JP2004095223A - 酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】圧力勾配型プラズマガンを用いてプラズマビームを供給し、蒸発材料の周囲に設けたビーム修正装置により該プラズマビームを蒸発材料に集中させて、蒸発材料を蒸発、イオン化させるイオンプレーティング法により酸化亜鉛系透明導電膜を製造する。このとき、三酸化二ガリウムを添加した酸化亜鉛を蒸発材料として用い、成膜室の酸素分圧が0.012Pa以下にて成膜する。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法に関し、より詳細にはイオンプレーティング法を用いた酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、酸化亜鉛(ZnO)系の透明導電膜は、著しく性能改善が進み、主要な特性のひとつの比抵抗値についてみると、実験室レベルではITO膜に比べて遜色のない低い値が得られるようになってきている。このため、資源の枯渇のおそれがあり、また、高価なインジウム(In)等を成分とするITO膜に代替し得る次世代の透明導電膜として、酸化亜鉛系透明導電膜に対する期待が高まっている。
【0003】
しかしながら、上記した実験室レベルの酸化亜鉛系透明導電膜の高い性能は、レーザビームアブレーションやMBE等の精密な成膜手法によって達成されたものであり、これらの手法は、量産性を考えた場合、成膜速度や成膜面積の点で不十分である。
【0004】
これに対して、成膜速度や成膜面積の点で優れるスパッタリングによる酸化亜鉛系透明導電膜の製造が量産レベルで行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のスパッタリング法によって得られる酸化亜鉛系透明導電膜は、比抵抗の値が、小さい場合であってもせいぜい5〜6×10−4Ωcm程度に止まり、ITO膜との開きが大きい。
【0006】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、比抵抗が小さい酸化亜鉛系透明導電膜を高い成膜速度で大きな成膜面積に形成することができる製造方法を提供することを主な目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明者等は、スパッタリング法と同様に成膜速度と成膜面積に優れるイオンプレーティング法を用いた酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法について鋭意検討した結果、本発明に至った。
【0008】
本発明に係る酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法は、イオンプレーティング法による酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法において、ガリウムまたはガリウム化合物を添加した酸化亜鉛を蒸発材料として用い、成膜室の酸素分圧が0.012Pa以下にて成膜することを特徴とする。
【0009】
本発明の上記の構成により、比抵抗の小さな酸化亜鉛系透明導電膜を高い成膜速度で大きな成膜面積に形成することができる。また、このとき、透明性に優れるな酸化亜鉛系透明導電膜を得ることができる。
【0010】
この場合、圧力勾配型プラズマガンを用いてプラズマビームを供給し、前記蒸発材料の周囲に設けたビーム修正装置により該プラズマビームを該蒸発材料に集中させて、該蒸発材料を蒸発、イオン化させると、より好適である。
【0011】
また、この場合、前記蒸発材料が、三酸化二ガリウムを添加した酸化亜鉛であると、より好適である。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明に係る酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法の好適な実施の形態(以下、本実施の形態例という。)について、図を参照して、以下に説明する。
【0013】
まず、本実施の形態例に係る酸化亜鉛系薄膜の成膜方法(以下、単に成膜方法という。)を実施するのに好適なイオンプレーティング装置について図1を参照して説明する。
【0014】
イオンプレーティング装置10は、成膜室である真空容器12と、真空容器12中にプラズマビームPBを供給するプラズマ源であるプラズマガン(プラズマビーム発生器)14と、真空容器12内の底部に配置されてプラズマビームPBが入射する陽極部材16と、成膜の対象である基板Wを保持する基板保持部材WHを陽極部材16の上方で適宜移動させる搬送機構18とを備える。
【0015】
プラズマガン14は、圧力勾配型であり、その本体部分は真空容器12の側壁に備えられる。プラズマガン14の陰極14a、中間電極14b、14c、電磁石コイル14dおよびステアリングコイル14eへの給電を調整することにより、真空容器12中に供給されるプラズマビームPBの強度や分布状態が制御される。なお、参照符号20aは、プラズマビームPBのもととなる、Ar等の不活性ガスからなるキャリアガスの導入路を示す。
