KR102368997B1 - 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 발광 장치의 제작 방법 - Google Patents

발광 장치, 모듈, 전자 기기, 발광 장치의 제작 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치를 제공한다. 또는, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치의 제작 방법을 제공한다. 또는, 신규 발광 장치, 신규 발광 장치의 제작 방법, 또는 신규 장치를 제공한다.
제 1 절연막과 발광 소자를 소정의 등방성을 갖는 제 1 지지체와 제 2 지지체 사이에 갖는 구성을 도출하였다.

Description

발광 장치, 모듈, 전자 기기, 발광 장치의 제작 방법{LIGHT-EMITTING DEVICE, MODULE, ELECTRONIC DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명의 일 형태는 발광 장치 또는 발광 장치의 제작 방법에 관한 것이다.
다만, 본 발명의 일 형태는 상기 기술 분야에 한정되지 않는다. 본 명세서 등에 개시(開示)되는 발명의 일 형태의 기술 분야는 물건, 방법, 또는 제조 방법에 관한 것이다. 또는, 본 발명의 일 형태는 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 따라서, 본 명세서에 기재되는 본 발명의 일 형태에 따른 기술 분야의 더 구체적인 일례로서는 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 기억 장치, 입출력 장치, 이들의 구동 방법, 또는 이들의 제조 방법을 들 수 있다.
대화면 표시 장치는 많은 정보를 표시할 수 있다. 따라서, 일람성이 높고 정보 처리 장치에 사용하기에 바람직하다.
또한, 정보 전달 수단에 관한 사회 기반이 충실하고 있다. 그러므로, 다양하고 윤택한 정보를 직장이나 자택뿐만 아니라 외출한 곳에서도 정보 처리 장치를 이용하여 취득, 가공 또는 발신할 수 있게 되었다. 이러한 배경에서, 휴대 가능한 정보 처리 장치가 활발히 개발되고 있다.
예를 들어, 휴대 가능한 정보 처리 장치는 옥외에서 사용되는 일이 많고, 낙하에 의하여 생각지 못한 힘이 정보 처리 장치 및 이에 이용되는 표시 장치에 가해지는 일이 있다. 파괴되기 어려운 표시 장치의 일례로서, 발광층을 분리하는 구조체와 제 2 전극층의 밀착성을 높인 구성이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
일본국 특개 2012-190794호 공보
본 발명의 일 형태는, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치의 제작 방법을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는, 신규 발광 장치 또는 신규 발광 장치의 제작 방법을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는, 신규 표시 장치 또는 신규 표시 장치의 제작 방법을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다.
또한, 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는 이들 과제 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다. 또한, 이들 외의 과제는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명확해지는 것이며 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 외의 과제가 추출될 수 있다.
본 발명의 일 형태는, 제 1 지지체, 제 1 지지체와 중첩되는 제 1 피박리층, 제 1 피박리층과 중첩되는 접합층, 및 접합층과 중첩되는 제 2 지지체를 갖는 발광 장치이다.
그리고, 제 1 지지체는 등방성을 갖고, 제 1 피박리층은 제 1 지지체 측으로부터 제 1 절연막 및 발광 소자를 이 순서로 갖는다.
제 1 지지체 및 제 2 지지체 중 적어도 한쪽은 발광 소자가 사출하는 광을 투과시킨다.
본 발명의 일 형태는, 제 1 지지체, 제 1 지지체와 중첩되는 제 1 피박리층, 제 1 피박리층과 중첩되는 접합층, 접합층과 중첩되는 제 2 피박리층, 및 제 2 피박리층과 중첩되는 제 2 지지체를 갖는 발광 장치이다.
그리고, 제 1 지지체는 등방성을 갖고, 제 1 피박리층은 제 1 지지체 측으로부터 제 1 절연막 및 발광 소자를 이 순서로 갖는다.
제 2 피박리층은 제 2 절연막을 갖고, 제 1 지지체 및 제 2 지지체 중 적어도 한쪽은 발광 소자가 사출하는 광을 투과시킨다.
또한 본 발명의 일 형태는, 제 2 지지체가 등방성을 갖는 재료를 포함하는, 상기 발광 장치이다.
또한 본 발명의 일 형태는, 제 2 피박리층과 제 2 지지체 사이에 접합층을 갖고, 제 2 지지체가 이방성을 갖는 재료를 포함하는, 상기 발광 장치이다.
또한 본 발명의 일 형태는, 제 1 피박리층이, 발광 소자에 전기적으로 접속되는 단자부를 갖고, 제 2 지지체가, 단자부와 중첩되는 개구부를 갖는, 상기 발광 장치이다.
상술한 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치는, 제 1 절연막과 발광 소자를 제 1 지지체와 제 2 지지체 사이에 포함한다. 이로써, 절연막 및 발광 소자를 제 1 지지체 및 제 2 지지체를 사용하여 보호할 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치를 제공할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태는, 이하에서 기재하는 네 가지 단계를 포함하는 발광 장치의 제작 방법이다.
제 1 단계에서, 제 1 기판, 제 1 기판과 중첩되는 제 1 박리층, 제 1 박리층과 중첩되는 제 1 피박리층, 제 1 피박리층과 중첩되는 접합층, 및 접합층과 중첩되는 제 2 지지체를 갖는 가공 부재를 준비한다. 또한, 제 1 피박리층은 제 1 절연막 및 발광 소자를 갖는다. 제 1 절연막은 발광 소자보다 제 1 기판 측에 제공된다. 그리고, 가공 부재 중 접합층의 단부와 중첩되는 위치 근방에, 제 1 피박리층의 일부가 제 1 기판으로부터 분리된 제 1 박리 기점을 형성한다.
제 2 단계에서, 제 1 박리 기점에서, 제 1 기판을 포함하는 표층을 가공 부재로부터 분리하여 제 1 잔부를 얻는다.
제 3 단계에서, 제 1 피박리층에 유동성을 갖는 재료를 도포한다.
제 4 단계에서, 재료를 경화시켜 제 1 지지체를 형성한다.
또한, 본 발명의 일 형태는, 이하에서 기재하는 여덟 가지 단계를 포함하는 발광 장치의 제작 방법이다.
제 1 단계에서, 제 1 기판, 제 1 기판과 중첩되는 제 1 박리층, 제 1 박리층과 중첩되는 제 1 피박리층, 제 1 피박리층과 중첩되는 접합층, 접합층과 중첩되는 제 2 피박리층, 제 2 피박리층과 중첩되는 제 2 박리층, 및 제 2 박리층과 중첩되는 제 2 기판을 갖는 가공 부재를 준비한다. 또한, 제 1 피박리층은 제 1 절연막 및 발광 소자를 갖는다. 제 1 절연막은 발광 소자보다 제 1 기판 측에 제공된다. 제 2 피박리층은 제 2 절연막을 갖는다. 또한, 가공 부재 중 접합층의 단부와 중첩되는 위치 근방에, 제 1 피박리층의 일부가 제 1 기판으로부터 분리된 제 1 박리 기점을 형성한다.
제 2 단계에서, 제 1 박리 기점에서, 제 1 기판을 포함하는 표층을 가공 부재로부터 분리하여 제 1 잔부를 얻는다.
제 3 단계에서, 제 1 피박리층에 유동성을 갖는 재료를 도포한다.
제 4 단계에서, 재료를 경화시켜 제 1 지지체를 형성함으로써, 적층체가 형성된다.
제 5 단계에서, 제 2 피박리층의 일부가 제 2 기판으로부터 분리된 제 2 박리 기점을 형성한다.
제 6 단계에서, 제 2 박리 기점에서, 제 2 기판을 포함하는 표층을 적층체로부터 분리하여 제 2 잔부를 얻는다.
제 7 단계에서, 제 2 피박리층에 유동성을 갖는 재료를 도포한다.
제 8 단계에서, 재료를 경화시켜 제 2 지지체를 형성한다.
또한 본 발명의 일 형태는, 상술한 제 7 단계 및 제 8 단계 대신에, 이하에서 기재하는 단계를 포함하는 발광 장치의 제작 방법이다.
제 7 단계에서, 접착층을 사용하여 제 2 지지체를 제 2 피박리층에 접합한다.
제 8 단계에서, 접착층을 경화시킨다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 제작 방법은, 유동성을 갖는 재료를 사용하여 제 1 피박리층과 중첩되는 제 1 지지체를 형성하는 단계를 포함한다. 이로써, 제 1 지지체를 형성할 때에 제 1 피박리층에 가해지는 압력을 저감할 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태는, FPC(Flexible Printed Circuit) 또는 터치 센서와, 상기 발광 장치를 갖는 모듈이다.
또한, 본 발명의 일 형태는, 상기 발광 장치 또는 상기 모듈과, 마이크로폰, 안테나, 배터리, 조작 스위치, 또는 하우징을 갖는 전자 기기이다.
또한 본 명세서에 있어서, 일렉트로루미네선스(EL) 소자 중 한 쌍의 전극 사이에 제공된 층을 EL층이라고 한다. 또한, 유기 EL 소자는, 발광성 유기 화합물을 포함하는 발광층을 갖는다. 따라서, 한 쌍의 전극 사이에 제공된 발광층은 EL층의 일 형태이다.
또한 본 명세서에 있어서, 화상 표시 장치 또는 광원(조명 장치를 포함함)은 발광 장치의 범주에 포함된다.
또한, FPC 또는 TCP(Tape Carrier Package) 등의 커넥터가 제공된 모듈, 상기 모듈의 TCP 끝에 프린트 배선판이 제공된 것, 또는 COG(Chip On Glass) 방식에 의하여 IC(집적 회로)가 실장되며 발광 소자가 형성된 기판도 발광 장치의 범주에 포함된다.
또한 본 명세서에 있어서, 트랜지스터의 제 1 전극 및 제 2 전극 중 한쪽이 소스 전극을 나타내고, 다른 쪽이 드레인 전극을 나타낸다.
본 발명의 일 형태에 의하여, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치를 제공할 수 있다. 또는, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다. 또는, 신규 발광 장치, 신규 발광 장치의 제작 방법, 신규 표시 장치, 또는 신규 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다.
또한, 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는 반드시 이들 효과 모두를 가질 필요는 없다. 또한, 이들 외의 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해지는 것으로 명세서, 도면, 및 청구항 등의 기재로부터 이들 외의 효과가 추출될 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 발광 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 2는 실시형태에 따른 발광 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 실시형태에 따른 발광 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 도면.
도 4는 실시형태에 따른 발광 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 도면.
도 5는 실시형태에 따른 발광 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 도면.
도 6은 실시형태에 따른 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 7은 실시형태에 따른 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 8은 실시형태에 따른 발광 장치를 사용한 정보 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 9는 실시형태에 따른 발광 장치를 사용한 정보 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 10은 실시예에 따른 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 모식도 및 제작한 표시 장치의 사진.
도 11은 실시예에 따른 발광 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 도면.
도 12는 실시예에 따른 발광 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 도면.
도 13은 실시예에 따른 표시 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 도면.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치는, 등방성을 갖는 제 1 지지체와 제 2 지지체 사이에 제 1 절연막과 발광 소자를 포함한다.
이로써, 절연막 및 발광 소자를 제 1 지지체 및 제 2 지지체를 사용하여 보호할 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치를 제공할 수 있다. 또는, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다. 또는, 신규 발광 장치, 신규 발광 장치의 제작 방법, 또는 신규 장치를 제공할 수 있다.
실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 형태 및 상세한 사항은 본 발명의 취지 및 범위에서 벗어남이 없이 다양하게 변경될 수 있다는 것은 당업자라면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 이하에 설명하는 발명의 구성에 있어서, 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면간에서 공통으로 사용하고, 그 반복 설명은 생략한다.
또한, '막'이라는 말과 '층'이라는 말은 경우 또는 상황에 따라 서로 바꿀 수 있다. 예를 들어, '도전층'이라는 용어를 '도전막'이라는 용어로 바꿀 수 있는 경우가 있다. 또는, 예를 들어 '절연막'이라는 용어를 '절연층'이라는 용어로 바꿀 수 있는 경우가 있다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 구성에 대하여, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200A)~발광 장치(200C)의 구성을 설명하는 도면이다.
도 1의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200A)~발광 장치(200C)의 상면도이고, 도 1의 (B1)은 도 1의 (A)의 발광 장치(200A)에서의 절단선 X1-X2를 따른 단면도이다.
<발광 장치의 구성예 1>
본 실시형태에서 설명하는 발광 장치(200A)는, 제 1 지지체(41), 제 1 지지체(41)와 중첩되는 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)과 중첩되는 접합층(30), 및 접합층(30)과 중첩되는 제 2 지지체(42)를 이 순서로 갖는다(도 1의 (B1) 참조).
제 1 지지체(41)는 소정의 등방성을 갖는다.
제 1 피박리층(13)은 제 1 지지체(41) 측으로부터 제 1 절연막 및 발광 소자를 이 순서로 갖는다.
제 1 지지체(41) 및 제 2 지지체(42) 중 적어도 한쪽은 발광 소자가 사출하는 광을 투과시킨다.
본 실시형태에서 설명하는 발광 장치(200A)는 제 1 절연막과 발광 소자를 제 1 지지체(41)와 제 2 지지체(42) 사이에 포함한다. 이로써, 절연막 및 발광 소자를 제 1 지지체(41) 및 제 2 지지체(42)를 사용하여 보호할 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치를 제공할 수 있다.
또한, 제 2 지지체(42)는 소정의 등방성을 갖는 재료를 포함한다.
또한, 제 1 피박리층(13)은 발광 소자에 전기적으로 접속되는 단자(219)를 갖는다.
제 2 지지체(42)는 단자(219)와 중첩되는 개구부를 갖는다.
이하에서, 발광 장치(200A)의 각 구성 요소에 대하여 설명한다. 또한, 이들의 구성 요소는 명확하게 나눌 수 없고, 하나의 구성 요소가 다른 구성 요소를 겸하는 경우나, 다른 구성 요소의 일부를 포함하는 경우가 있다.
≪본 발명의 일 형태의 구성≫
발광 장치(200A)는 제 1 지지체(41), 제 1 피박리층(13), 접합층(30), 또는 제 2 지지체(42)를 갖는다.
