JPS61106436A - 導電性材料及びその製造法 - Google Patents
導電性材料及びその製造法Info
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- JPS61106436A JPS61106436A JP22993984A JP22993984A JPS61106436A JP S61106436 A JPS61106436 A JP S61106436A JP 22993984 A JP22993984 A JP 22993984A JP 22993984 A JP22993984 A JP 22993984A JP S61106436 A JPS61106436 A JP S61106436A
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- Japan
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- thin film
- electrical conductivity
- amorphous
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- Glass Compositions (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、不導体物質を基材とする導電性材料及びその
製造法に関する。 □不導体物質に導電性を付
与する方法としては、金属粒子、炭素粒子、導電性繊維
等を不導体物質に塗布するか或いは不導体物質中に分散
させる方法、Ｉ＃０２．５ｂ２ｏ３．５ ＃ ０２、Ｉ
ＴＯ等の導電性電性を付与された不導体物質は、ｉ気メ
ツ＋が可能となシ、静電防止効果を発揮するなどの優れ
た特性を有し、また、導電性付与のための薄膜が透明性
を有するものは太陽電池、光センサ−、光−電気デバイ
ス等の透明電極として利用されるなど幅広い利用が可能
となる。
製造法に関する。 □不導体物質に導電性を付
与する方法としては、金属粒子、炭素粒子、導電性繊維
等を不導体物質に塗布するか或いは不導体物質中に分散
させる方法、Ｉ＃０２．５ｂ２ｏ３．５ ＃ ０２、Ｉ
ＴＯ等の導電性電性を付与された不導体物質は、ｉ気メ
ツ＋が可能となシ、静電防止効果を発揮するなどの優れ
た特性を有し、また、導電性付与のための薄膜が透明性
を有するものは太陽電池、光センサ−、光−電気デバイ
ス等の透明電極として利用されるなど幅広い利用が可能
となる。
しかしながら、塗布または分散によシネ導体物質に導電
性を付与する方法では、導１！性を良くするために導電
性物質の添加量を増加させた場合には導電膜の着色が増
大し透明電極として利用することや任意の色に着色して
使用することなどができなくなる。更に比重が大きくな
るためにａｉ化にとって好ましくないという問題もある
。また蒸着法によシ導電性薄膜を形成させる方法では、
真空系または完全り０−メト系で処理を行なう必要性か
ら生産方式がバッチ式となるのでコスト高とな９、また
大きな成形体への薄膜形成は、困難である。更に、蒸着
における薄膜形成のためには、精度のよい装置と正確な
条件コント０−ルが必要であシ、薄膜の生成効率も良く
ないという問題もある。
性を付与する方法では、導１！性を良くするために導電
性物質の添加量を増加させた場合には導電膜の着色が増
大し透明電極として利用することや任意の色に着色して
使用することなどができなくなる。更に比重が大きくな
るためにａｉ化にとって好ましくないという問題もある
。また蒸着法によシ導電性薄膜を形成させる方法では、
真空系または完全り０−メト系で処理を行なう必要性か
ら生産方式がバッチ式となるのでコスト高とな９、また
大きな成形体への薄膜形成は、困難である。更に、蒸着
における薄膜形成のためには、精度のよい装置と正確な
条件コント０−ルが必要であシ、薄膜の生成効率も良く
ないという問題もある。
本発明者は、複雑な操作を要することなく、効率よく不
導体物質に導電性を付与することのできろ方法を見出す
ぺ〈鋭意研究を重ねた結果、Ｖ２Ｏ５をマトリックスと
する非晶質酸化物の溶液を不導体物質に塗布し、または
含浸させた後、乾燥させるという簡単な方法によシ、不
導体物質に導電性を付与できることを見出した。本発明
はこの知見に基づくものである。
導体物質に導電性を付与することのできろ方法を見出す
ぺ〈鋭意研究を重ねた結果、Ｖ２Ｏ５をマトリックスと
する非晶質酸化物の溶液を不導体物質に塗布し、または
