JP2020024929A - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
入出力装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることが
できる。
れ、情報処理装置に好適である。
職場や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるよう
になっている。このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されてい
る。
情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示
装置の一例として、発光層を分離する構造体と第2の電極層との密着性が高められた構成
が知られている(特許文献1)。
一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供するこ
とを課題の一とする。または、新規な発光装置、または新規な発光装置の作製方法を提供
することを課題の一とする。または、新規な表示装置、または新規な表示装置の作製方法
を提供することを課題の一とする。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2の支持体と、を有する発光装置である。
の絶縁膜および発光素子をこの順番で備える。
。
剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2の被剥離層と、第2の被剥離層に重なる第
2の支持体と、を有する発光装置である。
の絶縁膜および発光素子をこの順番で備える。
一方は、発光素子が射出する光を透過する。
る。
の支持体が異方性を備える材料を含む上記の発光装置である。
第2の支持体が端子部に重なる開口部を備える上記の発光装置である。
体の間に含んで構成される。これにより、絶縁膜および発光素子を第1の支持体および第
2の支持体を用いて保護することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な発光装置を提供することができる。
離層に重なる第1の被剥離層と、第1の被剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2
の支持体と、を備える加工部材を準備する。なお、第1の被剥離層は第1の絶縁膜および
発光素子を備える。第1の絶縁膜は発光素子より第1の基板がある側に設けられる。そし
て、加工部材の接合層の端部に重なる位置の近傍に、第1の被剥離層の一部が前記第1の
基板から分離した第1の剥離の起点を形成する。
から分離して、第1の残部を得る。
離層に重なる第1の被剥離層と、第1の被剥離層に重なる接合層と、接合層に重なる第2
の被剥離層と、第2の被剥離層に重なる第2の剥離層と、第2の剥離層に重なる第2の基
板と、を備える加工部材を準備する。なお、第1の被剥離層は、第1の絶縁膜および発光
素子を備える。第1の絶縁膜は、前記発光素子より前記第1の基板がある側に設けられる
。第2の被剥離層は、第2の絶縁膜を備える。また、加工部材の接合層の端部に重なる位
置の近傍に、第1の被剥離層の一部が前記第1の基板から分離した第1の剥離の起点を形
成する。
から分離して、第1の残部を得る。
離の起点を形成する。
体から分離して、第2の残部を得る。
ステップを有する発光装置の作製方法である。
。
層に重なる第1の支持体を形成するステップを含んで構成される。これにより、第1の支
持体を形成する際に第1の被剥離層に加わる圧力を低減することができる。その結果、利
便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供することができる。
ジュールである。
、バッテリー、操作スイッチまたは筐体と、を有する電子機器である。
をEL層という。また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光性の有機化合物を含
む発光層を備える。従って、一対の電極間に設けられた発光層はEL層の一態様である。
まれる。
ape Carrier Package)等のコネクターが取り付けられたモジュール
、当該モジュールのTCPの先にプリント配線板が取り付けられたものもしくはCOG(
Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が実装され且つ発光素子が形
成された基板も、発光装置に含まれる。
電極を、他方がドレイン電極を指す。
たは、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供できる。または、新
規な発光装置、新規な発光装置の作製方法、新規な表示装置または新規な装置を提供でき
る。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
絶縁膜と発光素子を含んで構成される。
ことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供できる。ま
たは、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供できる。または、新
規な発光装置、新規な発光装置の作製方法または新規な装置を提供できる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜
」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用
語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について、図1を参照しながら説明
する。図1は本発明の一態様の発光装置200A乃至発光装置200Cの構成を説明する
