JP2009114538A - 酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化亜鉛およびインジウムを含む焼結体からなる酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットであって、焼結体に含まれるインジウム元素の比率は0.003〜30質量%である。焼結体の結晶粒径を走査型電子顕微鏡で観察したとき、平均結晶粒径は0.1〜20μmであることが好ましい。
【選択図】なし
Description
試験を行ったとき、加熱後の表面抵抗は加熱前に比べて3倍以上上昇してしまう。また、このような焼結体を用いてイオンプレーティング法によって製膜すると、後記する実施例に示すように、透明導電膜の耐湿熱性が低下する。
前記混合粉末を400〜1300℃で焼成し、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が0.10〜20μmの焼成粉を得る工程と、
前記焼成粉を予備成型し、実質的に酸素を含まない雰囲気下にて500〜1600℃で焼結する工程と、
を包含している。
後記する実施例および比較例の焼結体からなるターゲットの表面抵抗および耐熱性は、以下のようにして測定した。
エヌピイエス株式会社製の抵抗率測定器Σ―5を用い、四探針法によって表面抵抗を測定した。ここでは、表面抵抗が0.1Ω/□以下のものを「表面抵抗が低い」と評価した。
大気雰囲気中、600℃で1時間の加熱試験を行なったとき、加熱試験前の表面抵抗に対する加熱試験後の表面抵抗の比(変化率)を測定した。ここでは、上記の変化率が3以下のものを「耐熱性に優れる」と評価した。
後記する実施例および比較例の焼結体からなるターゲットを用い、イオンプレーティング法によって透明導電膜を製膜した。製膜条件を下記に示す。
基板 :厚み0.7mmの無アルカリガラス
製膜前の基板の予備加熱:なし
製膜時の圧力 :0.3Pa
製膜時の雰囲気ガス条件:アルゴン=160sccm、酸素=2sccm
製膜時の放電電流 :100A
イオンプレーティング装置:ヘンミ計算尺株式会社製「Z−TOPS」
焼結体ターゲットと同様にして透明導電膜の表面抵抗を測定した。ここでは、表面抵抗が1000Ω/□以下のものを「表面抵抗が低い」と評価した。
焼結体ターゲットと同様にして湿熱試験前後の表面抵抗の変化率を測定した。ここでは、上記の変化率が1.3以下のものを「耐湿熱性に優れる」と評価した。
作製した透明導電膜の可視光透過率(透明性)は、(株)日立ハイテクノロジーズ製U−4100形分光光度計を用いて測定を行った。透明性の評価には、可視領域(400〜800nm)の透過率の平均値を用いた。そして、この400〜800nmの平均透過率(可視光透過率)が80%以上のものを「透明性が高い」と評価した。
原料粉末として、純度3N、平均粒子径2μmで最大粒子径が8μmの酸化インジウム粉(稀産金属株式会社社製の酸化インジウム)、および純度4N、平均粒子径1μmで最大粒子径が8μm以下の酸化亜鉛粉(ハクスイテック株式会社社製の酸化亜鉛1種)を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が6.0質量%となるように秤量した。この原料粉末を湿式ボールミルで12時間混合・粉砕し、混合粉末を得た。
前述した実施例1において、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が9.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例1と同様にして混合粉末を得た。
前述した実施例1において、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が12.5質量%となるように秤量したこと以外は実施例1と同様にして混合粉末を得た。
4.0μmの焼成粉を得た。得られた焼成粉を機械プレスにより40MPaの圧力下で予備成型した後、一酸化炭素雰囲気下に900℃で5時間焼結し、直径20mm×厚さ20mmの焼結体を製造した。このようにして得られた焼結体の表面抵抗は0.024Ω/□であった。上記の焼結体を大気雰囲気中、600℃で1時間の加熱試験を行なったとき、加熱後の表面抵抗は0.038Ω/□であり、加熱前後の表面抵抗の変化率(耐熱性)は1.58であった。
前述した実施例1において、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が0.3質量%となるように秤量したこと以外は実施例1と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
前述した実施例2において、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が3.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例2と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
前述した実施例3において、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が25.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例3と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
前述した実施例1において、酸素濃度3%を含む窒素雰囲気下に1100℃で5時間焼結を行なったこと以外は実施例1と同様にして、直径20mm×厚さ20mmの焼結体を製造した。このようにして得られた焼結体の表面抵抗は290Ω/□であった。上記の焼結体を大気雰囲気中、600℃で1時間の加熱試験を行なったとき、加熱後の表面抵抗は3000Ω/□であり、加熱前後の表面抵抗の変化率(耐熱性)は10.34であった。
前述した実施例2において、酸素濃度3%を含む窒素雰囲気下に1100℃で5時間焼結を行なったこと以外は実施例2と同様にして、直径20mm×厚さ20mmの焼結体を製造した。このようにして得られた焼結体の表面抵抗は120Ω/□であった。上記の焼結体を大気雰囲気中、600℃で1時間の加熱試験を行なったとき、加熱後の表面抵抗は730Ω/□であり、加熱前後の表面抵抗の変化率(耐熱性)は6.08であった。
前述した実施例3において、酸素濃度3%を含む窒素雰囲気下に1100℃で5時間焼結を行なったこと以外は実施例3と同様にして、直径20mm×厚さ20mmの焼結体を製造した。このようにして得られた焼結体の表面抵抗は18Ω/□であった。上記の焼結体を大気雰囲気中、600℃で1時間の加熱試験を行なったとき、加熱後の表面抵抗は160Ω/□であり、加熱前後の表面抵抗の変化率(耐熱性)は8.89であった。
前述した実施例1において、原料粉末を湿式ボールミルで24時間混合・粉砕したこと以外は実施例1と同様にして混合粉末を得た。
前述した実施例1と同様にして混合粉末を得た後、この混合粉末を1400℃で3時間焼成し、最大粒子径が180μmで平均粒子径が30μmの焼成粉を得た。ここでは、焼成温度が高いため、上記焼成粉の平均粒子径は本発明の要件(20μm以下)を超えている。得られた焼成粉を機械プレスにより40MPaの圧力下で予備成型したところ、予備成型体にひび割れが生じ、予備成型体自体が崩れてしまった。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、純度4N、平均粒子径2μmで最大粒子径が8μmの酸化ガリウム粉(稀産金属株式会社製の酸化ガリウム)を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が2.0質量%およびガリウム元素の比率が2.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例2と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が4.0質量%およびガリウム元素の比率が2.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例2と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が2.5質量%およびガリウム元素の比率が4.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例1と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が2.5質量%およびガリウム元素の比率が2.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例2と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が6.0質量%およびガリウム元素の比率が2.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例2と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が2.5質量%およびガリウム元素の比率が5.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例1と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が7.5質量%およびガリウム元素の比率が2.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例2と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が2.5質量%およびガリウム元素の比率が7.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例1と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が2.5質量%およびガリウム元素の比率が8.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例1と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が10.0質量%およびガリウム元素の比率が2.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例2と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が1.0質量%およびガリウム元素の比率が2.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例2と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が2.5質量%およびガリウム元素の比率が0.7質量%となるように秤量したこと以外は実施例3と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化インジウム粉および前記酸化亜鉛粉に加えて、実施例7と同様に酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するインジウム元素の比率が2.5質量%およびガリウム元素の比率が0.3質量%となるように秤量したこと以外は実施例3と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