含浸させた後、乾燥させるという簡単な方法によシ、不
導体物質に導電性を付与できることを見出した。本発明
はこの知見に基づくものである。
即ち、本発明は、 Ｖ２Ｏ，をマトリックスとする非晶
質構造または層状構造を有する酸化物及び不導体物質か
らなる。導電性材料、並び６ｃ ｌ’２０５をマトリッ
クスとする非晶質酸化物の溶液を不導体物質に塗布また
は含浸させた後、乾燥させることを特徴とする導電性材
料の製造法に係る。
質構造または層状構造を有する酸化物及び不導体物質か
らなる。導電性材料、並び６ｃ ｌ’２０５をマトリッ
クスとする非晶質酸化物の溶液を不導体物質に塗布また
は含浸させた後、乾燥させることを特徴とする導電性材
料の製造法に係る。
本発明に於いて使用するＶ、０５をマトリックスとする
非晶質酸化物の溶液におけるＶ２Ｏ，をマトリックスと
する非晶質酸化物とは、一般式％式％ ＭｍＯｙｚは、金属、非金属及び半金属の酸化物の１種
又は２種以上でらシ、０≦Ｍ＜０．９０である。
非晶質酸化物の溶液におけるＶ２Ｏ，をマトリックスと
する非晶質酸化物とは、一般式％式％ ＭｍＯｙｚは、金属、非金属及び半金属の酸化物の１種
又は２種以上でらシ、０≦Ｍ＜０．９０である。
ζこでＭｖｘＯｐｔとしては、例えば、ｌ族のＬｉ、
Ｋｇ、Ｋ％Ｃｚ（Ｑ酸化物、麗族）ＢｔｌＭｙ、 Ｃｍ
、Ｓｒ、Ｂａの酸化物、厘族のＹの酸化物、ｙ族のＴｉ
、Ｚｒ の酸化物、Ｖ族の１０、Ｔ−の酸化物、ｖＩａ
族ノＣｒ。
Ｋｇ、Ｋ％Ｃｚ（Ｑ酸化物、麗族）ＢｔｌＭｙ、 Ｃｍ
、Ｓｒ、Ｂａの酸化物、厘族のＹの酸化物、ｙ族のＴｉ
、Ｚｒ の酸化物、Ｖ族の１０、Ｔ−の酸化物、ｖＩａ
族ノＣｒ。
Ｍ＃、Ｆ（Ｄ酸化物、Ｖｉｍｌｆｔ、（ＤＭＩＩＯｆｌ
ｌ化物、’！ｈ族のＣ＃、Δｙ、Ａｍの酸化物、■に族
のＺ＃、Ｃｄ、Ｈｆの酸化物、厘−族ＯＢ％Ａ１． Ｇ
ａ、Ｉｙａ、Ｔｌの酸化物、１族〕Ｓｉ、Ｇｔ、Ｓ＃、
ｐｈ ｔｙ）酸イを物、Ｖ＃族のＰ、Ａｘ、ｓｂ、Ｅｉ
ｏｍ化物、Ｖｈ族ｔＱ５ｔ、Ｔａｇ）酸化等を挙げる
ことができる。
ｌ化物、’！ｈ族のＣ＃、Δｙ、Ａｍの酸化物、■に族
のＺ＃、Ｃｄ、Ｈｆの酸化物、厘−族ＯＢ％Ａ１． Ｇ
ａ、Ｉｙａ、Ｔｌの酸化物、１族〕Ｓｉ、Ｇｔ、Ｓ＃、
ｐｈ ｔｙ）酸イを物、Ｖ＃族のＰ、Ａｘ、ｓｂ、Ｅｉ
ｏｍ化物、Ｖｈ族ｔＱ５ｔ、Ｔａｇ）酸化等を挙げる
ことができる。
本発明の’２’５をマトリックスとする非晶質酸化物の
溶液は、例えば、次のような方法で調整することができ
る。
溶液は、例えば、次のような方法で調整することができ
る。
リ Ｖ、０５をマトリックスとする非晶質物質を形成さ
せ、これを溶媒に溶解を九は分散させる方法。この場合
、非晶質物質の製法は、公知の方法でよく、例えば原料
酸化物を加熱溶融せしめ、高速回転ロールｄＩＪｔたは
冷却板上に吹き出して急冷する方法、原料鹸化物を加熱
溶融せしめ、高圧ガスにてアトマイス化せしめて急冷す
る方法、ＰＶＤまたはＣＶＤ法にょシ原料を蒸発、イオ
ン化を九は気相反応せしめて基板上に堆積させる方法等
を挙げることができる・ リ 原料酸化物を加熱溶解せしめ、溶媒中に流し込み、
急冷と同時に溶解させる方法。
せ、これを溶媒に溶解を九は分散させる方法。この場合
、非晶質物質の製法は、公知の方法でよく、例えば原料
酸化物を加熱溶融せしめ、高速回転ロールｄＩＪｔたは
冷却板上に吹き出して急冷する方法、原料鹸化物を加熱
溶融せしめ、高圧ガスにてアトマイス化せしめて急冷す
る方法、ＰＶＤまたはＣＶＤ法にょシ原料を蒸発、イオ
ン化を九は気相反応せしめて基板上に堆積させる方法等
を挙げることができる・ リ 原料酸化物を加熱溶解せしめ、溶媒中に流し込み、
急冷と同時に溶解させる方法。
ｌ） バナジウム及び他の添加物のアルコラードから溶
液を調整する方法、バナジン酸塩よシ溶液を調整する方
法０ ζＯようにして得られるｒ、ｏ５をマトリックスとする
酸化物の溶液は、水溶液、水と水に可溶な有機溶媒及び
／又紘有機高分子物との混合物の溶液、水と水に分散可
能な有機溶媒及び／又は有機高分子物との分散液等とし
て調整され、水溶液、リル溶液またはゲル溶液として使
用される。
液を調整する方法、バナジン酸塩よシ溶液を調整する方
法０ ζＯようにして得られるｒ、ｏ５をマトリックスとする
酸化物の溶液は、水溶液、水と水に可溶な有機溶媒及び
／又紘有機高分子物との混合物の溶液、水と水に分散可
能な有機溶媒及び／又は有機高分子物との分散液等とし
て調整され、水溶液、リル溶液またはゲル溶液として使
用される。
これらの溶液の濃度は、ｏ、ｏｏｔ〜２０重員バーｔン
