JPS59123767A - 蒸着方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は、蒸着槽内で　蒸着物質を蒸発させ、基体上に
付着せしめる蒸着方法に関するものである。

２　従来技術 商えは、酸化インジウム及び二酸化スズからなる透明導
電膜（以下、ＩＴＯ膜と称する。）は、スライドフィル
ム、マイクロフィルム等の透過型画像作成の電子写真記
録体、ＥＬ、液晶あるいはエレクトロクロミック、プラ
ズマティスプレィ、ＰＬＺＴ等のティスプレィ用電極、
透明スイッチ、静電遮蔽材、帯電防止材あるいは熱線反
射膜、面発熱体等、今日の技術の最先端の製品分野に広
く利用されている。

このような透明導電膜は大別して金属薄膜タイプと酸化
物薄膜タイプとすることかできるが、金属薄膜タイプは
金、パラジウム等を数百穴の厚みに蒸着したもので、ｌ
！４電性はよいか透明性が悪い。

一方、酸化物薄膜タイプには既に述べたＩＴＯ膜、二酸
化錫透明導電性ｊ模の外に酸化カドミウムと二酸化・賜
からなる透明４市性膜（いわゆるＣＴＯ膜）及び＝ｌ化
アンチモンと二酸化錫からなる透＝」専ｔｔＩ、性膜等
がある。ＣＴ○膜の導電性ばは、１ｉＩＴＯＩｐに匹敵
する］−ｉ）題に作成できるが、膜厚が厚くなると光の
吸収之”開が可視光の長波長恒１にりるため着色する傾
向がある。捷；′こ、前記二峻化場透明暦電性膜の”４
”ｔ　’１７１−ｆ・１例え（寸ＩＴＯ膜より一′・つ
］桁保小さく、ｖｔ１ｂ１性か比収的梧いという’−；
”を同かある。

■′１゛○膜（は化学的安定性では前記二酸化→斎Ａ」
導電性１膜に若干劣るが、透明尋′亀膜としての主音で
ある酌亀性及びｊガ明性が優れており、し力・もパター
ン化か容易であるのでその用途（づ、今日最も広い。

従来用いられているＩＴＯ，ＩＩＱの製造方法には化学
的製法と物理的製法かある。化学的製法としては塗布法
、スプレー法、ＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ　　ｖ−ａ
ｐｏｒ　　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）があり、物理的製
法としては、ＲＦイオンプレーディング法、ＲＦスバ、
クリング法、真空蒸着法がある。このうち化学的製法で
は、一般に膜を形成すべき基板を５００〜６００’Ｃの
温度に保つ必要があり、基板の選択、及び生産性の面で
好捷しくない。

てだ、物理的方法としてのＲＦイオンブレーティング法
では、真空槽内に高周波放電用電極としてコイルを設け
、放電を起すことにより、酸化インジュームと酸素の反
応を促進し透明導電膜（ＩＴＯ）を形成する。しかし、
問題点は下記の通りである。

■、電極か放電加熱され、電極物質がＩＴＯ膜へ混入し
、透明度、抵抗値の省比を起す。

■、電極の冷却手段を設けること（ａ困難。

■、放電を安定化させるには、真空度を低く（５Ｘ　１
０’　〜１０　”　Ｔｏｒｒ　）　Ｌ、蒸Ｎ　’８３　
’ｊｌ　蒸気（７）　ｅｌｉ４　度ｋを高くしなければ
ならず、蒸着条件が制限される。

■、電極が蒸着物質により汚染され、放電が不安定にな
る。

ＲＦスパッター法は、蒸着物質を厚みのある大きなプレ
ート（ターゲットと称される）に仕上げ、該ターゲット
をイオン化したアルゴン等でボンバードし、基板に蒸着
物質を蒸着させる方法であるが、使用中にターゲットの
酸化度が変化し、再現性が問題となるので、もし常に新
しいターゲットを使用し再現性を保つとすると、ターゲ
ットのロスか太きくなる巻の欠点がある。

