JP2003293133A

JP2003293133A - 透明導電膜の製造方法および製造装置

Info

Publication number: JP2003293133A
Application number: JP2002104677A
Authority: JP
Inventors: Keiko Toyosawa; 圭子豊澤; Kazunori Kawamura; 和典河村; Kazuaki Sasa; 和明佐々
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2002-04-08
Filing date: 2002-04-08
Publication date: 2003-10-15

Abstract

(57)【要約】【課題】長時間にわたり安定した膜性能を得ることが
できる、イオンプレーティング法による透明導電膜の製
造装置を提供する。【解決手段】原料を蒸発または昇華させる原料蒸発装
置１と、原料蒸発装置とは独立に制御されるプラズマ発
生装置２と、プラズマ発生装置から発生したプラズマの
軌道および形状を制御する制御手段５と、原料蒸発装置
と対向して配置され原料蒸気がプラズマを横断して到達
することで透明導電膜が形成される基板Ｓと、製膜室内
に反応性ガスを導入するガス導入手段９を備えた、イオ
ンプレーティング法による透明導電膜の製造装置Ａにお
いて、原料蒸気とプラズマの相互作用によって励起され
た原料蒸気の構成元素から生じる発光光の発光強度を監
視する発光モニター７と、発光モニターからの発光強度
に基づいて反応性ガス導入量を調整する制御装置８を設
けたことを特徴とする透明導電膜の製造装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜の製造
方法および製造装置に関するものであり、さらに詳しく
はイオンプレーティング法により基板上に透明導電膜を
形成する際の製膜制御法および製膜制御装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】透明導電膜は、液晶ディスプレイ、有機
ＥＬディスプレイ、タッチパネルなどにおける透明電極
として、広く用いられている。透明導電膜に要求される
電気的特性および光学的特性は、適応分野や適応部分に
よって異なるが、とくに液晶ディスプレイや有機ＥＬデ
ィスプレイなどでは、高精細化、低消費電力化、大型化
が進み、透明導電膜の低抵抗率化、製膜プロセスの低温
化、生産性の高安定化などが強く望まれている。

【０００３】透明導電膜としては、金、銀などの金属薄
膜や、インジウム酸化物（Ｉｎ₂Ｏ ₃）、スズ酸化物
（ＳｎＯ₂）、またはこれらの混合物であるインジウム
・スズ複合酸化物（以下、ＩＴＯという）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）などの金属酸化物薄膜が知られている。この
うち、ＩＴＯに代表される金属酸化物薄膜は、透明性、
導電性などにすぐれており、広く用いられている。

【０００４】このような透明導電膜は、真空蒸着法、ス
パッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法などのドライプロセスによる製膜方法で、製造さ
れている。このうち、透明導電膜の高性能化に向けて、
イオンプレーティング法により、低抵抗率を有するＩＴ
Ｏ膜を得る方法や装置が提案されている。このようなイ
オンプレーティング法では、製膜中に酸化物蒸発材料や
その蒸発粒子から離脱する酸素を補完したり、膜質を調
整する目的で、製膜室内に反応性ガスを導入して、透明
導電膜を製造するようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、酸化物材料
を用いたイオンプレーティング法では、酸化物蒸着材料
自身や製膜室内部の各所に、酸素や水蒸気などの酸素原
子を含むガスが吸着しており、製膜中にこれらの吸着ガ
スが離脱し製膜領域に放出される。この放出ガス量は製
膜中に変動し、その結果、製膜室内の酸素分圧が変動す
る。ＩＴＯ膜は、膜中に含まれる酸素量により、膜の比
抵抗や透過率が大きく変動することが知られており、上
述のように酸素分圧が変動すれば、所望の膜性能を安定
して得ることが難しいという問題がある。

【０００６】とくに、長時間連続的に製膜を行う際に
は、上述のような製膜室内の雰囲気の変動は、生産性の
安定化に大きな問題となる。また、基板に有機高分子成
型物の長尺フィルムを用いた場合は、基板フィルムの走
行に伴って、基材から離脱する放出ガス量が刻々と変化
し、放出ガス量も無視できる量ではない。このため、製
膜中に一定量の反応性ガスを導入しても、製膜室内の雰
囲気が変動し、所望の膜性能を安定して連続的に得るこ
とが難しい。