≪제 1 지지체(41)≫
제 1 지지체(41)는 예를 들어 제 1 피박리층(13)과 접한다.
제 1 지지체(41) 및 제 2 지지체(42) 중 적어도 한쪽은 발광 소자가 사출하는 광을 투과시킨다.
제 1 지지체(41)는 소정의 등방성을 갖는다. 예를 들어, 제 1 지지체(41)는 광학적인 등방성 또는 역학적인 등방성을 갖는 재료를 포함한다. 구체적으로는, 제 1 지지체(41)와 같은 평면에 포함되며 직교되는 두 방향의 굴절률의 이방성이 2×10-4 미만, 바람직하게는 8×10-5 이하, 더 바람직하게는 5×10-5 이하, 더욱 바람직하게는 3×10-5 이하인 복굴절을 갖는 재료를 사용할 수 있다. 광학적인 등방성을 갖는 재료는 광학 필름의 광학 특성이 손실될 우려가 적다. 예를 들어, 편광 필름의 특성이 손실될 우려가 적다. 구체적으로는, 원 편광판의 특성이 손실될 우려가 적다. 또한, 탄성률의 등방성 또는 파단강도의 등방성 등을 역학적인 등방성이라고 할 수 있다.
예를 들어, 유동성을 갖는 재료를 제 1 피박리층(13)에 도포한 후에 경화시켜 고체상의 막을 성형하고, 얻어진 막을 제 1 지지체(41)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 가요성을 갖는 재료를 제 1 지지체(41)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 수지 또는 플라스틱 등의 유기 재료를 제 1 지지체(41)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 에폭시 수지, 또는 아크릴 수지 등을 제 1 지지체(41)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 섬유상 또는 입자상의 무기 재료(구체적으로는 금속, 금속 산화물, 무기 산화물, 또는 유리 등)가 분산된 복합 재료를 제 1 지지체(41)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 경화 후의 두께가 50μm가 되도록 도포된 2액형 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 형식 번호 TB2001(Three Bond Co., Ltd.사제) 또는 형식 번호 TB2022(Three Bond Co., Ltd.사제)를 사용할 수 있다.
≪제 1 피박리층(13)≫
제 1 피박리층(13)은 절연막 및 발광 소자를 포함한다.
제 1 피박리층(13)은 절연막을 발광 소자보다 제 1 지지체(41) 측에 갖는다.
또한 제 1 피박리층(13)은 발광 소자에 전기적으로 접속되는 단자(219)를 갖는다.
≪절연막≫
제 1 피박리층(13)의 절연막은 단층 구조 또는 복수의 층이 적층된 적층 구조를 갖는다.
무기 재료, 유기 재료, 또는 무기 재료와 유기 재료를 포함하는 층을 제 1 피박리층(13)의 절연막에 사용할 수 있다.
예를 들어, 무기 산화물막, 무기 질화물막, 또는 무기 산화질화물막 등의 무기 재료를 제 1 피박리층(13)의 절연막에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화질화 실리콘, 또는 알루미나 등을 포함하는 막을 사용할 수 있다.
예를 들어, 발광 소자의 기능을 손실시키는 불순물이 발광 소자에 확산되는 현상을 방지할 수 있는 막을 절연막에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 제 1 지지체(41) 측으로부터 두께 600nm의 산화질화 실리콘막 및 두께 200nm의 질화 실리콘막이 이 순서로 적층된 적층막을 절연막에 사용할 수 있다. 또한, 산화질화 실리콘막은 산소의 조성이 질소의 조성보다 많고, 질화산화 실리콘막은 질소의 조성이 산소의 조성보다 많다.
구체적으로는, 제 1 지지체(41) 측으로부터 두께 600nm의 산화질화 실리콘막, 두께 200nm의 질화 실리콘막, 두께 200nm의 산화질화 실리콘막, 두께 140nm의 질화산화 실리콘막, 및 두께 100nm의 산화질화 실리콘막이 이 순서로 적층된 적층막을 절연막에 사용할 수 있다.
≪발광 소자≫
제 1 피박리층(13)의 발광 소자는 제 1 지지체(41) 및 제 2 지지체(42) 중 적어도 한쪽을 향하여 광을 사출한다.
예를 들어, 유기 EL 소자를 제 1 피박리층(13)의 발광 소자에 사용할 수 있다.
≪접합층(30)≫
접합층(30)은 제 1 피박리층(13)과 제 2 지지체(42)를 접합한다.
무기 재료, 유기 재료, 또는 무기 재료와 유기 재료의 복합 재료 등을 접합층(30)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 융점이 400℃ 이하, 바람직하게는 300℃ 이하인 유리층을 접합층(30)에 사용할 수 있다. 또는, 접착제 등을 접합층(30)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 광경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열경화형 접착제 또는/및 혐기형 접착제 등의 유기 재료를 접합층(30)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘(silicone) 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄) 수지, EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 포함하는 접착제를 사용할 수 있다.
≪제 2 지지체(42)≫
제 2 지지체(42)는 예를 들어 접합층(30)과 접한다.
제 2 지지체(42)는 단자(219)와 중첩되는 개구부를 갖는다.
예를 들어, 제 1 지지체(41)와 같은 재료를 제 2 지지체(42)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 유동성을 갖는 재료를 제 2 피박리층(23)에 도포한 후에 경화시켜 고체상의 막을 성형하고, 얻어진 막을 제 2 지지체(42)에 사용할 수 있다. 또한, 일부를 제거함으로써 개구부를 형성할 수 있다.
<발광 장치의 구성예 2>
본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 다른 구성에 대하여 도 1을 참조하면서 설명한다.
도 1의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200A)~발광 장치(200C)의 상면도이고, 도 1의 (B2)는 도 1의 (A)의 발광 장치(200B)에서의 절단선 X1-X2를 따른 단면도이다.
또한, 발광 장치(200B)는 제 2 피박리층(23)을 갖는 점이, 도 1의 (B1)을 참조하면서 설명한 발광 장치(200A)와는 상이하다. 이하에서는 상이한 구성에 대해서 자세히 설명하고, 같은 구성을 사용할 수 있는 부분에 대해서는 상술한 설명을 원용한다.
본 실시형태에서 설명하는 발광 장치(200B)는 제 1 지지체(41), 제 1 지지체(41)와 중첩되는 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)과 중첩되는 접합층(30), 접합층(30)과 중첩되는 제 2 피박리층(23), 및 제 2 피박리층(23)과 중첩되는 제 2 지지체(42)를 이 순서로 갖는다(도 1의 (B2) 참조).
제 1 지지체(41)는 소정의 등방성을 갖는다.
제 1 피박리층(13)은 제 1 지지체(41) 측으로부터 제 1 절연막 및 발광 소자를 이 순서로 갖는다.
제 2 피박리층(23)은 제 2 절연막을 갖는다.
제 1 지지체(41) 및 제 2 지지체(42) 중 적어도 한쪽은 발광 소자가 사출하는 광을 투과시킨다.
또한, 제 2 지지체(42)는 소정의 등방성을 갖는 재료를 포함한다.
또한, 제 1 피박리층(13)은 발광 소자에 전기적으로 접속되는 단자(219)를 갖는다.
제 2 지지체(42)는 단자(219)와 중첩되는 개구부를 갖는다.
≪본 발명의 일 형태에 따른 구성≫
발광 장치(200B)는 제 1 지지체(41), 제 1 피박리층(13), 접합층(30), 제 2 피박리층(23), 또는 제 2 지지체(42)를 갖는다.
≪제 2 피박리층(23)≫
제 2 피박리층(23)은 제 2 절연막을 갖는다. 제 2 피박리층(23)의 제 2 절연막과 제 1 피박리층(13)의 제 1 절연막 사이에 제 1 피박리층(13)의 발광 소자가 개재(介在)된다. 이로써, 발광 소자에 불순물이 확산되는 것을 억제할 수 있다.
예를 들어, 제 1 피박리층(13)의 절연막에 사용할 수 있는 재료와 같은 재료를 제 2 피박리층(23)의 절연막에 사용할 수 있다.
또한, 제 2 피박리층(23)은 다양한 기능층을 가질 수 있다.
예를 들어, 소정의 색의 광을 투과시키는 착색층을 갖는 컬러 필터를 기능층에 사용하여도 좋다. 또는, 대상물(손가락 등)의 접근 또는 접촉을 검지하는 터치 센서를 기능층에 사용하여도 좋다.
≪제 2 지지체(42)≫
제 2 지지체(42)는 예를 들어 제 2 피박리층(23)과 접한다.
제 2 지지체(42)는 단자(219)와 중첩되는 개구부를 갖는다.
예를 들어, 제 1 지지체(41)와 같은 재료를 제 2 지지체(42)에 사용할 수 있다.
<발광 장치의 구성예 3>
본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 다른 구성에 대하여 도 1을 참조하면서 설명한다.
도 1의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200A)~발광 장치(200C)의 상면도이고, 도 1의 (B3) 및 (C)는 도 1의 (A)의 발광 장치(200C)에서의 절단선 X1-X2를 따른 단면도이다.
또한, 발광 장치(200C)는, 제 2 피박리층(23)과 제 2 지지체(42) 사이에 접착층(32)을 갖는 점 및 제 2 지지체(42)가 소정의 이방성을 갖는 재료를 포함하는 점이, 도 1의 (B2)를 참조하면서 설명한 발광 장치(200B)와는 상이하다. 이하에서는 상이한 구성에 대하여 자세히 설명하고, 같은 구성을 사용할 수 있는 부분은 상술한 설명을 원용한다.
본 실시형태에서 설명하는 발광 장치(200C)는 제 2 피박리층(23)과 제 2 지지체(42) 사이에 접착층(32)을 갖는다(도 1의 (B3) 또는 (C) 참조).
제 2 지지체(42)는 소정의 이방성을 갖는 재료를 포함한다.
또한, 제 1 피박리층(13)은 제 1 지지체(41) 측으로부터 절연막(210a) 및 발광 소자(250)를 갖는다. 또한, 제 1 피박리층(13)은 단자(219) 및 배선(211)을 갖는다(도 1의 (C) 참조).
또한, 배선(211)은 발광 소자(250) 및 단자(219)에 전기적으로 접속된다. 단자(219)에는 전력이 공급되고, 배선(211)을 통하여 전력이 발광 소자(250)에 공급된다.
≪본 발명의 일 형태에 따른 구성≫
발광 장치(200C)는 제 1 지지체(41), 제 1 피박리층(13), 접합층(30), 제 2 피박리층(23), 접착층(32), 또는 제 2 지지체(42)를 갖는다(도 1의 (B3) 참조).
≪접착층(32)≫
접착층(32)은 제 2 지지체(42)와 제 2 피박리층(23)을 접합하는 기능을 갖는다.
유기 재료, 무기 재료, 또는 유기 재료와 무기 재료의 복합 재료를 접착층(32)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 광경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열경화형 접착제 또는/및 혐기형 접착제 등의 유기 재료를 접착층(32)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄) 수지, EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 포함하는 접착제를 사용할 수 있다.
≪제 2 지지체(42)≫
제 2 지지체(42)는 소정의 이방성을 갖는 재료를 포함한다. 예를 들어, 광학적인 이방성을 갖는 재료를 사용한다. 구체적으로는, 제 2 지지체(42)와 같은 평면에 포함되며 직교되는 두 방향의 굴절률의 이방성이 2×10-4 이상, 바람직하게는 4×10-4 이상인 재료를 사용할 수 있다.
예를 들어, 연신법(延伸法)을 사용하여 성형된 필름 등을 제 2 지지체(42)에 사용할 수 있다. 1축 연신법이나 축차 2축 연신법 등을 사용하면, 광학적인 이방성을 갖도록 재료를 막상(膜狀)으로 성형할 수 있다.
구체적으로는, 연신법을 사용하여 성형된 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 에폭시 수지, 또는 아크릴 수지 등을 포함한 필름을 제 2 지지체(42)에 사용할 수 있다. 연신법을 사용하여 성형된 필름은 늘어나기 어렵고, 예를 들어 내부 응력 또는 외부 응력으로부터 발광 소자를 보호할 수 있다.
≪제 1 피박리층(13)≫
제 1 피박리층(13)은 절연막(210a), 배선(211), 절연막(221), 격벽(228), 또는 발광 소자(250)를 갖는다(도 1의 (C) 참조).
≪절연막(210a)≫
절연막(210a)은 단층 구조 또는 복수의 층이 적층된 적층 구조를 갖는다.
무기 재료, 유기 재료, 또는 무기 재료와 유기 재료를 포함하는 층을 제 1 피박리층(13)의 절연막(210a)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 무기 산화물막, 무기 질화물막, 또는 무기 산화질화물막 등의 무기 재료를 제 1 피박리층(13)의 절연막(210a)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화질화 실리콘, 알루미나 등을 포함하는 막을 사용할 수 있다.
예를 들어, 발광 소자의 기능을 손실시키는 불순물이 발광 소자에 확산되는 현상을 방지할 수 있는 막을 절연막(210a)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 제 1 지지체(41) 측으로부터 두께 600nm의 산화질화 실리콘막 및 두께 200nm의 질화 실리콘막이 이 순서로 적층된 적층막을 절연막(210a)에 사용할 수 있다. 또한, 산화질화 실리콘막은 산소의 조성이 질소의 조성보다 많고, 질화산화 실리콘막은 질소의 조성이 산소의 조성보다 많다.
구체적으로는, 제 1 지지체(41) 측으로부터 두께 600nm의 산화질화 실리콘막, 두께 200nm의 질화 실리콘막, 두께 200nm의 산화질화 실리콘막, 두께 140nm의 질화산화 실리콘막, 및 두께 100nm의 산화질화 실리콘막이 이 순서로 적층된 적층막을 절연막(210a)에 사용할 수 있다.
≪단자(219) 및 배선(211)≫
단자(219) 또는 배선(211)은 도전막을 포함한다.
도전성을 갖는 재료를 단자(219) 또는 배선(211) 등에 사용한다.
