JP2012191186A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 一対の電極間に、結晶性シリコン基板と、前記結晶性シリコン基板と接する領域を有する透光性半導体層と、を有し、
前記透光性半導体層は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１において、
前記結晶性シリコン基板の導電型はｎ型であり、
前記透光性半導体層の導電型はｐ型であることを特徴とする光電変換装置。 - 一対の電極間に、結晶性シリコン基板と、前記結晶性シリコン基板の一方の面と接する領域を有する第１の非晶質シリコン層と、前記第１の非晶質シリコン層と接する領域を有する透光性半導体層と、前記結晶性シリコン基板の他方の面と接する領域を有する第２の非晶質シリコン層と、前記第２の非晶質シリコン層と接する領域を有するシリコン半導体層と、を有し、
前記透光性半導体層は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。 - 一対の電極間に、結晶性シリコン基板と、前記結晶性シリコン基板の一方の面と接する領域を有する透光性半導体層と、前記結晶性シリコン基板の他方の面と接する領域を有する非晶質シリコン層と、前記非晶質シリコン層と接する領域を有するシリコン半導体層と、を有し、
前記透光性半導体層は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項３または４において、
前記結晶性シリコン基板及び前記シリコン半導体層の導電型はｎ型であり、
前記透光性半導体層の導電型はｐ型であり、
前記非晶質シリコン層はｉ型であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記透光性半導体層上に透光性導電膜を有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記無機化合物は、元素周期表の第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかを有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環化合物のいずれかを有することを特徴とする光電変換装置。
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