【０００７】本発明は、上記の事情に照らし、イオンプ
レーティング法による透明導電膜の製造に際し、長時間
にわたり安定した膜性能を得ることができる、透明導電
膜の製造方法および製造装置を提供することを目的とし
ている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、原料蒸発源から蒸発または昇華により原料
蒸気を発生させるとともに、原料蒸発源とは独立に制御
されるプラズマ発生源からプラズマを発生させ、反応性
ガスの導入下、原料蒸気がプラズマを横断して基板表面
に到達することで、基板上に透明導電膜を形成する、イ
オンプレーティング法による透明導電膜の製造方法にお
いて、原料蒸気とプラズマの相互作用によって励起され
た原料蒸気の構成元素から生じる発光光の強度を監視
し、構成元素の発光強度が所定の強度になるように、製
膜室内への反応性ガス導入量を制御することを特徴とす
る透明導電膜の製造方法を提供するものである。

【０００９】また、本発明は、上記目的を達成するため
の製造装置として、原料を蒸発または昇華させる原料蒸
発装置と、原料蒸発装置とは独立に制御されるプラズマ
発生装置と、プラズマ発生装置から発生したプラズマの
軌道および形状を制御する制御手段と、原料蒸発装置と
対向して配置され原料蒸気がプラズマを横断して到達す
ることで透明導電膜が形成される基板と、製膜室内に反
応性ガスを導入するガス導入手段を備えた、イオンプレ
ーティング法による透明導電膜の製造装置において、原
料蒸気とプラズマの相互作用によって励起された原料蒸
気の構成元素から生じる発光光の発光強度を監視する発
光モニターと、発光モニターからの発光強度に基づいて
反応性ガス導入量を調整する制御装置を設けたことを特
徴とする透明導電膜の製造装置を提供するものである。

【００１０】以下、本発明の透明導電膜の製造方法およ
び製造装置について、その構成要素ごとに、詳細に説明
することにする。本発明により製造する透明導電膜は、
主に、ＩＴＯ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、ＺｎＯなどの金
属酸化物からなる薄膜である。本発明において、このよ
うな透明導電膜を形成するために用いる蒸発原料は、上
記したＩＴＯ、ＺｎＯなどの金属酸化物であり、形成す
る透明導電膜の構成元素を含むものであれば、とくに制
限されない。また、その形状も制限されるものではな
く、粉体、粒状物、ペレットなどが使用できる。

【００１１】本発明において、原料蒸気を発生させるた
めの原料蒸発装置は、るつぼに載置された金属酸化物か
らなる原料を加熱により蒸発または昇華できる装置であ
ればよく、たとえば、電子ビーム加熱、抵抗加熱、高周
波誘導加熱、レーザービーム加熱などにより原料を蒸発
または昇華させる装置がある。電子ビーム加熱や抵抗加
熱による原料蒸発装置は、原料蒸発装置で形成される電
磁場が小さく局所的であるため、プラズマの軌道や形状
を制御するための制御手段に与える影響が小さく、かつ
原料の蒸発速度を容易に制御できるので、望ましい。

【００１２】本発明において、プラズマを発生させるた
めのプラズマ発生装置は、原料蒸発装置の制御とは独立
して制御されるものである。つまり、製膜室内に発生す
る原料蒸気とプラズマは互いに独立して制御されるた
め、目的に応じて原料の蒸発速度を制御することがで
き、またこれとは独立して、プラズマの密度や形状など
を所望の状態に制御することが可能である。

【００１３】このようなプラズマ発生装置は、原料蒸発
装置とは独立して制御できるものであればよく、たとえ
ば、直流放電方式プラズマ発生源、高周波放電方式プラ
ズマ発生源、ホローカソード電子銃、圧力勾配型プラズ
マガンなどを用いたものが、挙げられる。圧力勾配型プ
ラズマガンは、密度の非常に高いアーク放電型プラズマ
を発生させることができ、製膜領域からガン内部へのイ
オン逆流による損傷がないため、安定した放電を持続で
きるので、とくに好ましい。