예를 들어, 무기 도전성 재료, 유기 도전성 재료, 금속 또는 도전성 세라믹 등을 배선에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 알루미늄, 금, 백금, 은, 크로뮴, 탄탈럼, 타이타늄, 몰리브데넘, 텅스텐, 니켈, 철, 코발트, 팔라듐, 또는 망가니즈에서 선택된 금속 원소, 상술한 금속 원소를 포함하는 합금, 또는 상술한 금속 원소를 조합한 합금 등을 배선 등에 사용할 수 있다.
또는, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨이 첨가된 산화 아연 등의 도전성 산화물을 사용할 수 있다.
또는, 그래핀 또는 그래파이트를 사용할 수 있다. 그래핀을 포함하는 막은, 예컨대 막상으로 형성된 산화 그래핀을 포함하는 막을 환원하여 형성할 수 있다. 환원하는 방법으로서는, 가열하는 방법이나 환원제를 사용하는 방법 등을 들 수 있다.
또는, 도전성 고분자를 사용할 수 있다.
≪절연막(221) 및 격벽(228)≫
절연막(221) 및 격벽(228)은 절연성을 갖는다.
예를 들어, 아크릴 수지, 폴리이미드 또는 폴리에스터 등을 절연막(221) 또는 격벽(228)에 사용할 수 있다.
≪발광 소자(250)≫
발광 소자(250)는 제 1 지지체(41) 또는 제 2 지지체(42)를 향하여 광을 사출하는 기능을 갖는다.
예를 들어, 유기 EL 소자를 발광 소자(250)에 사용할 수 있다.
발광 소자(250)는 하부 전극(251), 하부 전극(251)과 중첩되는 상부 전극(252), 및 하부 전극(251)과 상부 전극(252) 사이의 발광성 유기 화합물을 포함하는 층(253)을 갖는다.
하부 전극(251) 및 상부 전극(252) 중 적어도 한쪽은 투광성을 갖고, 발광성 유기 화합물을 포함하는 층(253)이 사출하는 광을 투과시킨다.
하부 전극(251)은 격벽(228)의 개구부와 중첩된다. 또한, 하부 전극(251)은 절연막(221)과 중첩된다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 제작 방법에 대하여 도 2를 참조하면서 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200A)의 제작 방법을 설명하는 모식도이다. 도 2의 오른쪽에 도시된 도 2의 (A2)~(E2)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200A)의 제작 방법을 설명하는 상면도이고, 도 2의 왼쪽에 도시된 도 2의 (A1)~(E1)은 대응하는 상면도의 절단선에서의, 발광 장치(200A)의 제작 방법을 설명하는 단면도이다.
<발광 장치의 제작 방법의 예>
본 실시형태에서 설명하는 발광 장치의 제작 방법은 이하에서 기재하는 네 가지 단계를 포함한다.
≪제 1 단계≫
제 1 단계에서, 제 1 기판(11), 제 1 기판(11)과 중첩되는 제 1 박리층(12), 제 1 박리층(12)과 중첩되는 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)과 중첩되는 접합층(30), 및 접합층(30)과 중첩되는 제 2 지지체(42)를 갖는 가공 부재(80)를 준비한다(도 2의 (A1) 및 (A2) 참조).
또한, 제 1 피박리층(13)은 제 1 기판(11) 측으로부터 제 1 절연막 및 발광 소자를 이 순서로 갖는다. 또한, 가공 부재(80)에 적용할 수 있는 다양한 구성에 대해서는 실시형태 4에서 설명한다.
그리고, 가공 부재(80) 중 접합층(30)의 단부와 중첩되는 위치 근방에, 제 1 피박리층(13)의 일부가 제 1 기판(11)으로부터 분리된 제 1 박리 기점(13s)을 형성한다(도 2의 (B1) 및 (B2) 참조).
예를 들어, 제 1 기판(11) 측으로부터 예리한 선단으로 제 1 피박리층(13)을 찌르는 방법이나 레이저 등을 사용하는 방법(예를 들어 레이저 어블레이션(laser ablation)법) 등을 사용하여, 제 1 피박리층(13)의 일부를 제 1 기판(11)으로부터 부분적으로 분리할 수 있다. 이로써, 제 1 박리 기점(13s)을 형성할 수 있다.
≪제 2 단계≫
제 2 단계에서, 제 1 박리 기점(13s)에서, 제 1 기판(11)을 포함하는 표층(80b)을 가공 부재(80)로부터 박리하여 제 1 잔부(80a)를 얻는다(도 2의 (C) 참조).
또한, 제 1 박리층(12)과 제 1 피박리층(13)의 계면 근방에 이온을 조사하여 정전기를 제거하면서 박리하여도 좋다. 구체적으로는, 이온화 장치를 사용하여 생성된 이온을 조사하여도 좋다.
또한, 제 1 박리층(12)으로부터 제 1 피박리층(13)을 박리할 때, 제 1 박리층(12)과 제 1 피박리층(13)의 계면에 액체를 침투시킨다. 또는, 액체를 노즐(99)로부터 분출하여 부착시켜도 좋다. 예를 들어, 침투시키는 액체 또는 분출하여 부착시키는 액체에 물, 극성 용매 등을 사용할 수 있다.
액체를 침투시킴으로써, 박리에 따라 발생하는 정전기 등의 영향을 억제할 수 있다. 또한, 박리층을 용해시키는 액체를 침투시키면서 박리하여도 좋다.
특히, 제 1 박리층(12)에 산화 텅스텐을 포함하는 막을 사용하는 경우, 물을 포함하는 액체를 침투시키면서 또는 분출하여 부착시키면서 제 1 피박리층(13)을 박리하면, 제 1 피박리층(13)에 가해지는 박리에 따른 응력을 저감할 수 있어 바람직하다.
≪제 3 단계≫
제 3 단계에서, 제 1 피박리층(13)에 유동성을 갖는 재료를 도포한다(도 2의 (D1) 및 (D2) 참조).
≪제 4 단계≫
제 4 단계에서, 유동성을 갖는 재료를 경화시켜 제 1 지지체(41)를 형성한다(도 2의 (D1) 및 (D2) 참조).
≪제 5 단계≫
제 5 단계에서, 제 2 지지체(42)에 개구부를 형성한다(도 2의 (E1) 및 (E2) 참조).
본 실시형태에서 설명하는 발광 장치(200A)의 제작 방법은, 제 1 피박리층(13)과 중첩되는 제 1 지지체(41)를, 유동성을 갖는 재료를 사용하여 형성하는 단계를 포함한다. 이로써, 제 1 지지체(41)를 형성할 때 제 1 피박리층(13)에 가해지는 압력을 저감할 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다.
또한, 발광 장치(200A)의 제작 공정 중에 발생한 이물이 제 1 피박리층(13)에 부착되는 경우가 있다. 이물이 부착된 상태로, 제 1 지지체(41)를 제 1 피박리층(13) 위에 형성할 때 제 1 피박리층(13)에 압력을 가하면, 이물이 제 1 피박리층(13)에 압입될 수 있다. 이로 인하여, 제 1 피박리층(13)에 포함되는 절연막이나 발광 소자가 파괴되는 경우가 있다.
한편, 제 1 지지체(41)를 형성할 때 유동성을 갖는 재료를 사용하면, 이물이 압입될 정도의 압력을 가하지 않고 발광 장치(200A)를 제작할 수 있다. 이로써, 발광 장치(200A)를 높은 수율로 제작할 수 있다.
특히, 제 1 피박리층(13)이 유기 EL 소자, 또는 두께가 2μm 이하, 바람직하게는 1.2μm 이하, 더 바람직하게는 0.9μm 이하인 절연막을 포함하는 경우에도, 발광 장치(200A)를 높은 수율로 제작할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 제작 방법에 대하여 도 3~도 5를 참조하면서 설명한다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200B)의 제작 방법을 설명하는 모식도이다.
도 3의 오른쪽에 도시된 도 3의 (A2)~(E2)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200B)의 제작 방법을 설명하는 상면도이고, 도 3의 왼쪽에 도시된 도 3의 (A1)~(E1)은 대응하는 상면도의 절단선에서의, 발광 장치(200B)의 제작 방법을 설명하는 단면도이다.
도 4의 오른쪽에 도시된 도 4의 (C2) 및 (D2)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200B)의 제작 방법을 설명하는 상면도이고, 도 4의 왼쪽에 도시된 도 4의 (A)~(D1)은 대응하는 상면도의 절단선에서의, 발광 장치(200B)의 제작 방법을 설명하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200C)의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
<발광 장치의 제작 방법의 예 1>
본 실시형태에서 설명하는 발광 장치의 제작 방법은 이하에서 기재하는 여덟 가지 단계를 포함한다.
≪제 1 단계≫
제 1 단계에서, 제 1 기판(11), 제 1 기판(11)과 중첩되는 제 1 박리층(12), 제 1 박리층(12)과 중첩되는 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)과 중첩되는 접합층(30), 접합층(30)과 중첩되는 제 2 피박리층(23), 제 2 피박리층(23)과 중첩되는 제 2 박리층(22), 및 제 2 박리층(22)과 중첩되는 제 2 기판(21)을 갖는 가공 부재(90)를 준비한다(도 3의 (A1) 및 (A2) 참조).
또한, 제 1 피박리층(13)은 제 1 기판(11) 측으로부터 제 1 절연막 및 발광 소자를 이 순서로 갖는다. 또한, 가공 부재(90)에 적용할 수 있는 다양한 구성에 대해서는 실시형태 4에서 설명한다.
또한, 제 2 피박리층(23)은 제 2 절연막을 갖는다.
그리고, 가공 부재(90) 중 접합층(30)의 단부와 중첩되는 위치 근방에, 제 1 피박리층(13)의 일부가 제 1 기판(11)으로부터 분리된 제 1 박리 기점(13s)을 형성한다(도 3의 (B1) 및 (B2) 참조).
예를 들어, 제 1 기판(11) 측으로부터 예리한 선단으로 제 1 피박리층(13)을 찌르는 방법이나 레이저 등을 사용하는 방법(예를 들어 레이저 어블레이션법) 등을 사용하여, 제 1 피박리층(13)의 일부를 제 1 기판(11)으로부터 부분적으로 분리할 수 있다. 이로써, 제 1 박리 기점(13s)을 형성할 수 있다.
≪제 2 단계≫
제 2 단계에서, 제 1 박리 기점(13s)에서, 제 1 기판(11)을 포함하는 표층(90b)을 가공 부재(90)로부터 박리하여 제 1 잔부(90a)를 얻는다(도 3의 (C) 참조).
또한, 제 1 박리층(12)과 제 1 피박리층(13)의 계면 근방에 이온을 조사하고, 정전기를 제거하면서 박리하여도 좋다.
또한, 제 1 박리층(12)으로부터 제 1 피박리층(13)을 박리할 때, 제 1 박리층(12)과 제 1 피박리층(13)의 계면에 액체를 침투시킨다. 또는, 액체를 노즐(99)로부터 분출하여 부착시켜도 좋다. 예를 들어, 침투시키는 액체 또는 분출하여 부착시키는 액체에 물, 극성 용매 등을 사용할 수 있다.
≪제 3 단계≫
제 3 단계에서, 제 1 피박리층(13)에 유동성을 갖는 재료를 도포한다(도 3의 (D1) 및 (D2) 참조).
≪제 4 단계≫
제 4 단계에서, 유동성을 갖는 재료를 경화시켜 제 1 잔부(90a)에 제 1 피박리층(13)과 중첩되는 제 1 지지체(41)를 형성하여, 적층체(91)를 형성한다(도 3의 (D1) 및 (D2) 참조).
≪제 5 단계≫
제 5 단계에서, 제 2 피박리층(23)의 일부가 제 2 기판(21)으로부터 분리된 제 2 박리 기점(91s)을 형성한다(도 3의 (E1) 및 (E2) 참조).
예를 들어, 적층체(91)의 일부가 남도록 절삭구를 사용하여 제 1 지지체(41) 측으로부터 절삭하여, 제 2 피박리층(23)의 일부를 제 2 기판(21)으로부터 부분적으로 분리할 수 있다. 이로써, 제 2 박리 기점(91s)을 형성할 수 있다. 또한, 날붙이나 예리한 선단을 갖는 다양한 것을 절삭구로서 사용할 수 있다.
≪제 6 단계≫
제 6 단계에서, 제 2 박리 기점(91s)에서, 제 2 기판(21)을 포함하는 표층(91b)을 적층체(91)로부터 분리하여 제 2 잔부(91a)를 얻는다(도 4의 (A) 및 (B) 참조).
또한, 제 2 박리층(22)과 제 2 피박리층(23)의 계면 근방에 이온을 조사하고, 정전기를 제거하면서 박리하여도 좋다.
또한, 제 2 박리층(22)으로부터 제 2 피박리층(23)을 박리할 때, 제 2 박리층(22)과 제 2 피박리층(23)의 계면에 액체를 침투시킨다. 또는, 액체를 노즐(99)로부터 분출하여 부착시켜도 좋다. 예를 들어, 침투시키는 액체 또는 분출하여 부착시키는 액체에 물, 극성 용매 등을 사용할 수 있다.
≪제 7 단계≫
제 7 단계에서, 제 2 피박리층(23)에 유동성을 갖는 재료를 도포한다(도 4의 (C1) 및 (C2) 참조).
≪제 8 단계≫
제 8 단계에서, 유동성을 갖는 재료를 경화시켜 제 2 지지체(42)를 형성한다(도 4의 (C1) 및 (C2) 참조).
≪제 9 단계≫
제 9 단계에서, 제 2 지지체(42)에 개구부를 형성한다(도 4의 (D1) 및 (D2) 참조).
본 실시형태에서 설명하는 발광 장치(200B)의 제작 방법은, 제 1 피박리층(13)과 중첩되는 제 1 지지체(41)를, 유동성을 갖는 재료를 사용하여 형성하는 단계와, 제 2 피박리층(23)과 중첩되는 제 2 지지체(42)를, 유동성을 갖는 재료를 사용하여 형성하는 단계를 포함한다. 이로써, 제 1 지지체(41)를 형성할 때 제 1 피박리층(13)에 가해지는 압력과, 제 2 지지체(42)를 형성할 때 제 2 피박리층(23)에 가해지는 압력을 저감할 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다.