真空蒸着法では、一つの方法として、酸素ガス中で、址
１・冗インジウム、金属錫あるいはそれらの合金を蒸着
物質とする蒸発源を電気的な抵抗７３Ｑ　”４’Ｈによ
って溶融芳発させ、この蒸気を基板に蒸着する金嘱慎発
万去がとられる。従って、溶植したインジｌウム、及び
訊ば、その融点あるいは佛点の差から低融点又は低沸点
のものが優先して蒸発し、漸次蒸発源の組成変化を起す
とか、或い（グー股的に酸化不足となり易く、低級酸化
物が蒸着されるため透明度、及び４％性の悪い；ｉが形
成されるという欠点がある。また他の方法として上記金
属に代えて酸化イン／２ウム、及び酸化錫あるいはそれ
らの混合物を用いる酸化物蒸発方法では、抵抗加熱によ
って還元が起り低酸化物が蒸着され、また抵抗加熱電極
の成分、例えはモリブテン、タンタル或いはタングステ
ンが高温加熱によって蒸発し、蒸着膜に混入して、透明
度及び導電性の悪化を起すという欠点がある。

この真空蒸着法の欠点を改善するため、抵抗加熱に代え
て電子銃によって、酸化インジ７ウム及び二酸化錫から
なる蒸発源に電子ヒームを照射することによって昇華さ
せ、昇華した蒸気を２５０’Ｃ以上に保った基板に蒸着
し、還元を抑え且つ異種金用の混入を起すことなく、良
好なＩ’ｌ’Ｏ膜を製造する方？云が提案さ扛た。

しかし、基板を２５０℃以上に保つことは透・シ１材料
としＣはガラス、特殊合成樹脂等極めて限られた材料し
か基板として採用することができないなど、製造上の制
約のみならず、Ｉ　ＴＯ膜の用途を著しく狭める結果を
招く。捷だ、真空中で基板温ｔ−ｗ　ｘ−２５０℃に保
つことはＩＴＯ膜の性能上又は製造工程の能率の点で好
ましくなく、基板温度を高温にすることは’１＋Ｉｌ壁
等からの不純物の混入を招き、かつ昇温及び冷却時間の
ロスを招く。さらに、基板を２５０℃以下に保って蒸着
した場合には、蒸着後に飯素ガス中或いは空気中で酸化
再処理を行って低級酸化物を酸化し、透明性、及０・導
電性を向上きせる補完の工程を退ＩＪＩＩする必要かあ
るなどの多くの欠点が残る。

３　発明の目的 本発明の目的（低真空蒸着法による透【す」婢”ｒｉｉ
　ｉ生■′１゛Ｏ膜等の製造工程において、基板温度の
選択の幅をひろげ、真空中でのυ［］熱工程及び冷却工
程を簡略化し、でた基板材料の選択の自由段を犬さくし
、かつ酸化再処」４’、　ｆ要する低級酸化物等の発生
、不純物混入の恐れのない、しかも性能の優れた薄膜を
生産性良く製造できる蒸着方法を提供することにある。

４、発明の構成 即ち、本発明は、冒頭に記載した蒸着方法において、放
電管に高周波電圧を印加することによって、前記放電管
内で反応用ガスをイオン化又は活性化させ、このイオン
化又は活性化させたガスを前記蒸着槽内に存在せしめた
状態で蒸着を行なうことを特徴とする蒸着方法に係るも
のである。

５、実施例 以下に、本発明を実施例につき図面に基いて具体的に説
明する。

第１図及び第２図は真空蒸着装置を示すものであって、
図において１１は真空槽であって、ペルジャーとして現
わしている。１２は所定の蒸着物質からなる蒸発源、１
２１は当該蒸発源１２ヲ入れるボートである。１２２は
蒸発源１２を基板１３（ここではフィルム状）に対して
覆ったシャッターである。蒸発源１２から放射される蒸
着物質は浮遊流動することかないので、ボート１２１と
基板１３を底面として想定される立体、即ち飛翔空間１
０に対し、これを横切る長さ分だけの広さにシャッター
１２２ヲ設けれ（１充分である。

１４は酸素放電管であって、ペルジャー１１の側壁（或
いは床面）において、放電管内で生成される活性酸素ガ
ス及び／又は酸素イオンを含む活性酸素ガス及び／又は
酸素イオンを含む活性ガスをペルジャー１１内へ供給す
るのに都合のよい位置に戎ける。即ち、放電管からのガ
ス導入口１４２が蒸発源１２と基板１３の間の飛翔空間
１０を指向すると、ガス導入口１４２に近い基板部分と
遠い部分における膜質の差がガス分布に応じて犬きくな
る。従って、膜質の均一化を計る上で好−ましい位置と
して図示の如く蒸発源と基板の間を指向し、７い位置が
良い。

