JPS61243608A - 透明導電膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明け、酸化インジウム系の層と酸化スズ系の層とか
らなり、比抵抗が小さくて抵抗安定性、耐摩耗性、耐薬
品性に優れ、液晶上νしなどに好適な透明導電膜に関す
る。

−１−ａ−Ｉ 従来の技術及び問題点 従来、液晶セルなどにおける透明導電膜としては酸化イ
ンジウムからなる薄膜、あるいは酸化インジウム層中に
酸化スズを均一にドープしてなる薄膜が知られていた。

しかしながら、これらの透明導電膜は、（１）抵抗安定
性に劣ること、例えば空気との接触により表面抵抗が大
きく増大すること、（２）耐摩耗性に劣ること、例えば
液晶セＩしの組立時などに傷つきやすくこの傷が電極の
断線等の原因となることなどの重大な問題を有しており
、その解決が永らくの課題であった。

一方、透明導電膜が基板に付設された状態で適用される
液晶上？しに・問題を限定した場合、その基板としては
これまでガラス板あるいはポリエステｔレフィ？レムが
用いられていた。ボリエステツレフィＩレムは小型化、
軽量化全目的として提案されているものである。しかし
、そのポリエステ？レフィＩレムとしては縦及び横方向
に延伸されたものが用いられているため、光学的異方性
が強く、これに基づいて液晶上ｌしに干渉色が顕著に現
われ、セｌしの外観を著しく損うという問題があり、そ
の実用化を阻む大きな原因となっていた。

問題点を解決するための手段 本発明者らは、上記の液晶セ？しにおける問題も踏まえ
つつ、透明導電膜の該問題を解決するために鋭意研究’
ｔｆｌｔねた結果、酸化インジウム系の層と酸化スズ系
の層とからなる透明導電膜及び該基板として一軸延伸ボ
リエステ？レフィＩレムを用いることにより、それらの
目的を達成しうろことを見出し、本発明をなすに至った
。

本発明の透明導電膜は、酸化インジウム系の第１層と酸
化スズ系の第２層とからガるものである。

その第１層の酸化インジウム系のものとしては、例えば
スパッタリング方式、蒸着方式、イオンブレーティング
方式等の薄膜形成方式で作製された厚さが５０〜５００
人、好捷しくは８０〜４００Ａで、通常１〜４０重量％
の酸化スズがドープされたもの々どをあげることができ
る。

また、第２層の酸化スズ系のものとしては前記第１層の
場合と同様の薄膜形成方式などで作製した、例えば厚さ
がｌＯ〜５００Ａ、好塘しくは５０〜２００人の酸化ス
ズ単独のものあるいは酸化アンチモンを通常１〜４０重
量％ドープしたものなどをあげることができる。

本発明の透明導電膜は、例えば液晶セルなどに好ましく
適用しうる。

その際、透明導電膜は第１図のように基板に付設された
状態で適用される。すなわち、基板１に酸化インジウム
系の第１層２位び酸化スズ系の第２層３を設けた状態で
適用される。このように、酸化スズ系の４ｆ；２層を表
面側に設けることによりその特性が発揮されて、抵抗安
定性、耐摩耗性、耐液晶、耐酸、耐ア？レカリ等の耐薬
品性にすぐれたものとすることができる。

なお、液晶上Ｉしに適用する場合、前記透明導電膜にお
ける第４層及び第２層の合計厚さは５０〜６００Ａ、好
ましくは１００〜５００Ａ、その厚さ比（第１層／第２
１■）は要求されるセＩしの性能により適宜に変えうる
が通常２／１、好ましくは４層１程度とすることが適当
である。

捷た、前記基板としては一軸延伸ポリエステ？レフィＩ
レムないしシート、なかんずく延伸率が５チ以上、好ま
しくけ５０〜５ｏｏｓ、厚さが約１０〜５００　μｍの
ものなどが、形成される液晶セルの干渉色発生の防止性
、耐熱性、耐薬品性などの点で望ましく用いられる。よ
り具体的には、例えばポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンイソフタレート、ポリブチレンテレフタレー
トのような飽和ポリエステＩしからなるフィ？レムない
しシートラ−軸方向に延伸し、これ１１００〜２３０℃
の温度で５〜６０分間加熱してヒートセットしたものな
どを好適なものとしてあげることができる。

