JPH03295267A - 薄膜装置 - Google Patents
薄膜装置Info
- Publication number
- JPH03295267A JPH03295267A JP9785390A JP9785390A JPH03295267A JP H03295267 A JPH03295267 A JP H03295267A JP 9785390 A JP9785390 A JP 9785390A JP 9785390 A JP9785390 A JP 9785390A JP H03295267 A JPH03295267 A JP H03295267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- boron nitride
- insulating film
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は薄膜装置の基板に関する。
［従来の技術］
大型の液晶表示パネル、高解像度で長尺の密着型リニア
イメージセンサ、３次元ＩＣ等への実現に向けて、ガラ
ス、石英等の絶縁性非晶質基板上に、高性能な薄膜半導
体素子を形成する試みが最近になって盛んになってきた
。特に、液晶パネルのような大面積素子では、安価な低
融点ガラス基板上に薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）を形成
することが必須となる。
イメージセンサ、３次元ＩＣ等への実現に向けて、ガラ
ス、石英等の絶縁性非晶質基板上に、高性能な薄膜半導
体素子を形成する試みが最近になって盛んになってきた
。特に、液晶パネルのような大面積素子では、安価な低
融点ガラス基板上に薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）を形成
することが必須となる。
［発明が解決しようとする課題］
一方で、リニアサーマルヘッド、増幅素子を内蔵した密
着型イメージセンサのように、長尺で発熱を伴う素子を
ＴＰＴで駆動させる試みもある。
着型イメージセンサのように、長尺で発熱を伴う素子を
ＴＰＴで駆動させる試みもある。
この場合、ＴＰＴ自身にも大電流が流れるので、基板を
従来のガラス基板の様な熱伝導性の悪い材料を選ぶと、
放熱ができず温度上昇が起こり、ＴＰＴが壊れるという
問題点があった。
従来のガラス基板の様な熱伝導性の悪い材料を選ぶと、
放熱ができず温度上昇が起こり、ＴＰＴが壊れるという
問題点があった。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的は安
価で大面積かつ放熱性のよい絶縁基板を提供することに
ある。
価で大面積かつ放熱性のよい絶縁基板を提供することに
ある。
［課題を解決するための手段］
本発明の薄膜装置は、
（１）絶縁基板上に、窒化ホウ素、炭化珪素、ダイアモ
ンド等の、高熱伝導率薄膜を積層したことを特徴とする
。
ンド等の、高熱伝導率薄膜を積層したことを特徴とする
。
（２）前記高熱伝導率薄膜は化学気相成長法で作成した
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
［実施例コ
第１図は本発明の薄膜装置の実施例の１例である。以下
、第１図に基き実施例を説明する０本実施例では絶縁基
板に石英基板を用いたが、基板はこれに限らず低融点ガ
ラス基板でもよい。また、サファイア基板、ＭｇＯ・Ａ
ｌ２Ｏ３、ＢＰ、ＣａＦ２ 等の絶縁基板も用いること
ができる０石英基板１００上に１〜１０μｍの膜厚で立
方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）を成膜する。成膜方法には
マイクロ波プラズマ化学気相成長法（ＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ）を用いた。成膜ガスにはＢ２Ｈ６、Ｎ２ガスの混
合ガスを用い、基板温度は１００〜６００℃、内圧は
１．０Ｔｏｒｒ とした、成膜方法はＥＣＲプラズマ
ＣＶＤに限ることはなく、通常のＲＦプラズマＣＶＤ法
、熱活性型ＲＦプラズマＣＶＤ法、イオンビーム法等の
方法でもよい。また、窒化ホウ素の代わりに、ダイアモ
ンド、炭化珪素等を用いることも可能である。ダイアモ
ンドを成膜するにはメタン、エチレン等の炭化水素ガス
を、熱活性型ＲＦプラズマＣＶＤ法で分解生成して作成
する方法が一般的である。或は、燃焼炎プラズマによる
ガス分解方法でもダイアモンド薄膜を形成できる。また
炭化珪素を成膜するには、シランガスと、メタンガスあ
るいはエチレンガスの混合ガスを通常のプラズマＣＶＤ
法で分解生成すれば得られる。
、第１図に基き実施例を説明する０本実施例では絶縁基
板に石英基板を用いたが、基板はこれに限らず低融点ガ
ラス基板でもよい。また、サファイア基板、ＭｇＯ・Ａ
ｌ２Ｏ３、ＢＰ、ＣａＦ２ 等の絶縁基板も用いること
ができる０石英基板１００上に１〜１０μｍの膜厚で立
方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）を成膜する。成膜方法には
マイクロ波プラズマ化学気相成長法（ＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ）を用いた。成膜ガスにはＢ２Ｈ６、Ｎ２ガスの混
合ガスを用い、基板温度は１００〜６００℃、内圧は
１．０Ｔｏｒｒ とした、成膜方法はＥＣＲプラズマ
ＣＶＤに限ることはなく、通常のＲＦプラズマＣＶＤ法
、熱活性型ＲＦプラズマＣＶＤ法、イオンビーム法等の
方法でもよい。また、窒化ホウ素の代わりに、ダイアモ
ンド、炭化珪素等を用いることも可能である。ダイアモ
ンドを成膜するにはメタン、エチレン等の炭化水素ガス
を、熱活性型ＲＦプラズマＣＶＤ法で分解生成して作成
する方法が一般的である。或は、燃焼炎プラズマによる
ガス分解方法でもダイアモンド薄膜を形成できる。また
炭化珪素を成膜するには、シランガスと、メタンガスあ
