Family
ID=16929862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231842A Pending JPS59121121A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121121A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61106436A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-24 | Res Dev Corp Of Japan | 導電性材料及びその製造法 |
| WO2009035007A1 (ja) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | バナジウム酸化物薄膜パターン及びその作製方法 |
| JP2009084531A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4947294A (ja) * | 1972-09-06 | 1974-05-07 |
-
1982
- 1982-12-25 JP JP57231842A patent/JPS59121121A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4947294A (ja) * | 1972-09-06 | 1974-05-07 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61106436A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-24 | Res Dev Corp Of Japan | 導電性材料及びその製造法 |
| JPH022817B2 (ja) * | 1984-10-30 | 1990-01-19 | Shingijutsu Kaihatsu Jigyodan | |
| WO2009035007A1 (ja) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | バナジウム酸化物薄膜パターン及びその作製方法 |
| JP2009067622A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | バナジウム酸化物薄膜パターン及びその作製方法 |
| US8715811B2 (en) | 2007-09-12 | 2014-05-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Vanadium oxide thin film pattern and method of fabricating the same |
| JP2009084531A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | バナジウム酸化物蛍光体薄膜の製造方法 |
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