JP2012191189A5 - - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 4
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 3
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 aromatic amine compound Chemical class 0.000 claims 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 claims 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 claims 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (5)
- 第１の電極と、
前記第１の電極上の第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上の第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上の第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層上の透光性導電膜と、
前記透光性導電膜上の第２の電極と、を有し、
前記透光性導電膜は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。 - 第１の電極と、
前記第１の電極上の第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上の第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上の第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層上の透光性導電膜と、
前記透光性導電膜上の第２の電極と、を有し、
前記透光性導電膜は、有機化合物及び無機化合物を有し、
前記透光性導電膜の膜厚は、０ｎｍより厚く、６０ｎｍ以下であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１又は請求項２において、
前記無機化合物は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012034646A JP2012191189A (ja) | 2011-02-21 | 2012-02-21 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011034576 | 2011-02-21 | ||
| JP2011034576 | 2011-02-21 | ||
| JP2012034646A JP2012191189A (ja) | 2011-02-21 | 2012-02-21 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012191189A JP2012191189A (ja) | 2012-10-04 |
| JP2012191189A5 true JP2012191189A5 (ja) | 2015-03-05 |
Family
ID=46651742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012034646A Withdrawn JP2012191189A (ja) | 2011-02-21 | 2012-02-21 | 光電変換装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120211067A1 (ja) |
| JP (1) | JP2012191189A (ja) |
| KR (1) | KR20120095786A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9437758B2 (en) | 2011-02-21 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| JP2013058562A (ja) | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JP6108858B2 (ja) | 2012-02-17 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ｐ型半導体材料および半導体装置 |
| JP2016111279A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 国立大学法人東京農工大学 | 多接合太陽電池およびその製造方法 |
| JP2017062210A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 放射線画像撮影装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
| JP2704565B2 (ja) * | 1990-12-27 | 1998-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
| EP1320892A2 (en) * | 2000-07-06 | 2003-06-25 | BP Corporation North America Inc. | Partially transparent photovoltaic modules |
| US7189917B2 (en) * | 2003-03-26 | 2007-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Stacked photovoltaic device |
| AU2004222793B2 (en) * | 2003-10-27 | 2007-07-26 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Solar cell and process for producing solar cell |
| US7888167B2 (en) * | 2008-04-25 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
| US20100269896A1 (en) * | 2008-09-11 | 2010-10-28 | Applied Materials, Inc. | Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications |
| CN102165600B (zh) * | 2008-09-26 | 2013-09-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 光电转换器件及其制造方法 |
| US8228160B2 (en) * | 2008-11-14 | 2012-07-24 | Epcos Ag | Sensor element and process for assembling a sensor element |
| US8507310B2 (en) * | 2008-12-04 | 2013-08-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing thin-film photoelectric conversion device |
| JPWO2010113708A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2012-10-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
-
2012
- 2012-02-13 KR KR1020120014375A patent/KR20120095786A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-02-17 US US13/398,876 patent/US20120211067A1/en not_active Abandoned
- 2012-02-21 JP JP2012034646A patent/JP2012191189A/ja not_active Withdrawn
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