ト程度の濃度に調整することができるが、好まし１使用
濃度は、０．０１〜５重量パーセント程度である。０．
０１重量≦未満では、濃度がうすすぎ、５重量襲を超え
ると溶液粘度が高く、なり、不導体への均一なコーテイ
シタまたは含浸が困難となるので好ましくない。
ト程度の濃度に調整することができるが、好まし１使用
濃度は、０．０１〜５重量パーセント程度である。０．
０１重量≦未満では、濃度がうすすぎ、５重量襲を超え
ると溶液粘度が高く、なり、不導体への均一なコーテイ
シタまたは含浸が困難となるので好ましくない。
これらの溶液には酸化物の溶媒中での安定性を得る目的
で安定化剤、−Ｈ調整剤、乳化剤等を添加しても良い。
で安定化剤、−Ｈ調整剤、乳化剤等を添加しても良い。
上記した方法によシ調整したＶ２Ｏ５をマトリックスと
する非晶質酸化物の溶液を不導体物質に塗布または含浸
させた後乾燥することによシ、該不導体物質に導電性を
付与させることができる０塗布方法及び含浸方法は特に
制限はなく通常の方法でよく、例えばスプレー法、コー
ター法、へヶ塗υ法、スピンナー法、浸漬法、ひき上げ
法、減圧含浸法、減圧加圧含浸法などくより処理するこ
とができる。
する非晶質酸化物の溶液を不導体物質に塗布または含浸
させた後乾燥することによシ、該不導体物質に導電性を
付与させることができる０塗布方法及び含浸方法は特に
制限はなく通常の方法でよく、例えばスプレー法、コー
ター法、へヶ塗υ法、スピンナー法、浸漬法、ひき上げ
法、減圧含浸法、減圧加圧含浸法などくより処理するこ
とができる。
不導体物質上に塗布又は含浸された溶液は、通常室温〜
４００℃程度までの範囲の温度、具体的には、溶解また
は分散している酸化物のカラス転移点以下の温度で熱処
理される・熱処理工程で、含有している水分を減少させ
または除去することにより、分子構造が安定化し、平滑
で均一な薄膜たものである。熱外３１１１Ｎ！度がガラ
ス転移点を超えると薄膜が結晶化し、電気伝導度が低下
する、ためにガラス転移点以下の温度で熱処理をするこ
とが必要である・熱処理の時間は、熱処理温度、湿度１
鴬などによって決ｔシ、通常は、＊０分〜６０できるが
、常温近くの温度で乾燥させる場合には、更に長時間を
要する場合もある。
４００℃程度までの範囲の温度、具体的には、溶解また
は分散している酸化物のカラス転移点以下の温度で熱処
理される・熱処理工程で、含有している水分を減少させ
または除去することにより、分子構造が安定化し、平滑
で均一な薄膜たものである。熱外３１１１Ｎ！度がガラ
ス転移点を超えると薄膜が結晶化し、電気伝導度が低下
する、ためにガラス転移点以下の温度で熱処理をするこ
とが必要である・熱処理の時間は、熱処理温度、湿度１
鴬などによって決ｔシ、通常は、＊０分〜６０できるが
、常温近くの温度で乾燥させる場合には、更に長時間を
要する場合もある。
得られる薄膜の膜厚は、使用する溶液の濃度や塗布方法
などによシ異なるが、（ｊ、０５＃ｍ〜数ｎ程度の範囲
で容易に調整できるので、目的に応じた膜厚とすればよ
い。また、よシ厚い膜厚を必要とする場合には、この薄
膜上に再度塗布することもできる。また、非晶質酸化物
の溶液を含浸させた場合には、微縞な空隙やマクロな穴
などに充填または内部コートされたものが得られる。
などによシ異なるが、（ｊ、０５＃ｍ〜数ｎ程度の範囲
で容易に調整できるので、目的に応じた膜厚とすればよ
い。また、よシ厚い膜厚を必要とする場合には、この薄
膜上に再度塗布することもできる。また、非晶質酸化物
の溶液を含浸させた場合には、微縞な空隙やマクロな穴
などに充填または内部コートされたものが得られる。
得られた薄膜は熱処理温度によって非晶質構造または層
状構造を有し、その電気伝導度は、１〜１０−”（Ω−
１・１−Ｌ）という高い値を示す。これに対して、ガラ
ス転移点以上の温度で熱処理することによりて結晶化し
丸薄膜は、電気伝導度が１〜３ケタ低下する・また、こ
の本発明によ〉得られる薄膜の電気伝導度は、単結晶Ｖ
、０５の電気伝導度の１０〜１０００倍、スバッ・り法
で得られるＶ２Ｏ５薄膜の電気伝導度の１０〜１０００
０倍、蒸着法で得られるｒ、ｏ５薄膜の電気伝導度の１
００００〜１０００００倍でＴｏシ、更に本発明で塗布
溶液を作製するために使用し丸液体急冷法カｂ １１
Ｃ） ｈ ル（’２’５ ）１−ｚ ・（””す、 ｏ
ｌＨＩｌｆ）電気伝導度の１００〜１ｏｏｏｏｏｏ倍と
いう高い値である。
状構造を有し、その電気伝導度は、１〜１０−”（Ω−
１・１−Ｌ）という高い値を示す。これに対して、ガラ
ス転移点以上の温度で熱処理することによりて結晶化し
