JPS6139321A - 酸化スズ導電膜の作製方法 - Google Patents

酸化スズ導電膜の作製方法

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JPS6139321A
JPS6139321A JP15988284A JP15988284A JPS6139321A JP S6139321 A JPS6139321 A JP S6139321A JP 15988284 A JP15988284 A JP 15988284A JP 15988284 A JP15988284 A JP 15988284A JP S6139321 A JPS6139321 A JP S6139321A
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JP
Japan
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tin oxide
conductive film
oxide conductive
substrate
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP15988284A
Other languages
English (en)
Inventor
小柳　かおる
舜平 山崎
敏次 浜谷
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6139321A publication Critical patent/JPS6139321A/ja
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｒ産業上の利用分野Ｊ 本発明は太陽電池、液晶表示パネル等に用いられる酸化
スズ導電膜の作製方法に関するものであるｒ従来の技術
ｊ 透明導電膜にはＡｕ等の金属薄物を用いるものと、Ｓｎ
Ｏ，Ｉｎ１０声の金属酸化物を用いるものとがある。金
属薄膜はその高い導電性の為低抵抗の膜を作りやすい反
面、可視域での吸収が大きい為高透過率が得にくく、か
つ膜の強度が劣るという欠点をもっている、一方金属酸
化物は適度の導電性と高透過率そのうえ優れた膜強度を
もっているので幅広く応用されている。
現在一般に知られている金属酸化物はネサ膜と呼ばれる
ｓｎへ膜、Ｉｎ□ＯＪ膜、ＩＴＯ膜等でこれらのうちＩ
ｎＪＯ，膜とＩＴＯ膜は比抵抗が１σへ■程Ｓ　ｎ　Ｏ
，ｌｉが１０Ω０程の膜質の物が得られている。
「発明が解決しようとする問題点」 これらのうちＳ　ｎ　Ｏ，ｌＱは古くからスプレー法、
ＣＶＤ法、真空蒸着法等により作製されていたが、比抵
抗が１０当口が限度で低い抵抗のものが得られないとい
う欠点があった。
これを解決するためにスプレー法やＣＶＤ法において原
料溶液または原料ガス中にフッ素を含む物質（例えばＮ
Ｈ４Ｆ、ＣＦ４）を添加してフン素人のＳ　ｎ　Ｏ，膜
が作製されたがこれらの方法では基板を４００〜５００
℃という高温にしなければならずかかる温度では基板が
変形してしまうという欠点があった。
さらに、真空蒸着法によってフッ素人の酸化スズ導電膜
を形成しようとした場合フッ素、スズフッ化物とスズ、
スズ酸化物との蒸気圧の違いによって膜中に均一にフッ
素を導入することはできなかった・ ｒ問題を解決するための手段」 本発明は上記の問題を解決するものでありスズ合金又は
スズ酸化物を出発材料として、スパッタリング法により
基板上に酸化スズ導電膜を形成する際にフッ素を含む物
質の気体を真空容器内に導入゛することを特薇とするも
のであり本発明により作製された酸化スズ導電膜中には
不純物としてフッ素元素を含み加熱する必要なく低抵抗
の酸化スズ導電膜が得られるものである。
「作用１ フッ素元素をふくむ酸化スズ導電膜中において一部の酸
素とフッ素が置換されてドナーレベルを形成する為導電
性は向上するものと考えられる。
以下に実施例により本発明を説明する。
ｒ実施例１ｊ 基板として厚さ１００μｍのプラスチックフィルムを用
いてＤＣスパッタリング法により酸化スズをターゲット
とじて酸化スズ導電膜を作製した。
以下にその作製条件をしめす。
・ターゲット　　　酸化スズ　　４Ｎ ・導入気体　　　　アルゴン、酸素、ＨＦ・圧力　　　
　　　　　　３　ｘ　１０Ｔｏｒｒ・酸素分圧　　　　
　　　４　ｘ　１０Ｔｏｒｒ−ＨＦ分圧　　　　　　　
１　ｘ　１０Ｔｏｒｒ・基板加熱　　　　　　　なし 得られた映の物性は次の通りであった。
・Ｍ９厚　　　　　　　　　　　３０００人・シート抵
抗　　　　　　　　７１Ω／ｄ・透過率　　　　　　　
　　　　８０　％全く同じ条件でフッ素を含む物質を導
入しなかった場合の酸化スズの膜の物性は以下のようだ
った・膜厚　　　　　　　　　　　３０００人・シート
抵抗　　　　　　　　ＩＫΩ／ｃＩＩＩ・透過率　　　
　　　　　　　８２　％「効果」 本発明は上記の問題を解決するものでありスズ合金又は
スズ酸化物を出発材料として、スパッタリング法により
基板上に酸化スズ導電膜を形成する際にフッ素を含む物
質の気体を真空容器内に導入することを特徴とするもの
であり本発明により作製された酸化スデ導電膜中には不
純物としてフッ素元素を含み加熱する必要なく低抵抗の
酸化スズ導電膜が得られるものである。
また従来のフッ素人酸化スズ導電肋を作製するのに用い
られたスプレー法、ＣＶＤ法、真空蒸着法は、基板加熱
を必要としていたため基板の変形、基板からの不純物の
熱拡散等の問題があったが本発明は基板加熱を必要とし
ないためそれらの問題は全くおこらない、さらに加熱す
る必要がないためプラスチックフィルム等の耐熱性の低
い基板のうえ等にもフッ素人の酸化スズ導電膜を形成す
ることかできるという大きな特徴を有する。
また、フッ素を含む物質の気体をターゲットに吹きつけ
るようにするとより効果があった。
本発明においてフッ素を含む物質としてはスズのフン化
物、ＨＦ、ＮＦ３、炭素フン化物が現在使用の確認がと
れている。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に使用したスパッタリング装置の概〜略
図をしめず。。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、真空容器内に保持された、基板上にスズ合金又はス
    ズ酸化物を出発材料として、スパッタリング法により基
    板上に酸化スズ導電膜を形成する際においてフッ素を含
    む物質の気体を前記真空容器内に導入し酸化スズ導電膜
    中にフッ素を添加したことを特徴とした酸化スズ導電膜
    の作製方法 ２、特許請求の範囲第１項において前記基板としてはガ
    ラス、セラミック、金属、またはフィルム等の可曲性基
    板であることを特徴とした酸化スズ導電膜の作製方法
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63241805A (ja) * 1987-03-27 1988-10-07 株式会社ブリヂストン 透明導電性膜の製造方法
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US5364835A (en) * 1987-05-06 1994-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of adding a halogen element into oxide superconducting materials by ion injection or thermal diffusion

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JPS539396A (en) * 1976-07-10 1978-01-27 Takeyoshi Honda Process for preparing liquor similar to sherry
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JPS58209009A (ja) * 1982-05-28 1983-12-05 株式会社日立製作所 透明導電膜の形成方法
JPS59123767A (ja) * 1982-12-29 1984-07-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 蒸着方法

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