【００１４】また、プラズマ発生装置から発生したプラ
ズマを制御する手段には、収束コイルなどの電磁石やシ
ート磁石などの永久磁石を備えたものが挙げられる。こ
れらから生じる磁場を適宜調整することにより、プラズ
マの軌道や形状および密度分布などを所望の状態に制御
することができる。

【００１５】本発明において、基板は、原料蒸発源と対
向して配置される。この基板として有機高分子成型物の
長尺フィルムを用いる場合、このフィルムの繰り出しロ
ールと巻き取りロールを備え、さらに製膜領域にメイン
ロールを設置して、フィルムの走行速度を適宜調整でき
るようにする。また、必要により加熱または冷却機構を
設置して、基板温度を制御してもよい。基板として使用
する有機高分子成型物は、透明性や耐熱性にすぐれてい
ることが望ましく、たとえば、ポリエチレンテレフタレ
ートなどのポリエステル系高分子、ポリオレフィン系高
分子、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォン、ポ
リアリレートなどの単一成分の高分子、共重合高分子、
エポキシ系フィルムなどが挙げられる。また、必要によ
り、基板にアンダーコートや背面コートを施したもので
もよい。

【００１６】本発明において、原料蒸発源から発生した
原料蒸気は、プラズマ発生源から発生したプラズマを横
断して基板表面に到達するとともに、プラズマとの相互
作用により活性化や酸化などの反応が促進され、基板上
に透明導電膜を形成する。その際、蒸発原料やその蒸発
粒子から離脱する酸素を補完したり、膜質を調整する目
的で、必要量の反応性ガスを製膜室内に導入する。

【００１７】本発明においては、上記導入する反応性ガ
スの量を微妙に制御することが重要である。製膜中に
は、製膜室内部の各所に吸着したガスが離脱する。ま
た、蒸発原料自身からも放出ガスが発生する。とくに、
蒸発原料にＩＴＯを用いた場合、製膜速度を上げるため
に原料蒸発速度を上昇させると、ＩＴＯは昇華性である
ため、スプラッシュが発生する場合もあり、製膜室内の
雰囲気が一時的に変化を生じやすい。また、基板に有機
高分子成型物の長尺フィルムを用いた場合は、基板から
離脱する放出ガス量が刻々と変化する。

【００１８】ＩＴＯ膜は、膜中に含まれる酸素量により
膜の比抵抗や透過率が大きく変動する。このため、上述
のように処理室内の雰囲気が変動すると、膜中に取り込
まれる酸素量の割合が変動し、形成される透明導電膜の
膜質に大きな影響を与える。したがって、上記のような
処理室内の雰囲気の変動を監視し、状況に応じて導入す
る反応性ガス量を微妙に制御する必要がある。

【００１９】本発明においては、原料蒸気とプラズマと
の相互作用により生じる励起種から発生する発光光の強
度を監視することで、処理室内の雰囲気を監視する。処
理室内の酸素分圧は分圧真空計などでも監視できるが、
刻々と変動する雰囲気を監視するには、応答性のより早
い発光モニターがすぐれている。発光モニターでは、プ
ラズマとの相互作用によって励起された蒸発原料の構成
元素から、生じる発光光の強度を監視する。たとえば、
蒸発原料にＩＴＯを使用する場合は、構成元素であるＩ
ｎの発光強度（たとえば、λ＝４５１．１ｎｍ）をモニ
タリングすればよい。

【００２０】発光モニターで監視された発光光の強度情
報は、制御装置へ送られる。制御装置では、発光強度が
所定の強度となるように、反応性ガス導入装置のバルブ
開度を制御して、製膜室内への反応性ガス導入量を調整
する。反応性ガス導入装置には、一般的に用いられてい
るマスフローコントローラーやピエゾバルブなどを用い
ればよい。ピエゾバルブによると、より微量でかつ高速
に反応性ガス導入量を調整することができる。

