JP4871344B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記基板の前記主面の上に、開口部を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層の上に半導体層を形成して前記半導体層を含む前記半導体素子と、前記半導体素子に接続された配線と、を形成し、
前記発光素子の第1の電極と前記配線とを接続し、前記絶縁層の前記開口部に配置された接続部材を前記発光素子の第2の電極と前記基板との間に配置して、前記発光素子が発光するための電流が前記接続部材を介して前記第2の電極と前記基板との間に流れ、前記発光素子の熱が前記接続部材を介して前記基板に伝導されて放熱されるように前記発光素子を前記基板の前記主面の上に実装することを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
図2は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置の一部の構成を例示する模式的断面図である。
図3は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置の構成を例示する模式的斜視図である。
すなわち、図1は、図3のA1−A2線断面を省略して図示している。
すなわち、図3に表したように、本実施形態に係る発光装置11は、基板110と、基板110の主面111の上に設けられた発光素子300と、を有する。
そして、基板110の主面111の上には、半導体層250(図示しない)を含む半導体素子200が設けられており、発光素子300は、半導体素子200と電気的に接続されている。
図1に表したように、基板110の主面111の上には、基板110と一体的に形成された半導体層250を有する半導体素子200が設けられている。
なお、半導体層250は、基板110の上に直接形成されたり、基板110の上に形成された任意の絶縁層の上に形成されたりすることができる。また、後述するように、例えば基板110とは別の支持基板の上に半導体層250を形成して例えば半導体素子200を形成した後、半導体層250(及び半導体素子200)を支持基板から剥がして基板110の主面111の上に貼り付けて固着させた場合も、半導体層250(及び半導体素子200)は基板110とは固着されており、半導体層250は基板110の主面111の上に一体的に形成されていると見なされる。
そして、発光素子300は、蛍光体含有層320をさらに有することができる。すなわち、発光素子300は、発光層を有する発光素子チップ310と、発光素子チップ310から放出される光を吸収して前記光とは異なる波長の光を出射する蛍光体含有層320と、を有することができる。ただし、蛍光体含有層320は、発光素子300とは別に設けても良い。
蛍光体含有層320においては、発光素子チップ310から放出される光を吸収して、その光とは異なる波長の光を出射する蛍光体が例えば樹脂等に混合されている。蛍光体含有層320は、発光素子チップ310の発光部を覆うように設けられる。このように、発光素子300は、発光素子チップ310と蛍光体含有層320とが予め一体化されたLEDやLD等のいわゆる発光素子パッケージとすることができる。また、後述するように発光素子チップ310が基板110の上にマウント(実装)され、その後に発光素子チップ310を覆うように蛍光体含有層320を形成した構成としても良い。なお、蛍光体含有層320は必要に応じて設ければ良く、省略可能である。
図2に表したように、基板110の主面111に絶縁層120が設けられる。絶縁層120には、例えば酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、酸化アルミニウム等の任意の絶縁材料を用いることができる。後述するように、発光素子300からの出射光をフォトダイオード210bにて検知する場合においては、絶縁層120の内部を発光素子300から出射される発光330が効率良く伝搬できるように、その波長に対して高い透過率を有する材料を用いることが望ましい。本具体例では、絶縁層120には酸化珪素が用いられる。
例えばTFT220は、半導体層250と、半導体層250の上に設けられたゲート電極222と、半導体層250とゲート電極222との間に設けられたゲート絶縁膜221と、半導体層250に接続されゲート電極222を挟むようにして離間して設けられたソース電極223及びドレイン電極224と、を有している。そして、これらの上にパッシベーション膜(絶縁膜)130が設けられる。すなわち、TFT220(半導体素子200)は、半導体層250をチャネルとするトランジスタである。なお、ソース電極223及びドレイン電極224とは互いに入れ替え可能である。
図4は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置の構成を例示する模式的回路図である。
図4に表したように、本実施形態に係る発光装置11においては、例えば、発光素子300に、半導体素子200を用いた駆動回路部261が接続され、駆動回路部261には電源390が接続されている。なお、同図の点G1と点Aとの間は、発光装置11への外部からの給電系である。そして、点Aと点Bとの間において設けられた駆動回路部261は、基板110の主面111の上に設けられた半導体層250を有する半導体素子200によって構成される。そして、点B及び点Cは、発光素子300であるLEDの2つの電極の端子に相当し、例えば、点Bが第1バンプ410に相当し、点Cが第2バンプ420に相当する。そして、点Cと点G2との間は、例えば、基板110に相当する。これにより、半導体素子200である駆動回路部261によって発光素子300を駆動することができる。
