CN113363363B - 半导体发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体发光二极管，其包括半导体发光叠层，具有第一表面；透明导电层、第一绝缘层和金属反射层在第一表面上方依次层叠；还包括第一绝缘层，第一绝缘层在透明导电层上具有相对的上表面和下表面，所述第一绝缘层的上表面分为上表面一、上表面二以及连接上表面一和上表面二的斜上表面；所述的斜上表面相对于所述上表面一倾斜角大于等于120°；所述上表面一相对于上表面二具有高低差，使上表面一与下表面之间的第一绝缘层的厚度小于上表面二与下表面之间的第一绝缘层的厚度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体固体照明技术领域，尤其涉及一种半导体发光二极管及其制备方法。
背景技术
商业化的半导体发光二极管（LED）封装，一开始多采用金线将芯片的PN结与支架正负极连接的正装封装结构。然而，正装结构存在着光衰较大、光淬灭和散热等失效问题，制约其发展。为此，业内研究者们相继开发了垂直结构的半导体发光二极管和倒装的半导体发光二极管。
相较于正装的半导体发光二极管，垂直的半导体发光二极管结构能够提高散热效率。垂直的半导体发光二极管，两个电极分别在半导体发光二极管外延层的两侧，通过电极，使得电流几乎全部垂直流过半导体发光二极管外延层，横向流动的电流极少，可以避免局部高温。
相较于正装的半导体发光二极管，倒装的半导体发光二极管结构可以集成化和批量化生产，制备工艺简单，性能优良。倒装结构采用将半导体发光二极管的PN结直接与基板上的正负极共晶键合，不使用金线，最大限度避免光淬灭问题。共晶键合结构对散热问题有了很大的改善。
垂直发光二极管和倒装发光二极管都需要金属反射层在出光面相反的一侧，将一侧的光反射至另外一侧或者侧面出光出光。然而，无论是垂直封装的半导体发光二极管结构还是倒装的半导体发光二极管结构，均存在内部金属反射层易剥离（peeling）的问题，仍然有待改进。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种半导体发光二极管及其制备方法，改善半导体发光二极管内部金属反射层易剥离和覆盖不良的情况，电流扩展效率更好，亮度提升。
为解决上述问题，本发明提供了一种半导体发光二极管，包括：
半导体发光叠层，具有第一表面；
透明导电层、第一绝缘层和金属反射层在第一表面上方依次层叠，所述的半导体发光叠层的光能通过透明导电层、第一绝缘层到达金属反射层表面并被第一金属反射层反射回来；
其特征在于，第一绝缘层在透明导电层上具有相对的上表面和下表面，所述第一绝缘层的上表面分为上表面一、上表面二以及连接上表面一和上表面二的斜上表面；所述的斜上表面相对于所述上表面一倾斜角大于等于120°；所述上表面一相对于上表面二具有高低差，使上表面一与下表面之间的第一绝缘层的厚度小于上表面二与下表面之间的第一绝缘层的厚度。
优选的，所述的斜上表面相对于所述上表面一倾斜角大于等于150°。
优选的，所述的金属反射层上表面边缘具有朝上的V型翘角。
优选的，所述的金属反射层上边缘朝上的V型翘角的V型角度大于等于90°，更优选的为大于等于120°。
优选的，所述的金属反射层位于第一绝缘层的上表面一上，并且边缘位于第一绝缘层的斜上表面上。
优选的，所述金属反射层的厚度小于或者等于所述第一绝缘层在半导体发光叠层的第一表面上的最大厚度。
优选的，所述的金属反射层为多层，包括黏附层和黏附层上的金属反射层，黏附层与第一绝缘层接触。
优选的，所述金属反射层为银或者铝。
优选的，所述的反射性金属的厚度至少100nm。
优选的，所述的黏附层厚度为0.3~5nm。
优选的，所述的金属反射层包括金属反射层上的压应力层；所述的压应力层的厚度在20nm~300nm；所述的压应力层为TiW层。
优选的，所述的压应力层上还有一层第二黏附层。
优选的，所述的第二黏附层的厚度大于压应力层的厚度。
优选的，所述的金属反射层上还有阻挡层，所述的阻挡层阻挡金属反射层元素扩散。
优选的，所述的金属反射层接触所述的第一绝缘层上表面一以及斜上表面。
优选的，所述的金属反射层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积小于第一绝缘层在第一表面上的投影面积。
优选的，所述的金属反射层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积小于在透明导电层的第一表面上的投影面积。