丸薄膜は、電気伝導度が１〜３ケタ低下する・また、こ
の本発明によ〉得られる薄膜の電気伝導度は、単結晶Ｖ
、０５の電気伝導度の１０〜１０００倍、スバッ・り法
で得られるＶ２Ｏ５薄膜の電気伝導度の１０〜１０００
０倍、蒸着法で得られるｒ、ｏ５薄膜の電気伝導度の１
００００〜１０００００倍でＴｏシ、更に本発明で塗布
溶液を作製するために使用し丸液体急冷法カｂ １１
Ｃ） ｈ ル（’２’５ ）１−ｚ ・（””す、 ｏ
ｌＨＩｌｆ）電気伝導度の１００〜１ｏｏｏｏｏｏ倍と
いう高い値である。
また、この薄膜状４００〜２０００１１１１１の波長の
光の透過率が５０〜９０襲と高いので、太陽電池、光ｔ
ンサー、光−電気デバイス等の透明電導膜として利用す
ることもできる。
光の透過率が５０〜９０襲と高いので、太陽電池、光ｔ
ンサー、光−電気デバイス等の透明電導膜として利用す
ることもできる。
本発明により導電性を付与できる不導体物質としては特
に制限はなく、轟無木導番も外８＆％ａ４１１１へ成馬
１１へ通常不導体または絶縁体として知られているゴム
・類、プラスチック類、ｔ５ニック類、紙類−木材類、
ガラス類、桶業物等に適用でき、更にこれらの成形品、
織物、抄造物、加工品等にも処理できる。また、その形
状も限定されず、例えば板状、シート状、棒状、球状、
繊維状等の各種の形状のものに適用できる。
に制限はなく、轟無木導番も外８＆％ａ４１１１へ成馬
１１へ通常不導体または絶縁体として知られているゴム
・類、プラスチック類、ｔ５ニック類、紙類−木材類、
ガラス類、桶業物等に適用でき、更にこれらの成形品、
織物、抄造物、加工品等にも処理できる。また、その形
状も限定されず、例えば板状、シート状、棒状、球状、
繊維状等の各種の形状のものに適用できる。
本発明導電性材料は、これを最終製品とする場合に限ら
れず、中間物として他の不導体物質と混合積層、ラミネ
ートするなどして、複合化した製品とすることもできる
。この複合化した製品の電気伝導度は、混合や積層の状
態によって変わるが、通常型０〜ｌＯ（Ω・１） 程度
となシ、塗布量等を変えるなどしてこの範囲内で任意の
電気伝導度に調整できる。
れず、中間物として他の不導体物質と混合積層、ラミネ
ートするなどして、複合化した製品とすることもできる
。この複合化した製品の電気伝導度は、混合や積層の状
態によって変わるが、通常型０〜ｌＯ（Ω・１） 程度
となシ、塗布量等を変えるなどしてこの範囲内で任意の
電気伝導度に調整できる。
本発明によれば、不導体の種類、形状を問わず導電性を
付与することができ、またその電気伝導度の調節も容易
である。本発明方法は、非常に容易な方法であり、処理
費用は非常に安価であるｅ本発明によれば、従来困難で
あった不導体からなる大型製品や複雑な形状の製品の導
電化が可能になり、幅広い用途に使用し得るものとなる
。また本発明により、光の透過率が高ぐ、かつ電気伝導
度の高い薄膜が得ら゛れ、太陽電池、光ｔンサー、光゛
−電気デバイスなどの透明電導膜などとしての利用゛も
できる。
付与することができ、またその電気伝導度の調節も容易
である。本発明方法は、非常に容易な方法であり、処理
費用は非常に安価であるｅ本発明によれば、従来困難で
あった不導体からなる大型製品や複雑な形状の製品の導
電化が可能になり、幅広い用途に使用し得るものとなる
。また本発明により、光の透過率が高ぐ、かつ電気伝導
度の高い薄膜が得ら゛れ、太陽電池、光ｔンサー、光゛
−電気デバイスなどの透明電導膜などとしての利用゛も
できる。
次に実施例を示して本発明を更に詳細に説明するＯ
実施例１〜１９
Ｖ２Ｏ３（純度９９Ｌ９％）をマトリックスとして設定
組成に調整後、高速回転０−ル超急冷法により、アモル
ファス薄帯材料を得た。゛その組成及び製造条件を第１
表に示す。
組成に調整後、高速回転０−ル超急冷法により、アモル
ファス薄帯材料を得た。゛その組成及び製造条件を第１
表に示す。
このアモルファス材料を室温下で水に溶解させ、９．５
ｗｌ≦濃度とし、ガラス板上に塗布し、各条件で熱処理
した。走査電子顕微鏡によシ膜厚測定をした結果及びＸ
＆１回折により膜構造を解析した結果を第２表に示す。
ｗｌ≦濃度とし、ガラス板上に塗布し、各条件で熱処理
した。走査電子顕微鏡によシ膜厚測定をした結果及びＸ
＆１回折により膜構造を解析した結果を第２表に示す。
第 １ 表
第 ２ 表
実施例２０ “ ・・ １゛ ・Ｊ ＩＩ
′−・・実施例３のアモルファス薄帯材料のＯ・、 ｌ
ｖａｔ％水溶液をｇｍし、絶縁素材であるＮ−ＢＫＰ
クラフト紙（１１０ｆ／扉）に塗布含浸させた。含浸量
