JP2013102204A5 - - Google Patents

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  1. 第１の電極層と、
    前記第１の電極層上の有機化合物を含む層と、
    前記有機化合物を含む層上の第２の電極層と、を有し、
    前記第２の電極層は、銀と、１ａｔｏｍｓ％以上１０ａｔｏｍｓ％以下のスズを含み、
    前記第１の電極層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層は、第１の可撓性基板上に位置することを特徴とする半導体装置。
  2. 第１の電極層と、
    前記第１の電極層上の有機化合物を含む層と、
    前記有機化合物を含む層上の第２の電極層と、を有し、
    前記第２の電極層は、銀と、１ａｔｏｍｓ％以上１０ａｔｏｍｓ％以下のスズを含み、
    前記合金層はスズと銀の合金層であり、
    前記第１の電極層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層は、第１の可撓性基板と第２の可撓性基板とに挟まれて位置することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記第１の電極層は、１ａｔｏｍｓ％以上１０ａｔｏｍｓ％以下のスズを含むことを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記第２の電極層は、銀とスズとの合金層を含むことを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記第１の電極層はトランジスタと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
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