优选的，所述的金属反射层上方还有第二绝缘层，所述的第二绝缘层上还有第一连接电极和第二连接电极。
优选的，所述第一绝缘层的上表面一与所述第一绝缘层的下表面之间具有贯穿孔，所述的金属反射层填充所述的第一绝缘层的贯穿孔与透明导电层接触。
优选的，所述的透明导电层还具有贯穿孔，所述的透明导电层的贯穿孔与第一绝缘层的所述的贯穿孔的位置错开。
优选的，半导体发光叠层具有第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，半导体发光叠层具有多个通过局部去除第一导电型半导体层和发光层暴露部分第二导电型半导体层形成的凹坑，所述第一绝缘层同时延伸至所述凹坑的侧壁。
优选的，所述的半导体发光二极管为倒装发光二极管或者垂直发光二极管。
本发明技术方案至少具有如下技术效果：
具有斜上表面的第一绝缘层围成了一个类似于非规则漏斗状的空间区域。金属反射层形成在这一空间区域时，金属反射层边缘均被第一绝缘层包围。金属反射层的边缘直接形成在第一绝缘层的斜上表面上，第一绝缘层的斜上表面大于等于120°，有利于这种金属反射层的边缘在绝缘层斜上表面的覆盖性，有利于后续金属、介质膜的沉积，否则会导致后续的膜层出现断裂的异常；
进一步的，通过具有压应力的阻挡层将斜上表面的金属反射层的边缘压制住，可进一步实现防止金属反射层的边缘翘角，避免后续金属、介质膜的不连续沉积。
附图说明
图1是本发明实施例提供的半导体发光二极管结构的俯视示意图。
图2是图1所示半导体发光二极管结构的虚线位置处的剖面示意图。
图3至图8为制备图1所示半导体发光二极管相应步骤对应的结构示意图。
100-衬底；110-第一导电型半导体层；120-量子阱层；130-第二导电型半导体层；透明导电层140；第一绝缘层150；上表面一1501；上表面二1052；斜上表面1503；光刻胶160；金属反射层170；第二绝缘层250；第一连接电极260；第二连接电极270；保护层280；第一焊盘电极290；第二焊盘电极300。
具体实施方式
现有的半导体发光二极管中，金属反射层末端容易出现卷起异常，导致剥离问题和覆盖不良等问题。为此，本发明提供一种新的半导体发光二极管及其制备方法，以解决相应的不足。
为更加清楚的表示，下面结合附图对本发明做详细的说明。
请参考图1~2，本发明实施例提供一种倒装发光二极管，包括位于衬底100上的半导体发光叠层（未标注），半导体发光叠层包括位于衬底100上的第一导电型半导体层110，位于第一导电型半导体层110上的发光层，发光层为量子阱层120，以及位于量子阱层120上的第二导电型半导体层130。
衬底100可以是蓝宝石（Al2O3）。其它实施例衬底100可以是硅（Si）、碳化硅（SiC）或者砷化镓（GaAs）等。半导体层可以是AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1；0≤y≤1)、或者AlaInbGa(1-a-b)P(0≤a≤1，0≤b≤1）的材料，并且可以提供例如380~700nm之间的单一峰值波长的辐射光，例如提供蓝光、绿光或者红光辐射。
本实施例的衬底可以是蓝宝石，蓝宝石衬底的上表面上可选的具有PSS图形，并且蓝宝石具有PSS图形的上表面堆叠有半导体层。蓝宝石的下表面未被金属反射层覆盖或者挡光层覆盖而允许光射出发光二极管。
第一导电型半导体层110可以是N型掺杂的氮化镓层（GaN）或砷化镓层。量子阱层120可以是包含铟（In）的窄禁带宽度氮化物膜（未示出）和宽禁带宽度的氮化物膜（未示出）。第二导电型半导体层130可以是P型掺杂的氮化镓层或砷化镓层。
半导体发光叠层具有第一表面，第一表面为第二导电型半导体层的表面。半导体发光叠层具有多个通过局部去除第二导电型半导体层和发光层暴露部分第一导电型半导体层形成的多个凹坑和或台面，所述第一绝缘层同时延伸至所述多个凹坑和或台面的侧壁。
半导体发光叠层第一表面上具有透明导电层140，形成在半导体发光叠层的第一表面，用于电流在第二导电型半导体层的表面的横向电流扩展。常见的透明导电层140为金属氧化物，例如氧化铟锡或者氧化铟或者氧化锌中的至少一种。可选的透明导电层140的厚度选择自10~150nm，更佳的是自30~120nm。
透明导电层140可以是氧化铟锡（ITO）、氧化锌（ZnO）或掺铝氧化锌（AZO）。
如图2，本实施例的半导体发光二极管还包括第一绝缘层150和金属反射层170，第一绝缘层150和金属反射层170在半导体发光叠层的第一表面上方依次层叠。具体的，第一绝缘层150和金属反射层170在透明导电层140的上方的透明导电层上依次层叠。