は、クラフト紙１１０ｆに対して２２０ｆとし、１２０
℃で２０分間乾燥後、２００ ’Ｃで３０秒間熱処理し
て、ｌｄ当り、０．２２ｆの酸化物を付着させ九〇未処
理のクラフト紙の電気伝導度は６．７Ｘ １０−’ （
Ω・３）−１であるのに対して、処理後の電気伝導度は
１．５（Ω・画）−１であった。
′−・・実施例３のアモルファス薄帯材料のＯ・、 ｌ
ｖａｔ％水溶液をｇｍし、絶縁素材であるＮ−ＢＫＰ
クラフト紙（１１０ｆ／扉）に塗布含浸させた。含浸量
は、クラフト紙１１０ｆに対して２２０ｆとし、１２０
℃で２０分間乾燥後、２００ ’Ｃで３０秒間熱処理し
て、ｌｄ当り、０．２２ｆの酸化物を付着させ九〇未処
理のクラフト紙の電気伝導度は６．７Ｘ １０−’ （
Ω・３）−１であるのに対して、処理後の電気伝導度は
１．５（Ω・画）−１であった。
実施例２１
実施例１１のアモルファス薄帯材料のＱ、 ｌ ｍｌ≦
水溶液１０００ｓｌ調整し、絶縁材料であるチタ：Ｊ酸
カリ繊維（直径０．３ｐｍ、長さ５〜ｔｏａｍ）をその
溶液の中にｆｊ！漬した後、０過分離し、３００”Ｃで
１時間熱処理をした。これを熱可■性ボリアｔタール樹
脂中に２Ｑｗｔ％添加し、押し出し成形により厚さ３Ｍ
巾１５ｆｆ長さ１５０調のテスト試片を得た。未処理の
ボリア上タール樹脂の電気伝導度は７．５ ｘ ｌ Ｏ
”（Ω・ｃｌＩ）−１テ＆ルノに対して、得られたテス
ト試片の電気伝導度は４．５Ｘ １０”” （Ω・Ｏ’
ｌ ） −” テｈ ’：） ｆｃ。
水溶液１０００ｓｌ調整し、絶縁材料であるチタ：Ｊ酸
カリ繊維（直径０．３ｐｍ、長さ５〜ｔｏａｍ）をその
溶液の中にｆｊ！漬した後、０過分離し、３００”Ｃで
１時間熱処理をした。これを熱可■性ボリアｔタール樹
脂中に２Ｑｗｔ％添加し、押し出し成形により厚さ３Ｍ
巾１５ｆｆ長さ１５０調のテスト試片を得た。未処理の
ボリア上タール樹脂の電気伝導度は７．５ ｘ ｌ Ｏ
”（Ω・ｃｌＩ）−１テ＆ルノに対して、得られたテス
ト試片の電気伝導度は４．５Ｘ １０”” （Ω・Ｏ’
ｌ ） −” テｈ ’：） ｆｃ。
測定例１
実施例１．２．３．１！、１２及び＋９の溶液をガラス
基板に塗布し、熱処理温度を室温から５００℃の間で変
化させて薄膜を得た。得られた薄膜の電気伝導度を２端
子法により測定した。
基板に塗布し、熱処理温度を室温から５００℃の間で変
化させて薄膜を得た。得られた薄膜の電気伝導度を２端
子法により測定した。
試料膜厚は、２．５〜５．０μｍでちゃ、電極間距離３
．９１１１で、電圧は直流１０３’とし電気雰囲気中で
２１〜２３℃の温度で測定した。電極としては、Ａｉｒ
の蒸着（よシ得た薄膜電極を用いた。結果を第１図に
示す。
．９１１１で、電圧は直流１０３’とし電気雰囲気中で
２１〜２３℃の温度で測定した。電極としては、Ａｉｒ
の蒸着（よシ得た薄膜電極を用いた。結果を第１図に
示す。
ま九比較として超急冷法によシ得た実施例１．２．３、
ＩＩ、１２及び１９のアモルファス薄帯の電気伝導度を
第１図に０ 印でまた単結晶Ｖ２Ｏ５の電気伝導度はＢ
印で示す。図中σ１１１とあるのは、単結晶Ｖ２Ｏ５の
ｄ軸方向の電気伝導度である。
ＩＩ、１２及び１９のアモルファス薄帯の電気伝導度を
第１図に０ 印でまた単結晶Ｖ２Ｏ５の電気伝導度はＢ
印で示す。図中σ１１１とあるのは、単結晶Ｖ２Ｏ５の
ｄ軸方向の電気伝導度である。
更に、ＣＶＤ法、Ｒｆスパッタ法、蒸着法によシ得られ
るＶ２Ｏ，薄膜の電気伝導度及びＶ２Ｏ５−Ｐ２Ｏ５カ
ラスの電気伝導度の室温での値も第１図に示す。
るＶ２Ｏ，薄膜の電気伝導度及びＶ２Ｏ５−Ｐ２Ｏ５カ
ラスの電気伝導度の室温での値も第１図に示す。
参考例璽
実施例ＩＩの溶液をガラス基板に塗布し、乾燥して得た
薄膜について、熱処理温度が興なる場合のＸ！１回折図
を第２図に示す。カラス転移点より低い温度である２０
０℃で熱処理し九場合には、アｔルファス構造であ）、
力５ス転移点である３２５℃で熱処理した場合には層状
構造となシ、結晶化温度よ）高温である４５０℃で熱処
理した場合には結晶構造となっていることが明らかでわ
るＯ
薄膜について、熱処理温度が興なる場合のＸ！１回折図
を第２図に示す。カラス転移点より低い温度である２０
０℃で熱処理し九場合には、アｔルファス構造であ）、
力５ス転移点である３２５℃で熱処理した場合には層状
構造となシ、結晶化温度よ）高温である４５０℃で熱処
理した場合には結晶構造となっていることが明らかでわ
るＯ
第１図は、測定例１で求めた熱処理温度と電気伝導度と
の関係を表わすグラフである。第２図は、参考例１のｘ