図である。
図1(B1)は図1(A)の切断線X1−X2における発光装置200Aの断面図である
。
本実施の形態で説明する発光装置200Aは、第1の支持体41と、第1の支持体41に
重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合層30と、接合層30に
重なる第2の支持体42と、をこの順番で有する(図1(B1)参照)。
の順番で備える。
透過する。
1と第2の支持体42の間に含んで構成される。これにより、絶縁膜および発光素子を第
1の支持体41および第2の支持体42を用いて保護することができる。その結果、利便
性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することができる。
は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合が
ある。
発光装置200Aは、第1の支持体41、第1の被剥離層13、接合層30または第2の
支持体42を有する。
第1の支持体41は、例えば第1の被剥離層13と接する。
透過する。
性または力学的な等方性等を有する材料を含む。具体的には、第1の支持体41が広がる
平面に含まれる直交する二つの方向についての屈折率の異方性が2×10−4未満、好ま
しくは8×10−5以下、より好ましくは5×10−5以下、より好ましくは3×10−
5以下の複屈折を備える材料を用いることができる。光学的な等方性を有する材料は、光
学フィルムの光学特性を損なうおそれが少ない。例えば、偏光フィルムの特性を損なうお
それが少ない。具体的には、円偏光板の特性を損なうおそれが少ない。また、弾性率の等
方性または破断強度の等方性などを力学的な等方性ということができる。
を成形し、得られた膜を第1の支持体41に用いることができる。
。
ト、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を、第1の支持体41に用いることができる。
はガラスなど)が分散された複合材料を、第1の支持体41に用いることができる。
ることができる。例えば、型番TB2001(株式会社スリーボンド社製)または型番T
B2022(株式会社スリーボンド社製)を用いることができる。
第1の被剥離層13は、絶縁膜および発光素子を含む。
第1の被剥離層13の絶縁膜は、単層の構造または複数の層が積層された積層構造を備え
る。
用いることができる。
離層13の絶縁膜に用いることができる。
できる。
きる膜を、絶縁膜に用いることができる。
さ200nmの窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜に用いることができる。なお、
酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸
素の組成より多い。
00nmの窒化珪素膜、厚さ200nmの酸化窒化珪素膜、厚さ140nmの窒化酸化珪
素膜および厚さ100nmの酸化窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜に用いること
ができる。
第1の被剥離層13の発光素子は、第1の支持体41または第2の支持体42の少なくと
も一方に向けて光を射出する。
とができる。
接合層30は、第1の被剥離層13と第2の支持体42を接合する。
できる。
とができる。または接着剤等を接合層30に用いることができる。
剤等の有機材料を接合層30に用いることができる。
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
第2の支持体42は、例えば接合層30と接する。
成形し、得られた膜を第2の支持体42に用いることができる。また、一部を除去するこ
とにより、開口部を形成できる。
本発明の一態様の発光装置の別の構成について、図1を参照しながら説明する。
図1(B2)は図1(A)の切断線X1−X2における発光装置200Bの断面図である
。
がら説明する発光装置200Aとは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、
同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合層30と、接合層30に
重なる第2の被剥離層23と、第2の被剥離層23に重なる第2の支持体42と、をこの
順番で有する(図1(B2)参照)。
の順番で備える。
透過する。
発光装置200Bは、第1の支持体41、第1の被剥離層13、接合層30、第2の被剥
離層23または第2の支持体42を有する。
第2の被剥離層23は第2の絶縁膜を備える。第2の被剥離層23に含まれる第2の絶縁
膜は、第1の被剥離層13に含まれる第1の絶縁膜との間に第1の被剥離層13に含まれ
る発光素子を挟む。これにより、発光素子に不純物が拡散する現象を抑制できる。
層23の絶縁膜に用いることができる。
。または、指などの対象物の近接または接触を検知するタッチセンサを機能層に用いても
よい。
第2の支持体42は、例えば第2の被剥離層23と接する。
本発明の一態様の発光装置の別の構成について、図1を参照しながら説明する。
図1(B3)および図1(C)は図1(A)の切断線X1−X2における発光装置200
Cの断面図である。
2を有する点および第2の支持体42が所定の異方性を備える材料を含む点が、図1(B
2)を参照しながら説明する発光装置200Bとは異なる。ここでは異なる構成について
詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
間に接着層32を有する(図1(B3)または図1(C)参照)。
250を備える。また、第1の被剥離層13は、端子219および配線211を備える(
図1(C)参照)。