第一绝缘层150为氧化物层，折射率低于半导体发光叠层的材料的折射率，例如低于1.6的光学材料，例如氧化硅、氟化镁等。
所述的半导体发光叠层辐射的光能通过第一绝缘层150到达金属反射层170表面并被金属反射层170反射回来，因此第一绝缘层对发光层发出的光具有一定的透光性。更佳的，根据光反射原理，第一绝缘层150折射率低于半导体发光叠层的材料，能够允许部分发光层辐射的到达其表面的小角度光反射，部分大角度的光透射至金属反射层。因此，依靠第一绝缘层150与金属反射层组合对光的反射效果相对于金属反射层对光的反射效果更高。
所述的透明导电层几乎整面地形成在第一表面上以保证电流的横向扩散，例如，透明导电层的第一表面上的投影面积介于半导体发光叠层的第一表面的水平面积的90%~100%。
为了保证光反射率，所述的金属反射层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积介于半导体发光叠层的第一表面的水平面积的50%~100%。所述的金属反射层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积小于在透明导电层的第一表面上的投影面积。
现有的金属反射层的制作工艺通常是先形成正性光刻胶图形在平整的第一绝缘层上表面，以暴露待形成金属反射层的第一绝缘层上表面，再通过溅镀的工艺在待金属反射层的区域以及光刻胶上表面形成金属反射层，最后去除光刻胶以及在去除光刻胶的同时去除光刻胶上表面的金属反射层。由于正性光刻胶图形的特性，图形区域纵向剖面为倒梯形，去除光刻胶后，金属反射层边缘容易形成相对薄的部分，并且容易上翘，形成V型翘角，V型翘角具有很小的角度，通常小于90°，容易导致后续的膜层出现断裂的异常。
为了解决上述问题，本发明提出如下改进，在所述半导体发光叠层的第一表面上方，所述第一绝缘层150具有相对的上表面和下表面，所述第一绝缘层150的上表面分为上表面一1051、上表面二1502以及连接上表面一和上表面二的斜上表面1503。
第一绝缘层150的斜上表面和上表面一1051、上表面二1052均形成在透明导电层140上。
第一绝缘层150的所述上表面一1501相对于上表面二1502具有高低差，使第一绝缘层150的上表面一1501与下表面之间的厚度小于上表面二1502与下表面之间的厚度。
所述的金属反射层170形成在第一绝缘层150的上表面上。具体的，金属反射层形成在第一绝缘层150的上表面一1501上，并且金属反射层170的边缘位于斜上表面1053上。由此在半导体发光叠层的第一表面上，所述的金属反射层170的投影面积小于第一绝缘层下表面的投影面积。
并且，本发明尤其要强调的是，所述第一绝缘层的斜上表面的底部与所述的上表面一之间的角度为倾斜，倾斜角大于等于120°。通过控制金属反射层边缘形成在斜侧上表面上，以控制所述第一绝缘层的斜上表面与所述的上表面一之间的角度为倾斜，并且倾斜角满足至少120°的情况下，将有利于金属反射层的边缘的V型角度变大，上翘度降低。金属反射层的边缘V型翘角的角度越大，在斜上表面上越趋于平整，将有利于后续金属、介质膜在金属反射层的边缘上方的沉积。
较佳的，第一绝缘层的上表面二与所述第一绝缘层的下表面之间的厚度，优选可以为200nm~1200nm。
较佳的，第一绝缘层150的上表面一与下表面之间的厚度为上表面二与下表面之间的厚度的1/3~2/3。
较佳的，所述金属反射层的厚度为至少100nm，所述的金属反射层上表面边缘具有朝上的V型翘角，所述的金属反射层上边缘朝上的V型翘角的V型角度大于等于90°。通过控制V型角度大于等于90°，有利于后续金属、介质膜在金属反射层的边缘上方的沉积，否则会导致后续的膜层出现断裂的异常。更优选的，可通过控制绝缘层的倾斜角更大，例如大于等于150°，可以获得金属反射层上边缘朝上的V型翘角的V型角度大于等于120°。
为了保证反射性，金属反射层是包括至少金属反射层（图中未示出）如铝、银。
为了保证金属反射层与第一绝缘层150之间的黏附性，较佳的，在第一绝缘层150上所述的金属反射层170的底层设置一层黏附层（图中未示出），黏附层与第一绝缘层的上表面直接接触。优选的，黏附性金属为Ti，厚度约3~50A，过高的厚度将影响反射率。
较佳的，在金属反射层170的金属反射层上可形成压应力层（图中未示出），压应力层覆盖住金属反射层170的上表面并且超出金属反射层170的边缘，以将金属反射层170向上V型翘角的边缘压制住，可进一步避免更上层的金属或者绝缘层的破裂问题。