【００２１】これらの制御システムの代表例として、Ａ
ｒｄｅｎｎｎｅ社製のＰＥＭ（プラズマエミッションモ
ニター）制御システムがある。このＰＥＭ制御システム
により、製膜室内への反応性ガス導入量を制御する手法
について、蒸発原料にＩＴＯを、反応性ガスに酸素を、
それぞれ用いて、説明する。まず、原料蒸発源からＩＴ
Ｏ蒸気を発生させ、またプラズマ発生源からＡｒプラズ
マを発生させる。製膜室内に酸素ガスを導入しない状態
で、発光モニターにてＩＴＯ蒸気がプラズマを横断する
領域のＩｎ発光強度（λ＝４５１．１ｎｍ）を測定す
る。続いて、製膜室内に酸素ガスを導入すると、ＩＴＯ
蒸気の酸化が促進されるため、Ｉｎの発光強度は低下す
る。

【００２２】この関係を利用して、導入酸素ガス量の制
御は、酸素ガスを導入しない場合のＩｎ発光強度に対す
る酸素ガスを導入した場合のＩｎ発光強度の比率に着目
して行えばよい。つまり、制御装置にて、Ｉｎ発光強度
比率が低下するように指示を送れば、ガス導入装置が作
動し、製膜室内に酸素ガスが導入される。ここで、透明
導電膜の製造中に製膜室内部の各所や、蒸着原料、基板
などから放出されるガス量が変動すれば、それに伴い製
膜室内の酸素分圧が変動し、結果としてＩｎの発光強度
も変動するため、発光モニターでＩｎの発光強度を監視
することで、放出ガス量の変動を感知することができ
る。

【００２３】制御装置では、発光モニターで測定された
発光強度を、酸素ガスを導入しない場合のＩｎ発光強度
に対する比率に演算し、この比率を所望値に設定した目
標比率と比較し、その差に応じてガス導入装置のバルブ
開度を変化させて導入酸素量を調整し、発光強度が目標
値となるように制御する。本発明の上記制御方法によれ
ば、導入酸素量と放出ガス量の和により変化するＩＴＯ
蒸気の酸化状態を常に一定に保つことができ、所望の膜
質を有するＩＴＯ膜を常に安定して得ることが可能とな
る。

【００２４】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参考にして、説明する。図１は、本発明の
透明導電膜の製造装置の一例を示したものである。図に
おいて、透明導電膜の製造装置Ａは、透明導電膜の形成
を行う製膜室Ａ１と、基板搬送室Ａ２とからなってい
る。

【００２５】製膜室Ａ１は、蒸発原料Ｍを加熱して原料
蒸気Ｖを発生させるための原料蒸発装置１と、製膜室Ａ
１内にプラズマＰを供給するための高周波放電励起方式
プラズマ発生源２を備えている。原料蒸発装置１に対向
して基板保持台１０が配置され、原料蒸気Ｖがプラズマ
Ｐを横断して基板保持台１０に保持された基板Ｓ上に到
達し、基板Ｓ上に透明導電膜が形成されるものである。

【００２６】原料蒸発装置１は、蒸発原料Ｍを載置した
るつぼ１−１と、蒸発原料Ｍを加熱するための抵抗加熱
装置１−２を有している。また、プラズマ発生源２は、
コイルに高周波電力を印加してプラズマＰを発生させる
ようになっており、収束コイル５から生じる磁場を調整
し、プラズマＰの形状や密度分布を制御できるようにな
っている。つまり、収束コイル５がプラズマ制御手段を
構成している。

【００２７】原料蒸気Ｖは、プラズマＰを横断する際
に、プラズマＰと相互作用を起こし、その一部が励起さ
れる。ここで、製膜室Ａ１に設置された発光モニター７
を用いて、原料蒸気ＶがプラズマＰを横断する領域を観
測し、励起された原料蒸気の構成元素から生じる発光光
の強度を測定する。この発光モニター７で監視された発
光光の強度情報は、制御装置８へ送られる。

