CN116334571A - 一种卷对卷磁控溅射设备和控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种卷对卷磁控溅射设备，包括镀膜室；所述的镀膜室内设有支撑辊；支撑辊用于支撑柔性卷材，以形成待镀覆表面；张力调节辊；支撑辊上形成待镀覆表面的区域相对的设置有磁控溅射阴极组件，磁控溅射阴极组件包括有靶材、磁性组件、电压板；磁控溅射阴极组件还包括隔离装置，隔离装置沿着柔性卷材的送进方向设置在靶材的两端。本发明的设备所制产品质量高，均匀性好。

Description

一种卷对卷磁控溅射设备和控制方法

技术领域

本发明涉及气相沉积技术，特别是磁控溅射设备和控制方法。

背景技术

气相沉积工艺是通过一定的方法将分子原子沉积在基底上形成一定的薄层，薄层(通常从大约不足一纳米到几十微米)被沉积在基底上。气相沉积的一种示例技术是物理气相沉积(PVD)，在物理气相沉积(PVD)中，处于凝聚相的靶材被气化以生成蒸气，该蒸气然后被冷凝到基底表面上。

PVD还可以是溅射沉积，在溅射沉积中，由于被高能粒子轰击，粒子从靶表面以一定速度射出。在溅射沉积的示例中，溅射气体，例如惰性气体，例如氩气，在低压下被引入真空腔室中，并且使用高能电子将溅射气体电离，以生成等离子体。由等离子体的离子对靶的轰击喷射出靶材，其然后可以沉积在基底表面上。溅射沉积相对于其他薄膜沉积方法(例如蒸发)具有优点，其在于靶材可以不需要加热靶材而被沉积，这可以继而减少或防止对基底的热损伤。

真空磁控溅射技术是指一种利用阴极表面配合的磁场形成电子陷阱，使在E×B的作用下电子紧贴阴极表面飘移。设置一个与靶面电场正交的磁场，溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动，增加了电子行程，提高了气体的离化率，同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量，基体温度较低，从而可以在包括不耐高温的基底材料上完成镀膜。

磁控溅射技术广泛的应用在对薄膜材料的镀覆上。例如在聚合物薄膜表面进行镀覆，这种情况下，是利用磁控溅射装置，对卷绕的薄膜表面进行溅射沉积。

在溅射沉积过程中，需要提高表面厚度和晶粒的均匀性。现有技术中还存在一些问题。

本发明希望提供能够可控、均匀的在物体表面进行溅射沉积的设备和方法。

发明内容

为了解决以上技术问题，提供一种膜层厚度更加均匀的设备，采用以下技术方案：

一种卷对卷磁控溅射设备，包括镀膜室(1)；所述的镀膜室内设有支撑辊；支撑辊用于支撑柔性卷材，以形成待镀覆表面；张力调节辊；支撑辊上形成待镀覆表面的区域相对的设置有磁控溅射阴极组件，磁控溅射阴极组件包括有靶材、磁性组件、电压板；磁控溅射阴极组件还包括隔离装置，隔离装置沿着柔性卷材的送进方向设置在靶材的两端。

进一步的，隔离装置与靶材材料相同，隔离装置的电压值小于电压板设定电压值。

进一步的，电压板沿着平行于支撑辊轴线的方向包括有多个平行电压区域，平行电压区域之间互相电绝缘。

进一步的，磁控溅射阴极组件还包括有离子体检测装置组，等离子体检测装置组设置在隔离装置上方，等离子检测装置组包括多个等离子体检测装置。

进一步的，支撑辊内设置有冷却系统，支撑辊还设置有温度检测装置。

进一步的，还包括控制系统，控制系统包括输入模块、采集模块、控制模块；输入模块接受设定值；采集模块电连接到等离子体检测装置和温度检测装置；控制模块电连接到电压板、隔离装置。