図5は、第1の比較例の発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
図5に表したように、第1の比較例の発光装置90aにおいては、LEDやLDなどの発光素子チップ310が蛍光体含有層320と放熱板340と共にパッケージ化された発光素子300が、例えばプリント基板110aに実装される。そして、プリント基板110aには、駆動回路を構成する制御IC93や抵抗95、定電流ダイオード94、コンデンサ92などの素子群や電源コネクタ91等が接続ピン96等によってハンダ97で実装される。
図6は、第2の比較例の発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
図6に表したように、第2の比較例の発光装置90bにおいては、本実施形態に係る発光装置11における基板110を、ガラス基板110bに変更したものである。すなわち、発光装置90bにおいては、発光素子300がガラス基板110bと接続されていない。
すなわち、発光装置90bにおいては、絶縁層120には開口部125が設けられていない。このため、発光素子チップ310の2つの電極(図示しない)は第1バンプ410及び第2バンプ420によって絶縁層120の上に形成された配線230及び配線231にそれぞれ接続されている。すなわち、例えば液晶や有機ELなどを用いる表示装置に用いられるように、ガラス基板110bの上に半導体素子を形成し、その上に発光素子300を実装したものである。
また、基板110に金属などの導電性と遮光性を有する材料を用いることで、発光素子300への電流の供給と放熱の機能とを同時に満たすことだけでなく、発光素子300からの発光330を基板110の裏面の側に透過させることがない。
このように、本実施形態に係る発光装置11によれば、実装部品数を低減し、かつ、高集積化が可能で、発光素子300からの熱を効率良く放熱する高効率の発光装置が提供できる。
図7は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置の構成を例示する別の模式的回路図である。
図7に表したように、本実施形態に係る発光装置11において、例えば、発光素子300からの発光330を検出する調光用センサ部262部を設け、調光用センサ部262で検出された光強度を駆動回路部261にフィードバックすることで、発光素子300の発光特性を高精度で制御することができる。例えば、発光素子300の比較的近傍に調光用センサ部262としてフォトダイオードを駆動回路部261等と一緒に一括して設け、発光素子300の光強度に応じて発光素子300に通電する電流を自動的に制御するような自己調整機能を付与することが容易となる。これにより、例えば、電源を投入してからの発光素子300の発光強度の変動を補正するように、発光強度を高精度で制御することが容易となり、結果としてエネルギーの消費量を低減し、また、発光素子300の寿命を拡大させることができる。
本実施形態に係る第1の実施例の発光装置11a(図示せず)について説明する。発光装置11aの構成は、図1に例示した発光装置11の構成と同様なので説明を省略する。以下では、発光装置11aに用いられる半導体素子200を有する基板110の製造方法例について特に詳しく説明する。
図8は、本発明の第1の実施例に係る発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図8(a)に表したように、まず、十分に洗浄したステンレスからなる基板110の主面111の上に、例えばシランと酸素ガスを原料に用いたプラズマ励起化学気相堆積法(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition:PECVD法)を用いて、絶縁層120となるシリコン酸化膜を堆積させた。なお、絶縁層120の成膜法にはPECVD法に限らず任意の方法を用いることができ、また、その材料も例えばシリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜など任意の材料を用いることができる。
その後、上記の金属膜の上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法を用いてレジストパターンを形成し、レジストパターンのない部分の金属膜を選択的に除去して金属膜の形状を加工し、ゲート電極222及びゲート線群(図示しない)を形成した。
その後、光吸収性のあるレジストを用いて、TFT220及び図示しない一部のフォトダイオード(第2フォトダイオード210b)の遮光層140(図示しない)を形成した。この時、スルーホール132の部分において、遮光層140は開口している。
図9は、本発明の第1の実施形態に係る変形例の発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
図9に表したように、本実施形態に係る変形例の発光装置12においては、絶縁層120に貫通電極232が設けられて、基板110の電位が、絶縁層120の上面に設けられた配線231に引き出されている。これ以外は、発光装置11と同様なので説明を省略する。
配線231は、絶縁層120の上に半導体素子200を形成する際に一緒に設けられるものであり、半導体素子200を構成する各種の膜と同層の膜である。そして、配線231は、半導体素子200の例えばTFT220等の各種の電子素子の電極と接続され、これにより、半導体素子200において基板110の電位を参照することができる。これにより、半導体素子200の設計が多様化し、また半導体素子200の動作を安定化させることができる。