このように本発明の透明導電膜２，３を片面に有する一
軸延伸ポリエステ？レフィツレムないしシートからなる
基板１の２枚を、あいだにＴ、　Ｎ、型などの液晶４を
介在させて対向配置し、その液晶をポリエステ？し樹脂
系、エポキシ樹脂系等のシーｐし剤５で封入してなる液
晶上Ｉしく第１図）は、液晶組成物により化学的に変質
されることが実質的にないこと、基板の透湿防止性によ
り液晶組成物が湿分て汚染されることが防止されること
、セーレ全°体が可撓性を有すること、軽量かつ薄くで
きること、従って液晶表示装置を小型化できることなど
の利点を有している。

なお、第１図は液晶バネｔしの構成例を示したものであ
り、６は偏光フィｒレム、７け表面保護層である。ちな
みに、偏光フィ・レムとしては、例えばポリビニｔレア
ＩレコーＩし系フィＩレム、エチレン−酢酸ビニ・し共
重合体系ｙン化フィｔレム、セＩレロース系フィ？レム
のような親水性高分子フィ・レムにヨウ素又は二色性染
料を吸着配向せしめてなるもの、あるいはポリビニＩレ
アｔレコーνし系フィーレムを脱水処理してポリエンを
形成せしめて々るものなどを代表例としてあげることが
でき、その厚さは５〜５０μｍが一般的である。また、
表面保護層は偏光フィルムの支持、表面保護などの目的
で偏光フィーレムの少なくとも片面に通常設けられるも
のであり、これは一般に二酢酸セルロース、三酢酸七ｒ
レロースのような透明セ？レロース系フィ？レム、アク
リ−し系樹脂からなる透明フィシレム、ポリカーボネー
ト系の透（７）フィシレム、ポリエステｌし系の透明フ
ィシレム、ポリエーテｒレスｌレホン系の透明フイＩＬ
／ム、ポリスＩレホン系の透明フィシレム、ポリイミド
系の透明フィシレムなどからなっている。これらのフィ
ーレムからなる表面保護層を形成するに際しては、例え
ばあらかじめポリマをフィーレム化し、これを接着剤に
よる接着、融着、溶着などの接着手段で偏光フィＶレム
に塗設して加熱硬化処理、紫外線、電子線等による照射
硬化処理を施し、樹脂膜とする方式などによってもよい
。

一方、本発明の透明導電膜を付設した一軸延伸ポリエス
テ・レフイノレムからなる基板は、これと偏光板とを組
合せたものが実装作業性、切断工程の短縮性などにすぐ
れるなど作業工程上の有利性なども有している。

発明の効果 本発明の透明導電膜は、酸化インジウム系の第１層と酸
化スズ系の第２層とからなるので、比抵抗が小さくて抵
抗安定性、耐摩耗性、耐薬品性にすぐれている。

実施例 実施例１ 縦方向（長さ方向）のみに２００チ延伸したのち２００
℃で１０分同上−トセットしてなる透明ポリエチレンテ
レフタレートフィシレム（厚すｌｏ。

μｍ）の片面に、ＤＣ−プレーナマグネトロンスパッタ
リング方式で金属スズ全１０重量％含有する金属インジ
ウムからなるターゲットを用いて、３Ｘ１０　　Ｔｏｒ
ｒの混合ガス（０２／　Ａｒ　：２／８　ｖｏｌ）雰囲
気下８Ａ／秒の蒸着速度条件でスパッタリング蒸新処理
を施して、厚さ２５０人の酸化インジウムを主成分とす
る第１層を形成した。