较佳的，压应力层为TiW层，TiW层为TiW合金层，所述压应力层厚度在20~300nm。为了增加金属与第一绝缘层的粘附性，压应力层上面还有一层第二黏附层。该第二黏附层与金属反射层底层的黏附层相同，例如Ti。所述第二黏附层位于压应力层上表面并且超过压应力层上表面边缘与第一绝缘层接触。第二黏附层的厚度比TiW层更厚，以保证黏附性，较佳的厚度为50~300nm。
在压应力层上形成保护层（图中未示出）。保护层可以是金属保护层，具体可以是由钛、铂、镍（Ni）或金（Au）中的一种或多种金属组成的单层或多层金属薄膜层。保护层可以阻挡金属反射层的成分(如银或者铝）受热或者通电扩散（如金属铝或银），并且保护层180可以进一步增强金属反射层170的反射作用。
如图2，本实施例中，在半导体发光叠层的上表面上，第一绝缘层150具有下表面与透明导电层140上表面接触。
另外，由于金属反射层的边缘覆盖在第一绝缘层的上方。因此可以分开制程工艺获得金属反射层与透明导电层，并且所述的金属反射层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积小于在透明导电层的第一表面上的投影面积。透明导电层的面积更大，增大透明导电层和P-GaN的欧姆接触面积，更有利于对电流的横向扩展作用，降低电压。
所述第一绝缘层150的上表面一1051与所述第一绝缘层150的下表面之间具有贯穿孔。
所述的金属反射层170填充至所述第一绝缘层150的贯穿孔中，从而使金属反射层170与与透明导电层140之间电性连接。本实施例中，贯穿孔的水平宽度优选可以为2μm~50μm，进一步更优选可以为3μm~12μm，例如可以为6μm或10μm或12μm。贯穿孔为多处，均匀宽度尺寸且等距的分散在第二导电型半导体层104的上表面。
需要说明的是，通常的，设置金属反射层170直接与透明导电层140接触的面积，小于第一绝缘层150直接与透明导电层140接触的面积。其中，透明导电层140与金属反射层170直接接触的面积占半导体发光叠层的第一表面的面积的0.3%~20%，优选为0.5%~5%。
较佳的，所述的透明导电层还具有贯穿孔，所述的透明导电层的贯穿孔与第一绝缘层的所述的贯穿孔的位置错开，透明导电层的贯穿孔有利于电流的扩散。
本发明至少具有如下技术效果：
通过金属反射层和第一绝缘层搭配设计可以有利于将半导体发光叠层的一表面侧的光更高反射率的反射。
具有斜上表面的第一绝缘层围成了一个类似于非规则漏斗状的空间区域。金属反射层形成在这一空间区域时，金属反射层边缘均被第一绝缘层包围。金属反射层的边缘直接形成在第一绝缘层的斜上表面上，第一绝缘层的斜上表面大于等于120°，有利于这种金属反射层的边缘在绝缘层斜上表面的覆盖性，边缘形成角度较大的V型角，将有利于后续金属、介质膜的沉积，否则会导致后续的膜层出现断裂的异常；
进一步的，通过具有压应力的阻挡层将斜上表面的金属反射层的边缘压制住，可进一步实现防止金属反射层的边缘翘角，避免后续金属、介质膜的不连续沉积。
下面将提供一个制作方法进行说明图1中的发光二极管的各层组成以及形成工艺。
（1）如图3所示，提供一衬底100上的第一导电型半导体层110，位于第一导电型半导体层110上的发光层，发光层为量子阱层120，以及位于量子阱层120上的第二导电型半导体层130。衬底100为蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成半导体发光叠层，半导体发光叠层包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层。蚀刻部分第二导电型半导体层、发光层形成半导体发光叠层的中间区域具有多个凹坑和或边缘区域具有台面以露出部分第一导电型半导体层的表面。第一导电型半导体层为N型半导体层、第二导电型半导体层为P型半导体层。
（2）如图4所示，在半导体发光叠层的第二导电型半导体层上形成ITO作为透明导电层140，且ITO面积覆盖在半导体发光叠层上的面积可以大于后续金属反射层的面积，这样可以增大第二导电型半导体层与ITO的接触面积，以降低电压。
（3）如图5所示，然后在半导体发光叠层上沉积一层厚的第一绝缘层150：SiO2介质膜。然后以BOE湿法或者ICP干法的方式形成多个贯穿孔，露出ITO层，贯穿孔孔径在2~10um，所有贯穿孔的总面积占比为半导体发光叠层的水平最大面积的0.3%~15%，以备后续金属反射层与ITO接触形成电接触以形成电流通道。第一绝缘膜覆盖半导体发光叠层的第二导电型半导体层的表面、ITO表面和半导体发光叠层的侧壁以及凹槽的侧壁或者台面的侧壁。