これによって、導入口１４２から導入された導入ガス（
ｄ一旦ベルジャー内に一様に分布してから、飛翔空間１
０中の蒸着物質と反応するので、その反応が均一となり
、基板１３に堆積する膜の膜質か均一化される。１４１
（・ゴ上記放電管の高周波放電部であって、放電電流を
最適に調整して当該放電′Ｑ内を通過する酸素を活性化
又１はイオン化する。尚、酸素放電管１４に供給される
ガス１９は、酸素ガスあるいは酸素を含んた′、蒸着膜
に無害なガス（例えば空気、アルゴン等）である。

第３図は、上記高周波放電部１４１を詳細に示すもので
ある。この放電部は、酸素カスを隋すガラス製の供給管
３０と、この酸素供給管３０の外周囲を包囲する如くに
設けた冷却用外套管３３（これには冷却水加が通される
）と、この外套管間の外周面に巻かれた放電電極３１．
３２とを含む。そｌ〜で、放電領域３６における酸素ガ
ス圧が１Ｏ−５ＴＯｒｒ以下に維持された状態で、高周
波電源３４からの電圧によって放電電極３１と３２との
間に放電が生起せしめられる。これによって、酸素ガス
の一部分が放電領域３６内で電離して酸素イオン又は活
性酸素が生成し、これが電離しなかった酸素ガスと共に
上記導入口１４２よりペルジャー１１内へ導入される。

冷却用外套管３３には、冷却水２０が流過せしめられ、
過熱状態となることが防止される。

上記放電電極３１．３２は夫々リング状電極であり、両
電極の間隔は０．５〜５Ｃ７ｎ、各内径は２−１０ＣＩ
ｒｔφが適当である。また、放電管に印加される高周波
電圧３４　（ＲＩ”電圧）は１意の高周波が選択できる
が、例えば１３．５６　Ｍｉ−１ｚの周波数、１００〜
・Ｖ〜２に＆′−（好葦しくは３００〜Ｖ；ｌ’ｌｔ）
の出力とすることができる。

放電管１４は第４図の如くに構成してよい。

第４図で（ｄ、放電電極間は、冷却用外套管３３の外周
に設けたコイル状の電極からなり、コイル内径は２ｃＴ
ｌφ〜２０ｃＴＬφが適当である。

第１図において、１５はペルジャー１１の排気口であっ
て、酸素放電管１４からのガス供給とペルジャー１１内
でのガス消耗量にバランスして排気し、ペルジャー１１
内を所定の酸素ガス分圧に保つ。１６（ｔｉ基板１３に
近接あるいは接触して設けた背後電極で、ペルジャー１
１の外部に設けた電源１６１に接続され、電源１６］の
他端（グアースされている。背後電極１６には直流電圧
０〜→ＯＫＶ、あるいは交流電圧、Ｏ〜５ＫＶの範囲の
電圧が印加される。１７はヒーターであって、低温度範
囲での基板１３の温度調節に用いられる。また、１３１
ば、フィルム状基板１３の供給ローノペ　１３２は同基
板の巻取りコールであり、１３３．１３４は各ロールへ
の蒸着物質の付着を防ぐ防着板である。