Ｊ１回折図である。 （以 上） 手続補正書（鮭） 昭和６０年７月３０日 昭和５９年 特 許 願第２２９９３９ 号２° 発
明０名称 導電性組成物及びその複合成形体３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 新技術開発事業団 （はか５名） ４、代理人 大阪市東区平野町２の１０沢の鶴ビル電話０６−２０３
−０９４１（代）自発 ６、補正により増加する発明の数 なし 補 正 の 内 容 １ 特許請求の範囲の項の記載を別紙の通シ訂正する。 ２ 明ＭＩ爵第３頁第１６〜１８行「Ｖ２Ｏ５をマトリ
ックスとする・・・・・・・・・導電性材料、」とある
のを［不導体物質基材とＶ２Ｏ５をマトリックスとする
非晶質構造または層状構造を有する酸化物とからなる導
電性材料、」と訂正する。 ３ 明細ｔＩｔ第８頁第１７〜１８行［その電気伝導度
は、・・・・・高い値を示す。」とあるのを「その電気
伝導度は、処理条件によシ１−１０（Ω・α） とい
う高い値とすることができる。」と訂正する。 ４ 明細＊第璽８頁第７行「電気算囲気中」とあるのを
「大気雰囲気中」と訂正する。 ５ 明細口筒１９頁第９〜１０行「明らかである。」と
あるのを下記の通シ訂正する。 「明らかでちる。 実施例２２〜２６ Ｖ２Ｏ，（純度９９．９％）３℃ルと第３表に示す酸化
物１℃ルとを均一に混合し、成品に４ｆｌ（ｊ） ｘ
０．２ ｔｇ （Ｗ）のスリット状に穴を開けた白金製
チューブ中に充填した後、高周波加熱炉で１＋００°ａ
ｔで加熱し、試料を融液化させた。 次いで、この融液を２５℃の水中へ０．５１９／ｄ・Ｇ
の圧縮空気により吹き出した。融液試料は、水中にて塊
状物となり、これを攪拌し、分散溶屏させた後不溶解物
を濾過分離し、褐色のｐ液をフｊラス基板へ塗布し、２
００°Ｃで１時間熱処理して導電性皮膜を形成させた。 この皮膜表面に金蒸着によシ、電極間距離３．９絹で面
積１１．９−の電極を設け、直流電圧１０Ｆを印加して
、２５°Ｃで電気伝導度を測定した。測定には、横河ヒ
ｌ−レットバツカード社１４４１４（ｌ ＰＡメーター
を使用した。結果を第３表に示す。 第３表 笑顔例２７ 実施例３のアモルファス薄帯材料の０．５ωＩ％水ｌｉ
表（酢酸で、１’Ｈ３〜ｌとする）１０００禽ｌをｉｊ
４製し、１− Ｆ１２０３ｂｍ性扮体（長さ１〜３μｍ
、径０．５〜Ｉμｍ）ｌｋｔｉをこの溶液中に浸漬した
後、Ｖ過分陽し、＋００°Ｃで１詩間熱処理を行なった
。次いで、フェノール樹脂、植化じニル共重合体及びア
クリル樹脂を５：３：１（重量比）で混合し、更に分散
剤としてレシチンを１ωＩ％添加した混合バイジター中
に、上記処理を行なったＦｚ２０３粉体を５０ν＃１％
となるように添加し、混合して塗工剤とした。 この塗工剤を４本リバースロールコータ−にて、６Ｑｍ
／ｍｉｙ＊の速度でポリエステルデーづ表面上にコーテ
イングし、乾燥硬化させて、厚さ５＃＃ｌＯ磁性層を形
成させた。この磁気テープの電気伝導度唸３．７ Ｘ
Ｉ Ｏ”−’ （Ω・α）″１でちった。これに対して
上記処理を行なってないｙ −ｐｇ２ｏ３ｍ粉体を使用
し、上記方法と同様にして磁性層を形成させた場合には
、電気伝導度は、２Ｘ１０ （Ω・ａＭ） であっ
た。 実施例２８ 実施例１２のアモルファス薄帯材料（−−０，２０）を
用いて、２．０ｔＩＩＩ≦水溶故を調製し、この水溶液
１００ノに、スチレシーブタジエンｊムラテックスエマ
ルジョン（固形分５０％）１００Ｆを添加してエマルジ
ョン溶液とした・このエマルジョン溶液をポリカーボネ
ート樹脂板上に塗布し、７０℃で乾燥してｓ ２５ ｕ
＝の塗膜とした。この塗膜の電気伝導度は３．２×１０
（Ω・１） であった。これに対して、スチレシーブ
タジェンｊムラテックスエマルジョンのみから形成させ
た塗膜の１に気侭導度は、５ＸＩＯ（Ω・傷） であ
った。」 （以 上） 特許請求の軛凹 からなる導電性材料。 ■ ｒ２０５゜をマトリックスとする非晶ｊ！１ｆｆｉ
化物の溶液を不導体物質に塗布または含浸させた後、乾
燥させることを特徴とする導電性材料の製造法Ｏ
の関係を表わすグラフである。第２図は、参考例１のｘ
Ｊ１回折図である。 （以 上） 手続補正書（鮭） 昭和６０年７月３０日 昭和５９年 特 許 願第２２９９３９ 号２° 発
明０名称 導電性組成物及びその複合成形体３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 新技術開発事業団 （はか５名） ４、代理人 大阪市東区平野町２の１０沢の鶴ビル電話０６−２０３