또한, 발광 장치(200B)의 제작 공정 중에 발생한 이물이 제 1 피박리층(13) 또는 제 2 피박리층(23)에 부착되는 경우가 있다. 이물이 부착된 상태로, 제 1 지지체(41)를 제 1 피박리층(13) 위에 형성할 때 또는 제 2 지지체(42)를 제 2 피박리층(23) 위에 형성할 때 압력을 가하면, 이물이 제 1 피박리층(13) 또는 제 2 피박리층(23)에 압입될 수 있다. 이로 인하여, 제 1 피박리층(13)에 포함되는 절연막이나 발광 소자, 또는 제 2 피박리층(23)에 포함되는 절연막이 파괴되는 경우가 있다.
한편, 제 1 지지체(41) 또는 제 2 지지체(42)를 형성할 때 유동성을 갖는 재료를 사용하면, 이물이 압입될 정도의 압력을 가하지 않고 발광 장치(200B)를 제작할 수 있다. 이로써, 발광 장치(200B)를 높은 수율로 제작할 수 있다.
또한, 압입된 이물 등으로 제 1 피박리층(13) 또는 제 2 피박리층(23)이 손상되면, 제 6 단계에서 제 2 기판(21)을 포함하는 표층(91b)을 적층체(91)로부터 분리할 때, 손상된 부분으로부터 비의도적으로 적층체(91)가 파괴되는 경우가 있다.
특히, 제 1 피박리층(13)이 유기 EL 소자, 또는 두께가 2μm 이하, 바람직하게는 1.2μm 이하, 더 바람직하게는 0.9μm 이하인 절연막을 포함하는 경우에도, 발광 장치(200B)를 높은 수율로 제작할 수 있다.
<발광 장치의 제작 방법의 예 2>
본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 제작 방법의 다른 구성예에 대하여 도 3~도 5를 참조하면서 설명한다.
도 5는 도 4에서의 일부를 치환하여 발광 장치(200C)의 제작 방법을 설명하기 위한 도면이다.
구체적으로는, 도 5의 (A1) 또는 (A2)는 발광 장치(200C)의 제작 방법을 설명하기 위하여 도 4의 (C1) 또는 (C2)를 치환하는 도면이고, 도 5의 (B1) 또는 (B2)는 발광 장치(200C)의 제작 방법을 설명하기 위하여 도 4의 (D1) 또는 (D2)를 치환하는 도면이다.
또한 발광 장치(200C)의 제작 방법은, 접착층(32)을 사용하여 제 2 지지체(42)와 제 2 잔부(91a)를 접합하는 제 7 단계 및 접착층(32)을 경화시키는 제 8 단계가, 도 3 및 도 4를 참조하면서 설명한 발광 장치(200B)의 제작 방법과는 상이하다. 이하에서는, 상이한 단계에 대하여 자세히 설명하고, 상기와 같은 방법을 사용할 수 있는 단계는 상술한 설명을 원용한다.
≪제 7 단계≫
제 7 단계에서, 접착층(32)을 사용하여 제 2 지지체(42)와 제 2 피박리층(23)을 접합한다(도 5의 (A1) 및 (A2) 참조).
≪제 8 단계≫
제 8 단계에서 접착층(32)을 경화시킨다.
≪제 9 단계≫
제 9 단계에서, 제 2 지지체(42)에 개구부를 형성한다(도 5의 (B1) 및 (B2) 참조).
본 실시형태에서 설명하는 발광 장치(200C)의 제작 방법은, 제 1 피박리층(13)과 중첩되는 제 1 지지체(41)를, 유동성을 갖는 재료를 사용하여 형성하는 단계를 포함한다. 이로써, 제 1 지지체(41)를 형성할 때 제 1 피박리층(13)에 가해지는 압력을 저감할 수 있다. 그 결과, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 발광 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다.
또한, 발광 장치(200C)의 제작 공정 중에 발생한 이물이 제 1 피박리층(13)에 부착되는 경우가 있다. 이물이 부착된 상태로, 제 1 지지체(41)를 제 1 피박리층(13) 위에 형성할 때 제 1 피박리층(13)에 압력을 가하면, 이물이 제 1 피박리층(13)에 압입될 수 있다. 이로 인하여, 제 1 피박리층(13)에 포함되는 절연막이나 발광 소자, 또는 제 2 피박리층(23)에 포함되는 절연막이 파괴되는 경우가 있다.
한편, 제 1 지지체(41)를 형성할 때 유동성을 갖는 재료를 사용하면, 이물이 압입될 정도의 압력을 가하지 않고 발광 장치(200C)를 제작할 수 있다. 이로써, 발광 장치(200C)를 높은 수율로 제작할 수 있다.
또한, 압입된 이물 등으로 제 1 피박리층(13) 또는 제 2 피박리층(23)이 손상되면, 제 6 단계에서 제 2 기판(21)을 포함하는 표층(91b)을 적층체(91)로부터 분리할 때, 손상된 부분으로부터 비의도적으로 적층체(91)가 파괴되는 경우가 있다.
특히, 제 1 피박리층(13)이 유기 EL 소자, 또는 두께가 2μm 이하, 바람직하게는 1.2μm 이하, 더 바람직하게는 0.9μm 이하인 절연막을 포함하는 경우에도, 발광 장치(200C)를 높은 수율로 제작할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 가공하여 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치로 할 수 있는 가공 부재의 구성에 대하여 도 2 또는 도 3을 참조하면서 설명한다.
도 2의 (A1) 및 (A2), 또는 도 3의 (A1) 및 (A2)는 가공하여 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치로 할 수 있는 가공 부재의 구성을 설명하는 모식도이다.
도 2의 (A1)은 가공하여 발광 장치(200A)로 할 수 있는 가공 부재(80)의 구성을 설명하는 단면도이고, 도 2의 (A2)는 대응하는 상면도이다.
도 3의 (A1)은 가공하여 발광 장치(200B) 또는 발광 장치(200C)로 할 수 있는 가공 부재(90)의 구성을 설명하는 단면도이고, 도 3의 (A2)는 대응하는 상면도이다.
<가공 부재의 구성예 1>
가공 부재(80)는 제 1 기판(11), 제 1 기판(11) 위의 제 1 박리층(12), 제 1 박리층(12)과 한쪽 면이 접하는 제 1 피박리층(13), 제 1 피박리층(13)의 다른 쪽 면과 한쪽 면이 접하는 접합층(30), 및 접합층(30)의 다른 쪽 면이 접하는 제 2 지지체(42)를 갖는다(도 2의 (A1) 및 (A2) 참조).
또한, 제 1 박리 기점(13s)이, 접합층(30)의 단부와 중첩되는 위치 근방에 제공되어도 좋다(도 2의 (B1) 및 (B2) 참조).
≪제 1 기판≫
제 1 기판(11)은 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성 및 제조 장치에 적용 가능한 두께 및 크기를 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
유기 재료, 무기 재료, 또는 유기 재료와 무기 재료 등의 복합 재료 등을 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 유리, 세라믹, 금속 등의 무기 재료를 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 무알칼리 유리, 소다석회 유리, 칼리 유리, 또는 크리스털 유리 등을 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 무기 산화물막, 무기 질화물막, 또는 무기 산화질화물막 등을 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화질화 실리콘, 알루미나 등을 포함하는 막을 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다. SUS 또는 알루미늄 등을 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 수지, 수지 필름, 또는 플라스틱 등의 유기 재료를 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다. 구체적으로는, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 또는 아크릴 수지 등의 수지 필름 또는 수지판을 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 금속판, 박판 형상의 유리판 또는 무기 재료 등의 막을 수지 필름 등에 접합한 복합 재료를 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 섬유상 또는 입자상의 금속, 유리 또는 무기 재료 등을 수지 필름에 분산시킨 복합 재료를 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 섬유상 또는 입자상의 수지 또는 유기 재료 등을 무기 재료에 분산시킨 복합 재료를 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다.
또한, 단층의 재료 또는 복수의 층이 적층된 재료를 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 기재(基材)와, 기재에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 절연막 등이 적층된 재료를 제 1 기판(11)에 사용할 수 있다. 구체적으로는, 유리와, 유리에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 산화 실리콘층, 질화 실리콘층, 또는 산화질화 실리콘층 등에서 선택된 하나 또는 복수의 막이 적층된 재료를 제 1 기판(11)에 적용할 수 있다. 또는, 수지와, 수지를 투과하는 불순물의 확산을 방지하는 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 또는 산화질화 실리콘막 등이 적층된 재료를 제 1 기판(11)에 적용할 수 있다.
≪제 1 박리층≫
제 1 박리층(12)은 제 1 기판(11)과 제 1 피박리층(13) 사이에 제공된다. 제 1 박리층(12)은 제 1 기판(11)으로부터 제 1 피박리층(13)을 분리할 수 있는 경계가 그 근방에 형성되는 층이다. 또한, 제 1 박리층(12)은 그 위에 형성되는 제 1 피박리층(13)의 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
예를 들어, 무기 재료 또는 유기 재료 등을 제 1 박리층(12)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 무기 재료로서 텅스텐, 몰리브데넘, 타이타늄, 탄탈럼, 나이오븀, 니켈, 코발트, 지르코늄, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 실리콘에서 선택된 원소를 포함하는 금속, 상술한 원소를 포함하는 합금, 또는 상술한 원소를 포함하는 화합물 등의 무기 재료를 제 1 박리층(12)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 폴리이미드, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리카보네이트, 또는 아크릴 수지 등의 유기 재료를 제 1 박리층(12)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 단층의 재료 또는 복수의 층이 적층된 재료를 제 1 박리층(12)에 사용할 수 있다. 구체적으로는, 텅스텐을 포함하는 층과 텅스텐의 산화물을 포함하는 층이 적층된 재료를 제 1 박리층(12)에 사용할 수 있다.
또한, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층은, 텅스텐을 포함하는 층에 다른 층을 적층하는 방법에 의하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 텅스텐을 포함하는 층에 산화 실리콘 또는 산화질화 실리콘 등을 적층하는 방법에 의하여 텅스텐의 산화물을 포함하는 층을 형성하여도 좋다. 또한, 텅스텐의 산화물을 포함하는 층을, 텅스텐을 포함하는 층의 표면을 열산화 처리, 산소 플라즈마 처리, 아산화 질소(N2O) 플라즈마 처리 또는 산화력이 강한 용액(오존수 등)을 사용하는 처리 등에 의하여 형성하여도 좋다.
또한, 구체적으로는, 폴리이미드를 포함하는 층을 제 1 박리층(12)에 사용할 수 있다. 폴리이미드를 포함하는 층은, 제 1 피박리층(13)을 형성할 때 필요한 다양한 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성을 갖는다. 예를 들어, 폴리이미드를 포함하는 층은, 200℃ 이상, 바람직하게는 250℃ 이상, 더 바람직하게는 300℃ 이상, 더욱 바람직하게는 350℃ 이상의 내열성을 갖는다. 제 1 기판(11)에 형성된 단량체를 포함하는 막을 가열하여, 축합된 폴리이미드를 포함하는 막을 사용할 수 있다.
≪제 1 피박리층≫
제 1 피박리층(13)은 제 1 기판(11)으로부터 분리할 수 있으며 기능층을 포함한다.
제 1 피박리층(13)을 제 1 기판(11)으로부터 분리할 수 있는 경계는 제 1 피박리층(13)과 제 1 박리층(12) 사이에 형성되어도 좋고, 제 1 박리층(12)과 제 1 기판(11) 사이에 형성되어도 좋다. 제 1 피박리층(13)과 제 1 박리층(12) 사이에 경계가 형성되는 경우에는 제 1 박리층(12)은 발광 장치에 포함되지 않고, 제 1 박리층(12)과 제 1 기판(11) 사이에 경계가 형성되는 경우에는 제 1 박리층(12)은 발광 장치에 포함된다.
예를 들어, 무기 재료, 유기 재료, 단층의 재료, 또는 복수의 층이 적층된 재료 등을 제 1 피박리층(13)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 무기 산화물막, 무기 질화물막, 또는 무기 산화질화물막 등의 무기 재료를 제 1 피박리층(13)에 사용할 수 있다. 또한, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화질화 실리콘, 알루미나 등을 포함하는 막을 제 1 피박리층(13)에 사용할 수 있다.
또한 예를 들어, 수지, 수지 필름, 또는 플라스틱 등을 제 1 피박리층(13)에 사용할 수 있다. 구체적으로는 폴리이미드막 등을 제 1 피박리층(13)에 사용할 수 있다.
또한 예를 들어, 기능층의 기능을 손실시키는 불순물의 확산을 방지할 수 있는 절연막을, 제 1 박리층(12)과 중첩되는 기능층, 및 제 1 박리층(12)과 기능층 사이에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 두께 0.7mm의 유리판을 제 1 기판(11)에 사용하고, 제 1 기판(11) 측으로부터 두께 200nm의 산화질화 실리콘막 및 두께 30nm의 텅스텐막이 이 순서로 적층된 재료를 제 1 박리층(12)에 사용할 수 있다.
제 1 박리층(12) 측으로부터 두께 600nm의 산화질화 실리콘막 및 두께 200nm의 질화 실리콘막이 이 순서로 적층된 재료를 포함하는 막을 제 1 피박리층(13)에 사용할 수 있다. 또한, 산화질화 실리콘막은 산소의 조성이 질소의 조성보다 많고, 질화산화 실리콘막은 질소의 조성이 산소의 조성보다 많다.
또는, 제 1 박리층(12) 측으로부터 두께 600nm의 산화질화 실리콘막, 두께 200nm의 질화 실리콘막, 두께 200nm의 산화질화 실리콘막, 두께 140nm의 질화산화 실리콘막, 및 두께 100nm의 산화질화 실리콘막이 이 순서로 적층된 재료를 포함하는 막을 제 1 피박리층(13)에 사용할 수 있다.
또는, 제 1 박리층(12) 측으로부터 폴리이미드막, 산화 실리콘막 또는 질화 실리콘막을 포함하는 층, 및 기능층이 이 순서로 적층된 구성을 제 1 피박리층(13)에 적용할 수 있다.