进一步的，电压板的多个平行电压区域与控制模块电连接，由控制模块对每个平行电压区域分别进行控制。

进一步的，控制模块执行以下步骤：

步骤1：接受等离子体检测装置组的参数；

步骤2：等离子体检测装置组获得的参数与阈值参数进行比较；

步骤3：根据步骤2的比较结果，得出阴极电压板的多个平行电压区域控制参数。

进一步的，其中步骤1中，等离子体检测装置组的等离子体检测装置数量相等且与平行电压区域数量值相等。

进一步的，其中等离子体检测装置检测的参数包括等离子体密度。

使用本发明方法具有如下优点：

1、提高了设备所能获得的产品的精密度；2、完全自动化控制；3、设备可以用于多种产品。

附图说明：

图1为本发明磁控溅射装置的示意图；

图2为本发明磁控溅射阴极组件的示意图；

图3为本发明磁控溅射阴极组件平行电压区域的示意图。

具体实施方式：

下面将结合本发明中实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清晰、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1示出现有的卷对卷溅射装置的示意图。参照图1，卷对卷溅射设备包括镀膜室1，原料辊2，收料辊3，柔性卷材4，支撑辊5，磁控溅射阴极组件6，第一张力调节辊组7，第二张力调节辊组8。以上送料辊，出料辊，柔性卷材，支撑辊，磁控溅射阴极组件，第一张力调节辊组，第二张力调节辊组均放置在镀膜室内。柔性卷材卷绕在原料辊上，通过支撑辊5所在区域后，在支撑辊的支撑作用下完成磁控溅射后，被回收到收料辊。第一张力调节辊组7和第二张力调节辊组8调节供给到磁控溅射阴极组件6区域的柔性卷材的张力；柔性卷材由支撑辊5支撑；第一张力调节辊组7和第二张力调节辊组8调节张力后，确保柔性卷材在溅射过程中的张力恒定，并且调节送料速度。在通过磁控溅射阴极组件6在柔性卷才的表面上磁控溅射沉积薄膜的过程中，支撑辊起到冷却作用从而维持柔性卷材的温度在合理范围。

现有的卷对卷溅射设备中，通过具有对应于支撑辊5的多个磁控溅射阴极组件在柔性卷材的表面上沉积薄膜。目前发现的问题是由于磁控溅射阴极组件与支撑辊之间的间隙不同，从而很难精确地控制沉积在柔性卷材的表面上的薄膜。现有技术中的一些改进是将磁控溅射阴极组件的靶材的表面制成具有与支撑辊的表面曲率相对应的表面。

沉积设备的应用场合非常广泛，这是由于薄膜可以用于多种不同的场合。例如，装饰膜、磁记录介质、电子半导体器件、LED、例如薄膜太阳能电池的能源产生装置、以及例如薄膜电池的储能装置。

沉积设备可以用于OLED(有机发光二极管)、电致发光(ELD)或等离子体显示面板(PDP)、高性能寻址(HDP)液晶显示器(LCD)或干涉调制器显示器(IMOD)显示装置、晶体管诸如薄膜晶体管(TFT)、隔离涂层、二色涂层或金属化涂层。也就是说，本发明技术方案的设备和方法具有广泛的应用性。

参见图2。靶61设置在镀膜室1内，靶是磁控溅射阴极组件6的组成部分。作为靶61的材料，可以使用各种金属材料、合金材料、氧化物材料等。通过电离后产生的阳离子撞击靶材溅射散射的目标原子(粒子)可以沉积在柔性卷材的表面上从而形成薄膜，或者可以通过与注入镀膜室1中的反应性气体(如氧气)反应而沉积在柔性卷材的一个表面上以形成氧化物膜。例如，当使用铝(Al)作为靶61的材料并且将氩气(Ar)注入镀膜室1中时，可以在柔性卷材上形成铝(Al)膜。作为另一示例，当使用铝(Al)作为靶61的材料并且将氩气(Ar)和氧气注入镀膜室1中时，能够在将氧化铝(Al _x O)溅射到待镀覆材料表面上。上面的材料仅仅是用于例举说明，除了上面的例子之外的各种材料和气体可以分别用作靶61的材料和反应气体。

镀膜室内确保产生一个适合于溅射沉积的低压，例如3*10^-3托。外壳接有阀门和抽气系统，从而使得壳体内压力维持在较低水平，小于1*10^-5托。

图2中，供电电源62通过在柔性卷材和靶61之间施加电压，从而在镀膜室1中产生等离子体。由供电电源62施加的电压可以是DC电压、脉冲DC电压、AC电压等。通过这种方式，可以使用各种材料作为靶61在柔性卷材上沉积膜，靶61不需要具有导电性。例如，可以通过经由供电电源62向靶61和镀膜室1施加电压来获得施加在柔性卷材和靶61之间的电压。同时，在DC溅射方法的情况下，可以以将负电压施加到靶61并且将正电压施加到镀膜室1的方式来施加柔性卷材和靶61之间的偏压电压。