【００２８】制御装置８は、発光強度が所定の値となる
ように、反応性ガス導入装置９のバルブ開度を制御し、
製膜室Ａ１内に導入する反応性ガス量を調整する。反応
性ガス導入量は、上述のように、制御装置８にて調整さ
れているので、原料蒸気Ｖの酸化などの反応は常に所望
の状態に保たれる。この過程を経て、原料蒸気Ｖは基板
Ｓ上に到達し、透明導電膜が安定的に形成される。

【００２９】図２は、本発明の透明導電膜の製造装置の
他の例を示したものである。図において、透明導電膜の
製造装置Ａは、透明導電膜の形成を行う製膜室Ａ１と、
基板搬送室Ａ２とからなっている。この基板搬送室Ａ２
は、フィルム基板Ｗの繰り出しロール１１と、巻き取り
ロール１２とを有しており、フィルム基板Ｗの走行速度
を適宜調整できるようになっている。

【００３０】製膜室Ａ１は、蒸発原料Ｍを加熱して原料
蒸気Ｖを発生させるための原料蒸発装置１と、製膜室Ａ
１内にプラズマＰを供給するための圧力勾配型プラズマ
ガン３を備えている。また、原料蒸発装置１に対向して
メインロール１３を配置し、原料蒸気ＶがプラズマＰを
横断してメインロール１３上を走行するフィルム基板Ｗ
上に到達し、透明導電膜が形成されるものである。

【００３１】原料蒸発装置１は、蒸発原料Ｍを載置した
るつぼ１−１と、蒸発原料Ｍを加熱するための電子ビー
ムＥを照射するための電子ビーム加熱装置１−３を有し
ている。また、圧力勾配型プラズマガン３により、圧力
勾配型プラズマガン３に対向して配置された反射電極４
との間にプラズマＰが形成される。その際、収束コイル
５およびシート磁石６から生じる磁場を調整し、プラズ
マＰの軌道や形状および密度分布などを制御できるよう
になっている。つまり、上記の収束コイル５とシート磁
石６とがプラズマ制御手段を構成している。

【００３２】この例においても、前記の場合と同様に、
製膜室Ａ１に設置された発光モニター７とこのモニター
で監視された発光光の強度情報を処理する制御装置８と
反応性ガス導入装置９とを連結して、これらによりＰＥ
Ｍ制御システムを構成して、プラズマＰとの相互作用に
より励起された原料蒸気Ｖの構成元素から生じる発光光
の強度が所定の値となるように、反応性ガス導入量を調
整する。これにより、フィルム基板Ｗ上に透明導電膜が
安定的に形成される。

【００３３】つぎに、実際に、上記の図２に示す構成の
透明導電膜の製造装置を使用して、下記の方法により、
ＩＴＯからなる透明導電膜を製造した。基板には、厚さ
が７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フ
ィルムを使用した。蒸発原料には、粒状のＩＴＯを使用
した。電子ビーム加熱装置により、加速電圧１０ｋＶ、
エミッション電流６５ｍＡにて、ＩＴＯ蒸気を発生させ
た。また、圧力勾配型プラズマガンを用い、Ａｒガスを
４０ｓｃｃｍ導入して、放電電流８０Ａでプラズマを発
生させた。

【００３４】反応性ガスには、酸素ガスを用い、ＰＥＭ
制御システムを用いて、ガス導入量を制御した。まず、
酸素ガスを導入しない状態で、プラズマにより励起され
たＩＴＯ蒸気中のＩｎの発光強度（λ＝４５１．１ｎ
ｍ）を測定した。続いて、ＰＥＭ制御システムにて、発
光強度比率を８５％に保持したまま、一定時間連続して
透明導電膜の製造を行った。図３は、このように製造し
た透明導電膜に関し、製造時間の経過に対する抵抗値の
変化率を示したものである。この図から明らかなよう
に、上記方法により、連続して安定的に透明導電膜を製
造できることがわかった。