以上述べたＩＴＯ膜製造用の蒸着装置において、ボート
１２１に酸化インジウム及び二酸化錫からなる蒸発源（
例えば二酸化錫０．３〜４０重量％を含む二酸化錫と酸
化インジウムとの混合物を均一に混合して加圧成形した
酸化インジウムｍ＝酸化錫タブレット：ＩＴＯタブレッ
ト）１２金入れ、ペルジャー１１ヲ排気し、酸素放電管
１４にて酸素ガス或いは含酸素ガスを放電部１４１によ
って活性化又はイオン化して供給し、ペルジャー１１内
の真空度を１０−５〜１０　　Ｔｏｒｒ、より好ましく
は、ＩＯ’　〜１０　”Ｔｏｒｒにし、電子銃（図示せ
ず）からの電子ビームで１Ｔｏタブレツトを照射し、背
後電極に前述した印加電圧範囲、好ましくは０〜−５Ｋ
Ｖの直流電圧を印加する。ＩＴＯタブレットの昇華状況
が所定の状態に定率化した時点でシャッタ１２２を開い
て蒸着に入る。尚、蒸発源を複数箇設け、各々別個に昇
華蒸着させ、複層ＩＴＯ膜、あるいは膜層上下で連続的
に組成変化したＩＴＯ膜を作成し、ＩＴＯ膜の構成制御
、例えば上層に二酸化錫を多く含壕せて耐熱性の向上等
を行うことができる。このような蒸着状況において、蒸
発源１２に電子ビームを照射して蒸発源物質を昇華せし
めると共に、酸素放電管１４に酸素ガスを供給しながら
、例えば第３図又は第４図の例において、高周波放電せ
しめると、この酸素放電管１４にて酸素ガスが活性化又
はイオン化され、各種の活性酸素、酸素イオン及び電子
等を含む活性ガスが生成され、ベルジャ＝１１内に舎人
される。ペルジャー１１内においては、導入された活性
ガスの存在下に基板１３上にＩＴＯタブレット蒸発流が
堆積してＩＴＯ膜が形成される。このとき基板の背後電
極１６には既述の通りＯ〜−５ＫＶの直流電圧が印加さ
れ、前記蒸発流を前記活性酸素ガスと共に基板１３面に
誘導して基板１３との接着性、構造の緻密性等の点です
ぐれた蒸着層を形成できるようにしている。かくして形
成される蒸着膜は、酸素が活性化又はイオン化された状
態で反応するため、充分な濃度割合いで酸素が混入され
た組成を有する酸化インジウムと二酸化錫とからなるＩ
ＴＯ透明導電膜として形成される。

しかも基板１３は、蒸着装置内に上記した如き基板移送
機構と該機構のためのスペースを設ければ移送可能であ
り、連続して或いは間欠的に移送することによって、連
続生産システムを組むことが可能であって生産性は著し
く高くなる。又、既述のように、基板１３を加熱するこ
とは王侯であるから、熱に弱いものであっても基板］３
として用いることができ、ガラス板、金属又は樹脂の板
及びシート、或いはこれらにアモルファスシリコン等の
所望の表層を設けたものを基板１３として用いて、これ
に透明導電膜を形成することができる。

上述した蒸着方法は、従来法ではみられない顕著な特長
ｋｍしている。これを以下に列挙する。

（１）、放電管に高周波電圧を印加して反応用ガスを活
性化又はイオン化しているので、反応用ガスの反応性を
高めて蒸着物質との反応を促進できると共に、放電部で
（σ放電電極３１．３２ｆ：放電領域３６に接しない位
置に設けることができる。

従って、放電時−電極３１．３２がボンバードされるこ
と（ハナ＜、電極材料がガス中に混入して蒸着膜を汚染
することがない。これに反し、放電管に直流電圧を加え
て放電さぐることも考えら゛　れるが、この場合には電
極が放電領域に接して配する必要かあるから不適当であ
る。

（２）、放電電極３１．３２をペルジャー外に設けたの
で、上記に加えて電極材料による膜汚勅問題が更に解消
され、膜質を著しく安定化することができる。しかも、
電極が蒸着物質の蒸気で汚染されることもなく、防着手
段が全く不要となる。

（３）、加えて、放電電極に対する冷却手段（上記の例
では水冷用外套管）を容易に設けることができ、かつ放
電電極を空冷によって冷却することも可能である。

（４）、特に公知のＲＦイオンブレーティング法に比べ
て、放電管ではペルジャー内の真空ノ及に依存すること
なく、充分な量の活性ガスを生せしめることができるか
ら、ペルジャー内の真空度を変えることなく、導入ガス
量と排気量を調整することにより放電管内のガス圧を設
定でき、このために放電が安定化する。

（５）、放電管からのガス導入口（上述の１４２）を蒸
着物質の飛翔空間１０へ指向しないように配しているか
ら、導入ガスの分布、特に飛翔空間１０での分布を一様
にすることができ、蒸着膜の膜質（例えは酸化度）を均
一化できる。

なお、上述した例においては、蒸着条件を変えることに
よってＩ’Ｊ”０膜の性能を制御することができる。例
えば、基板１３の温度を関℃として、高周波放電管１４
１０周波数を適宜に選択し、出力を１００Ｗ〜ＩＫＷと
変化させると、生成するＩＴＯ膜の性能を変化させるこ
とができる。例えば１３．５６■丑で、出力を３００Ｗ
としたときに得られる特性は、光透過率ｓｏ　％　（５
ｏｏｏＡの波長光）以上、シート抵抗ＩＫΩ／口以下で
ある。