次に、前記第１層の上面に、同様の方式、条件下金属ス
ス′をターゲットとして用いて厚さ５０Ａの酸化スズ単
独からなる第２層を形成した。

得られた基板における第１層及び第２層からなる薄膜電
極上しての透明導電膜の表面抵抗は４００Ω／口、波長
５５０ｎｍの光線の透過率（以下同様）け８２チであっ
た。

また、基板を暗室下の空気中に１０日間放置（以下同様
）した時点での該透明導電膜の表面抵抗は４８０Ω／口
　であった（表面抵抗増加率：２０チ）。

なお、得られた透明導電膜の表面抵抗の経時変化特性（
初期値／経時値：　Ｒｏ／Ｒｔ）　ｆ　ａ曲線として第
２図に表わす。

実施例２ 実施例１に準じて厚さ２００Ａの酸化インジウム系の第
１層と厚さ１００人の酸化スズ単独の第２層からなる透
り１導電膜を有する基板を得た。

得られた透明導電膜の表面抵抗は５００Ω／口、透過率
は７９％であり、１０日間放Ｉｄ後の表面抵抗は５４０
ｆｌ／口、そのＲＱＡ２４０は０．９２であった。

比較例 実施例１に準じて厚さ約３０ＯＡの酸化インジウム系の
層のみからなる透明導電膜を有する基板を得た。

その透明導電膜の表面抵抗は２５０Ω／口、透過率Ｉｒ
１８４％、１０［１聞放置後の表面抵抗は４１０Ω／口
、そのＲＯ，／１（２４ｏ　　け０．６１であった（表
向抵抗増加率＝６４係）。

なお、その透明導電膜の表面抵抗の経時変化特性（Ｒｏ
／１（ｔ　）　ｆ　ｂ曲線として第２図に示した。

第２図のグラフより本発明の透明導電膜が抵抗安定性に
すぐれることがわかる。

適用例 実施例１及び２で得た透明導電膜上にフォトレジスト（
東京応化社製、０ＰＦＲ−８００）をスピナで塗布し、
これを乾燥機中でプレキュア（８０℃×１０分間）シタ
のち、そのプレキュア膜ｆ　ハターン露光方式で現像し
、水洗後にＨＣｌ／Ｈ２０／ＨＮＯ３：　１／１１０．
０８（重量）からなるエツチング液を用いて２５秒間エ
ツチング処理してなる基板を得た。

次いで、該基板２枚をその透明導電膜側を対向せしめ、
あいだにＦＥＴＮ型液晶を介在させてこれをポリエステ
・し系シーＩし剤を用いて封入し、液晶セ！しを得た。

なお、該液晶を封入するに先立ち、基板の透明導電膜側
表面にポリエステＩし系樹脂のラビング処理膜からなる
配向膜を設けた。

次に、得られた液晶セ１しの両面に厚さ２５μｍのヨウ
素糸偏光フィＩレム及び厚さ１００μｍの透明な一軸延
伸ポリエチレンテレフタレートフィＩレム（実施例１と
同等物）をそれぞれポリエステ？し系接着剤を介して積
層し、第１図と同構造の液晶バネＰＬ／′ｊｆｒ：得た
。このものは、干渉色の現われないものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の透明導電膜を適用してなる液晶バネｌ
しの断面図、第２図Ｖｉ実施例１及び比較例における透
明導電膜の表面抵抗の経時変化を示すグラフである。 １：基板、２：酸化インジウム系の第１層、３：酸化ス
ズ系の第２層、６曲線：実施例１の透明導電膜の表面抵
抗の経時変化曲線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、酸化インジウム系の第１層と酸化スズ系の第２層と
   からなる透明導電膜。 ２、基板に付設されてなる特許請求の範囲第１項記載の
   透明導電膜。 ３、基板が一軸延伸ポリエステルフィルムないしシート
   である特許請求の範囲第２項記載の透明導電膜。 ４、一軸延伸ポリエステルフィルムないしシートの延伸
   率が５〜８００％である特許請求の範囲第３項記載の透
   明導電膜。