≪기능층≫
기능층은 제 1 피박리층(13)에 포함된다. 예를 들어, 기능 회로, 기능 소자, 광학 소자, 또는 기능막 등 또는 이들에서 선택된 복수를 포함하는 층을 기능층에 사용할 수 있다. 구체적으로는, 발광 소자, 표시 장치에 사용할 수 있는 표시 소자, 표시 소자를 구동하는 화소 회로, 화소 회로를 구동하는 구동 회로, 컬러 필터, 터치 센서, 또는 방습막 등 또는 이들에서 선택된 복수를 포함하는 층을 들 수 있다.
≪접합층≫
접합층(30)은 제 1 피박리층(13)과 제 2 지지체(42)를 접합하는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
예를 들어, 무기 재료 또는 유기 수지 등을 접합층(30)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 융점이 400℃ 이하, 바람직하게는 300℃ 이하인 유리층 또는 접착제 등을 사용할 수 있다.
예를 들어, 광경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열경화형 접착제 또는/및 혐기형 접착제 등을 접합층(30)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄) 수지, EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 포함하는 접착제를 사용할 수 있다.
≪제 2 지지체≫
제 2 지지체(42)는 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성 및 제조 장치에 적용 가능한 두께 및 크기를 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
예를 들어, 제 1 기판(11)과 같은 재료 또는 실시형태 1에서 설명한 제 1 지지체(41)와 같은, 유동성을 갖는 재료를 경화시켜 성형된 막상의 재료를 제 2 지지체(42)에 사용할 수 있다.
≪박리 기점≫
또한, 가공 부재(80)는 제 1 박리 기점(13s)을 접합층(30)의 단부와 중첩되는 위치 근방에 가져도 좋다(도 2의 (B1) 및 (B2) 참조).
제 1 박리 기점(13s)은 제 1 피박리층(13)의 일부가 제 1 기판(11)으로부터 분리된 구조를 갖는다.
제 1 기판(11) 측으로부터 예리한 선단으로 제 1 피박리층(13)을 찌르는 방법이나 레이저 등을 사용하는 방법(예를 들어 레이저 어블레이션법) 등을 사용하여, 제 1 피박리층(13)의 일부를 박리층(12)으로부터 부분적으로 분리할 수 있다. 이로써, 제 1 박리 기점(13s)을 형성할 수 있다.
<가공 부재의 구성예 2>
가공하여 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치(200B) 또는 발광 장치(200C)로 할 수 있는 가공 부재(90)의 구성에 대하여 도 3의 (A1) 및 (A2)를 참조하면서 설명한다.
가공 부재(90)는 접합층(30)의 다른 쪽 면이, 제 2 지지체(42) 대신에 제 2 피박리층(23)의 한쪽 면에 접하는 점이 가공 부재(80)와 상이하다. 여기서는 상이한 부분에 대하여 자세히 설명하고, 같은 구성이 사용될 수 있는 부분에 대해서는 상술한 설명을 원용한다.
구체적으로는, 제 1 박리층(12) 및 한쪽 면이 제 1 박리층(12)과 접하는 제 1 피박리층(13)이 형성된 제 1 기판(11)과, 제 2 박리층(22) 및 다른 쪽 면이 제 2 박리층(22)과 접하는 제 2 피박리층(23)이 형성된 제 2 기판(21)과, 한쪽 면이 제 1 피박리층(13)의 다른 쪽 면과 접하며 다른 쪽 면이 제 2 피박리층(23)의 한쪽 면과 접하는 접합층(30)을 갖는다.
≪제 2 기판≫
제 1 기판(11)에 사용할 수 있는 구성을 제 2 기판(21)에 사용할 수 있다.
≪제 2 박리층≫
제 1 박리층(12)에 사용할 수 있는 구성을 제 2 박리층(22)에 사용할 수 있다.
≪제 2 피박리층≫
제 1 피박리층(13)에 사용할 수 있는 구성을 제 2 피박리층(23)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 제 1 피박리층(13)은 기능 회로를 갖고, 제 2 피박리층(23)은 상기 기능 회로에 대한 불순물 확산을 방지하는 기능층을 갖는 구성으로 하여도 좋다.
구체적으로는, 제 1 피박리층(13)이, 제 2 피박리층(23)을 향하여 광을 사출하는 발광 소자, 이 발광 소자를 구동하는 화소 회로, 및 이 화소 회로를 구동하는 구동 회로를 갖고, 제 2 피박리층(23)이, 발광 소자가 사출하는 광의 일부를 투과시키는 컬러 필터 및 발광 소자에 대한 불순물 확산을 방지하는 방습막을 갖는 구성으로 하여도 좋다. 또한, 제 2 피박리층(23)이 터치 센서를 갖는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 이와 같은 구성을 갖는 가공 부재는, 가요성을 갖는 표시 장치 또는 터치 패널로서 사용할 수 있는 적층체로 할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 구성에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하면서 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 구성을 설명하는 도면이다. 도 6의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치(200D)의 제작 방법을 설명하는 상면도이고, 도 6의 (B)는 도 6의 (A)에서의 절단선 A-B 및 C-D를 따른 표시 장치(200D)의 단면도이다.
<표시 장치의 구성예 1>
본 실시형태에서 설명하는 표시 장치(200D)는 기재(210), 기재(210)와 중첩되는 기재(270)를 가지며, 기재(210)와 기재(270) 사이에 접합층(260), 화소(202), 화소(202)에 제어 신호를 공급하는 구동 회로(GD), 화소(202)에 표시 신호를 공급하는 구동 회로(SD), 및 화소(202)가 배치되는 영역(201)을 갖는다(도 6의 (A) 및 (B) 참조).
기재(210)는 절연막(210a) 및 가요성을 갖는 제 1 지지체(210b)를 갖는다.
기재(270)는 절연막(270a), 가요성을 갖는 기재(270b), 및 절연막(270a)과 가요성을 갖는 기재(270b)를 접합하는 수지층(270c)을 갖는다.
접합층(260)은 기재(210)와 기재(270)를 접합한다.
화소(202)는 부화소(202R) 등을 가지며 표시 신호가 공급된다(도 6의 (A) 참조). 또한 예를 들어, 화소(202)는 적색을 표시하는 부화소(202R), 녹색을 표시하는 부화소, 및 청색을 표시하는 부화소를 갖는다.
부화소(202R)는 구동 트랜지스터(M0)를 포함하는 회로와, 용량 소자(C)와, 표시 소자가 제공된 표시 모듈(280R)을 갖는다(도 6의 (B) 참조).
표시 모듈(280R)은 발광 소자(250R), 및 발광 소자(250R)가 광을 사출하는 측에 발광 소자(250R)와 중첩되는 착색층(267R)을 갖는다. 또한, 발광 소자(250R)는 표시 소자의 일 형태라고 할 수 있다.
발광 소자(250R)는 하부 전극, 상부 전극, 및 발광성 유기 화합물을 포함하는 층을 갖는다.
회로는 구동 트랜지스터(M0)를 갖고, 기재(210)와 발광 소자(250R) 사이에 제공된다. 또한, 발광 소자(250R)와 회로 사이에는 절연막(221)이 제공된다.
구동 트랜지스터(M0)의 제 2 전극은 절연막(221)에 제공된 개구부에서 발광 소자(250R)의 하부 전극에 전기적으로 접속된다.
용량 소자(C)의 제 1 전극은 구동 트랜지스터(M0)의 게이트에 전기적으로 접속되고, 용량 소자(C)의 제 2 전극은 구동 트랜지스터(M0)의 제 2 전극에 전기적으로 접속된다.
구동 회로(SD)는 트랜지스터(MD) 및 용량 소자(CD)를 갖는다.
배선(211)은 단자(219)에 전기적으로 접속된다. 단자(219)는 FPC(209)에 전기적으로 접속된다.
또한, 착색층(267R)을 둘러싸도록 차광층(267BM)이 제공된다.
또한, 발광 소자(250R)의 하부 전극의 단부를 덮도록 격벽(228)이 형성된다.
또한, 영역(201)과 중첩되는 위치에 기능막(267p)이 제공되어도 좋다(도 6의 (B) 참조).
이로써, 표시 장치(200D)는 기재(210)가 제공된 측에 표시 정보를 표시할 수 있다.
≪전체 구성≫
표시 장치(200D)는 기재(210), 기재(270), 접합층(260), 화소(202), 구동 회로(GD), 구동 회로(SD), 및 영역(201)을 갖는다.
≪기재(210)≫
기재(210)는 절연막(210a) 및 제 1 지지체(210b)를 포함한다.
불순물 확산을 방지할 수 있는 막을 절연막(210a)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 또는 산화질화 실리콘막 등에서 선택된 하나 또는 복수의 막이 적층된 재료를 절연막(210a)에 적용할 수 있다.
소정의 등방성을 갖는 재료를 제 1 지지체(210b)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 광학적으로 등방성을 갖는 재료를 제 1 지지체(210b)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 액체상 수지를 도포한 후에 경화시켜 고체상 막을 성형하고, 얻어진 막을 제 1 지지체(210b)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 에폭시 수지, 또는 아크릴 수지 등을 제 1 지지체(210b)에 사용할 수 있다.
≪기재(270)≫
기재(270)는 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성 및 제조 장치에 적용 가능한 두께 및 크기를 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.
유기 재료, 무기 재료, 또는 유기 재료와 무기 재료 등의 복합 재료 등을 기재(270)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 유리, 세라믹, 금속 등의 무기 재료를 기재(270)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 무알칼리 유리, 소다석회 유리, 칼리 유리, 또는 크리스털 유리 등을 기재(270)에 사용할 수 있다.
구체적으로는 무기 산화물막, 무기 질화물막, 또는 무기 산화질화물막 등을 기재(270)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화질화 실리콘, 알루미나 등을 포함하는 막을 기재(270)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, SUS 또는 알루미늄 등을 기재(270)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 수지, 수지 필름, 또는 플라스틱 등의 유기 재료를 기재(270)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 또는 아크릴 수지 등의 수지 필름 또는 수지판을 기재(270)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 금속판, 박판 형상의 유리판 또는 무기 재료 등의 막을 수지 필름 등에 접합한 복합 재료를 기재(270)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 섬유상 또는 입자상의 금속, 유리 또는 무기 재료 등을 수지 필름에 분산시킨 복합 재료를 기재(270)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 섬유상 또는 입자상의 수지 또는 유기 재료 등을 무기 재료에 분산시킨 복합 재료를 기재(270)에 사용할 수 있다.
또한, 단층의 재료 또는 복수의 층이 적층된 재료를 기재(270)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 기재와, 기재에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 절연막 등이 적층된 재료를 기재(270)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 유리와, 유리에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 또는 산화질화 실리콘막 등에서 선택된 하나 또는 복수의 막이 적층된 재료를 기재(270)에 적용할 수 있다.
또는, 수지와, 수지를 투과하는 불순물의 확산을 방지하는 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 또는 산화질화 실리콘막 등이 적층된 재료를 기재(270)에 적용할 수 있다.
구체적으로는, 가요성을 갖는 기재(270b), 발광 소자(250R)에 대한 불순물 확산을 방지하는 절연막(270a), 및 기재(270b)와 절연막(270a)을 접합하는 수지층(270c)의 적층체를 사용할 수 있다.
≪접합층≫
접합층(260)은 기재(210) 및 기재(270)를 접합하는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
무기 재료, 유기 재료, 또는 무기 재료와 유기 재료의 복합 재료 등을 접합층(260)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 융점이 400℃ 이하, 바람직하게는 300℃ 이하인 유리층 또는 접착제 등을 사용할 수 있다.
예를 들어, 광경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열경화형 접착제 또는/및 혐기형 접착제 등의 유기 재료를 접합층(260)에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄) 수지, EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 포함하는 접착제를 사용할 수 있다.
≪화소≫
다양한 트랜지스터를 구동 트랜지스터(M0)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 반도체층에 14족의 원소, 화합물 반도체, 또는 산화물 반도체 등을 사용하는 트랜지스터를 적용할 수 있다. 구체적으로는, 실리콘을 포함하는 반도체, 갈륨 비소를 포함하는 반도체, 또는 인듐을 포함하는 산화물 반도체 등을 사용하는 트랜지스터를 구동 트랜지스터(M0)의 반도체층에 사용할 수 있다.
예를 들어, 단결정 실리콘, 폴리실리콘, 또는 비정질 실리콘 등을 구동 트랜지스터(M0)의 반도체층에 사용할 수 있다.
예를 들어, 보텀 게이트형 트랜지스터나 톱 게이트형 트랜지스터 등을 적용할 수 있다.
다양한 표시 소자를 표시 모듈(280R)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 하부 전극, 상부 전극, 및 하부 전극과 상부 전극 사이의 발광성 유기 화합물을 포함하는 층을 갖는 유기 EL 소자를 표시 소자에 사용할 수 있다.
또한, 표시 소자에 발광 소자를 사용하는 경우, 미소 공진기 구조를 발광 소자에 조합하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자의 하부 전극 및 상부 전극을 사용하여 미소 공진기 구조를 구성하여 발광 소자로부터 특정한 광을 효율적으로 추출하여도 좋다.
구체적으로는, 가시광을 반사하는 반사막을 하부 전극 및 상부 전극 중 한쪽에 사용하고, 가시광의 일부를 투과시키고 일부를 반사하는 반투과·반반사막을 다른 쪽에 사용한다. 그리고, 소정의 파장을 갖는 광이 효율적으로 추출되도록 하부 전극과 상부 전극이 배치된다.
예를 들어, 적색의 광, 녹색의 광, 및 청색의 광을 포함하는 광을 발하는 층을 발광성 유기 화합물을 포함하는 층에 사용할 수 있다. 또한, 황색의 광을 포함하는 광을 발하는 층을 발광성 유기 화합물을 포함하는 층에 사용할 수도 있다.
또한, 안료 또는 염료 등의 재료를 포함하는 층을 착색층(267R)에 사용할 수 있다. 이로써, 표시 모듈(280R)이 사출하는 광의 색을 특정한 색으로 할 수 있다.