−０９４１（代）自発 ６、補正により増加する発明の数 なし 補 正 の 内 容 １ 特許請求の範囲の項の記載を別紙の通シ訂正する。 ２ 明ＭＩ爵第３頁第１６〜１８行「Ｖ２Ｏ５をマトリ
ックスとする・・・・・・・・・導電性材料、」とある
のを［不導体物質基材とＶ２Ｏ５をマトリックスとする
非晶質構造または層状構造を有する酸化物とからなる導
電性材料、」と訂正する。 ３ 明細ｔＩｔ第８頁第１７〜１８行［その電気伝導度
は、・・・・・高い値を示す。」とあるのを「その電気
伝導度は、処理条件によシ１−１０（Ω・α） とい
う高い値とすることができる。」と訂正する。 ４ 明細＊第璽８頁第７行「電気算囲気中」とあるのを
「大気雰囲気中」と訂正する。 ５ 明細口筒１９頁第９〜１０行「明らかである。」と
あるのを下記の通シ訂正する。 「明らかでちる。 実施例２２〜２６ Ｖ２Ｏ，（純度９９．９％）３℃ルと第３表に示す酸化
物１℃ルとを均一に混合し、成品に４ｆｌ（ｊ） ｘ
０．２ ｔｇ （Ｗ）のスリット状に穴を開けた白金製
チューブ中に充填した後、高周波加熱炉で１＋００°ａ
ｔで加熱し、試料を融液化させた。 次いで、この融液を２５℃の水中へ０．５１９／ｄ・Ｇ
の圧縮空気により吹き出した。融液試料は、水中にて塊
状物となり、これを攪拌し、分散溶屏させた後不溶解物
を濾過分離し、褐色のｐ液をフｊラス基板へ塗布し、２
００°Ｃで１時間熱処理して導電性皮膜を形成させた。 この皮膜表面に金蒸着によシ、電極間距離３．９絹で面
積１１．９−の電極を設け、直流電圧１０Ｆを印加して
、２５°Ｃで電気伝導度を測定した。測定には、横河ヒ
ｌ−レットバツカード社１４４１４（ｌ ＰＡメーター
を使用した。結果を第３表に示す。 第３表 笑顔例２７ 実施例３のアモルファス薄帯材料の０．５ωＩ％水ｌｉ
表（酢酸で、１’Ｈ３〜ｌとする）１０００禽ｌをｉｊ
４製し、１− Ｆ１２０３ｂｍ性扮体（長さ１〜３μｍ
、径０．５〜Ｉμｍ）ｌｋｔｉをこの溶液中に浸漬した
後、Ｖ過分陽し、＋００°Ｃで１詩間熱処理を行なった
。次いで、フェノール樹脂、植化じニル共重合体及びア
クリル樹脂を５：３：１（重量比）で混合し、更に分散
剤としてレシチンを１ωＩ％添加した混合バイジター中
に、上記処理を行なったＦｚ２０３粉体を５０ν＃１％
となるように添加し、混合して塗工剤とした。 この塗工剤を４本リバースロールコータ−にて、６Ｑｍ
／ｍｉｙ＊の速度でポリエステルデーづ表面上にコーテ
イングし、乾燥硬化させて、厚さ５＃＃ｌＯ磁性層を形
成させた。この磁気テープの電気伝導度唸３．７ Ｘ
Ｉ Ｏ”−’ （Ω・α）″１でちった。これに対して
上記処理を行なってないｙ −ｐｇ２ｏ３ｍ粉体を使用
し、上記方法と同様にして磁性層を形成させた場合には
、電気伝導度は、２Ｘ１０ （Ω・ａＭ） であっ
た。 実施例２８ 実施例１２のアモルファス薄帯材料（−−０，２０）を
用いて、２．０ｔＩＩＩ≦水溶故を調製し、この水溶液
１００ノに、スチレシーブタジエンｊムラテックスエマ
ルジョン（固形分５０％）１００Ｆを添加してエマルジ
ョン溶液とした・このエマルジョン溶液をポリカーボネ
ート樹脂板上に塗布し、７０℃で乾燥してｓ ２５ ｕ
＝の塗膜とした。この塗膜の電気伝導度は３．２×１０
（Ω・１） であった。これに対して、スチレシーブ
タジェンｊムラテックスエマルジョンのみから形成させ
た塗膜の１に気侭導度は、５ＸＩＯ（Ω・傷） であ
った。」 （以 上） 特許請求の軛凹 からなる導電性材料。 ■ ｒ２０５゜をマトリックスとする非晶ｊ！１ｆｆｉ
化物の溶液を不導体物質に塗布または含浸させた後、乾
燥させることを特徴とする導電性材料の製造法Ｏ
Claims (2)
- （１）Ｖ＿２Ｏ＿５をマトリックスとする非晶質構造ま
たは層状構造を有する酸化物及び不導体物質からなる導
電性材料。 - （２）Ｖ＿２Ｏ＿５をマトリックスとする非晶質酸化物
の溶液を不導体物質に塗布または含浸させた後、乾燥さ
せることを特徴とする導電性材料の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22993984A JPS61106436A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 導電性材料及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22993984A JPS61106436A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 導電性材料及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106436A true JPS61106436A (ja) | 1986-05-24 |
| JPH022817B2 JPH022817B2 (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=16900086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22993984A Granted JPS61106436A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 導電性材料及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61106436A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013069668A1 (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-16 | 日立化成株式会社 | 電子部品、それに適用されるアルミニウム電極用導電性ペースト、及びアルミニウム電極用ガラス組成物 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181023A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Tamura Seisakusho Co Ltd | インバータ用トランス |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507419A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-25 | ||
| JPS5841722A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
| JPS59121121A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法 |
| JPS6124342A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | デ−タ伝送方式 |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP22993984A patent/JPS61106436A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507419A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-25 | ||
| JPS5841722A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-11 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化被膜形成組成物 |
| JPS59121121A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基材表面に酸化バナジウム膜を形成する方法 |
| JPS6124342A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | デ−タ伝送方式 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013069668A1 (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-16 | 日立化成株式会社 | 電子部品、それに適用されるアルミニウム電極用導電性ペースト、及びアルミニウム電極用ガラス組成物 |
| JP2013100201A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品、それに適用されるアルミニウム電極用導電性ペースト、及びアルミニウム電極用ガラス組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH022817B2 (ja) | 1990-01-19 |
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