るいはエチレンガスの混合ガスを通常のプラズマＣＶＤ
法で分解生成すれば得られる。
以上のようにして作成した高熱伝導率薄膜１０１上にＴ
ＦＴ等の素子１０２を形成する。従来、高熱伝導率薄膜
は金属薄膜しかなく、絶縁性が要求される場所には用い
ることができなかった。これに対し、窒化ホウ素やダイ
アモンド等は絶縁性が高くかつ熱伝導率も高いので、適
用範囲が非常に広い。層間絶縁膜１０３には減圧化学気
相成長法で作成した５ｉ０２膜を用いた０次に層間絶縁
膜の一端をエツチングで除き、高熱伝導率絶縁膜１０１
を露出させる。この露出部位に例えば金属Ａ１等を蒸着
し、Ａ１パッド１０４を形成し、ここからＡ１ワイア１
０５でワイアボンディングし、放熱板１０６に接触させ
ればよい。ｃ−ＢＮＯ熱伝４４は１３００Ｗ／ｍ −Ｋ
ときわめて大きいので第１図のように薄膜の状態でも十
分な伝熱特性が得られる。
ＦＴ等の素子１０２を形成する。従来、高熱伝導率薄膜
は金属薄膜しかなく、絶縁性が要求される場所には用い
ることができなかった。これに対し、窒化ホウ素やダイ
アモンド等は絶縁性が高くかつ熱伝導率も高いので、適
用範囲が非常に広い。層間絶縁膜１０３には減圧化学気
相成長法で作成した５ｉ０２膜を用いた０次に層間絶縁
膜の一端をエツチングで除き、高熱伝導率絶縁膜１０１
を露出させる。この露出部位に例えば金属Ａ１等を蒸着
し、Ａ１パッド１０４を形成し、ここからＡ１ワイア１
０５でワイアボンディングし、放熱板１０６に接触させ
ればよい。ｃ−ＢＮＯ熱伝４４は１３００Ｗ／ｍ −Ｋ
ときわめて大きいので第１図のように薄膜の状態でも十
分な伝熱特性が得られる。
第２図は本発明の薄膜装置の第２の実施例である。これ
は層間絶縁膜１０３の上部に、高熱伝導率絶縁膜１０１
を積層したものである。この構造では基板表面を空気冷
却すれば放熱効果が上がるので、第１図のような放熱板
は必要でない。
は層間絶縁膜１０３の上部に、高熱伝導率絶縁膜１０１
を積層したものである。この構造では基板表面を空気冷
却すれば放熱効果が上がるので、第１図のような放熱板
は必要でない。
第３図は本発明の薄膜装置の第３の実施例である。第３
図では層間絶縁膜１０２を形成した後で層間絶縁膜にス
ルーホール１０７を開ける。この上に高熱伝導率薄膜１
０１を堆積させる。このように製作すると上下２層の高
熱伝導率薄膜が熱的に結合された状態となる。このため
、放熱効率はさらに上がる。また第２図、第３図の場合
、層間絶縁膜１０２も窒化ホウ素で作成することも可能
である。たとえば、Ｂ２Ｈ６とＮＨ３の混合ガスを基板
温度２００℃で、通常のプラズマＣＶＤ法を用いて分解
堆積させると、六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）ができる
。ｈ−ＢＮは水素プラズマでエツチングできるので、こ
れを用いてｈ−ＢＮをパタニングすれば、層間絶縁膜と
しての利用も可能となる。ｈ−ＢＮも熱伝導率は金属並
に高く、またこのような構造は発熱源である素子１０２
に高熱伝導率薄膜が直接液しているので、放熱効率を飛
躍的に上げることができる。
図では層間絶縁膜１０２を形成した後で層間絶縁膜にス
ルーホール１０７を開ける。この上に高熱伝導率薄膜１
０１を堆積させる。このように製作すると上下２層の高
熱伝導率薄膜が熱的に結合された状態となる。このため
、放熱効率はさらに上がる。また第２図、第３図の場合
、層間絶縁膜１０２も窒化ホウ素で作成することも可能
である。たとえば、Ｂ２Ｈ６とＮＨ３の混合ガスを基板
温度２００℃で、通常のプラズマＣＶＤ法を用いて分解
堆積させると、六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）ができる
。ｈ−ＢＮは水素プラズマでエツチングできるので、こ
れを用いてｈ−ＢＮをパタニングすれば、層間絶縁膜と
しての利用も可能となる。ｈ−ＢＮも熱伝導率は金属並
に高く、またこのような構造は発熱源である素子１０２
に高熱伝導率薄膜が直接液しているので、放熱効率を飛
躍的に上げることができる。
［発明の効果コ
従来の絶縁基板上に形成したＴＰＴでは、大電流を流す
と発熱のためＴＰＴが破壊され、電力素子としてＴＰＴ
を応用することができなかった。
と発熱のためＴＰＴが破壊され、電力素子としてＴＰＴ
を応用することができなかった。
しかし、本発明によれば、大電流に起因する発熱を効率
よく逃がすことができるので、サーマルヘッド用の発熱
体素子、ＥＬ発光体駆動用素子、電流増幅用トランジス
タ等への応用にもＴＰＴが使えるようになる。さらに、
液晶シャッタアレイや、３次元ＩＣ等にも用いることが
できる。また、電界効果型トランジスタに限らず、バイ
ポーラトランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジス
タ等の電流坩幅型素子にも適する。
よく逃がすことができるので、サーマルヘッド用の発熱
体素子、ＥＬ発光体駆動用素子、電流増幅用トランジス
タ等への応用にもＴＰＴが使えるようになる。さらに、
液晶シャッタアレイや、３次元ＩＣ等にも用いることが
できる。また、電界効果型トランジスタに限らず、バイ
ポーラトランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジス
タ等の電流坩幅型素子にも適する。
本発明では高熱伝導率薄膜の形成にプラズマＣＶＤ法を
用いているので、大面積基板上に、均一性良く膜を容易
に形成できる。このため大量生産に適し、基板の製造コ
ストも低く抑えることができるという利点も生まれる０
本発明は以上の特徴を有しその効果は大である。
用いているので、大面積基板上に、均一性良く膜を容易
に形成できる。このため大量生産に適し、基板の製造コ
ストも低く抑えることができるという利点も生まれる０
本発明は以上の特徴を有しその効果は大である。
第１図は本発明の薄膜装置の第１の実施例を示す図。
第２図は本発明の薄膜装置の第２の実施例を示す図。
第３図は本発明の薄膜装置の第３の実施例を示す図。
００
０１
０２
０３
０４
０５
絶縁基板
高熱伝導率薄膜