（4）如图6所示，半导体发光叠层的上方涂敷正性光刻胶160，蚀刻出特定的金属反射层图形，再BOE湿法腐蚀SiO2以减薄SiO2层，因湿法腐蚀具有各向同性特性，BOE在向下腐蚀减薄SiO2层的同时，也会侧向腐蚀，因此光刻胶图形的边缘下方的SiO2层也会被侧向蚀刻一部分，以BOE的侧向腐蚀获得特定的光刻胶暴露的区域面积小于SiO2减薄的区域的面积，利于金属反射层的溅镀。形成的第一绝缘层具有相对的上表面和下表面，所述第一绝缘层的上表面分为上表面一、上表面二以及连接上表面一和上表面二的斜上表面。通过控制光刻胶图形的厚度以及图形区域角度，即可获得合适的第一绝缘层的合适蚀刻深度以及形成合适的斜上表面的角度，对本领域技术人员来说是常规技能，在此不再赘述。
（5）如图7所示，溅射金属反射层170，本实施例的金属反射层为Ag，因Ag与SiO2的黏附性很差，故在Ag前面添加一层较薄的黏附性金属Ti，厚度约3~50A。金属反射层边缘贴合在SiO2湿法腐蚀后的斜上表面上，与SiO2层形成一个整体，根据金属反射层溅镀前BOE腐蚀的时间并且控制金属反射层金属的厚度、SiO2腐蚀后的斜上表面不要形成角度小于120°的夹角，使金属反射层边缘V型翘角不小于90°，以有利于后续金属、介质膜的沉积，否则会导致后续的膜层出现断裂的异常。需要说明的是，图7为图6基础上获得金属反射层后，再去除光刻胶形成的。
具有良好附着性的金属反射层填充在SiO2贯通孔的部分并与ITO接触，电流通过金属反射层填充至这些SiO2贯通孔区域以传递到第二导电型半导体层形成电流通道。
在增加该黏附层金属后整个金属结构TiAg的黏附性仍不能满足黏附性要求，继续沉积压应力金属层，压应力层为TiW，压应力层覆盖住金属反射层的上表面并且超出上表面边缘，以减少Ag边缘的翘曲，TiW层为合金材料。TiW合金层最后以Ti结尾，最后的Ti层能够与第一绝缘层SiO2层形成黏附，最后的Ti层的厚度为50~2000A，以该金属反射层结构沉积后可形成具有良好黏附性的反射镜。
金属反射层后再覆盖一层面积大于金属反射层面积的阻挡层200，如图8所示，以防止Ag的热扩散和电迁移，阻挡层200的边缘超出金属反射层上表面以及压应力层上表面并且直接覆盖在SiO2层的上表面上。阻挡层为Ti、Pt、Au层中的至少一层或者组合。阻挡层也可以Ti黏附层作为结束层，以利于与后续第二绝缘层形成很好的黏附性。
阻挡层金属沉积后，惰性环境下进行退火处理，通过氧化Ti黏附层，增加金属反射层的黏附性，退火前后的反射率提升差值在2%左右。
（6）继续形成第二绝缘层250、第一连接电极260（金属层）和第二连接电极270、保护层280、第一金属焊盘290和第二金属焊盘300（如图2所示的层）。其中第二绝缘层250覆盖在阻挡层的上表面，并且具有通孔露出部分阻挡层和凹槽底部或者台面底部的第一导电型半导体层。第一连接电极通过第二绝缘层的通孔电性连接第一导电型半导体层，第二连接电极通过第二绝缘层的通孔电性连接金属阻挡层。第一连接电极和第二连接电极同一步骤形成，但彼此绝缘。绝缘金属反射层覆盖在第一连接电极和第二连接电极上表面，并且具有通孔露出部分第一连接电极和第二连接电极。第一金属焊盘和第二金属焊盘分别通过绝缘金属反射层的通孔连接第一连接电极和第二连接电极。
更多本实施例所提供半导体发光二极管的结构、性质和优点，可结合参考前述各实施例相应内容。
具有本发明的金属反射层的设计也可以是垂直半导体发光二极管。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (21)
1.一种半导体发光二极管，包括：
半导体发光叠层，具有第一表面；
透明导电层、第一绝缘层和金属反射层在第一表面上方依次由下至上层叠；
其特征在于，第一绝缘层在透明导电层上具有相对的上表面和下表面，所述第一绝缘层的上表面分为上表面一、上表面二以及连接上表面一和上表面二的斜上表面；所述的第一绝缘层的下表面与透明导电层接触，所述第一绝缘层的斜上表面相对于所述上表面一的倾斜角大于等于120°；所述第一绝缘层的上表面一相对于上表面二具有高低差，使上表面一与下表面之间的第一绝缘层的厚度小于上表面二与下表面之间的第一绝缘层的厚度；所述的金属反射层位于第一绝缘层的上表面一上，并且所述的金属反射层的上表面边缘位于第一绝缘层的斜上表面上。
2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层的斜上表面相对于所述第一绝缘层的上表面一倾斜角大于等于150°。
