JP2007109406A - タッチパネル用酸化亜鉛系透明導電膜付き基板 - Google Patents
タッチパネル用酸化亜鉛系透明導電膜付き基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007109406A JP2007109406A JP2005295891A JP2005295891A JP2007109406A JP 2007109406 A JP2007109406 A JP 2007109406A JP 2005295891 A JP2005295891 A JP 2005295891A JP 2005295891 A JP2005295891 A JP 2005295891A JP 2007109406 A JP2007109406 A JP 2007109406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- zinc oxide
- substrate
- touch panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 51
- FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L Zinc carbonate Chemical compound [Zn+2].[O-]C([O-])=O FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 title abstract description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 21
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 77
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Position Input By Displaying (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
タッチパネル用基板の透明導電膜として、酸化亜鉛系透明導電膜を用い、透過率が高く、耐久性があり、表面抵抗率がタッチパネルを得るのに好適な抵抗値を併せ有する透明導電膜付き基板を提供する。
【解決手段】
透明基板に、主成分である酸化亜鉛に対し、ガリウムをGa2O3換算で1〜11重量パーセントの割合で含有した、酸化亜鉛系透明導電膜を成膜したタッチパネル用基板であって、表面抵抗が200〜1000Ω/□、かつ所定の耐久性を満足することを特徴とするタッチパネル用基板
Description
1)透過率が高いこと
2)耐久性があること
3)表面抵抗率がタッチパネルを得るのに好適な抵抗値を併せ有する透明導電膜付き基板を提供することを目的とする。
1)成膜前の基板の予備加熱:なし
2)成膜時の圧力:0.1Pa
3)雰囲気ガス条件:アルゴン=100sccm、酸素=40sccm
4)ターゲット:表1に示す割合で、ガリウムを含有している酸化亜鉛焼結体
<表面抵抗>
表面抵抗は、JIS K 7194に準拠し、三菱化学株式会社製 ロレスタEPにて測定した。
<全光線透過率>
全光線透過率は、ASTM D 1003に準拠し、株式会社村上色彩技術研究所製 HM−100型にて測定した。
<耐熱性>
熱処理として、80℃にセットした熱風オーブン装置で500時間処理する前後の表面抵抗変化(R/R0)を測定した。
<耐湿熱性>
湿熱処理として、60℃95%RHにセットした恒温恒湿槽で500時間処理する前後の表面抵抗変化(R/R0)を測定した。
2:酸化亜鉛系透明導電膜
3:透明基板(ガラスもしくは樹脂)
4:透明導電膜
5:樹脂
6:ドットスペーサ
7:本発明のタッチパネル
Claims (10)
- 主成分である酸化亜鉛に対し、ガリウムをGa2O3換算で1〜15重量パーセントの割合で含有することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。
- 前記酸化亜鉛系透明導電膜であって、その表面抵抗が200〜1000Ω/□であることを特徴とする請求項1に記載の酸化亜鉛系透明導電膜。
- 前記酸化亜鉛系透明導電膜の厚みが20〜400nmであり、全光線透過率が80%以上であることを特徴とする請求項1または2記載の酸化亜鉛系透明導電膜。
- 前記酸化亜鉛系透明導電膜の耐久性が熱処理(80℃、500時間)または、湿熱処理(60℃95%RH、500時間)を実施した前後の表面抵抗変化が0.8%以上1.3%以下である請求項1〜3のいずれかに記載の酸化亜鉛系透明導電膜。
- 請求項1に記載の酸化亜鉛系透明導電膜を透明基板上に成膜したことを特徴とするタッチパネル用基板。
- 請求項5に記載のタッチパネル用基板であって、その表面抵抗が200〜1000Ω/□であることを特徴とするタッチパネル用基板。
- 請求項3に記載の酸化亜鉛系透明導電膜であって、その厚みが20〜400nmであり、全光線透過率が80%以上であることを特徴とする、請求項5または6記載のタッチパネル用基板。
- 耐久性が熱処理(80℃、500時間)または、湿熱処理(60℃95%RH、500時間)を実施した前後の表面抵抗変化が0.8%以上1.3%以下である請求項5〜7のいずれかに記載のタッチパネル用基板。
- 前記透明基板がガラスもしく樹脂であることを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載のタッチパネル用基板。
- 請求項9に記載のタッチパネル用基板を一方の基板に用いた抵抗膜方式タッチパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005295891A JP2007109406A (ja) | 2005-10-11 | 2005-10-11 | タッチパネル用酸化亜鉛系透明導電膜付き基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005295891A JP2007109406A (ja) | 2005-10-11 | 2005-10-11 | タッチパネル用酸化亜鉛系透明導電膜付き基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007109406A true JP2007109406A (ja) | 2007-04-26 |
Family
ID=38035131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005295891A Pending JP2007109406A (ja) | 2005-10-11 | 2005-10-11 | タッチパネル用酸化亜鉛系透明導電膜付き基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007109406A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009114538A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-28 | Hakusui Tech Co Ltd | 酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット |
JP2010009096A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Epson Imaging Devices Corp | 入力装置および入力機能付き表示装置 |
DE112008004011T5 (de) | 2008-09-24 | 2011-07-14 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Verfahren zur Bildung von Zinkoxidfilm (ZnO) oder Magnesiumzinkoxidfilm (ZnMgO) und Anlage zur Bildung von Zinkoxidfilm oder Magnesiumzinkoxidfilm |
CN102191455A (zh) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | 三菱综合材料株式会社 | 薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材 |
DE112008004012T5 (de) | 2008-09-24 | 2011-09-29 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Verfahren zur Erzeugung eines Metalloxidfilmes und Anlage zur Erzeugung eines Metalloxidfilmes |
JP2011214136A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜形成用の蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シート |
KR101089873B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2011-12-05 | 삼성전기주식회사 | 터치 스크린의 입력장치 및 그 제조방법 |
DE112010005624T5 (de) | 2010-06-01 | 2013-03-21 | Kyoto University | Anlage zur Bildung eines Metalloxidfilmes, Verfahren zur Bildung eines Metalloxidfilmes und Metalloxidfilm |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02181304A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-07-16 | Nippon Soken Inc | 酸化亜鉛系透明導電膜およびその製膜方法 |