図10に表したように、本実施形態に係る別の変形例の発光装置13においては、発光素子チップ310の上面311に、例えば第1ボンディングワイヤ411及び第2ボンディングワイヤ421が接続されており、それぞれが発光素子チップ310の2つの電極と接続されている。すなわち、発光素子300と半導体素子200との電気的な接続は、発光素子300の基板110とは反対の側の面において行われている。そして、発光装置13においては、発光素子チップ310の下面312は、直接または例えば導電性ペーストなどによって、基板110に熱的に接続されて実装されている。これ以外は、発光装置11と同様なので説明を省略する。
このように、発光素子300の上面から発光素子300の電極を引き出しても良い。なお、発光素子チップ310は発光の方向を制御する反射面を有する構成であっても良い。
図11に表したように、本実施形態に係る別の変形例の発光装置14においては、発光素子チップ310の上面311から、例えばボンディングワイヤ411によって配線が引き出され、配線230と接続されて半導体素子200と電気的に接続されている。一方、発光素子チップ310の下面312において、第2バンプ420を介して発光素子300が基板110と熱的及び電気的に接続されている。これ以外は、発光装置11と同様なので説明を省略する。
このように、発光素子300からの接続部材400は上面311及び下面312のいずれに設けても良い。なお、上記において、第2バンプ420を省略して、発光素子チップ310の下面312を、直接または例えば導電性ペーストなどによって、基板110に熱的(及び電気的に)接続した状態で基板110の上に固定しても良い。
図12に表したように、本実施形態に係る別の変形例の発光装置15においては、発光素子チップ310及び半導体素子200を覆うように透光層150が設けられ、その上に蛍光体含有層320が設けられている。すなわち、発光素子チップ310には蛍光体含有層320が直接設けられておらず、透光層150を介して蛍光体含有層320が設けられている構成である。これ以外は、発光装置11と同様なので説明を省略する。
図13に表したように、本実施形態に係る別の変形例の発光装置16においては、図12に例示した透光層150の代わりに、発光素子チップ310から放出される光330aに対して透光性を有しつつ、熱伝導率が高い透光性高熱伝導率層160を用いたものである。これ以外は、発光装置15と同様なので説明を省略する。
図14に表したように、本実施形態に係る別の変形例の発光装置17においては、図13に例示した発光装置16において、蛍光体含有層320を発光素子チップ310から放出される光330aが照射される部分にのみ設け、それ以外の領域には、高熱伝導率層170を設けたものである。これ以外は、発光装置16と同様なので説明を省略する。
高熱伝導率層170としては、例えば各種の金属を用いることができる。これにより、発光素子チップ310で発生した熱を、透光性高熱伝導率層160及び高熱伝導率層170によって、基板110の主面111に対して平行な平面内に伝導して放熱することができる。すなわち、発光素子300で発生する熱を基板110の側に放熱するのと同時に、半導体素子200の上方においても放熱することができ、さらに放熱の効果が高まる。
図15に表したように、本実施形態に係る別の変形例の発光装置18においては、図1に例示した発光装置11において、半導体素子200を覆うように層間絶縁膜180を設け、その上に高熱伝導率層170を設けたものである。これ以外は、発光装置11と同様なので説明を省略する。
図16に表したように、本実施形態に係る別の変形例の発光装置19においては、図1に例示した発光装置11において、基板110の主面111とは反対の側に凹凸115を設けたものである。これ以外は、発光装置11と同様なので説明を省略する。
このように、基板110の主面111とは反対の側に凹凸115を設けることで、基板110の表面積を大きくすることができ、基板110の放熱効果を高めることができる。これにより、発光素子300からの熱をさらに効率良く放熱する高効率の発光装置が実現できる。
図17に表したように、本実施形態に係る別の変形例の発光装置20は、基板110に熱的に接続された筐体105をさらに有する。すなわち、発光装置20においては、図1に例示した発光装置11において、例えば基板110の主面111とは反対の側において、発光装置20の筐体105が熱的に接続されている。これ以外は、発光装置11と同様なので説明を省略する。
また、筐体105は、本発明の実施形態及び実施例に係る発光装置11、11a、12〜19のいずれかにおいて設けることができ、この場合も放熱効率をさらに向上することができる。
図18に表したように、本実施形態に係る別の変形例の発光装置21においては、基板110は、発光素子300と熱的に接続された部分110pに設けられた熱伝導率の高い高熱伝導率領域116(第1領域)と、発光素子300と熱的に接続された部分110p以外に設けられ、高熱伝導率領域116よりも熱伝導率が低い低熱伝導率領域117(第2領域)と、を有する。これ以外は、発光装置11と同様なので説明を省略する。
すなわち、基板110が均一な熱伝導率を有する単一の領域で構成される場合、基板110での放熱の際に基板110内において大きな温度差が生じ、基板110に大きな応力が発生し、基板110に歪みが生じ易い。これにより、例えば、発光素子300と基板110との熱的及び電気的な接続に悪影響が生じたり、発光素子300と半導体素子200との電気的接続に悪影響が生じたり、また、半導体素子200の特性等が劣化したりすることがある。
この時、例えば、基板110に凹部等の低熱伝導率領域117を設けることで、発生する応力を緩和することができ、これにより、上記の問題の発生を抑制することができる。