9は電力を供給され、配線211は電力を発光素子250に供給する。
発光装置200Cは、第1の支持体41、第1の被剥離層13、接合層30、第2の被剥
離層23、接着層32または第2の支持体42を有する(図1(B3)参照)。
接着層32は、第2の支持体42を第2の被剥離層23に貼り合わせる機能を有する。
きる。
剤等の有機材料を接着層32に用いることができる。
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができる。
第2の支持体42は、所定の異方性を有する材料を含む。例えば光学的な異方性を有する
材料を含む。具体的には、第2の支持体42が広がる平面に含まれる直交する二つの方向
についての屈折率の異方性が2×10−4以上好ましくは4×10−4以上である材料を
用いることができる。
る。1軸延伸法や逐次2軸延伸法等を用いると、光学的な異方性を有するように材料を膜
状に成形することができる。
リイミド、ポリカーボネート、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を含むフィルムを、第
2の支持体42に用いることができる。延伸法を用いて成形されたフィルムは伸びにくく
、例えば内部または外部から加わる応力から発光素子を保護することができる。
第1の被剥離層13は、絶縁膜210a、配線211、絶縁膜221、隔壁228または
発光素子250を備える(図1(C)参照)。
絶縁膜210aは、単層の構造または複数の層が積層された積層構造を備える。
10aに用いることができる。
離層13の絶縁膜210aに用いることができる。
きる膜を、絶縁膜210aに用いることができる。
さ200nmの窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜210aに用いることができる
。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の
組成が酸素の組成より多い。
00nmの窒化珪素膜、厚さ200nmの酸化窒化珪素膜、厚さ140nmの窒化酸化珪
素膜および厚さ100nmの酸化窒化珪素膜が積層された積層膜を、絶縁膜210aに用
いることができる。
端子219または配線211は導電膜を含む。
用いることができる。
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等
に用いることができる。
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
絶縁膜221および隔壁228は、絶縁性を有する。
8に用いることができる。
発光素子250は、第1の支持体41または第2の支持体42に向けて光を射出する機能
を有する。
251と上部電極252の間に挟持される発光性の有機化合物を含む層253を備える。
合物を含む層253が発する光を透過する。
重なる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図2を参照しながら
説明する。
側に示す図2(A2)乃至図2(E2)は本発明の一態様の発光装置200Aの作製方法
を説明する上面図であり、図2の左側に示す図2(A1)乃至図2(E1)は対応する上
面図の切断線における発光装置200Aの作製方法を説明する断面図である。
本実施の形態で説明する発光装置の作製方法は、以下の4つのステップを有する。
第1のステップにおいて、第1の基板11と、第1の基板11に重なる第1の剥離層12
と、第1の剥離層12に重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合
層30と、接合層30に重なる第2の支持体42と、を備える加工部材80を準備する(
図2(A1)および図2(A2)参照)。
をこの順番で備える。また、加工部材80に適用することができるさまざまな構成につい
て、実施の形態4で説明する。
3の一部が第1の基板11から分離した第1の剥離の起点13sを形成する(図2(B1
)および図2(B2)参照)。
またはレーザ等を用いる方法(例えばレーザアブレーション法)等を用いて、第1の被剥
離層13の一部を第1の基板11から部分的に分離することができる。これにより、第1
の剥離の起点13sを形成することができる。
第2のステップにおいて、第1の剥離の起点13sから、第1の基板11を含む表層80
bを加工部材80から分離して、第1の残部80aを得る(図2(C)参照)。
取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを
照射してもよい。
1の被剥離層13の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル99から噴出させて吹
き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用い
ることができる。
る。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。
させながらまたは吹き付けながら第1の被剥離層13を剥離すると、第1の被剥離層13
に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。
第3のステップにおいて、第1の被剥離層13に流動性を有する材料を塗布する(図2(
D1)および図2(D2)参照)。
第4のステップにおいて、流動性を有する材料を硬化して第1の支持体41を形成する(
図2(D1)および図2(D2)参照)。
なお、第5のステップにおいて、第2の支持体42に開口部を形成する(図2(E1)お
よび図2(E2)参照)。
1の被剥離層13に重なる第1の支持体41を形成するステップを含んで構成される。こ
れにより、第1の支持体41を形成する際に第1の被剥離層13に加わる圧力を低減する
ことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供
することができる。
う場合がある。異物が付着した状態で、第1の支持体41を第1の被剥離層13上に形成
する際に、第1の被剥離層13に圧力を加えると、異物を第1の被剥離層13に押し込ん
でしまう場合がある。これにより、第1の被剥離層13にある絶縁膜や発光素子が破壊さ
れてしまう場合がある。
ほどの圧力を加えることなく発光装置200Aを作製することができる。これにより、発
光装置200Aを良好な歩留りで作製できる。
、好ましくは1.2μm以下、より好ましくは0.9μm以下の絶縁膜を含む場合であっ
ても、発光装置200Aを良好な歩留りで作製できる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図3乃至図5を参照
しながら説明する。
。
作製方法を説明する上面図であり、図3の左側に示す図3(A1)乃至図3(E1)は対
応する上面図の切断線における発光装置200Bの作製方法を説明する断面図である。
の作製方法を説明する上面図であり、図4の左側に示す図4(A)乃至図4(D1)は対
応する上面図の切断線における発光装置200Bの作製方法を説明する断面図である。
本実施の形態で説明する発光装置の作製方法は、以下の8つのステップを有する。
第1のステップにおいて、第1の基板11と、第1の基板11に重なる第1の剥離層12
と、第1の剥離層12に重なる第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13に重なる接合
層30と、接合層30に重なる第2の被剥離層23と、第2の被剥離層23に重なる第2
の剥離層22と、第2の剥離層22に重なる第2の基板21と、を備える加工部材90を
準備する(図3(A1)および図3(A2)参照)。
をこの順番で備える。また、加工部材90に適用することができるさまざまな構成につい
て、実施の形態4で説明する。
一部が第1の基板11から分離した第1の剥離の起点13sを形成する(図3(B1)お
よび図3(B2)参照)。
またはレーザ等を用いる方法(例えばレーザアブレーション法)等を用いて、第1の被剥
離層13の一部を第1の基板11から部分的に分離することができる。これにより、第1
の剥離の起点13sを形成することができる。
第2のステップにおいて、第1の剥離の起点13sから、第1の基板11を含む表層90
bを加工部材90から分離して、第1の残部90aを得る(図3(C)参照)。
取り除きながら剥離してもよい。
1の被剥離層13の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル99から噴出させて吹
き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用い
ることができる。
第3のステップにおいて、第1の被剥離層13に流動性を有する材料を塗布する(図3(
D1)および図3(D2)参照)。
第4のステップにおいて、流動性を有する材料を硬化して第1の残部90aに第1の被剥
離層13に重なる第1の支持体41を形成し、積層体91を形成する(図3(D1)およ
び図3(D2)参照)。
第5のステップにおいて、第2の被剥離層23の一部が第2の基板21から分離した第2
の剥離の起点91sを形成する(図3(E1)および図3(E2)参照)。
んで、第2の被剥離層23の一部を第2の基板21から部分的に分離することができる。
これにより、第2の剥離の起点91sを形成することができる。なお、刃物または鋭利な
先端を備えるさまざまなものを切削具に用いることができる。
第6のステップにおいて、第2の剥離の起点91sから、第2の基板21を含む表層91
bを積層体91から分離して、第2の残部91aを得る(図4(A)および図4(B)参
照)。
取り除きながら剥離してもよい。
2の被剥離層23の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル99から噴出させて吹
き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用い
ることができる。
第7のステップにおいて、第2の被剥離層23に流動性を有する材料を塗布する(図4(
C1)および図4(C2)参照)。
第8のステップにおいて、流動性を有する材料を硬化して第2の支持体42を形成する(
図4(C1)および図4(C2)参照)。
第9のステップにおいて、第2の支持体42に開口部を形成する(図4(D1)および図
4(D2)参照)。
1の被剥離層13に重なる第1の支持体41を形成するステップと、第2の被剥離層23
に重なる第2の支持体42を形成するステップとを含んで構成される。これにより、第1
の支持体41を形成する際に第1の被剥離層13に加わる圧力と、第2の支持体42を形
成する際に第2の被剥離層23に加わる圧力を低減することができる。その結果、利便性
または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供することができる。
被剥離層23に付着してしまう場合がある。異物が付着した状態で、第1の支持体41を
第1の被剥離層13上に形成する際または第2の支持体42を第2の被剥離層23上に形
成する際に、圧力を加えると、異物を第1の被剥離層13または第2の被剥離層23に押
し込んでしまう場合がある。これにより、第1の被剥離層13にある絶縁膜や発光素子ま
たは第2の被剥離層23にある絶縁膜が破壊されてしまう場合がある。
いると、異物を押し込むほどの圧力を加えることなく発光装置200Bを作製することが
できる。これにより、発光装置200Bを良好な歩留りで作製できる。
まれた異物等で傷つけられた状態になっていると、第6のステップにおいて、第2の基板