图2中，供电电源62连接到偏压装置63，偏压装置63支撑靶61。偏压装置内还设置有偏压板。偏压装置内设置有磁性单元64，磁性单元64和偏压电压一起作用到负压气体上，从而使得负压气体电离。供电电源还连接到隔离装置65，隔离装置65具有一电势。隔离装置的材料与当前的靶的材质相同。

隔离装置65设置有一个电势后，这一电势相对于偏压板具有较低的电压，相对于支撑辊具有较高的电压。通过这样的设置，从而在使用时，隔离装置的电极与靶材的电势相同，不会因为靶材与隔离装置电极之间的电势差导致被激发射出的靶材原子产生较多的侧向运动。侧向运动的被激发的靶材原子会沉积在表面，但是这种沉积形成的膜层密实程度差，随着衬底的运动，侧向运动的被激发的靶材原子的沉积可能导致产生较为稀疏的膜层，导致产品质量差。因此，本发明中的隔离装置具有一定的电势，从而起到了降低侧向的靶材沉积的概率，提高了产品的质量，沉积的膜层致密。

下面将详细描述通过靶61在柔性卷材的一个表面上沉积膜的过程。

在镀膜室1内部形成真空(低压)气氛的前提下，通过供电电源62施加电压，在靶61和支撑辊之间会产生等离子体。等离子体由注入镀膜室1中的气体形成。作为气体，可以使用包括惰性气体例如氩气(Ar)的非反应性气体和包括氧气和氮气的反应性气体。可以通过调节来自气体罐(未示出)的气体量，将气体注入镀膜室1中。当将反应气体注入镀膜室1中时，可以进行反应溅射。

等离子体放电区域中的阳离子，例如Ar阳离子，通过在柔性卷材和靶61之间形成的电场而加速并撞击到靶61。在Ar离子的撞击下，靶61射出靶原子，并且将靶原子沉积在柔性卷材的一个表面上以形成膜。在该过程中，等离子体放电区域中的电子可能与柔性卷材或形成在柔性卷材上的薄膜碰撞。前者与柔性卷材或在柔性卷材上形成的薄膜碰撞可能会损坏薄膜并导致柔性卷材的温度升高。现有技术中，使用磁性组件64从而使得电子在靶材表面摆动。在摆动过程中电子会引发Ar的进一步电离。现有技术的这样的磁控溅射方法不仅减少了电子与柔性卷材或在柔性卷材上形成的薄膜的碰撞，而且在溅射过程中将电子捕获在与靶61的一个表面相邻的区域中，从而引起正离子。也即，可以促进Ar阳离子的形成。为了便于说明，将与靶61的一个表面相邻的区域称为电子陷阱区域。当促进电子陷阱区域中阳离子的产生时，可以促进通过与阳离子碰撞而散射的靶61的原子的产生，从而提高在柔性卷材上形成的膜的沉积速率。另外，通过适当地布置永磁体或电磁体，可以容易地控制形成在柔性卷材上的膜的均匀性。

现有技术已经发现需要控制膜层的厚度均匀性，并且设法去控制膜层厚度的均匀性，也即膜层需要更加精密的控制厚度的准确性。例如，在具有多层膜层的情况下，如何避免膜层厚度存在差异，从而逐渐累积，导致在制成品上厚度产生较大的误差，使得产品质量不合格，这是一个亟待解决的问题。

对于本发明来说，还设置有阴极偏压板。参见图3所示，偏压板沿着垂直于支撑辊轴线的方向包括有多个平行电压区域V1～Vn，平行电压区域之间互相电绝缘。

包括多个平行电压区域的目的是调节相应的电场强度。发明人发现，在偏压板不设置有多个平行电压区域的情况下，如镀覆50nm的膜层，例如氧化铟锡膜层，由于等离子体的原因，会沿着支撑辊的轴线方向产生较大的厚度差(绝对均匀的膜层是不存在的，膜层标称50nm的情况下，厚度一定存在差异)。积累下来的结果是，柔性基材最后产生了较大的厚度差。厚度差的产生是不利的，尽管一定的厚度差是可以容忍的，例如，用于装饰情况下，可以容忍较大的厚度差。但是，在特定用途情况下，例如希望具有一定的方阻，或者是例如后续还要进行多步骤的加工，此时对于厚度差的容忍极限相对较小。