【0016】
陽極部材16は、プラズマビームPBを下方に導く主陽極であるハース16aと、その周囲に配置された環状の補助陽極16bとからなる。
【0017】
ハース16aは、適当な正電位に制御されており、プラズマガン14から出射したプラズマビームPBを下方に吸引する。ハース16aは、プラズマビームPBが入射する中央部に貫通孔THが形成されており、貫通孔THに蒸着材料22が装填されている。蒸着材料22は、柱状若しくは棒状に成形されたタブレットであり、プラズマビームPBからの電流によって加熱されて昇華し、蒸着物質を生成する。ハース16aは蒸着材料22を徐々に上昇させる構造を有しており、蒸着材料22の上端は常に一定量だけハース16aの貫通孔THから突出している。
【0018】
補助陽極16bは、ハース16aの周囲に同心に配置された環状の容器で構成され、容器内には、永久磁石24aとコイル24bとが収容されている。これら永久磁石24aおよびコイル24bは、磁場制御部材であり、ハース16aの直上にカスプ状磁場を形成し、これにより、ハース16aに入射するプラズマビームPBの向きが制御され、修正される。
【0019】
搬送機構18は、搬送路18a内に水平方向に等間隔で配列されて基板保持部材WHを支持する多数のコロ18bと、コロ18bを回転させて基板保持部材WHを所定の速度で水平方向に移動させる図示しない駆動装置とを備える。基板保持部材WHに基板Wが保持される。この場合、基板Wを搬送する搬送機構18を設けることなく、真空容器12の内部の上方に基板Wを固定して配置してもよい。
【0020】
真空容器12には、酸素ガス容器19中の酸素ガスがマスフローメータ21によって流量を所定量に調整されながら供給される。なお、参照符号20bは酸素以外の雰囲気ガスを供給するための供給路を示し、また、参照符号20cはAr等の不活性ガスをハース16aに供給するための供給路を示し、また、参照符号20dは排気系を示す。
【0021】
上記のように構成したイオンプレーティング装置10を用いたイオンプレーティング方法を説明する。
【0022】
まず、真空容器12の下部に配置されたハース16aの貫通孔THに蒸着材料22を装着する。
【0023】
一方、ハース16aの上方の対向する位置に基板Wを配置する。
【0024】
つぎに、成膜条件に応じたプロセスガスを真空容器12の内部に導入する。
【0025】
プラズマガン14の陰極14aおよびハース16a間に直流電圧を印加する。
【0026】
そして、プラズマガン14の陰極14aとハース16aとの間で放電を生じさせ、これにより、プラズマビームPBを生成する。プラズマビームPBは、ステアリングコイル14と補助陽極16b内の永久磁石24a等とによって決定される磁界に案内されてハース16aに到達する。この際、蒸着材料22の周囲にアルゴンガスが供給されるので、容易にプラズマビームPBがハース16aに引き寄せられる。
【0027】
プラズマに曝された蒸着材料22は、徐々に加熱される。蒸着材料22が十分に加熱されると、蒸着材料22が昇華し、蒸着物質が蒸発(出射)する。蒸着物質は、プラズマビームPBによりイオン化され、基板Wに付着(入射)し、成膜される。
【0028】
なお、永久磁石24aおよびコイル24bによってハース16aの上方の磁場を制御することにより、蒸着物質の飛行方向を制御することができるため、ハース16aの上方におけるプラズマの活性度分布や基板Wの反応性分布に合わせて基板Wの上の成膜速度分布を調整でき、広い面積にわたって均一な膜質の薄膜を得ることができる。
【0029】
上記のイオンプレーティング装置10を用いた本実施の形態例に係る酸化亜鉛系透明導電膜の製造法は、蒸発材料22として三酸化二ガリウム(Ga2O3)をガリウム源として添加した酸化亜鉛(ZnO)を用い、真空容器12の酸素分圧を0.012Pa以下に調整しながらイオンプレーティングするものである。
【0030】
本実施の形態例に係る酸化亜鉛系透明導電膜の製造法によれば、透明性と比抵抗とのバランスが良好で、また、膜の均一性に優れる大面積の酸化亜鉛系透明導電膜を高い成膜速度で得ることができる。
【0031】
【実施例】
実施例を挙げて、本発明をさらに説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。
【0032】
ここで、イオンプレーティング法の主要な条件は、以下のとおりであり、この条件は、各実施例で共通する。
【0033】
基板は、厚み0.7mmの無アルカリガラスを用い、基板の温度は約200℃とした。放電電流は約100Aとした。真空容器には、酸素ガスおよびアルゴンガスを導入した。アルゴンガスの分圧を一定に維持したうえで真空容器の圧力(成膜圧力。全圧)を0.05〜0.08Paの範囲内で変化させることにより、真空容器内の酸素分圧を変化させた。
【0034】
三酸化二ガリウムの添加濃度を変えて調製した酸化亜鉛の燒結体を蒸発材料として用い、真空容器の酸素分圧を変えて厚みが約200nmの酸化亜鉛系透明導電膜を成膜した。
【0035】
