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Claims (10)
- 基板上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の第1の導電層と、
前記第1の絶縁層上の第2の導電層と、
前記第1の絶縁層上、前記第1の導電層上、及び前記第2の導電層上の第2の絶縁層と、
前記第1の導電層及び前記第2の絶縁層上の有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上及び前記第3の導電層上の第3の導電層と、を有し、
前記第1の絶縁層は無機絶縁物を有し、
前記基板上に、前記有機化合物を含む層と前記第3の導電層とが接する第1の領域を有し、
前記基板上に、前記第2の導電層と前記第3の導電層とが接する第2の領域を有し、
前記第2の領域は、前記第1の領域の外縁を囲むように配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の第1の導電層と、
前記第1の絶縁層上の第2の導電層と、
前記第1の絶縁層上、前記第1の導電層上、及び前記第2の導電層上の第2の絶縁層と、
前記第1の導電層及び前記第2の絶縁層上の有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上及び前記第3の導電層上の第3の導電層と、を有し、
前記第1の絶縁層は無機絶縁物を有し、
前記基板上に、前記有機化合物を含む層と前記第3の導電層とが接する第1の領域を有し、
前記基板上に、前記第2の導電層と前記第3の導電層とが接する第2の領域を複数有し、
前記複数の第2の領域は、前記第1の領域の外縁を囲むように配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の第1の導電層と、
前記第1の絶縁層上の第2の導電層と、
前記第1の絶縁層上、前記第1の導電層上、及び前記第2の導電層上の第2の絶縁層と、
前記第1の導電層及び前記第2の絶縁層上の有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上及び前記第3の導電層上の第3の導電層と、を有し、
前記第1の絶縁層は無機絶縁物を有し、
前記基板上に、前記有機化合物を含む層と前記第3の導電層とが接する第1の領域を有し、
前記基板上に、前記第2の導電層と前記第3の導電層とが接する第2の領域を複数有し、
前記複数の第2の領域は、前記第1の領域の外縁を囲むように配置されており、
前記複数の第2の領域のうち少なくとも一つは、概略L字状の形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記第2の導電層は、前記第1の導電層と同じ材料を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記第1の導電層、前記有機化合物を含む層、及び前記第3の導電層は、記憶素子、発光素子、光電変換素子、太陽電池、又はトランジスタを構成する一部であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記有機化合物を含む層は、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属酸化物、希土類金属酸化物、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、又は希土類金属窒化物を含む第1の層を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項6において、
前記有機化合物を含む層は発光層を有し、
前記発光層と前記第3の導電層との間に前記第1の層が配置されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6又は7において、
前記有機化合物を含む層は、周期表第4族乃至第12族のいずれかの遷移金属酸化物を含む第2の層を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項8において、
前記有機化合物を含む層は発光層を有し、
前記発光層と前記第1の導電層との間に前記第2の層が配置されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至9のいずれか一に記載の半導体装置を有する電子機器。
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