原料粉末として、前記酸化亜鉛粉および前記酸化ガリウム粉を用意し、原料粉末の合計量に対するガリウム元素の比率が2.0質量%となるように秤量したこと以外は実施例1と同様にして焼結体(ターゲット)を製造した。
Claims (8)
- 酸化亜鉛およびインジウムを含む焼結体からなる酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットであって、
前記焼結体に含まれるインジウム元素の比率は、0.003〜30質量%であることを特徴とする酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット。 - 前記焼結体は、更にガリウムを含むものであって、前記焼結体に含まれるガリウム元素の比率が、0.5〜7.5質量%である請求項1に記載のイオンプレーティング用ターゲット。
- 前記焼結体に含まれるインジウム元素の比率の上限が8質量%である請求項2に記載のイオンプレーティング用ターゲット。
- 前記焼結体の結晶粒径を走査型電子顕微鏡で観察したとき、平均結晶粒径が0.10〜20μmである請求項1〜3のいずれかに記載のイオンプレーティング用ターゲット。
- 前記焼結体の表面抵抗が0.1Ω/□以下である請求項1〜4のいずれかに記載のイオンプレーティング用ターゲット。
- 大気雰囲気中、600℃で1時間の加熱試験を行ったとき、加熱試験前の表面抵抗に対する加熱試験後の表面抵抗の比が3以下である請求項1〜5のいずれかに記載のイオンプレーティング用ターゲット。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のイオンプレーティング用ターゲットを用いて得られる酸化亜鉛系薄膜。
- 厚さが5〜200nmである請求項7に記載の酸化亜鉛系薄膜。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011074479A (ja) * | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Hakusui Tech Co Ltd | 透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット、および透明導電性酸化亜鉛系薄膜 |
JP2011098855A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲット及びその製造法 |
JPWO2012105229A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2014-07-03 | 株式会社クラレ | 耐湿熱膜とその製造方法、デバイス、及び太陽電池 |
KR101440594B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-09-17 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 복합 금속 산화물 소결체 제조방법 |
WO2015118725A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | リンテック株式会社 | 透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法、および透明導電フィルムを用いてなる電子デバイス |
JP2017075363A (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 蒸着用ZnO−Ga2O3系酸化物焼結体タブレットとその製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61205619A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Osaka Tokushu Gokin Kk | 耐熱性酸化亜鉛透明導電膜 |
JPH01201021A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-14 | Bridgestone Corp | 熱線遮蔽材料及び熱線遮蔽ガラス |
JPH02149459A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-06-08 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPH11256320A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ZnO系焼結体 |
JPH11256321A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ZnO系焼結体 |
JP2007109406A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Kochi Univ Of Technology | タッチパネル用酸化亜鉛系透明導電膜付き基板 |
-
2008
- 2008-10-20 JP JP2008269691A patent/JP5334246B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61205619A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Osaka Tokushu Gokin Kk | 耐熱性酸化亜鉛透明導電膜 |
JPH01201021A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-14 | Bridgestone Corp | 熱線遮蔽材料及び熱線遮蔽ガラス |
JPH02149459A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-06-08 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPH11256320A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ZnO系焼結体 |
JPH11256321A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ZnO系焼結体 |
JP2007109406A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Kochi Univ Of Technology | タッチパネル用酸化亜鉛系透明導電膜付き基板 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011074479A (ja) * | 2009-10-01 | 2011-04-14 | Hakusui Tech Co Ltd | 透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット、および透明導電性酸化亜鉛系薄膜 |
JP2011098855A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲット及びその製造法 |
JPWO2012105229A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2014-07-03 | 株式会社クラレ | 耐湿熱膜とその製造方法、デバイス、及び太陽電池 |
KR101440594B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-09-17 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 복합 금속 산화물 소결체 제조방법 |
WO2015118725A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | リンテック株式会社 | 透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法、および透明導電フィルムを用いてなる電子デバイス |
JP2017075363A (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 蒸着用ZnO−Ga2O3系酸化物焼結体タブレットとその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5334246B2 (ja) | 2013-11-06 |
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