21を含む表層91bを積層体91から分離しようとする際に、傷つけられた部分から意
図せず積層体91が破壊されてしまう場合がある。
、好ましくは1.2μm以下、より好ましくは0.9μm以下の絶縁膜を含む場合であっ
ても、発光装置200Bを良好な歩留りで作製できる。
本発明の一態様の発光装置の作製方法の別の構成例について、図3乃至図5を参照しなが
ら説明する。
るために図4(C1)または図4(C2)を置き換える図であり、図5(B1)または図
5(B2)は、発光装置200Cの作製方法を説明するために図4(D1)または図4(
D2)を置き換える図である。
部91aに貼り合わせる第7のステップおよび接着層32を硬化する第8のステップが、
図3および図4を参照しながら説明する発光装置200Bの作製方法とは異なる。ここで
は異なるステップについて詳細に説明し、同様の方法を用いることができるステップは、
上記の説明を援用する。
第7のステップにおいて、接着層32を用いて第2の支持体42を第2の被剥離層23に
貼り合わせる(図5(A1)および図5(A2)参照)。
第8のステップにおいて、接着層32を硬化する。
第9のステップにおいて、第2の支持体42に開口部を形成する(図5(B1)および図
5(B2)参照)。
1の被剥離層13に重なる第1の支持体41を形成するステップを含んで構成される。こ
れにより、第1の支持体41を形成する際に第1の被剥離層13に加わる圧力を低減する
ことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な発光装置の作製方法を提供
することができる。
う場合がある。異物が付着した状態で、第1の支持体41を第1の被剥離層13上に形成
する際に、第1の被剥離層13に圧力を加えると、異物を第1の被剥離層13に押し込ん
でしまう場合がある。これにより、第1の被剥離層13にある絶縁膜や発光素子または第
2の被剥離層23にある絶縁膜が破壊されてしまう場合がある。
ほどの圧力を加えることなく発光装置200Cを作製することができる。これにより、発
光装置200Cを良好な歩留りで作製できる。
た状態になっていると、第6のステップにおいて、第2の基板21を含む表層91bを積
層体91から分離しようとする際に、傷つけられた部分から意図せず積層体91が破壊さ
れてしまう場合がある。
、好ましくは1.2μm以下、より好ましくは0.9μm以下の絶縁膜を含む場合であっ
ても、発光装置200Cを良好な歩留りで作製することができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に加工することができる加工部材の構成に
ついて、図2または図3を参照しながら説明する。
様の発光装置に加工することができる加工部材の構成を説明する模式図である。
る断面図であり、図2(A2)は、対応する上面図である。
部材90の構成を説明する断面図であり、図3(A2)は、対応する上面図である。
加工部材80は、第1の基板11と、第1の基板11上の第1の剥離層12と、第1の剥
離層12に一方の面が接する第1の被剥離層13と、第1の被剥離層13の他方の面に一
方の面が接する接合層30と、接合層30の他方の面が接する第2の支持体42と、を備
える(図2(A1)および図2(A2)参照)。
てもよい(図2(B1)および図2(B2)参照)。
第1の基板11は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さ
および大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
ことができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第1の基板11に用
いることができる。
等を、第1の基板11に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜
または無機酸窒化物膜等を、第1の基板11に用いることができる。例えば、酸化珪素、
窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第1の基板11に用いることができる。SUS
またはアルミニウム等を、第1の基板11に用いることができる。
ことができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、
ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第1の基板11
に用いることができる。
た複合材料を第1の基板11に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属
、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第1の基板11に用
いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に
分散した複合材料を、第1の基板11に用いることができる。
きる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、
第1の基板11に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の
拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一
または複数の膜が積層された材料を、第1の基板11に適用できる。または、樹脂と樹脂
を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン
膜等が積層された材料を、第1の基板11に適用できる。
第1の剥離層12は、第1の基板11と第1の被剥離層13の間に設けられる。第1の剥
離層12は、第1の基板11から第1の被剥離層13を分離できる境界がその近傍に形成