本実施形態に係る第2の実施例の発光装置21a(図示せず)について説明する。発光装置21aにおいては、低熱伝導率領域117として凹部が設けられた基板110を用いたものであり、発光装置21aの構成は図18に例示した発光装置21の構成と同様なので説明を省略する。以下では、発光装置21aに用いられる半導体素子200を有する基板110の製造方法の例について特に詳しく説明する。
図19(a)に表したように、まず、十分に洗浄した無アルカリガラス基板107(支持基板)の主面111aの上に、絶縁層120として、例えばトリメチルアルミニウムなどを原料に用いたプラズマ励起有機金属化学気相堆積法(PEMOCVD法)などを用いて、耐フッ酸性に優れたアルミナ膜を堆積させた。このとき、アルミナ膜の堆積のためには、基板温度を500℃以上にする必要がある。これは、有機金属錯体の熱分解を促進する必要であり、また、耐フッ酸性に優れた諸構造をもつアルミナ膜を形成するためには、基板近傍での反応やマイグレーション促進のための高い熱エネルギーが必要であるからである。なお、アルミナ膜の原料及び成膜の方法は上記に限らず任意の原料と任意の方法を用いることができる。
その後、金属膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法を用いてレジストパターンを形成し、レジストパターンのない部分の金属膜を選択的に除去して、ゲート電極222及びゲート線群(図示しない)の形状を加工した。
なお、このとき、パッシベーション膜130は、後述する転写プロセスにおいて、配線230を含め、半導体素子200の保護層としても機能する。
なお、このとき、無アルカリガラス基板107に対して、絶縁層120であるアルミナ膜は耐フッ酸性が高いため、アルミナ面が露出するとエッチングが停止される。
なお、半導体層250は、絶縁層120の上に絶縁層120と一体的に形成される。そして、半導体素子200は、基板110の主面111の上に設けられた絶縁層120と一体的に形成された半導体層250を有する。
なお、この時、図示しないスルーホールに第1バンプ410を設けることもできる。また、これら、第1バンプ410及び第2バンプ420は、基板110の側に設けるのではなく、発光素子チップ310の側に設けても良い。
本発明の第2の実施形態に係る発光装置の製造方法は、基板110の主面111の上に設けられた半導体素子200と、基板110の主面111の上に設けられ、半導体素子200と電気的に接続された発光素子300、とを有する発光装置の製造方法である。以下では、その製造方法の特徴について説明する。
図20に表したように、本実施形態に係る発光装置の製造方法では、まず、基板110の主面111の上に絶縁層120を形成する(ステップS110)。これには、図8(a)に関して説明した方法を用いることができる。
本発明の第3の実施形態に係る発光装置の製造方法も、基板110の主面111の上に設けられた半導体素子200と、基板110の主面111の上に設けられ、半導体素子200と電気的に接続された発光素子300、とを有する発光装置の製造方法である。以下では、その製造方法の特徴について説明する。
図21に表したように、本実施形態に係る発光装置の製造方法では、まず、支持基板107(例えば無アルカリガラス基板107)の主面111aの上に絶縁層120を形成する(ステップS210)。これには、図19(a)に関して説明した方法を用いることができる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
91 電源コネクタ
92 コンデンサ
93 制御IC
94 定電流ダイオード
95 抵抗
96 接続ピン
97 ハンダ
105 筐体
107 無アルカリガラス基板(支持基板)
108 仮着層
108u 紫外線光
109 仮支持基板
110 基板
110a プリント基板
110b ガラス基板
110p 部分
110u 接着層
111、111a 主面
115 凹凸
116 高熱伝導率領域(第1領域)
117 低熱伝導率領域(第2領域)
120 絶縁層
125 開口部
130 パッシベーション膜(絶縁膜)
131、132 スルーホール
140 遮光層
150 透光層
160 透光性高熱伝導率層
170 高熱伝導率層
180 層間絶縁膜
200 半導体素子
210a 第1フォトダイオード
210b 第2フォトダイオード
211 絶縁膜
213 アノード電極
214 カソード電極
220 薄膜トランジスタ(TFT)
221 ゲート絶縁膜
222 ゲート電極
223 ソース電極
224 ドレイン電極
230、231 配線
232 貫通電極
250 半導体層
252 チャネル
253、254 コンタクト層
261 駆動回路部
262 調光用センサ部
263 リモコン用センサ部
264 通信用センサ部
300 発光素子
310 発光素子チップ
311 上面
312 下面
320 蛍光体含有層(波長変換層)
330 発光
330a 光
330b 波長変換光
340 放熱板
390 電源
400 接続部材
410 第1バンプ
411 第1ボンディングワイヤ
420 第2バンプ
421 第2ボンディングワイヤ
Claims (17)
- 導電性を有する基板と、
前記基板の主面の上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上において前記基板及び前記絶縁層と一体的に形成された半導体層を有する半導体素子と、
前記絶縁層に設けられた開口部の内部に設けられ前記基板と接する接続部材と、
前記基板及び前記絶縁層とは別体として形成され、前記基板の前記主面の上において、少なくとも一部が前記接続部材の上に配置されるように実装された発光素子と、