예를 들어, 적색의 광을 효율적으로 추출하는 미소 공진기 및 적색의 광을 투과시키는 착색층을 적색을 표시하는 표시 모듈(280R)에 사용하고, 녹색의 광을 효율적으로 추출하는 미소 공진기 및 녹색의 광을 투과시키는 착색층을 녹색을 표시하는 표시 모듈에 사용하고, 또는 청색의 광을 효율적으로 추출하는 미소 공진기 및 청색의 광을 투과시키는 착색층을 청색을 표시하는 표시 모듈에 사용하여도 좋다.
또한, 황색의 광을 효율적으로 추출하는 미소 공진기 및 황색의 광을 투과시키는 착색층을 함께 표시 모듈에 사용하여도 좋다.
≪구동 회로≫
다양한 트랜지스터를 구동 회로(SD)의 트랜지스터(MD)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 구동 트랜지스터(M0)와 같은 구성을 트랜지스터(MD)에 사용할 수 있다.
또한, 용량 소자(C)와 같은 구성을 용량 소자(CD)에 사용할 수 있다.
≪영역≫
영역(201)은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 화소(202)를 갖는다. 영역(201)은 표시 정보를 표시할 수 있고, 영역(201)에 제공된 화소의 좌표 정보와 관련된 검지 정보를 공급할 수 있다. 예를 들어, 영역(201)에 근접하는 것이 있는지 여부를 검지하고, 그 좌표 정보와 함께 공급할 수 있다.
≪기타≫
도전성을 갖는 재료를 배선(211) 또는 단자(219)에 사용할 수 있다.
예를 들어, 무기 도전성 재료, 유기 도전성 재료, 금속 또는 도전성 세라믹 등을 배선에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 알루미늄, 금, 백금, 은, 크로뮴, 탄탈럼, 타이타늄, 몰리브데넘, 텅스텐, 니켈, 철, 코발트, 팔라듐, 또는 망가니즈에서 선택된 금속 원소, 상술한 금속 원소를 포함하는 합금, 또는 상술한 금속 원소를 조합한 합금 등을 배선 등에 사용할 수 있다.
또는, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨이 첨가된 산화 아연 등의 도전성 산화물을 사용할 수 있다.
또는, 그래핀 또는 그래파이트를 사용할 수 있다. 그래핀을 포함하는 막은, 예컨대 막상으로 형성된 산화 그래핀을 포함하는 막을 환원하여 형성할 수 있다. 환원하는 방법으로서는, 열을 가하는 방법이나 환원제를 사용하는 방법 등을 들 수 있다.
또는, 도전성 고분자를 사용할 수 있다.
차광성을 갖는 재료를 차광층(267BM)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 안료가 분산된 수지, 염료가 포함된 수지 외에, 흑색 크로뮴막 등 무기막을 차광층(267BM)에 사용할 수 있다. 카본 블랙, 무기 산화물, 복수의 무기 산화물의 고용체를 포함하는 복합 산화물 등을 차광층(267BM)에 사용할 수 있다.
절연성 재료를 격벽(228)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 무기 재료, 유기 재료, 또는 무기 재료와 유기 재료가 적층된 재료 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 산화 실리콘 또는 질화 실리콘 등을 포함하는 막, 아크릴 또는 폴리이미드 등, 또는 감광성 수지 등을 적용할 수 있다.
표시 장치의 표시면 측에 기능막(267p)을 제공할 수 있다. 예를 들어, 무기 재료, 유기 재료, 또는 무기 재료와 유기 재료의 복합 재료 등을 포함하는 막을 기능막(267p)에 사용할 수 있다. 구체적으로는, 알루미나 또는 산화 실리콘 등을 포함하는 세라믹 코트층, UV 경화 수지 등의 하드코트층, 반사 방지막, 원편광판 등을 적용할 수 있다.
예를 들어, 본 명세서 등에서 표시 소자, 표시 소자를 갖는 장치인 표시 장치, 발광 소자, 및 발광 소자를 갖는 장치인 발광 장치는 다양한 형태를 사용할 수 있거나 또는 다양한 소자를 가질 수 있다. 표시 소자, 표시 장치, 발광 소자, 또는 발광 장치는, 예를 들어 EL(일렉트로루미네선스) 소자(유기물 및 무기물을 포함하는 EL 소자, 유기 EL 소자, 무기 EL 소자), LED(백색 LED, 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED 등), 트랜지스터(전류에 따라 발광하는 트랜지스터), 전자 방출 소자, 액정 소자, 전자 잉크, 전기 영동(泳動) 소자, 회절 광 밸브(GLV), 플라즈마 디스플레이(PDP), MEMS(micro electro mechanical system)를 사용한 표시 소자, 디지털 마이크로 미러 디바이스(DMD), DMS(digital micro shutter), MIRASOL(등록 상표), IMOD(interferometric modulator display) 소자, 셔터 방식의 MEMS 표시 소자, 광 간섭 방식의 MEMS 표시 소자, 전기 습윤 소자, 압전 세라믹 디스플레이, 카본 나노 튜브를 사용한 표시 소자 등 중 적어도 하나를 갖는다. 이들 외에도, 전기적 또는 자기적 작용에 의하여 콘트라스트, 휘도, 반사율, 투과율 등이 변화하는 표시 매체를 가져도 좋다. EL 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는 EL 디스플레이 등을 들 수 있다. 전자 방출 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는, 필드 이미션 디스플레이(FED) 또는 SED 방식 평면형 디스플레이(SED: Surface-conduction Electron-emitter Display) 등을 들 수 있다. 액정 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는 액정 디스플레이(투과형 액정 디스플레이, 반투과형 액정 디스플레이, 반사형 액정 디스플레이, 직시형 액정 디스플레이, 투사형 액정 디스플레이) 등을 들 수 있다. 전자 잉크, 전자 분류체(電子粉流體, electro liquid powder(등록상표)) 또는 전기 영동 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는 전자 종이 등을 들 수 있다. 또한, 반투과형 액정 디스플레이나 반사형 액정 디스플레이를 실현하기 위해서는, 화소 전극의 일부 또는 모두가 반사 전극으로서 기능을 가지도록 하면 좋다. 예를 들어, 화소 전극의 일부 또는 모두가 알루미늄, 은 등을 포함하도록 하면 좋다. 이 경우, 반사 전극 아래에 SRAM 등의 기억 회로를 제공할 수도 있다. 이로써, 소비 전력을 더 저감할 수 있다. 또한, LED를 사용하는 경우, 전극 아래에 그래핀이나 그래파이트를 제공하여도 좋다. 그래핀이나 그래파이트는 복수의 층을 중첩하여 다층막으로 하여도 좋다. 이와 같이 그래핀이나 그래파이트를 제공함으로써, 그 위에, 결정을 갖는 n형 GaN 반도체층 등을 용이하게 성막할 수 있다. 또한, 그래핀이나 그래파이트와, 결정을 갖는 n형 GaN 반도체층 사이에 AlN층을 제공하여도 좋다. 또한, 이 GaN 반도체층은 MOCVD로 성막하여도 좋다. 다만, 그래핀을 제공함으로써 스퍼터링법으로 성막하는 것도 가능하다.
예를 들어, 본 명세서 등에서, 화소에 능동 소자를 갖는 액티브 매트릭스 방식, 또는 화소에 능동 소자를 갖지 않는 패시브 매트릭스 방식을 사용할 수 있다.
액티브 매트릭스 방식에서는 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)로서 트랜지스터뿐만 아니라 다양한 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용할 수 있다. 예를 들어, MIM(Metal Insulator Metal), 또는 TFD(Thin Film Diode) 등을 사용할 수도 있다. 이들 소자는 제조 공정이 적기 때문에 제조 비용의 저감, 또는 수율의 향상을 도모할 수 있다. 또는, 이들 소자는 사이즈가 작기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있고, 저소비 전력화나 고휘도화를 도모할 수 있다.
액티브 매트릭스 방식 이외에, 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않는 패시브 매트릭스 방식을 이용할 수도 있다. 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않기 때문에, 제조 공정이 적어, 제조 비용의 저감, 또는 수율의 향상을 도모할 수 있다. 또는, 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있고, 저소비 전력화나 고휘도화 등을 도모할 수 있다.
또한, 여기서는 표시 장치의 경우를 예시하였지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 정보를 표시하지 않도록 하여도 좋다. 일례로서는, 조명 장치로서 사용하여도 좋다. 조명 장치로서 사용함으로써, 디자인성이 우수한 인테리어로서 활용할 수 있다. 또는, 다양한 방향을 비출 수 있는 조명으로서 활용할 수 있다. 또는, 백 라이트나 프런트 라이트 등의 광원으로서 사용하여도 좋다. 즉, 표시 패널을 위한 조명 장치로서 활용하여도 좋다.
<표시부의 변형예 1>
다양한 트랜지스터를 표시 장치(200D)에 사용할 수 있다.
보텀 게이트형 트랜지스터를 영역(201)에 적용하는 경우의 구성을 도 6의 (B) 및 (C)에 도시하였다.
예를 들어, 산화물 반도체, 비정질 실리콘 등을 포함하는 반도체층을 도 6의 (B)에 도시된 구동 트랜지스터(M0) 및 트랜지스터(MD)에 적용할 수 있다.
예를 들어, 적어도 인듐(In), 아연(Zn), 및 M(Al, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce 또는 Hf 등의 금속)을 포함하는 In-M-Zn 산화물로 표기되는 막을 포함하는 것이 바람직하다. 또는, In과 Zn의 양쪽을 포함하는 것이 바람직하다.
스테빌라이저로서는 갈륨(Ga), 주석(Sn), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al), 또는 지르코늄(Zr) 등이 있다. 또한, 이들 외의 스테빌라이저로서는, 란타노이드인, 란타넘(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu) 등이 있다.
산화물 반도체막을 구성하는 산화물 반도체로서, 예컨대 In-Ga-Zn계 산화물, In-Al-Zn계 산화물, In-Sn-Zn계 산화물, In-Hf-Zn계 산화물, In-La-Zn계 산화물, In-Ce-Zn계 산화물, In-Pr-Zn계 산화물, In-Nd-Zn계 산화물, In-Sm-Zn계 산화물, In-Eu-Zn계 산화물, In-Gd-Zn계 산화물, In-Tb-Zn계 산화물, In-Dy-Zn계 산화물, In-Ho-Zn계 산화물, In-Er-Zn계 산화물, In-Tm-Zn계 산화물, In-Yb-Zn계 산화물, In-Lu-Zn계 산화물, In-Sn-Ga-Zn계 산화물, In-Hf-Ga-Zn계 산화물, In-Al-Ga-Zn계 산화물, In-Sn-Al-Zn계 산화물, In-Sn-Hf-Zn계 산화물, In-Hf-Al-Zn계 산화물, In-Ga계 산화물을 사용할 수 있다.
또한 여기서는, In-Ga-Zn계 산화물이란, In, Ga, 및 Zn을 주성분으로서 포함한 산화물을 뜻하며, In, Ga, 및 Zn의 비율은 불문한다. 또한, In과 Ga과 Zn 이외의 금속 원소가 들어 있어도 좋다.
예를 들어, 레이저 어닐 등의 처리에 의하여 결정화시킨 다결정 실리콘을 포함하는 반도체층을, 도 6의 (C)에 도시된 구동 트랜지스터(M0) 및 트랜지스터(MD)에 적용할 수 있다.
톱 게이트형 트랜지스터를 표시 장치(200D)에 적용하는 경우의 구성을 도 6의 (D)에 도시하였다.
예를 들어, 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘 기판 등으로부터 전치된 단결정 실리콘막 등을 포함하는 반도체층을, 도 6의 (D)에 도시된 구동 트랜지스터(M0) 및 트랜지스터(MD)에 적용할 수 있다.
<표시 장치의 구성예 2>
도 7은 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 구성을 설명하는 도면이다. 도 7의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치(200E)의 상면도이고, 도 7의 (B)는 도 7의 (A)에서의 절단선 A-B 및 C-D를 따른 단면도이다.
본 실시형태에서 설명하는 표시 장치(200E)는 착색층(267R) 및 착색층(267R)을 둘러싼 차광층(267BM)이 기재(270)와 발광 소자(250R) 사이에 배치된 점, 기능막(267p)이 기재(270) 측에 제공된 점, 및 표시 모듈(280R)이 기재(270)가 제공된 측에 광을 사출하는 점이, 도 6을 참조하면서 설명한 표시 장치(200D)와 상이하다. 그 외 구성은 같은 구성을 사용할 수 있다.
이로써, 표시 장치(200E)는 기재(270)가 제공된 측에 표시 정보를 표시할 수 있다. 또한, 표시 장치(200E)는 기재(270)가 제공된 측에 근접 또는 접촉하는 물체를 검지하여 검지 정보를 공급할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 사용한 입출력 장치로 구성할 수 있는 정보 처리 장치의 구성에 대하여 도 8을 참조하면서 설명한다.
도 8은 본 발명의 일 형태에 따른 정보 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 8의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 정보 처리 장치(K100)의 입출력 장치(K20)가 펼쳐진 상태를 설명하기 위한 투영도이고, 도 8의 (B)는 도 8의 (A)에 도시된 정보 처리 장치(K100)를 절단선 X1-X2에서 자른 단면도이다. 도 8의 (C)는 입출력 장치(K20)가 접힌 상태를 설명하기 위한 투영도이다.
<정보 처리 장치의 구성예>
본 실시형태에서 설명하는 정보 처리 장치(K100)는 입출력 장치(K20), 연산 장치(K10), 및 하우징(K01(1))~하우징(K01(3))을 구비한다(도 8 참조).
≪입출력 장치≫
입출력 장치(K20)는 표시부(K30) 및 입력 장치(K40)를 구비한다. 입출력 장치(K20)는 화상 정보(V)가 공급되며 검지 정보(S)를 공급한다(도 8의 (B) 참조).
표시부(K30)에는 화상 정보(V)가 공급되고, 입력 장치(K40)는 검지 정보(S)를 공급한다.
입력 장치(K40)와 표시부(K30)가 일체로 중첩된 입출력 장치(K20)는 표시부(K30)임과 동시에 입력 장치(K40)이기도 하다.