される層である。また、第1の剥離層12は、その上に形成される第1の被剥離層13の
製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。
、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オス
ミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または
該元素を含む化合物等の無機材料を第1の剥離層12に用いることができる。
トまたはアクリル樹脂等の有機材料を第1の剥離層12に用いることができる。
できる。具体的には、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層が積層され
た材料を第1の剥離層12に用いることができる。
を用いて形成することができる。具体的には、タングステンを含む層に酸化シリコンまた
は酸化窒化シリコン等を積層する方法によりタングステンの酸化物を含む層を形成しても
よい。また、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層の表面を、熱酸化
処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素(N2O)プラズマ処理または酸化力の強い溶液(
オゾン水等)を用いる処理等により形成してもよい。
イミドを含む層は、第1の被剥離層13を形成する際に要する様々な製造工程に耐えられ
る程度の耐熱性を備える。例えば、ポリイミドを含む層は、200℃以上、好ましくは2
50℃以上、より好ましくは300℃以上、より好ましくは350℃以上の耐熱性を備え
る。第1の基板11に形成されたモノマーを含む膜を加熱し、縮合したポリイミドを含む
膜を用いることができる。
第1の被剥離層13は第1の基板11から分離することができ、機能層を含む。
13と第1の剥離層12の間に形成されてもよく、第1の剥離層12と第1の基板11の
間に形成されてもよい。第1の被剥離層13と第1の剥離層12の間に境界が形成される
場合は、第1の剥離層12は発光装置に含まれず、第1の剥離層12と第1の基板11の
間に境界が形成される場合は、第1の剥離層12は発光装置に含まれる。
の被剥離層13に用いることができる。
被剥離層13に用いることができる。また、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ
膜等を、第1の被剥離層13に用いることができる。
ることができる。具体的には、ポリイミド膜等を、第1の被剥離層13に用いることがで
きる。
剥離層12と重なる機能層と、第1の剥離層12と機能層の間に用いることができる。
順に厚さ200nmの酸化窒化珪素膜および30nmのタングステン膜が積層された材料
を第1の剥離層12に用いることができる。
化珪素が積層された材料を含む膜を第1の被剥離層13に用いることができる。なお、酸
化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素
の組成より多い。
の窒化珪素、厚さ200nmの酸化窒化珪素膜、厚さ140nmの窒化酸化珪素膜および
厚さ100nmの酸化窒化珪素膜を積層された材料を含む膜を第1の被剥離層13に用い
ることができる。
ン等を含む層と、機能層と、が順に積層された構成を第1の被剥離層13に適用できる。
機能層は第1の被剥離層13に含まれる。例えば、機能回路、機能素子、光学素子または
機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を、機能層に用いることができる。具
体的には、発光素子、表示装置に用いることができる表示素子、表示素子を駆動する画素
回路、画素回路を駆動する駆動回路、カラーフィルタ、タッチセンサまたは防湿膜等もし
くはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。
接合層30は、第1の被剥離層13と第2の支持体42を接合するものであれば、特に限
定されない。
いることができる。
剤などを接合層30に用いることができる。
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
第2の支持体42は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚
さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
同様の、流動性を有する材料を硬化させて成形された膜状の材料を第2の支持体42に用
いることができる。
なお、加工部材80は第1の剥離の起点13sを接合層30の端部と重なる位置の近傍に
有していてもよい(図2(B1)および図2(B2)参照)。
構造を有する。
ザ等を用いる方法(例えばレーザアブレーション法)等を用いて、第1の被剥離層13の
一部を剥離層12から部分的に剥離することができる。これにより、第1の剥離の起点1
3sを形成することができる。
本発明の一態様の発光装置200Bまたは発光装置200Cに加工することができる加工
部材90の構成について、図3(A1)および図3(A2)を参照しながら説明する。
3の一方の面に接する点が加工部材80と異なる。ここでは異なる部分について詳細に説
明し、同じ構成用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
層13が形成された第1の基板11と、第2の剥離層22および第2の剥離層22に他方
の面が接する第2の被剥離層23が形成された第2の基板21と、第1の被剥離層13の
他方の面に一方の面を接し且つ第2の被剥離層23の一方の面と他方の面が接する接合層
30と、を有する。
第1の基板11に用いることができる構成を、第2の基板21に用いることができる。