3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层上表面边缘具有朝上的V型翘角。
4.根据权利要求3所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层上表面边缘朝上的所述V型翘角的V型角度大于等于90°。
5.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述金属反射层的厚度小于或者等于所述第一绝缘层在半导体发光叠层的第一表面上的最大厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，还包括黏附层，金属反射层位于黏附层上，黏附层与第一绝缘层接触。
7.根据权利要求6所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述金属反射层为银或者铝。
8.根据权利要求7所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层的厚度至少100nm。
9.根据权利要求6所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的黏附层厚度为0.3~5nm。
10.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，还包括金属反射层上的压应力层；所述的压应力层的厚度在20nm~300nm。
11.根据权利要求10所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的压应力层上还有一层第二黏附层。
12.根据权利要求11所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的第二黏附层的厚度大于压应力层的厚度。
13.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层上还有阻挡层，所述的阻挡层阻挡金属反射层元素扩散，阻挡层的边缘位于第一绝缘层的上表面二上。
14.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积小于透明导电层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积，所述的金属反射层在半导体发光叠层的第一表面上的投影面积占半导体发光叠层的第一表面的面积的50~100%。
15.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层上方还有第二绝缘层，所述的第二绝缘层上还有第一连接电极和第二连接电极。
16.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层的上表面一与所述第一绝缘层的下表面之间具有贯穿孔，所述的金属反射层填充所述的第一绝缘层的贯穿孔与透明导电层接触。
17.根据权利要求16所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的透明导电层还具有贯穿孔，所述的透明导电层的贯穿孔与第一绝缘层的所述的贯穿孔的位置错开。
18.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，半导体发光叠层具有第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，半导体发光叠层具有多个通过局部去除第一导电型半导体层和发光层暴露部分第二导电型半导体层形成的凹坑，所述第一绝缘层同时延伸至所述凹坑的侧壁。
19.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的半导体发光二极管为倒装发光二极管。
20.根据权利要求3所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的金属反射层上表面边缘朝上的所述V型翘角的V型角度大于等于120°。
21.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述的半导体发光二极管为垂直发光二极管。
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