素子
層間絶縁膜
Ａ１パッド
Ａ１ワイア
・放熱板
・・スルーホール
以上
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に、窒化ホウ素、炭化珪素、ダイアモ
ンド等の、高熱伝導率薄膜を積層したことを特徴とする
薄膜装置。 - （２）前記高熱伝導率薄膜は化学気相成長法で作成した
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9785390A JPH03295267A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 薄膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9785390A JPH03295267A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 薄膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03295267A true JPH03295267A (ja) | 1991-12-26 |
Family
ID=14203301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9785390A Pending JPH03295267A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 薄膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03295267A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2713827A1 (fr) * | 1993-12-07 | 1995-06-16 | Thomson Csf | Composant à semiconducteur à dispositif de refroidissement intégré. |
| US6133583A (en) * | 1994-03-11 | 2000-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing the same |
| US6700133B1 (en) | 1994-03-11 | 2004-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US7033912B2 (en) | 2004-01-22 | 2006-04-25 | Cree, Inc. | Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods |
| US7294324B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-11-13 | Cree, Inc. | Low basal plane dislocation bulk grown SiC wafers |
| US7422634B2 (en) | 2005-04-07 | 2008-09-09 | Cree, Inc. | Three inch silicon carbide wafer with low warp, bow, and TTV |
| JP2010129598A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
| WO2012137574A1 (ja) * | 2011-04-01 | 2012-10-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに携帯電話機 |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP9785390A patent/JPH03295267A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2713827A1 (fr) * | 1993-12-07 | 1995-06-16 | Thomson Csf | Composant à semiconducteur à dispositif de refroidissement intégré. |
| US6133583A (en) * | 1994-03-11 | 2000-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing the same |
| US6700133B1 (en) | 1994-03-11 | 2004-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US7579626B2 (en) | 2004-01-22 | 2009-08-25 | Cree, Inc. | Silicon carbide layer on diamond substrate for supporting group III nitride heterostructure device |
| US7033912B2 (en) | 2004-01-22 | 2006-04-25 | Cree, Inc. | Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods |
| US7863624B2 (en) | 2004-01-22 | 2011-01-04 | Cree, Inc. | Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods |
| US8513672B2 (en) | 2004-01-22 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | Wafer precursor prepared for group III nitride epitaxial growth on a composite substrate having diamond and silicon carbide layers, and semiconductor laser formed thereon |
| US9142617B2 (en) | 2004-01-22 | 2015-09-22 | Cree, Inc. | Wide bandgap device having a buffer layer disposed over a diamond substrate |
| US7294324B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-11-13 | Cree, Inc. | Low basal plane dislocation bulk grown SiC wafers |
| US7422634B2 (en) | 2005-04-07 | 2008-09-09 | Cree, Inc. | Three inch silicon carbide wafer with low warp, bow, and TTV |
| JP2010129598A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
| US8198647B2 (en) | 2008-11-25 | 2012-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting apparatus |
| WO2012137574A1 (ja) * | 2011-04-01 | 2012-10-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに携帯電話機 |
| US9299914B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-29 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, manufacturing method of the same, and mobile phone |
| US9906205B2 (en) | 2011-04-01 | 2018-02-27 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, manufacturing method of the same, and mobile phone |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2799744B2 (ja) | ダイヤモンドを用いたサーミスタの作製方法 | |
| JP5109648B2 (ja) | 層状炭素構造体の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP5650421B2 (ja) | グラフェン製造法 | |
| US5107315A (en) | Mis type diamond field-effect transistor with a diamond insulator undercoat | |
| JP2003332504A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US7811914B1 (en) | Apparatus and method for increasing thermal conductivity of a substrate | |
| KR102072580B1 (ko) | 헥사고날 보론 니트라이드 박막의 제조 방법 및 이를 이용한 다층 구조의 제조 방법 및 스위칭 소자의 제조 방법 | |
| JP2000012870A (ja) | 薄膜トランジスタのための多段階ｃｖｄ法 | |
| JPH03295267A (ja) | 薄膜装置 | |
| TWI818439B (zh) | 用於製造經改善的石墨烯基板的方法及其應用 | |
| TW201133945A (en) | Diamond LED devices and associated methods | |
| EP1372188A1 (en) | Solid-state device and its manufacturing method | |
| KR970063569A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP5278737B2 (ja) | 放熱材料の製造方法 | |
| JPH01143323A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH0624221B2 (ja) | 高熱伝導性絶縁基板およびその製法 | |
| TW201221353A (en) | Heat spreading element with AlN film and method for manufacturing the same | |
| KR970067720A (ko) | 신뢰성있는 반도체 소자를 제조하기 위한 방법 | |
| JP2659600B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN111354819A (zh) | 一种光电集成器件及其制备方法 | |
| JPH07172989A (ja) | ダイヤモンド基体の製造方法 | |
| JPH1032213A (ja) | 半導体素子 | |
| US11495454B2 (en) | Deposition of low-stress boron-containing layers | |
| JP6944699B2 (ja) | 六方晶系窒化ホウ素膜の製造方法 | |
| JP5665202B2 (ja) | Ｓｏｉ基板 |