またＩＴＯタブレットの組成を変えることによってもＩ
ＴＯ膜の特性は変化する。第５図にＩＴＯタブレットに
２いて二酸化部の含有量を変えた時の、膜厚４−ｏｏＡ
に蒸着したＩＴＯ膜のシート抵抗及び光透過率の変化を
示した。横軸に二酸化部の含有重量幅、縦軸はシート抵
抗及び光透過率である。また耐久性試験として３００℃
、大気中１時間の熱処理の結果を併記した。二酸化部の
含有量と特性変化は図により明らかである。熱処理の影
響（−二酸化部か特に５重量製以下の場合、シート抵抗
の劣化が顕著になるが、例えは液晶表示装置の透明電極
の熱劣化許容限度１１＜ｎ、全を基準にすると３重量類
以上の二酸化錫含有範囲であれ（′ニドよい。その他の
用途についても考慮して、二酸化部の含Ｍ量は０３〜４
０重量係、好ましく：ｄ５〜２！５重−沿受である。才
だ、ＩＴＯ膜の蒸着速度（は１００〜２０００　Ａ　／
ｒｑｉｎ以下であり、好ましく　！ｉ　２００−１．０
００　Ａ／ｍｖｒである。

次に、上記した実施例の具体例を説明する。

具体例１ 蒸着物質として、均一に混合し加圧成形した酸化錫含有
斌１０重量係のＩ’Ｌ’Ｏタブレットを蒸発源のボート
に入れ、電子銃にによる電子ビーム照射により昇華させ
、背後電極に直流電圧−Ｉ　ＫＶを印加又は接地し、；
♀さ１７５μｍのポリエチレンフタレートフィルムに蒸
着する。基板のポリエチレンフタレートフィルムは邪〜
３０’（１，、高周波電圧の印加される放電部１４１に
第４図のものを用い、１２０Ｘ／＝で膜厚４００にのＩ
ＴＯ膜を作った。得られたＩＴＯ膜の５００ＯＡの波長
における透過率８４％、シート抵抗６００Ω／口であっ
た。なお、放電管１４は第１図に示した如くペルジャー
側壁に設け、ガス導入口を蒸着源と基板の間を指向しな
い方向に設定した。

具体例２ 本発明は基板の加熱を必要としないものであるが、加熱
を排除するものではない。ガラス基板を用い、基板温度
２００℃としたときの具体例を示すと、ガラス基板の温
度を２００℃、真空ｇ７ｘｔｏ’Ｔｏｒｒ、ＩＴＯ膜の
膜厚を１０００：Ｉ−とじ、これ以外は実施例１と同条
件を用いた。得られたＩＴＯ膜の特性は、５０００　Ａ
の波長における透過率８２係、シート抵抗１５０Ωろで
あった。

具体例３ 具体例１に述べた蒸着条件で、放電管１４のガス導入口
１４２を蒸発源と基板との間へ指向せしめた場合、（Ａ
　）と、指向せしめない場合（Ｂ）について、夫々Ｉ　
Ｔ　Ｏ膜を製膜した。このときの酸素導人叶は４０ＣＧ
／ｍｍ、真空度は８　ＸＩＯ’　Ｔｏｒｒ、蒸着速度は
１２０　Ａ　７ｍ−ＩＴＯの膜厚ば４００　Ｘ、放電管
への高周波電圧＆−！］、３．５６　Ｍ、Ｈ２，３００
Ｗ”’Ｑ　アツｆｒ−８上記の（Ａ）と（Ｂ）の場合に
ついて得られた各ＩＴＯ膜の膜質（基板の幅方向）は次
表に示す通りであった。

※１１）使用した光の波長は５５０ｎ　ｍ※２、※３、
※４）第２図において、基板の幅方向に関し、放電管に
近い側（Ｒ）ｅ放電管取付は側、基板の幅の中央部（Ｃ
）　　を中央部、放電管に遠い側（Ｌ）　　を放電管取
付は部と反対側とした。

この結果から、蒸発源と基板との間の飛翔空間へガス導
入口を指向せしめない場合（第１図の例参照）には、そ
うでない場合に比べてＩＴＯ膜のシート抵抗及び光透過
率のばらつきが大幅に小さくなり、製膜均一性が向上し
ていることが分る。