を備え、
前記発光素子の第1の電極は、前記絶縁層の上に設けられた配線を介して前記半導体素子と接続され、
前記発光素子の第2の電極は、前記接続部材に接続され、
前記発光素子が発光するための電流は、前記接続部材を介して前記発光素子と前記基板との間を流れ、
前記発光素子の熱は、前記接続部材を介して前記基板に伝導されて放熱されることを特徴とする発光装置。 - 前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記発光素子の前記基板の側の面に設けられ、 前記発光素子の一部は、前記接続部材の上に配置され、
前記発光素子の別の一部は、前記絶縁層の上に配置されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。 - 前記発光素子は、前記主面内において前記半導体素子と並置されることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記半導体素子は、前記発光素子に印加される電圧及び通電される電流の少なくともいずれかを制御する素子を含み、
前記第1の電極は、前記制御する素子と前記配線を介して接続されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記基板の熱伝導率は、前記絶縁層よりも高いことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記基板は、前記開口部に近い第1領域と、前記第1領域よりも前記開口部から遠く、前記第1領域よりも熱伝導率が低い第2領域と、を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記発光素子は、発光層を有する発光素子チップを有し、
前記発光素子チップを覆うように設けられ、前記発光素子チップから放出される光に対して透光性を有する透光層と、
前記透光層の前記発光素子チップとは反対の側の面に設けられ、前記発光素子から放出される前記光を吸収して前記光とは異なる波長の光を出射する波長変換層と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜6記載の発光装置。 - 前記透光層は、前記半導体素子の少なくとも一部をさらに覆うことを特徴とする請求項7記載の発光装置。
- 前記透光層は、前記半導体層よりも熱伝導率が高いことを特徴とする請求項7または8に記載の発光装置。
- 前記半導体素子を覆うように設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の前記半導体素子とは反対の側に設けられ、前記層間絶縁膜よりも熱伝導率が高い高熱伝導率層と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記半導体素子の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記発光素子から出射される発光に対して遮光性を有する遮光層をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記半導体素子は、前記発光素子から出射される発光の強度を検出する素子を含み、
前記絶縁層は、前記発光素子から出射される発光に対して透光性を有し、前記発光の一部を伝搬させて前記発光の強度を検出する素子に入射させることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記発光素子から出射される発光は、前記基板の前記主面を反射面として、前記絶縁層の内部を伝搬することを特徴とする請求項12記載の発光装置。
- 前記発光素子から出射される発光の強度を検出する前記素子はフォトダイオードを含むことを特徴とする請求項12または13に記載の発光装置。
- 前記基板の電位は、接地電位または定められた別の固定電位に設定されることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1つに記載の発光装置。
- 基板の主面の上に設けられた半導体素子と、前記基板の前記主面の上に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された発光素子、とを有する発光装置の製造方法であって、
前記基板の前記主面の上に、開口部を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層の上に半導体層を形成して前記半導体層を含む前記半導体素子と、前記半導体素子に接続された配線と、を形成し、
前記発光素子の第1の電極と前記配線とを接続し、前記絶縁層の前記開口部に配置された接続部材を前記発光素子の第2の電極と前記基板との間に配置して、前記発光素子が発光するための電流が前記接続部材を介して前記第2の電極と前記基板との間に流れ、前記発光素子の熱が前記接続部材を介して前記基板に伝導されて放熱されるように前記発光素子を前記基板の前記主面の上に実装することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 基板の主面の上に設けられた半導体素子と、前記基板の前記主面の上に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された発光素子、とを有する発光装置の製造方法であって、
支持基板の上に、開口部を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層の上に半導体層を形成して前記半導体層を含む前記半導体素子と、前記半導体素子に接続された配線と、を形成し、
前記支持基板を除去し、