得られた酸化亜鉛系透明導電膜の比抵抗を図2に、また、透明度を図3に示す。
【0036】
図2より、酸素分圧が0.012Pa以下の範囲で、比抵抗が5×10−4Ωcm程度の低抵抗の酸化亜鉛系透明導電膜が得られることがわかる。また、酸素分圧が0.004Pa以下で、かつガリウム源の添加量が約3%以上の範囲であると、0.04×10−4Ωcm程度のより低い比抵抗値が得られることがわかる。
【0037】
また、図3より、酸素分圧が0.01Paまたは0Paの条件で製造した酸化亜鉛系透明導電膜は、いずれも波長が450〜800nmの領域において85%を超える良好な光透過率が得られることがわかる。
【0038】
【発明の効果】
本発明に係る酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法によれば、イオンプレーティング法による酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法において、ガリウムまたはガリウム化合物を添加した酸化亜鉛を蒸発材料として用い、成膜室の酸素分圧が0.012Pa以下にて成膜するため、比抵抗の小さな酸化亜鉛系透明導電膜を高い成膜速度で大きな成膜面積に形成することができる。また、このとき、透明性に優れるな酸化亜鉛系透明導電膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態例に係る酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法を実施するために用いたイオンプレーティング装置の概略構成を示す図である。
【図2】本実施の形態例に係る酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法において、成膜時の酸素分圧と得られる酸化亜鉛系透明導電膜の比抵抗との関係を示すグラフ図である。
【図3】本実施の形態例に係る酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法において、得られる酸化亜鉛系透明導電膜の分光透過率を示すグラフ図である。
【符号の説明】
10 イオンプレーティング装置
12 真空容器
14 プラズマガン
14a 陰極
14b、14c 中間電極
14d 電磁石コイル
14e ステアリングコイル
16 陽極部材
16a ハース
16b 補助陽極
18 搬送機構
19 酸素ガス容器
21 マスフローメータ
22 蒸着材料
Claims (3)
- イオンプレーティング法による酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法において、ガリウムまたはガリウム化合物を添加した酸化亜鉛を蒸発材料として用い、成膜室の酸素分圧が0.012Pa以下にて成膜することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法。
- 圧力勾配型プラズマガンを用いてプラズマビームを供給し、前記蒸発材料の周囲に設けたビーム修正装置により該プラズマビームを該蒸発材料に集中させて、該蒸発材料を蒸発、イオン化させることを特徴とする請求項1記載の酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法。
- 前記蒸発材料が、三酸化二ガリウムを添加した酸化亜鉛であることを特徴とする請求項1または2記載の酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002251530A JP2004095223A (ja) | 2002-08-29 | 2002-08-29 | 酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004095223A true JP2004095223A (ja) | 2004-03-25 |
Family
ID=32058093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002251530A Pending JP2004095223A (ja) | 2002-08-29 | 2002-08-29 | 酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004095223A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2002
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20040408 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
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A621 | Written request for application examination |
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