또한, 입력 장치(K40)에 터치 센서를 사용하고 표시부(K30)에 표시 패널을 사용한 입출력 장치(K20)는 터치 패널이다.
≪표시부≫
표시부(K30)는 제 1 영역(K31(11)), 제 1 굴곡 가능 영역(K31(21)), 제 2 영역(K31(12)), 제 2 굴곡 가능 영역(K31(22)), 및 제 3 영역(K31(13))이 이 순서로 스트라이프 형태로 배치된 영역(K31)을 가진다(도 8의 (A) 참조).
표시부(K30)는 제 1 굴곡 가능 영역(K31(21))에 형성되는 제 1 접음선 및 제 2 굴곡 가능 영역(K31(22))에 형성되는 제 2 접음선을 따라 접힌 상태 및 펼쳐진 상태로 할 수 있다(도 8의 (A) 및 (C) 참조).
≪연산 장치≫
연산 장치(K10)는, 연산부, 및 연산부에 실행시키는 프로그램을 기억하는 기억부를 갖는다. 또한, 화상 정보(V)를 공급하며 검지 정보(S)가 공급된다.
≪하우징≫
하우징은, 하우징(K01(1)), 힌지(K02(1)), 하우징(K01(2)), 힌지(K02(2)), 및 하우징(K01(3))을 이 순서로 포함한다.
하우징(K01(3))은 연산 장치(K10)를 수납한다. 또한, 하우징(K01(1))~하우징(K01(3))은 입출력 장치(K20)를 지지하고, 입출력 장치(K20)를 접힌 상태 또는 펼쳐진 상태로 할 수 있다(도 8의 (B) 참조).
본 실시형태에서는, 3개의 하우징이 2개의 힌지로 연결되는 구성을 갖는 정보 처리 장치를 예시한다. 이 구성을 갖는 정보 처리 장치는 입출력 장치(K20)를 2군데에서 접을 수 있다.
또한, n(n은 2 이상의 자연수)개의 하우징을 (n-1)개의 힌지로 연결하여도 좋다. 이 구성을 갖는 정보 처리 장치는 입출력 장치(K20)를 (n-1)군데에서 접을 수 있다.
하우징(K01(1))은 제 1 영역(K31(11))과 중첩되며 버튼(K45(1))을 구비한다.
하우징(K01(2))은 제 2 영역(K31(12))과 중첩된다.
하우징(K01(3))은 제 3 영역(K31(13))과 중첩되며, 연산 장치(K10), 안테나(K10A), 및 배터리(K10B)를 수납한다.
힌지(K02(1))는 제 1 굴곡 가능 영역(K31(21))과 중첩되며, 회동(回動) 가능하게 하우징(K01(1))과 하우징(K01(2))을 접속한다.
힌지(K02(2))는 제 2 굴곡 가능 영역(K31(22))과 중첩되며, 회동(回動) 가능하게 하우징(K01(2))과 하우징(K01(3))을 접속한다.
안테나(K10A)는 연산 장치(K10)에 전기적으로 접속되고 신호를 공급하거나 공급받는다.
또한, 안테나(K10A)는 외부 장치로부터 무선으로 전력을 공급받고 전력을 배터리(K10B)에 공급한다.
배터리(K10B)는 연산 장치(K10)에 전기적으로 접속되고 전력을 공급하거나 또는 공급받는다.
≪폴딩 센서≫
폴딩 센서(K41)는 하우징이 접힌 상태인지 펼쳐진 상태인지를 검지하고, 하우징의 상태를 나타내는 정보를 공급한다.
연산 장치(K10)에는 하우징의 상태를 나타내는 정보가 공급된다.
하우징(K01)의 상태를 나타내는 정보가 접힌 상태를 나타내는 정보인 경우, 연산 장치(K10)는 제 1 영역(K31(11))에 제 1 화상을 포함하는 화상 정보(V)를 공급한다(도 8의 (C) 참조).
또한, 하우징(K01)의 상태를 나타내는 정보가 펼쳐진 상태를 나타내는 정보인 경우, 연산 장치(K10)는 표시부(K30)의 영역(K31)에 화상 정보(V)를 공급한다(도 8의 (A) 참조).
또한, 본 실시형태는 본 명세서에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 7)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 사용한 입출력부를 사용하여 구성할 수 있는 정보 처리 장치의 구성에 대하여 도 9를 참조하면서 설명한다.
도 9는 본 발명의 일 형태에 따른 정보 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 9의 (A1)~(A3)은 본 발명의 일 형태에 따른 정보 처리 장치의 투영도이다.
도 9의 (B1) 및 (B2)는 본 발명의 일 형태에 따른 정보 처리 장치의 투영도이다.
도 9의 (C1) 및 (C2)는 본 발명의 일 형태에 따른 정보 처리 장치의 상면도 및 저면도이다.
≪정보 처리 장치(A)≫
정보 처리 장치(3000A)는 입출력부(3120), 및 입출력부(3120)를 지지하는 하우징(3101)을 구비한다(도 9의 (A1)~(A3) 참조).
또한, 정보 처리 장치(3000A)는 연산부, 연산부에 실행시키는 프로그램을 기억하는 기억부, 및 연산부를 구동하는 전력을 공급하는 배터리 등의 전원을 구비한다.
또한, 하우징(3101)은 연산부, 기억부, 또는 배터리 등을 수납한다.
정보 처리 장치(3000A)는 측면 또는/및 상면에 표시 정보를 표시할 수 있다.
정보 처리 장치(3000A)의 사용자는 측면 또는/및 상면을 손가락으로 터치하여 조작 명령을 공급할 수 있다.
≪정보 처리 장치(B)≫
정보 처리 장치(3000B)는 입출력부(3120) 및 입출력부(3120b)를 구비한다(도 9의 (B1) 및 (B2) 참조).
또한, 정보 처리 장치(3000B)는 입출력부(3120)를 지지하는 하우징(3101) 및 가요성을 갖는 벨트상의 하우징(3101b)을 구비한다.
또한, 정보 처리 장치(3000B)는 입출력부(3120b)를 지지하는 하우징(3101)을 구비한다.
또한, 정보 처리 장치(3000B)는 연산부, 연산부에 실행시키는 프로그램을 기억하는 기억부, 및 연산부를 구동하는 전력을 공급하는 배터리 등의 전원을 구비한다.
또한, 하우징(3101)은 연산부, 기억부, 또는 배터리 등을 수납한다.
정보 처리 장치(3000B)는 가요성을 갖는 벨트상의 하우징(3101b)에 지지되는 입출력부(3120)에 표시 정보를 표시할 수 있다.
정보 처리 장치(3000B)의 사용자는 입출력부(3120)를 손가락으로 터치하여 조작 명령을 공급할 수 있다.
≪정보 처리 장치(C)≫
정보 처리 장치(3000C)는 입출력부(3120), 및 입출력부(3120)를 지지하는 하우징(3101) 및 하우징(3101b)을 구비한다(도 9의 (C1) 및 (C2) 참조).
입출력부(3120) 및 하우징(3101b)은 가요성을 갖는다.
또한, 정보 처리 장치(3000C)는 연산부, 연산부에 실행시키는 프로그램을 기억하는 기억부, 및 연산부를 구동하는 전력을 공급하는 배터리 등의 전원을 구비한다.
또한, 하우징(3101)은 연산부, 기억부, 또는 배터리 등을 수납한다.
정보 처리 장치(3000C)는 하우징(3101b) 부분에서 두 조각으로 접을 수 있다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 8)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 제작 방법에 대하여 도 11~도 13을 참조하면서 설명한다.
<제작 방법예 1>
본 실시형태에서 설명하는 제작 방법은 제 1 반송 벨트(101)를 사용한다(도 11의 (A) 참조).
실시형태 3에서 설명한 제 6 단계에서, 제 2 박리 기점(91s)에서, 제 2 기판(21)을 포함하는 표층(91b)을 적층체(91)로부터 분리하여 제 2 잔부(91a)를 얻는다.
예를 들어, 점착성 표면을 갖는 제 1 반송 벨트(101)를 사용하여 제 2 잔부(91a)를 제 1 반송 벨트(101)로 옮긴다(도 11의 (A) 참조).
제 1 반송 벨트(101)를 사용하여 제 2 잔부(91a)를 반송하면서, 실시형태 3에서 설명한 제 7 단계 및 제 8 단계를 실시한다.
<제작 방법예 2>
도 11의 (B)를 참조하면서 설명하는 제작 방법에서는 제 1 반송 벨트(101) 및 제 2 반송 벨트(102)가 사용된다. 또한, 제 2 반송 벨트(102)를 사용하여 제 1 잔부(90a)를 반송하면서 제 3 단계~제 6 단계를 실시하는 점이 도 11의 (A)를 참조하면서 설명한 제작 방법과 상이하다.
실시형태 3에서 설명한 제 2 단계 후, 제 1 잔부(90a)를 제 2 반송 벨트(102)에 얹는다.
제 2 반송 벨트(102)를 사용하여 제 1 잔부(90a)를 반송하면서, 실시형태 3에서 설명한 제 3 단계~제 6 단계를 실시한다.
<제작 방법예 3>
도 12를 참조하면서 설명하는 제작 방법에서는 제 1 반송 벨트(101)가 사용된다. 또한, 복수의 가공 부재를 일괄적으로 처리하는 배치(batch) 방식의 방법을 제 4 단계에서 사용하는 점이, 도 11의 (A)를 참조하면서 설명한 연속 방식의 방법과 상이하다.
<제작 방법예 4>
도 13의 (A)를 참조하면서 설명하는 제작 방법에서는 고리 형태의 제 1 반송 벨트(101)가 사용된다.
도 13의 (B)를 참조하면서 설명하는 제작 방법은, 코팅 장치(103)를 사용하여 점착성 표면을 고리 형태의 제 1 반송 벨트(101)에 형성하는 단계와, 세정 장치(104)를 사용하여 점착성 표면을 제거하는 단계를 포함한다.
(실시예 1)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치가 사용된 표시 장치를 제작한 결과에 대하여 도 10을 참조하면서 설명한다.
도 10은 제작한 표시 장치(1200)를 설명하는 도면이다. 도 10의 (A)는 표시 장치(1200)의 구성을 설명하는 단면도이다. 도 10의 (B1)은 표시 장치(1200)의 외관 사진이다. 도 10의 (B2)는 표시 장치(1200)를 휜 상태의 외관 사진이다.
도 10의 (C1)~(C3)은 표시 장치(1200)에 표시된 다양한 화상의 사진이다.
표시 장치(1200)는 제 1 지지체(1041), 제 1 피박리층(1013), 접합층(1030), 제 2 피박리층(1023), 접착층(1032), 및 제 2 지지체(1042)를 갖는다(도 10의 (A) 참조).
≪제 1 지지체(1041)≫
제 1 지지체(1041)는 가요성을 갖는다. 두께 50μm의 에폭시 수지를 사용하였다.
두께 50μm의 에폭시 수지는, 2액형 에폭시 수지(형식 번호: TB2022(Three Bond Co., Ltd.사제))를, 스핀 코터를 사용하여 경화 후의 두께가 50μm가 되도록 제 1 피박리층(1013)에 도포하고 나서, 경화하여 형성하였다.
또한, 제 1 지지체(1041)에 사용된 두께 50μm의 에폭시 수지의 파장 550nm에서의 복굴절은 6.0×10- 5이었다. 스핀 코터를 사용하여 유리 기판 위에 형성한 시료를 측정에 사용하였다. 위상차 필름·광학 재료 검사 장치(형식 번호: RETS-100(OTSUKA ELECTRONICS Co., Ltd.사제))를 사용하여 측정한 위상차(retardation)로부터 복굴절을 구하였다. 또한, 23℃의 환경에서, 회전 검광자법을 사용하여 측정을 수행하였다.
≪제 1 피박리층(1013)≫
제 1 피박리층(1013)은 절연막(1013a)과 표시부(1013b)를 갖는다. 또한, 절연막(1013a)은 표시부(1013b)보다 제 1 지지체(1041) 측에 배치된다.
산화 실리콘막과 산화질화 실리콘막이 적층된 막을 절연막(1013a)에 사용하였다.
표시부(1013b)는, 복수의 화소가 비치된 화소 영역(1201), 및 화소를 구동하는 구동 회로를 갖는다. 또한, 화소에 화상 신호를 공급하는 배선 및 화소에 전원 전위를 공급하는 배선 등을 갖는다. 배선은 단자(1219)에 전기적으로 접속된다.
화소는 적색을 표시하기 위한 부화소, 녹색을 표시하기 위한 부화소, 및 청색을 표시하기 위한 부화소를 갖는다. 부화소는 광을 사출하는 발광 소자와, 발광 소자를 구동하는 화소 회로를 갖는다.
발광 소자에는 유기 EL 소자를 사용하였다. 반사성 전극을 하부 전극에 사용하고, 반투과·반반사성 전극을 상부 전극에 사용하고, 백색 광을 발하도록 적층된 층을 발광성 유기 화합물을 포함하는 층에 사용하였다. 발광 소자는, 상부 전극을 통하여 제 2 지지체(1042) 측에 광을 추출하는 구성으로 하였다.
또한, 반사성 전극은 금속막, 및 금속막과 중첩되며 투광성을 갖는 도전막을 갖는다. 또한, 투광성을 갖는 도전막의 두께는 부화소가 표시하는 색에 맞추어 조정하였다.
≪접합층(1030)≫
접합층(1030)은 제 1 피박리층(1013)과 제 2 피박리층(1023)을 접합한다. 두께 약 5μm의 에폭시 수지(ALTECO Co., Ltd사제)를 접합층(1030)에 사용하였다.
≪제 2 피박리층(1023)≫
제 2 피박리층(1023)은 절연막(1023a)과 컬러 필터(1023b)를 갖는다. 또한, 절연막(1023a)은 컬러 필터(1023b)보다 제 2 지지체(1042) 측에 배치된다.
산화 실리콘막과 산화질화 실리콘막이 적층된 막을 절연막(1023a)에 사용하였다.