【００３５】これに対して、比較のために、上記の透明
導電膜の製造方法において、ＩＴＯ蒸気とプラズマは上
記と同じ条件で発生させ、ＰＥＭ制御システムは用いず
に、マスフローコントローラーから一定量（５ｓｃｃ
ｍ）の酸素を導入するようにして、透明導電膜を連続し
て製造してみた。図４は、このように製造した透明導電
膜に関し、製造時間の経過に対する抵抗値の変化率を示
したものである。この図から、上記方法では、膜の抵抗
値の変動が大きく、連続して安定的に透明導電膜を製造
できなかった。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、原料蒸
気とプラズマの相互作用によって励起された原料蒸気の
構成元素から生じる発光光の強度を監視し、構成元素の
発光強度が所定の強度になるように、製膜室内への反応
性ガス導入量を制御する構成としたことにより、製膜室
内部の各所や蒸着原料自身、基板などから離脱する放出
ガス量の変動に影響されることなく、所望の膜性能を有
する透明導電膜を長時間にわたって安定的に製造するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明導電膜の製造装置の一例を示す要
部概略断面図である。

【図２】本発明の透明導電膜の製造装置の他の例を示す
要部概略断面図である。

【図３】上記図２の製造装置を用いて製造した透明導電
膜に関して、製造時間の経過に対する抵抗値の変化率を
示す特性図である。

【図４】上記図２の製造装置におけるＰＥＭ制御システ
ムに代えて、マスフローコントローラーを用いて、一定
量の酸素を導入して製造した透明導電膜に関して、製造
時間の経過に対する抵抗値の変化率を示す特性図であ
る。

【符号の説明】

Ａ製膜装置Ａ１製膜室Ａ２基板搬送室ＰプラズマＭ蒸発原料Ｖ原料蒸気Ｓ基板Ｗフィルム基板Ｅ電子ビーム１原料蒸発装置１−１るつぼ１−２抵抗加熱装置１−３電子ビーム加熱装置２高周波放電励起方式プラズマ発生源３圧力勾配型プラズマガン４反射電極５収束コイル（プラズマ制御手段）６シート磁石（プラズマ制御手段）７発光モニター８制御装置９反応性ガス導入装置１０基板支持台１１繰り出しロール１２巻き取りロール１３メインロール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐々和明大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 AA01 AA25 BA45 BC09 CA04 DD05 EA04 EA06 5G323 BA02 BB04 BC03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】原料蒸発源から蒸発または昇華により原
料蒸気を発生させるとともに、原料蒸発源とは独立に制
御されるプラズマ発生源からプラズマを発生させ、反応
性ガスの導入下、原料蒸気がプラズマを横断して基板表
面に到達することで、基板上に透明導電膜を形成する、
イオンプレーティング法による透明導電膜の製造方法に
おいて、原料蒸気とプラズマの相互作用によって励起さ
れた原料蒸気の構成元素から生じる発光光の強度を監視
し、構成元素の発光強度が所定の強度になるように、製
膜室内への反応性ガス導入量を制御することを特徴とす
る透明導電膜の製造方法。
【請求項２】プラズマ発生源に圧力勾配型プラズマガ
ンを用いる請求項１に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項３】基板が有機高分子成型物の長尺フィルム
である請求項１または２に記載の透明導電膜の製造方
法。
【請求項４】原料を蒸発または昇華させる原料蒸発装
置と、原料蒸発装置とは独立に制御されるプラズマ発生
装置と、プラズマ発生装置から発生したプラズマの軌道
および形状を制御する制御手段と、原料蒸発装置と対向
して配置され原料蒸気がプラズマを横断して到達するこ
とで透明導電膜が形成される基板と、製膜室内に反応性
ガスを導入するガス導入手段を備えた、イオンプレーテ
ィング法による透明導電膜の製造装置において、原料蒸
気とプラズマの相互作用によって励起された原料蒸気の
構成元素から生じる発光光の発光強度を監視する発光モ
ニターと、発光モニターからの発光強度に基づいて反応
性ガス導入量を調整する制御装置を設けたことを特徴と
する透明導電膜の製造装置。
【請求項５】プラズマ発生装置が圧力勾配型プラズマ
ガンである請求項５に記載の透明導電膜の製造装置。
【請求項６】基板が有機高分子成型物の長尺フィルム
で、このフィルムの繰り出しロールと、巻き取りロール
と、透明導電膜を形成する領域に設置されたメインロー
ルを有する請求項４または５に記載の透明導電膜の製造
装置。