对于控制极限情况下，实际难以进一步的优化厚度控制。本发明发现，实际上厚度控制与等离子体的分布是有关联性的。本发明可以选用一定的等离子体发生装置，但是等离子体发生装置的等离子体必然的会有时间的差异性。这样的时间差异性并不是瞬时的，可能是维持短时间(例如几分钟至几个小时)，这是由于各种情况，例如气体供应，电力供应、随机因素等等各种原因导致。然而，在卷绕沉积的情况下，这样的等离子体差异导致的厚度差异会在周向方向上累积。

本发明针对这一问题，首先是控制偏压板。将偏压板划分为多个平行电压区域。在平行电压区域作用下，不同的等离子体流有不同调整偏压。由于调整偏压不同，因此，可以实现对冲击到靶材表面的阴离子数量的调整。

本发明还设置了隔离装置65。在一个腔体内具有多种不同溅射靶的情况下，设置隔离装置，能够降低当前靶材离子在柔性卷材上的边缘处的不牢固的沉积。由于溅射粒子一般是以一个角度沉积在柔性卷材表面，在边缘处的无其他粒子作用，从而容易保留在表面。与此相对应的是在中间位置，如入射角度(也即与表面的法线的夹角)较大，其结合能力差，后续将会被其他入射的离子所冲击掉落。因此，边缘处的结合不紧密是厚度的一个影响因素，其不紧密的结合在一下沉积过程中，有可能影响下一膜层结合的牢固度。

对于本发明来说，平行电压区域的不同电压分布，并不会沿着支撑辊的轴线产生呈现为柱状分布的电场，而是沿着支撑辊的轴线产生差异性的电场。在这样的电场分布下，等离子体在轴线方向上的密度分布不均匀可以得到一定的平衡或者弥补。例如，在等离子体密度较小的区域，电场具有更强的强度，从而实际冲击到靶材表面的阴离子数量沿着支撑辊轴线上的差异更小。

此外，这样的平行电压区域的设置，也可以将隔离装置对等离子体的影响减到最小。

以上描述了对偏压板的设置以及设置所具有的优点。

然而，进行偏压板的多个平行电压区域电压设置的前提条件是获得等离子体的状态。一般来说，等离子体检测装置可以是静电探针。本发明设置至少一个离子体检测装置组，也即第一等离子体检测装置组，第一等离子体检测装置组设置在隔离装置64的上方，柔性卷材进入磁控溅射气相沉积的区域之前的位置。还可以包括第二等离子体检测装置组，第二等离子体检测装置组设置在柔性卷材离开磁控溅射气相沉积的区域。第一离子体检测装置组和第二离子体检测装置组均包括用于探测平行于支撑辊轴线的线段区域的多个静电探针。静电探针的数量可以是偏压板的平行电压区域数量的整数倍，例如是1倍、2倍或者3倍。

静电探针有利的可以获得等离子体沿着支撑辊的轴线方向上的相关参数，例如离子密度。获得离子密度后，静电探针将相应的数值可以传送至本发明的控制系统中。

以下描述本发明的控制系统。本发明的控制系统包括输入模块、采集模块、控制模块；输入模块接受设定值；采集模块电连接到等离子体检测装置和温度检测装置；控制模块电连接到偏压板。其中输入模块包括了人机操作界面，可以用于输入所需要的控制目标参数。采集模块可以与静电探针连接，用于获得等离子体的参数；采集模块还可以与支撑辊的温度检测装置连接。控制模块用于对偏压板进行电压控制或者对支撑辊进行温度控制。

在本发明中，控制模块可以执行以下步骤：

步骤1：接受第一等离子体检测装置组检测获得的参数；

步骤2：将第一等离子体检测装置组获得的参数与阈值参数进行比较；

步骤3：根据步骤2的比较结果，得出偏压板的多个平行电压区域控制参数。

在步骤2中，等离子体的离子密度阈值参数并没有固定值。从本发明来说，等离子体可以进行人工的设定调整。然而设定调整值如前所述，由于受到各种因素的干扰，必然的等离子体具有不均匀性。上述步骤2可以在运行状态下，采集相应的参数值，随后对第一等离子体检测装置组的读数进行一定的处理，从而获得方差值、平均值等。在方差值在一定范围的情况下，将平均值作为阈值，根据平均值进行平行电压区域的控制参数调整。