컬러 필터(1023b)는 적색의 광을 투과시키는 영역과, 녹색의 광을 투과시키는 영역과, 청색의 광을 투과시키는 영역을 갖는다. 적색의 광을 투과시키는 영역은 적색을 표시하기 위한 부화소와 중첩되도록, 녹색의 광을 투과시키는 영역은 녹색을 표시하기 위한 부화소와 중첩되도록, 청색의 광을 투과시키는 영역은 청색을 표시하기 위한 부화소와 중첩되도록 각각 배치하였다.
또한, 블랙 매트릭스로서 기능하도록, 차광성 막을 컬러 필터(1023b)의 각 영역 사이에 제공하였다.
≪접착층(1032)≫
접착층(1032)은 제 2 피박리층(1023)과 제 2 지지체(1042)를 접합한다. 두께 약 5μm의 에폭시 수지(ALTECO Co., Ltd.사제)를 접착층(1032)에 사용하였다.
≪제 2 지지체(1042)≫
제 2 지지체(1042)는 가요성을 갖는다. 투광성을 갖는 아라미드 필름을 제 2 지지체(1042)에 사용하였다.
≪평가 결과≫
제작한 표시 장치(1200)의 두께는 100μm이었다(도 10의 (B1) 참조). 표시 장치(1200)는 가요성을 갖고, 약 5mm의 곡률 반경으로 반복적으로 휠 수 있었다(도 10의 (B2) 참조).
FPC를 단자(1219)에 전기적으로 접속하고 화상을 표시하였다(도 10의 (C1)~(C3) 참조). 구체적으로는, 백색의 화상, 바둑무늬의 화상, 컬러바를 표시할 수 있었다.
표시 장치(1200)는 양호한 화상을 표시하면서 반복적으로 휠 수 있었다.
(실시예 2)
두께 27μm의 에폭시 수지를 제 1 지지체(1041)에 사용한 점 이외는 실시예 1과 같은 구성을 갖는 표시 장치(1200B)를 제작하였다.
5mm의 곡률 반경으로 반복적으로 10만회 휘고, 그 후에 온도 65℃, 습도 95%의 환경에서 보존하였다.
≪평가 결과≫
보존 후에 화상을 표시한 결과, 양호한 표시를 할 수 있었다. 구체적으로는, 백색의 화상 및 바둑무늬의 화상을 표시할 수 있었다.
표시 장치(1200B)는, 반복적으로 휘어도 크랙 등의 파괴가 제 1 피박리층(1013) 또는 제 2 피박리층(1023)에 생기지 않고, 양호한 화상을 표시할 수 있었다.
K01: 하우징
K02: 힌지
K10: 연산 장치
K10A: 안테나
K10B: 배터리
K20: 입출력 장치
K30: 표시부
K31: 영역
K40: 입력 장치
K41: 센서
K45: 버튼
K100: 정보 처리 장치
11: 기판
12: 박리층
13: 피박리층
13s: 기점
21: 기판
22: 박리층
23: 피박리층
30: 접합층
32: 접착층
41: 지지체
42: 지지체
80: 가공 부재
80a: 잔부
80b: 표층
90: 가공 부재
90a: 잔부
90b: 표층
91: 적층체
91a: 잔부
91b: 표층
91s: 기점
99: 노즐
200A: 발광 장치
200B: 발광 장치
200C: 발광 장치
200D: 표시 장치
200E: 표시 장치
201: 영역
202: 화소
202R: 부화소
209: FPC
210: 기재
210a: 절연막
210b: 지지체
211: 배선
219: 단자
221: 절연막
221a: 절연막
228: 격벽
250: 발광 소자
250R: 발광 소자
251: 하부 전극
252: 상부 전극
253: 층
260: 접합층
267BM: 차광층
267p: 기능막
267R: 착색층
270: 기재
270a: 절연막
270b: 기재
270c: 수지층
280R: 표시 모듈
1013: 피박리층
1013a: 절연막
1013b: 표시부
1023: 피박리층
1023a: 절연막
1023b: 컬러 필터
1030: 접합층
1032: 접착층
1041: 지지체
1042: 지지체
1200: 표시 장치
1200B: 표시 장치
1201: 화소 영역
1219: 단자
3000A: 정보 처리 장치
3000B: 정보 처리 장치
3000C: 정보 처리 장치
3101: 하우징
3101b: 하우징
3120: 입출력부
3120b: 입출력부

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  12. 발광 장치의 제작 방법에 있어서,
    제 1 기판, 제 1 박리층, 제 1 피박리층, 접합층, 및 제 2 지지체를 포함하고,
    상기 제 1 박리층 및 상기 제 1 기판은 서로 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 제 1 피박리층 및 상기 제 1 박리층은 서로 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 접합층 및 상기 제 1 피박리층은 서로 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 제 2 지지체 및 상기 접합층은 서로 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 제 1 피박리층은 제 1 절연막 및 발광 소자를 포함하고,
    상기 제 1 절연막은 상기 발광 소자와 상기 제 1 기판 사이에 있는, 가공 부재를 준비하는 단계와;
    상기 제 1 피박리층의 일부를 상기 제 1 기판으로부터 분리함으로써, 상기 가공 부재 중 상기 접합층의 단부와 중첩되는 위치 근방에 제 1 박리 기점을 형성하는 제 1 단계와;
    상기 제 1 박리 기점에서 상기 제 1 기판을 포함하는 표층을 상기 가공 부재로부터 분리함으로써, 제 1 잔부를 얻는 제 2 단계와;
    상기 제 1 피박리층에 유동성을 갖는 재료를 도포하는 제 3 단계와;
    상기 재료를 경화시켜 제 1 지지체를 형성하는 제 4 단계를 포함하는, 발광 장치의 제작 방법.
  13. 발광 장치의 제작 방법에 있어서,
    제 1 기판, 제 1 박리층, 제 1 피박리층, 접합층, 제 2 피박리층, 제 2 박리층, 제 2 기판을 포함하고,
    상기 제 1 박리층 및 상기 제 1 기판은 서로 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 제 1 피박리층 및 상기 제 1 박리층은 서로 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 접합층 및 상기 제 1 피박리층은 서로 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 제 2 피박리층 및 상기 접합층은 서로 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 제 2 박리층 및 상기 제 2 피박리층은 서로 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 제 2 기판 및 상기 제 2 박리층은 서로 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 제 1 피박리층은 제 1 절연막 및 발광 소자를 포함하고,
    상기 제 1 절연막은 상기 발광 소자와 상기 제 1 기판 사이에 있고,
    상기 제 2 피박리층은 제 2 절연막을 포함하는, 가공 부재를 준비하는 단계와;
    상기 제 1 피박리층의 일부를 상기 제 1 기판으로부터 분리함으로써, 상기 가공 부재 중 상기 접합층의 단부와 중첩되는 위치 근방에 제 1 박리 기점을 형성하는 제 1 단계와;
    상기 제 1 박리 기점에서 상기 제 1 기판을 포함하는 표층을 상기 가공 부재로부터 분리함으로써, 제 1 잔부를 얻는 제 2 단계와;
    상기 제 1 피박리층에 유동성을 갖는 재료를 도포하는 제 3 단계와;
    상기 재료를 경화시켜 제 1 지지체를 형성함으로써 적층체를 얻는 제 4 단계와;
    상기 제 2 피박리층의 일부를 상기 제 2 기판으로부터 분리함으로써 제 2 박리 기점을 형성하는 제 5 단계와;
    상기 제 2 박리 기점에서 상기 제 2 기판을 포함하는 표층을 상기 적층체로부터 박리함으로써, 제 2 잔부를 얻는 제 6 단계와;
    상기 제 2 피박리층에 유동성을 갖는 재료를 도포하는 제 7 단계와;
    상기 재료를 경화시켜 제 2 지지체를 형성하는 제 8 단계를 포함하는, 발광 장치의 제작 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 7 단계에서 접착층을 사용하여 상기 제 2 지지체를 상기 제 2 피박리층에 접합하고,
    상기 제 8 단계에서 상기 접착층을 경화시키는, 발광 장치의 제작 방법.
  15. 발광 장치의 제작 방법에 있어서,
    기판, 피박리층, 및 상기 기판과 상기 피박리층 사이의 박리층을 포함하는 가공 부재를 준비하는 단계와;
    상기 가공 부재로부터 상기 기판과 상기 박리층을 분리하는 단계와;
    상기 피박리층에 유동성을 갖는 재료를 도포하는 단계와;
    상기 재료를 경화시켜 지지체를 형성하는 단계를 포함하는, 발광 장치의 제작 방법.
  16. 발광 장치의 제작 방법에 있어서,
    제 2 지지체, 상기 제 2 지지체 위의 접합층, 상기 접합층 위의 피박리층, 상기 피박리층 위의 박리층, 및 상기 박리층 위의 기판을 포함하는 가공 부재를 준비하는 단계와;
    상기 피박리층의 일부를 상기 기판으로부터 분리함으로써, 상기 가공 부재 중 상기 접합층의 단부와 중첩되는 위치 근방에 박리 기점을 형성하는 단계와;
    상기 박리 기점에서 상기 가공 부재로부터 상기 기판과 상기 박리층을 분리하는 단계;
    상기 피박리층에 유동성을 갖는 재료를 도포하는 단계와;
    상기 재료를 경화시켜 제 1 지지체를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 피박리층은 발광 소자를 포함하는, 발광 장치의 제작 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 피박리층은 발광 소자와 상기 발광 소자에 전기적으로 접속되는 단자부를 포함하는, 발광 장치의 제작 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 피박리층은 상기 발광 소자에 전기적으로 접속되는 단자부를 포함하는, 발광 장치의 제작 방법.
  19. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    제 15 항 또는 제 16 항에 따른 발광 장치와 FPC 또는 터치 센서를 포함하는 모듈을 형성하는 단계를 더 포함하는, 발광 장치의 제작 방법.
  20. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    제 15 항 또는 제 16 항에 따른 발광 장치와 마이크로폰, 안테나, 배터리, 조작 스위치, 또는 하우징을 포함하는 전자 기기를 형성하는 단계를 더 포함하는, 발광 장치의 제작 방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6603486B2 (ja) * 2014-06-27 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR20180057573A (ko) * 2015-04-13 2018-05-30 로욜 코포레이션 플렉서블 기판의 지지 및 분리
EP3226656B1 (en) * 2015-06-15 2020-11-25 Sumitomo Chemical Company Limited Method of manufacturing organic el element
JP6637766B2 (ja) * 2016-01-04 2020-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US10279576B2 (en) 2016-04-26 2019-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
WO2018051212A1 (en) * 2016-09-16 2018-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel
JP7005592B2 (ja) * 2017-03-16 2022-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102343794B1 (ko) * 2017-05-24 2021-12-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
DE102018206278A1 (de) 2018-04-24 2019-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einer photolithographischen Maske
KR20200108139A (ko) * 2019-03-06 2020-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100450A (ja) * 2001-06-20 2003-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP2003109773A (ja) * 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
TW594947B (en) * 2001-10-30 2004-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2003323132A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Sony Corp 薄膜デバイスの製造方法および半導体装置
TWI330269B (en) 2002-12-27 2010-09-11 Semiconductor Energy Lab Separating method
JP4373085B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法
TWI328837B (en) 2003-02-28 2010-08-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7105448B2 (en) 2003-02-28 2006-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for peeling off semiconductor element and method for manufacturing semiconductor device
JP4495939B2 (ja) * 2003-10-08 2010-07-07 株式会社リコー 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法
US7271076B2 (en) 2003-12-19 2007-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device
US7452786B2 (en) 2004-06-29 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate
US8040469B2 (en) 2004-09-10 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same
US7482248B2 (en) 2004-12-03 2009-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US7566633B2 (en) 2005-02-25 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7605056B2 (en) 2005-05-31 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including separation by physical force
US7465674B2 (en) 2005-05-31 2008-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101272097B1 (ko) 2005-06-03 2013-06-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 집적회로 장치 및 그의 제조방법
EP1760776B1 (en) 2005-08-31 2019-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate
EP1760798B1 (en) 2005-08-31 2012-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN101305315B (zh) 2005-11-11 2010-05-19 株式会社半导体能源研究所 形成具有功能性的层的方法及半导体器件的制造方法
US7727773B2 (en) 2006-10-31 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample
US7968382B2 (en) 2007-02-02 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP5268395B2 (ja) 2007-03-26 2013-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5322408B2 (ja) 2007-07-17 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP5460108B2 (ja) 2008-04-18 2014-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5583951B2 (ja) 2008-11-11 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5586920B2 (ja) * 2008-11-20 2014-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 フレキシブル半導体装置の作製方法
KR101613865B1 (ko) 2009-03-26 2016-04-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법
JP5703569B2 (ja) * 2010-02-23 2015-04-22 大日本印刷株式会社 有機ｅｌ素子パネル及びその製造方法
JP5902406B2 (ja) 2010-06-25 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 分離方法および半導体装置の作製方法
US8357974B2 (en) * 2010-06-30 2013-01-22 Corning Incorporated Semiconductor on glass substrate with stiffening layer and process of making the same
KR102109009B1 (ko) 2011-02-25 2020-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
US9891361B2 (en) * 2011-08-05 2018-02-13 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
JP2013114994A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Panasonic Corp ディスプレイパネルの製造方法及びディスプレイパネル
US9324449B2 (en) * 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
KR102161078B1 (ko) * 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
JP6024916B2 (ja) * 2012-10-22 2016-11-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 パネル貼付方法およびパネル貼付装置
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
KR102187752B1 (ko) 2013-05-07 2020-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 박리 장치
CN109273622B (zh) 2013-08-06 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 剥离方法
KR102285804B1 (ko) 2013-08-30 2021-08-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 적층의 가공 장치 및 가공 방법
US9981457B2 (en) 2013-09-18 2018-05-29 Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus of stack
JP6513929B2 (ja) 2013-11-06 2019-05-15 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法
JP6603486B2 (ja) * 2014-06-27 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100450A (ja) * 2001-06-20 2003-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法

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Publication number Publication date
US9466811B2 (en) 2016-10-11
JP2021092803A (ja) 2021-06-17
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US10468625B2 (en) 2019-11-05
US20150380680A1 (en) 2015-12-31
US20170025638A1 (en) 2017-01-26
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JP2016027555A (ja) 2016-02-18

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