前記絶縁層、前記半導体素子及び前記配線を前記基板に接合し、
前記発光素子の第1の電極と前記配線とを接続し、前記絶縁層の前記開口部に配置された接続部材を前記発光素子の第2の電極と前記基板との間に配置して、前記発光素子が発光するための電流が前記接続部材を介して前記第2の電極と前記基板との間に流れ、前記発光素子の熱が前記接続部材を介して前記基板に伝導されて放熱されるように、前記発光素子を前記基板の前記主面の上に実装することを特徴とする発光装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
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JP2012186450A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-27 | Rohm Co Ltd | Ledモジュール |
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JP6280710B2 (ja) | 2013-09-02 | 2018-02-14 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
DE102013223069A1 (de) * | 2013-11-13 | 2015-05-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP2881753B1 (en) * | 2013-12-05 | 2019-03-06 | ams AG | Optical sensor arrangement and method of producing an optical sensor arrangement |
EP2881983B1 (en) | 2013-12-05 | 2019-09-18 | ams AG | Interposer-chip-arrangement for dense packaging of chips |
US9960098B2 (en) * | 2016-06-27 | 2018-05-01 | Psemi Corporation | Systems and methods for thermal conduction using S-contacts |
JP2018074076A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
DE102016124270A1 (de) * | 2016-12-13 | 2018-06-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiter-package und verfahren zum fertigen eines halbleiter-package |
CN109841052B (zh) * | 2017-11-28 | 2020-07-14 | 群光电子股份有限公司 | 具有复合材罩体的红外线发射装置 |
US10658386B2 (en) | 2018-07-19 | 2020-05-19 | Psemi Corporation | Thermal extraction of single layer transfer integrated circuits |
US20200168593A1 (en) * | 2018-11-22 | 2020-05-28 | Centraled Technology Co., Ltd. | Active blue light leakage preventing led structures |
US20210074880A1 (en) * | 2018-12-18 | 2021-03-11 | Bolb Inc. | Light-output-power self-awareness light-emitting device |
DE102019210255A1 (de) * | 2019-07-11 | 2021-01-14 | Robert Bosch Gmbh | Beleuchtungseinrichtung zum Abstrahlen von Licht mehrerer Wellenlängen, optische Analyseeinrichtung zum Beleuchten und Analysieren einer Probe und Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungseinrichtung |
CN111554750B (zh) * | 2020-05-20 | 2022-06-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、显示面板 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63237968A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Nec Corp | Ledプリンタヘツド |
JPH03295267A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Seiko Epson Corp | 薄膜装置 |
JPH0653481A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Ricoh Co Ltd | 半導体素子及び半導体装置 |