在本发明中，步骤3中的计算方法为：将当前第一等离子体检测装置组中的静电探针的读数值与平均值比较，获得差值的绝对值，将差值的绝对值与标准差进行比较。

假定第一等离子体检测装置组中的第n个静电探针的读数值Xn与平均值差值为An，标准差为S；假定当前静电探针数量与偏压板的平行电压区域数量相等；静电探针所对应的平行电压区域的偏压电压值为Vn；当前设定电压为V1；a＝An/Xn；

则Vn控制输出值为：

按照以上获得Vn值，设定为当前的平行电压区域电压值。

在以上电压值的作用下，平行于支撑辊的轴线方向具有一定电场分布；该电场分布作用于具有不同的等离子体密度的等离子体。在这种情况下，等离子体中阴离子作用到靶材表面的数量相对更加均匀。

通过控制电压值，从而能够使得等离子体密度更加均匀。在这种情况下，膜厚的控制值更加的均匀。

成膜条件

本发明中，靶可以使用铝、铜等各类材料，例如、内部压力为1.0-10Pa的压强、外加电压为30～500V、工艺气体为Ar气体，长时间放电，维持大致为10¹⁰cm^-3至10¹²cm^-3等离子体密度的等离子体。等离子体中的阴离子作用到靶材表面，随后实现对基材的溅射沉积。

本发明中基材选用的是500nm厚度的PET薄膜。

实施例1

在一定的压强、电压下，生成等离子体密度为8.0*10¹⁰cm^-3至1.1*10¹¹cm^-3的等离子体。进入靶材表面附近后，沿着基材的宽度方向，偏压板相应的具有8个平行电压区域，按照本发明方法所编写的程序对平行电压区域的电压值进行控制。设定偏压电压为400V，等离子体中的Ar离子作用到铝靶材表面，随后实现对基材的溅射沉积。

沉积10mi n后，在基材上获得厚度为10nm的铝膜层。

对膜层与行进方向垂直的方向进行厚度的测量，间隔均匀的选取8个点，厚度值如下表。

1	2	3	4	5	6	7	8
								9.9	9.8	9.9	10.0	10.1	10.1	10.0	9.9

对比例1

在一定的压强、电压下，生成等离子体密度为8.0*10¹⁰cm^-3至1.1*10¹¹cm^-3的等离子体。设定偏压电压为400V，等离子体中的Ar离子作用到铝靶材表面，随后实现对基材的溅射沉积。

沉积10mi n后，在基材上获得厚度为10nm的铝膜层。

对膜层与行进方向垂直的方向进行厚度的测量，间隔均匀的选取8个点，厚度值如下表。

1	2	3	4	5	6	7	8
								9.3	9.4	9.6	9.9	10.2	10.1	9.8	9.7

实施例2

在一定的压强、电压下，生成等离子体密度为1.0*10¹¹cm^-3至1.3*10¹¹cm^-3的等离子体。进入靶材表面附近后，沿着基材的宽度方向，偏压板相应的具有8个平行电压区域，按照本发明方法所编写的程序对平行电压区域的电压值进行控制。设定偏压电压为380V，等离子体中的Ar离子作用到铜靶材表面，随后实现对基材的溅射沉积。

沉积一段时间后，在基材上获得厚度为18nm的铜膜层。

对膜层与行进方向垂直的方向进行厚度的测量，间隔均匀的选取8个点，厚度值如下表。

1	2	3	4	5	6	7	8
								17.9	17.9	18.0	18.1	18.0	18.0	17.9	17.8

对比例2

在一定的压强、电压下，生成等离子体密度为1.0*10¹¹cm^-3至1.3*10¹¹cm^-3的等离子体。设定偏压电压为380V，等离子体中的Ar离子作用到铜靶材表面，随后实现对基材的溅射沉积。