JPH07249316A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜および該透明導電膜を用いた透明基体 |
JPH0853761A (ja) * | 1993-07-28 | 1996-02-27 | Asahi Glass Co Ltd | 透明電導膜の製造方法 |
JP2004095223A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法 |
-
2005
- 2005-10-11 JP JP2005295891A patent/JP2007109406A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02181304A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-07-16 | Nippon Soken Inc | 酸化亜鉛系透明導電膜およびその製膜方法 |
JPH0853761A (ja) * | 1993-07-28 | 1996-02-27 | Asahi Glass Co Ltd | 透明電導膜の製造方法 |
JPH07249316A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜および該透明導電膜を用いた透明基体 |
JP2004095223A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009114538A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-28 | Hakusui Tech Co Ltd | 酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット |
JP2010009096A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Epson Imaging Devices Corp | 入力装置および入力機能付き表示装置 |
JP4636128B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2011-02-23 | ソニー株式会社 | 入力装置および入力機能付き表示装置 |
DE112008004011T5 (de) | 2008-09-24 | 2011-07-14 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Verfahren zur Bildung von Zinkoxidfilm (ZnO) oder Magnesiumzinkoxidfilm (ZnMgO) und Anlage zur Bildung von Zinkoxidfilm oder Magnesiumzinkoxidfilm |
DE112008004012T5 (de) | 2008-09-24 | 2011-09-29 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Verfahren zur Erzeugung eines Metalloxidfilmes und Anlage zur Erzeugung eines Metalloxidfilmes |
US9598768B2 (en) | 2008-09-24 | 2017-03-21 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Method of forming zinc oxide film (ZnO) or magnesium zinc oxide film (ZnMgO) and apparatus for forming zinc oxide film or magnesium zinc oxide film |
KR101089873B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2011-12-05 | 삼성전기주식회사 | 터치 스크린의 입력장치 및 그 제조방법 |
CN102191455A (zh) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | 三菱综合材料株式会社 | 薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材 |
JP2011214136A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜形成用の蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シート |
DE112010005624T5 (de) | 2010-06-01 | 2013-03-21 | Kyoto University | Anlage zur Bildung eines Metalloxidfilmes, Verfahren zur Bildung eines Metalloxidfilmes und Metalloxidfilm |
US9279182B2 (en) | 2010-06-01 | 2016-03-08 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Apparatus for forming metal oxide film, method for forming metal oxide film, and metal oxide film |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100696905B1 (ko) | 투명 전도성 필름을 갖는 접촉식 패널용 기판 및 이를 포함하는 저항 필름형 투명 접촉식 패널 | |
CN101622714B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法 | |
KR101007169B1 (ko) | 결정성 투명 도전성 박막, 그 제조 방법, 투명 도전성 필름및 터치 패널 | |
EP1720175B1 (en) | Transparent conductive film and transparent conductive base material utilizing the same | |
KR100788775B1 (ko) | 투명 도전성 필름 및 터치 패널 | |
US5736267A (en) | Transparent conductive film and method for its production, and sputtering target | |
JP2012509397A (ja) | タッチパネルディスプレイとともに使用するためのito被覆品の製造方法、および/または前記ito被覆品の製造方法 | |
KR20160035998A (ko) | 전도성 구조체 및 이의 제조방법 | |
JP5962663B2 (ja) | 透明導電膜付きガラス板 | |
JP4067141B2 (ja) | 透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット | |
JP2007109406A (ja) | タッチパネル用酸化亜鉛系透明導電膜付き基板 | |
JP2001270740A (ja) | ガラス物品及びディスプレイ用ガラス基板 | |
JP2018518787A (ja) | 高抵抗率層を有するタッチ制御ディスプレイデバイス | |
CN111902561B (zh) | 屏蔽层、屏蔽层的制造方法及氧化物溅射靶 | |
JP2019194352A (ja) | シールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲット | |
JP4358251B2 (ja) | 高抵抗化スズドープ酸化インジウム膜の成膜方法 | |
JP4389257B2 (ja) | フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板 | |
CN106024110A (zh) | 一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法 | |
JP2003157723A (ja) | 透明導電膜付き基板及びこれを用いたタッチパネル | |
JP2002073280A (ja) | 透明タッチパネル用基板及び透明タッチパネル | |
CN115925414B (zh) | 氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置 | |
JP6080399B2 (ja) | 透明導電膜 | |
JP2007277016A (ja) | 平面蛍光ランプ電極被覆用無鉛ガラス | |
JP4255655B2 (ja) | 高抵抗化スズドープ酸化インジウム膜の成膜方法 | |
US11052634B2 (en) | Laminated substrate for electrochromic dimmer element and manufacturing method for electrochromic dimmer element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070809 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080414 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080414 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080930 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110726 |