US6545359B1 (en) * | 1998-12-18 | 2003-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring line and manufacture process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof |
JP4905751B2 (ja) * | 2001-05-17 | 2012-03-28 | 株式会社吉田製作所 | 歯科用光照射器 |
JP3696131B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2005-09-14 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
US7488986B2 (en) * | 2001-10-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2003282878A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3875130B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-01-31 | 株式会社東芝 | 表示装置及びその製造方法 |
US7786496B2 (en) * | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP4052631B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス型表示装置 |
US7193728B2 (en) * | 2002-08-07 | 2007-03-20 | Advantest Corporation | Processing apparatus, processing method and position detecting device |
EP1590994B1 (en) * | 2003-02-07 | 2016-05-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Metal base wiring board for retaining light emitting elements, light emitting source, lighting apparatus, and display apparatus |
JP4162042B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-10-08 | スタンレー電気株式会社 | 薄膜作製方法 |
JP2004349543A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | 積層体の剥離方法、薄膜装置の製造法、薄膜装置、電子機器 |
US7274044B2 (en) * | 2004-01-26 | 2007-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2007059894A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-03-08 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード素子搭載光源 |
JP4742772B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-08-10 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
JP5175435B2 (ja) | 2005-10-25 | 2013-04-03 | 株式会社カネカ | 放熱基板および発光ダイオード用基板 |
KR101198374B1 (ko) * | 2006-02-23 | 2012-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 기판 및 그 제조 방법과 그를 이용한 액정표시 장치 |
JP2007266049A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Rohm Co Ltd | 光通信モジュール |
JP2008047809A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Nec Lighting Ltd | フルカラーled |
TW200818884A (en) * | 2006-09-20 | 2008-04-16 | Macnica Inc | Control system of image photographing apparatus, as digital camera, digital video-camera or the like using a mobile communication terminal, and image photographing apparatus |
JP2008277689A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | C I Kasei Co Ltd | 発光装置および発光装置の作製方法 |
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101493377B1 (ko) | 2012-10-10 | 2015-02-13 | 산켄덴키 가부시키가이샤 | 반도체 발광장치 |
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