JPH0539644Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は透明導電性基板に関する。

［従来の技術］ 従来ガラス基板上に透明導電層を形成するに
は、真空槽内で物理蒸着法により行つている。即
ち第３図に示すように、真空蒸着、イオンプレー
テイング、スパツタリング等により酸化インジウ
ム錫（以降ITOと略称する）、酸化錫、酸化亜鉛
等の透明導電材３をガラス基板１上に形成してい
る。このようにして形成された透明導電性基板は
液晶表示装置その他種々の用途に使用されてい
る。しかしガラス基板１上に直接透明導電層３を
形成した場合には、基板のガラス中に含まれるア
ルカリイオンの作用と考えられる次の問題があ
る。すなわち透明導電層３の抵抗値が時間の経過
とともに次第に増加することが知られている。こ
の透明導電層３の抵抗値の増加を防ぐ手段として
第２図に示すようにガラス基板１に前もつて二酸
化珪素層２１を形成した後、透明導電層３を形成
する方法が知られている。

［考案が解決しようとする問題点］ ガラス基板上に二酸化珪素層を形成し、該二酸
化珪素層上に透明導電層を形成した透明導電性基
板では経時変化による抵抗値の増加は防がれる。
しかし二酸化珪素層と透明導電層とは密着性が悪
く、透明導電層が剥離しやすい欠点を有する。

本考案は透明導電層とすぐれた密着性を有し、
ガラス基板からの剥離がなく抵抗変化のない透明
導電性基板を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本考案の透明導電性基板は、ガラス基板と、該
ガラス基板上に真空槽内で物理蒸着法により形成
されたアルミナ層と該アルミナ層上に形成された
透明導電層とから構成される。

この透明導電性基板はガラス基板上にアルミナ
層と、該アルミナ層上に形成された透明導電層と
からなる。このアルミナ層は、ガラス基板を被覆
してガラス基板中に含まれるアルカリイオン、例
えばナトリウムイオンが透明導電層への侵入する
ことを防ぐものである。

上記アルミナ層は50nm以上の膜厚を有し
100nm程度の膜厚を有することが好ましい。アル
ミナ層の膜厚が50nm未満であるとアルカリイオ
ン侵入防止効果が少なく好ましくない。また膜厚
を厚くすると、導電膜全体の膜厚が厚くなり好ま
しくない。アルミナ層の形成は公知のいずれの方
法でも可能であるが、アルミナ層の効果を大きく
するためにはスパツタリング法、イオンプレーテ
イング法、真空蒸着法等による物理蒸着法により
形成したものであることが好ましい。上記の方法
によりガラス基板の一端面に形成されたアルミナ
層上には透明導電層が密着して形成される。

透明導電層は真空層内でITO、酸化錫または酸
化亜鉛を物理蒸着法により形成する。具体的には
アルミナ層を形成したガラス基板を用い、アルミ
ナ層上に真空蒸着法、スパツタリング法、イオン
プレーテイング法等によりITO、酸化錫、酸化亜
鉛等を蒸着させて透明導電層を形成する。この場
合、まずガラス基板上に蒸着法によりアルミナ層
を形成し、次いで同一装置で透明導電層を形成す
ることもできる。この透明導電層の膜厚は用途に
応じて適宜決められるが通常200nmから500nmの
ものが用いられる。

［作用と効果］ 本考案の透明導電性基板は、ガラス基板とこの
ガラス基板に形成されたアルミナ層とこのアルミ
ナ層上に形成された透明導電層とからなり、アル
ミナ層がガラス基板から透明導電層へ移動するア
ルカリイオンの侵入を防ぐとともに、透明導電層
との密着性に優れ透明導電層のアルミナ層からの
剥離を防ぐ効果を有する。

この透明導電層は経時変化による抵抗値の増加
は認められない。また耐摩耗性試験結果で示すご
とく透明導電層の剥離抵抗性は従来の二酸化珪素
層のものより優れている。従つて本考案は剥離抵
抗性に優れ経時変化による抵抗値の増加のない透
明導電性基板である。

［実施例］ 以下、実施例により本考案を説明する。

第１図に本考案の透明導電性基板の断面模式図
を示す。

本考案の透明導電性基板はガラス基板１上にア
ルミナ層２、該アルミナ層２上に透明導電層３を
形成したものである。上記アルミナ層２はイオン
プレーテイング法により真空槽内に設けたガラス
基板１上に電子線加熱方式によりアルミナを蒸着
させて形成した。

アルミナ層の形成条件は、酸素圧力20mpa高周
波印加パワー200W、DCバイアス印加電圧−
200V、基板温度400℃、到達真空度2.0mpaで行
い膜厚100nmのアルミナ層を形成した。

比較として従来の二酸化珪素を膜厚100nmの層
２′を上記と同様にしてガラス基板上に形成した。

次いでガラス基板、ガラス基板にアルミナ層お
よび二酸化珪素層を形成した三種の基板を用いて
イオンプレーテイング法によりITO層３を形成し
た。

第２図は二酸化珪素層上に透明導電層を設けた
比較例の断面模式図であり、第３図はガラス基板
に直接透明導電層を設けた断面模式図である。

透明導電層の形成条件は酸素圧力20mpa、高周
波印加パワー200W、DCバイアス印加電圧−
200V、基板温度400℃、到達真空度2.0paにより
膜厚300nmのITO層３をそれぞれ形成した。

上記で得た三種類の透明導電層の抵抗値の経時
変化および耐摩耗性試験を行つた。成膜直後の透
明導電層の抵抗値はいずれも6Ω／□であつた。
１週間経過後の透明導電層の抵抗値はガラス基板
に直接ITO層を形成した、第３図のものは10Ω／
□に増加したが、ガラス基板にアルミナ層（第１
図）または二酸化珪素層（第２図）を介してITO
層を形成したものは両者とは6Ω／□と変らなか
つた。

つぎに表面耐摩耗性試験法（JIS−R3212）に
より透明導電層の剥離程度を調べた。ガラス基板
に直接ITO層を形成したものは、テーパー摩耗
1000回転後のヘイズ値が2.0であつた。本考案の
ガラス基板にアルミナ層を介してITO層を形成し
たものは、テーパー摩耗1000回転後のヘイズ2.2
で、ガラス基板に直接のものとほぼ同一の耐摩耗
性をもつている。

さらにITO層500nmのみ透明導電性基板の表面
の平均反射率（視感度補正値）が13.5％であるが
本考案のアルミナ層100nm上にITO層500nmを形
成した透明導電性基板では上記の表面の平均反射
率が12.4％と1.1％程度低下することができ透過
性がよくなつた。

しかし、ガラス基板に二酸化珪素層を介して
ITO層を形成した例では、テーパー摩耗100回転
でITO層の剥離が発生し耐摩耗性に劣る。従つて
アルミナ層はガラス面およびITO面の両者に対し
密着性が良く耐摩耗性にも優れている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の透明導電性基板の断面模式
図、第２図、第３図は比較例の断面模式図、第２
図は二酸化珪素層上に透明導電性を、第３図はガ
ラス基板に直接透明導電層を形成したものであ
る。 １……ガラス基板、２……アルミナ層、３……
透明導電層。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ガラス基板と該ガラス基板上に真空槽内で物
   理蒸着法により形成されたアルミナ層と該アル
   ミナ層上に形成された透明導電層とから構成さ
   れる透明導電性基板。 (2) 透明導電層は、酸化インジウム錫、酸化錫ま
   たは酸化亜鉛である実用新案登録請求の範囲第
   １項記載の透明導電性基板。