以上、本発明を例示したが、上述の例（グ本発明の技術
的思想に基づいて更に変形が可能である。

例えは、反応用ガスとして酸素以外にも窒素、し、蒸着
物質としてシリコン又（グケルマニウムを使用すること
ができる。この場合には、例え（・ゴ窒化シリコン膜、
水素及び／又はフッ累含有アモルファスシリコン膜（感
光体用）、不純物ドープにより抵抗制御された半導体膜
等を得ることができる。また、上述した放電管１４を第
６図及び第７図に示す如くに例えば３本並置し、夫々か
ら活性化又はイオン化されたガスを導入すれば、導入ガ
スの分布をペルジャー内で更に均一化すること〃二可能
である２、捷た、放電管（即ちガス導入口）の位置も、
上記に限定することなく種々変更してよく、例えばペル
ジャー側壁の他の位置や、ベル７ヤー底堕に設けること
もできる。捷だ、放電管をペルジャー内に配しても、上
述した高周波放電による顕著な効果は得ることができる
。

６゜発明の効果 以上に述べた本発明の効果をまとル）乙と主として次の
匝りである。

（１）、放電管に高周波電圧を印加して反応用ガス全活
性化又１−１ｆ：イオン化しているので、反応用ガスの
反応性を高めて蒸着物質との反応を促進できると共に、
放％部で（・ま放電筆）剃を放電領域に接しない位置に
設けることができる。従って、放電時に放”ａ’４４ｆ
ｕかボンバードさ九ること！ｉ　Ｔ、ｒく、電極材料が
カス中に混入して蒸着膜を汚染することがない。これに
反し、放電管に直流電圧を加えて放電させることも考え
られるが、この場合には、電極が放電領域に接して配す
る必要があるから不適蟲である。

（２）、特に公知のＲ，Ｆイオンブレーティング法等に
比べて、放Ｎ管ではペルジャー内の真空度に依存するこ
となく充分な媚の活ｌｉｔ：ガスを生せしめることかで
きるから、ペルジャー内の真空度を変えることなく、導
入ガス届：と排気賛を調整することにより放電管内のガ
ス圧を設定でさ、このために放電が安定化する。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図（は
真空蒸着装置の概略断面図、第２図は第１図のＸ−Ｘ線
断面図（但、防着板１３４は図示せず）、 第３図は放′藏管の断面図、 第４図は他の放電管の断面図、 第５図は得られたＩＴＯ膜の特性を示すグラフ、第６図
は更に別の放電管の斜視図、 第７図は第６図の放′屯管を設けた真空蒸着装置の第１
図と同様の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 １０・−・ｅ飛翔空間 １１・＠Ｑ＠ペルジャー １２・・・・蒸発源 １３・・・・辛也 １４・・・・放電・置 １９・・・・反応中ガス ３０・・・・ガス洪姶管 ３１　、３２、　３５　拳　　・　放′ミ′〜、極３６
・・・・放電領域 １３１．１３２・・ロール １４１・・・放電部 １４２・ａ・ガス褥人口 である３゜ 代理人　弁理士逢　　坂　　　宏　（他１名）第１２ ／夕 （イ）２０ 第′３日 第４日 （３４ 第５日 θ　　　　ｆｏ　　　　　２０　　　３θ５ｎ０２（重
量ｚ）− □　シート拮抗 一一一通過車（５θｏｏ；） ａ゛　　熱矩理ＩＪし

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　蒸着槽内で蒸着物質を蒸発させ、基体上に付着せし
   める蒸着方法において、放電管に高周波電圧を印加する
   こ♂によって前記放電管内で反用 藏りスをイオン化又は活性化さぞ、このイオン化又は活
   性化させたガスを前記蒸着槽内に存在せしめた状態で蒸
   着を行うことを特徴とする蒸着方法。 ２、放電管を蒸着槽外に配置する、特許請求の範囲の第
   １項に記載した方法。 ３、反応用ガスとして酸素、窒素、ハロゲン、アンモニ
   ア、水素、モノシラン、ホスフィン、ジボラン、アルシ
   ン、炭化水素又はフレオンを特徴する特許請求の範囲の
   第１項又は第２項に記載した方法。 ４、蒸着物質として酸化インジウムー二酸化スズ、シリ
   コン又はゲルマニウムを特徴する特許請求の範囲の第１
   項〜第３項のいずれか１項に記載した方法。