沉积一段时间后，在基材上获得厚度为18nm的铜膜层。

对膜层与行进方向垂直的方向进行厚度的测量，间隔均匀的选取8个点，厚度值如下表。

1	2	3	4	5	6	7	8
								17.5	17.8	17.9	18.2	18.7	17.9	17.8	17.6

在实施例1和对比例1上间隔均匀的选取四个点位，分别测量表面电阻率如下：

	1	2	3	4
					实施例1	69Ω	76Ω	70Ω	75Ω
对比例1	84Ω	98Ω	93Ω	95Ω

可以看到实施例1和对比例1选取的四个点位的表面电阻率较小，但是对比例1中的表面电阻率较大更大。表面电阻率差异的影响因素比较多，例如厚度、晶体结构等。

表面电阻率低有助于降低膜层厚度。

同样的对实施例2和对比例2的产品，各选取四个点位，测量其表面电阻率。

	1	2	3	4
					实施例2	45Ω	47Ω	41Ω	49Ω
对比例2	67Ω	73Ω	68Ω	65Ω

在本发明中，采用电场作用到稀薄气体，从而产生电离，电离后的粒子在电压作用下，撞击靶材表面。随后靶材表面粒子溢出，射向柔性卷材表面。在这个过程中，电场呈现出不均匀分布的状态(可能的类似于一个抛物线形)。在这种情况下，等离子体也呈现出不均匀的密度。

对厚度均匀性产生不利影响的原因在，溅射是由粒子沉积产生的，而等离子密度会对粒子的数量产生影响。因此，将尽量均匀的等离子体作用到靶材上是有必要的。而通过调整偏压电压，可以使得等离子体密度发生变化，从而使得作用到靶材上的等离子体密度趋于一致。

对结晶的均匀性的不利之处在于，膜层的质量、结晶的均匀性主要是由粒子的动能决定的。类似于上述关于厚度均匀性的原因，本发明调整偏压电压后，作用到靶材上的等离子体密度趋于均匀，从而有利于结晶的均匀性。

从以上表面电阻率来看，控制偏压电压后，整体结晶均匀性得到了提升。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，在本申请的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行其他的改进或变形。本领域技术人员应该明白，上述的具体描述只是更好的解释本申请的目的，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本申请的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。

Claims (10)

1.一种卷对卷磁控溅射设备，包括镀膜室；所述的镀膜室内设有支撑辊；支撑辊用于支撑柔性卷材，以形成待镀覆表面；张力调节辊；支撑辊上形成待镀覆表面的区域相对的设置有磁控溅射阴极组件，磁控溅射阴极组件包括有靶材、磁性组件、电压板；

其特征在于：磁控溅射阴极组件还包括隔离装置，隔离装置沿着柔性卷材的送进方向设置在靶材的两端。

2.根据权利要求1的卷对卷磁控溅射设备，其特征在于：

隔离装置与靶材材料相同，隔离装置的电压值小于电压板设定电压值。

3.根据权利要求1的卷对卷磁控溅射设备，其特征在于：

电压板沿着平行于支撑辊轴线的方向包括有多个平行电压区域，平行电压区域之间互相电绝缘。

4.根据权利要求1的卷对卷磁控溅射设备，其特征在于：

磁控溅射阴极组件还包括有离子体检测装置组，等离子体检测装置组设置在隔离装置上方，等离子检测装置组包括多个等离子体检测装置。

5.根据权利要求1的卷对卷磁控溅射设备，其特征在于：支撑辊内设置有冷却系统，支撑辊还设置有温度检测装置。

6.根据权利要求1的卷对卷磁控溅射设备，其特征在于：还包括控制系统，控制系统包括输入模块、采集模块、控制模块；输入模块接受设定值；采集模块电连接到等离子体检测装置和温度检测装置；控制模块电连接到电压板、隔离装置。

7.根据权利要求1的卷对卷磁控溅射设备，其特征在于：电压板的多个平行电压区域与控制模块电连接，由控制模块对每个平行电压区域分别进行控制。

8.根据权利要求7的卷对卷磁控溅射设备，其特征在于：控制模块执行以下步骤：

步骤1：接受等离子体检测装置组的参数；

步骤2：等离子体检测装置组获得的参数与阈值参数进行比较；

步骤3：根据步骤2的比较结果，得出阴极电压板的多个平行电压区域控制参数。

9.根据权利要求8的卷对卷磁控溅射设备，其特征在于：

其中步骤1中，等离子体检测装置组的等离子体检测装置数量相等且与平行电压区域数量值相等。

10.根据权利要求4的卷对卷磁控溅射设备，其特征在于：其中等离子体检测装置检测的参数包括等离子体密度。

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