JP2012190042A5 - - Google Patents

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  1. 透光性を有する基板と、
    前記基板の上方に設けられた第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層の上方に設けられたトランジスタと、
    前記トランジスタを覆うように設けられた第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層の上方に設けられた第３の絶縁層と、
    前記第３の絶縁層の上方に設けられた導電膜と、
    前記第３の絶縁層に接する領域を有する第１の電極と、
    前記第１の電極の上方に設けられた隔壁層と、
    前記隔壁層、及び前記第１の電極の上方に設けられた発光層と、
    前記発光層の上方に設けられた第２の電極と、を有し、
    前記第２の絶縁層は、開口部を有し、
    前記開口部において、前記第２の絶縁層は傾斜が設けられた側壁を有し、
    前記開口部において、前記第３の絶縁層は前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
    前記導電膜は、前記トランジスタの半導体層と電気的に接続され、
    前記開口部において、前記導電膜は前記側壁及び前記第１の電極と重なる第１の領域を有し、
    前記第１の領域は、前記第１の電極と接しており、
    前記第１の電極は、透光性を有し、
    前記第１の絶縁層は、不純物の拡散を阻止する機能を有し、且つ、前記第１の電極よりも屈折率が小さく前記基板よりも屈折率が大きいことを特徴とする発光装置。
  2. 透光性を有する基板と、
    前記基板の上方に設けられた第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層の上方に設けられたトランジスタと、
    前記トランジスタを覆うように設けられた第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層の上方に設けられた第３の絶縁層と、
    前記第３の絶縁層の上方に設けられた導電膜と、
    前記第３の絶縁層に接する領域を有する第１の電極と、
    前記第１の電極の上方に設けられた隔壁層と、
    前記隔壁層、及び前記第１の電極の上方に設けられた発光層と、
    前記発光層の上方に設けられた第２の電極と、を有し、
    前記第２の絶縁層は、開口部を有し、
    前記開口部において、前記第２の絶縁層は傾斜が設けられた側壁を有し、
    前記開口部において、前記第３の絶縁層は前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
    前記導電膜は、前記トランジスタの半導体層と電気的に接続され、
    前記開口部において、前記導電膜は前記側壁及び前記第１の電極と重なる第１の領域を有し、
    前記第１の領域は、前記第１の電極と接しており、
    前記第１の電極は、透光性を有し、
    前記第１の絶縁層は、酸素、窒素、及び珪素を含むことを特徴とする発光装置。
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7495257B2 (en) * 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7315047B2 (en) * 2004-01-26 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7274044B2 (en) 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7687404B2 (en) * 2004-05-14 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US7476908B2 (en) * 2004-05-21 2009-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR101180863B1 (ko) * 2005-05-31 2012-10-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101238721B1 (ko) * 2006-01-07 2013-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 제조방법
KR101367140B1 (ko) * 2006-12-26 2014-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치와 그 제조방법
US7851804B2 (en) * 2007-05-17 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4871344B2 (ja) * 2008-11-25 2012-02-08 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
KR20110041256A (ko) * 2009-10-15 2011-04-21 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치 및 이를 광원으로 사용하는 표시 장치
CN102315354B (zh) * 2010-06-29 2013-11-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
US9368546B2 (en) 2012-02-15 2016-06-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Imaging structure with embedded light sources
US9779643B2 (en) 2012-02-15 2017-10-03 Microsoft Technology Licensing, Llc Imaging structure emitter configurations
US9726887B2 (en) * 2012-02-15 2017-08-08 Microsoft Technology Licensing, Llc Imaging structure color conversion
US9578318B2 (en) 2012-03-14 2017-02-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Imaging structure emitter calibration
US11068049B2 (en) 2012-03-23 2021-07-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Light guide display and field of view
US9558590B2 (en) 2012-03-28 2017-01-31 Microsoft Technology Licensing, Llc Augmented reality light guide display
US10191515B2 (en) 2012-03-28 2019-01-29 Microsoft Technology Licensing, Llc Mobile device light guide display
US9717981B2 (en) 2012-04-05 2017-08-01 Microsoft Technology Licensing, Llc Augmented reality and physical games
US8658444B2 (en) 2012-05-16 2014-02-25 International Business Machines Corporation Semiconductor active matrix on buried insulator
US10502876B2 (en) 2012-05-22 2019-12-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Waveguide optics focus elements
US8989535B2 (en) 2012-06-04 2015-03-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Multiple waveguide imaging structure
KR101972169B1 (ko) * 2012-10-05 2019-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US10192358B2 (en) 2012-12-20 2019-01-29 Microsoft Technology Licensing, Llc Auto-stereoscopic augmented reality display
TWI511303B (zh) * 2013-08-30 2015-12-01 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 液晶顯示器的陣列基板
TWI790965B (zh) 2014-05-30 2023-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
US10317677B2 (en) 2015-02-09 2019-06-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US10018844B2 (en) 2015-02-09 2018-07-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Wearable image display system
KR101669122B1 (ko) * 2015-02-26 2016-10-25 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
WO2016151820A1 (ja) 2015-03-25 2016-09-29 パイオニア株式会社 発光装置
CN107293650B (zh) * 2017-08-01 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置
KR102110742B1 (ko) 2018-04-06 2020-05-14 김병국 배관 연결 위치 결정이 용이한 배관 피팅장치
KR20200027600A (ko) * 2018-09-04 2020-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
CN109904210B (zh) * 2019-03-27 2021-08-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR102075787B1 (ko) * 2019-04-17 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN111769211B (zh) * 2020-07-01 2023-06-16 视涯科技股份有限公司 一种有机发光显示面板和显示装置
CN113363363B (zh) * 2021-06-02 2022-09-16 厦门三安光电有限公司 半导体发光二极管及其制备方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07211458A (ja) 1994-01-17 1995-08-11 Fuji Electric Co Ltd 薄膜発光素子
US5640067A (en) 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US5986729A (en) 1996-07-10 1999-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP4086925B2 (ja) * 1996-12-27 2008-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクスディスプレイ
JP3641342B2 (ja) 1997-03-07 2005-04-20 Ｔｄｋ株式会社 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置
JPH10289784A (ja) 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JP4796221B2 (ja) 1998-11-26 2011-10-19 三星電子株式会社 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP2001036087A (ja) * 1999-07-15 2001-02-09 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器
TWI226205B (en) 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
TW531901B (en) 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW502236B (en) 2000-06-06 2002-09-11 Semiconductor Energy Lab Display device
JP4090746B2 (ja) * 2001-01-29 2008-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
JP3608613B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
KR100495702B1 (ko) * 2001-04-13 2005-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4118602B2 (ja) * 2001-05-23 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US6734463B2 (en) 2001-05-23 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a window
JP2003114626A (ja) * 2001-06-18 2003-04-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
US7042024B2 (en) * 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
CN100380673C (zh) * 2001-11-09 2008-04-09 株式会社半导体能源研究所 发光设备及其制造方法
JP4101511B2 (ja) 2001-12-27 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
TWI270919B (en) * 2002-04-15 2007-01-11 Semiconductor Energy Lab Display device and method of fabricating the same
US7495257B2 (en) 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2005242339A (ja) * 2004-01-26 2005-09-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US7274044B2 (en) 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7315047B2 (en) 2004-01-26 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device

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