第1の剥離層12に用いることができる構成を、第2の剥離層22に用いることができる
。
第1の被剥離層13に用いることができる構成を、第2の被剥離層23に用いることがで
きる。
への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。
当該発光素子を駆動する画素回路、当該画素回路を駆動する駆動回路を備え、発光素子が
射出する光の一部を透過するカラーフィルタおよび発光素子への不純物の拡散を防ぐ防湿
膜を第2の被剥離層23が備える構成としてもよい。また、第2の被剥離層23がタッチ
センサを備える構成としてもよい。
として用いることができる積層体にすることができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図6および図7を参照し
ながら説明する。
様の表示装置200Dの作製方法を説明する上面図であり、図6(B)は図6(A)の切
断線A−Bおよび切断線C−Dにおける表示装置200Dの断面図である。
本実施の形態で説明する表示装置200Dは、基材210、基材210に重なる基材27
0、基材210と基材270の間に接合層260、画素202、画素202に制御信号を
供給する駆動回路GD、画素202に表示信号を供給する駆動回路SDおよび画素202
が配設される領域201、を有する(図6(A)および図6(B)参照)。
び可撓性を有する基材270bを貼り合わせる樹脂層270cを備える。
お、例えば、画素202は赤色の表示をする副画素202R、緑色の表示をする副画素お
よび青色の表示をする副画素を備える。
された表示モジュール280Rを備える(図6(B)参照)。
光素子250Rと重なる着色層267Rを備える。なお、発光素子250Rは表示素子の
一態様であるということができる。
れる。また、回路は絶縁膜221を発光素子250Rとの間に挟む。
子250Rの下部電極と電気的に接続される。
電極が駆動トランジスタM0の第2の電極と電気的に接続される。
板209と電気的に接続される。
。
とができる。
表示装置200Dは、基材210、基材270、接合層260、画素202、駆動回路G
D、駆動回路SDまたは領域201を有する。
基材210は、絶縁膜210aおよび第1の支持体210bを含む。
化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の
膜が積層された材料を、絶縁膜210aに適用できる。
的に等方性を有する材料を第1の支持体210bに用いることができる。例えば、液状の
樹脂を塗布した後に硬化させて固体状の膜を成形し、得られた膜を第1の支持体210b
に用いることができる。
ト、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等を、第1の支持体210bに用いることができる
。
基材270は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよ
び大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
ができる。
等を、基材270に用いることができる。
いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、基材2
70に用いることができる。
ができる。
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材270に用いることがで
きる。
た複合材料を基材270に用いることができる。
た複合材料を、基材270に用いることができる。
、基材270に用いることができる。
。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基材
270に用いることができる。
ン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基
材270に適用できる。
は酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基材270に適用できる。
縁膜270aおよび基材270bと絶縁膜270aを貼り合わせる樹脂層270cの積層
体を用いることができる。
接合層260は、基材210および基材270を貼り合わせるものであれば、特に限定さ
れない。
ができる。
ことができる。
剤等の有機材料を接合層260に用いることができる。
ド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラ
ル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
さまざまなトランジスタを駆動トランジスタM0に用いることができる。
ジスタを適用できる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体ま
たはインジウムを含む酸化物半導体などを用いるトランジスタを駆動トランジスタM0の
半導体層に適用できる。
スタM0の半導体層に適用できる。
。
、上部電極ならびに下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える有機
EL素子を表示素子に用いることができる。
ることができる。例えば、発光素子の下部電極および上部電極を用いて微小共振器構造を
構成し、発光素子から特定の光を効率よく取り出してもよい。
一部透過し一部を反射する半透過・半反射膜を他方に用いる。そして、所定の波長を有す
る光が効率よく取り出されるように、下部電極に対して上部電極を配設する。
含む層に用いることができる。また、黄色の光を含む光を発する層を発光性の有機化合物
を含む層に用いることもできる。
より、表示モジュール280Rが射出する光の色を特定の色にすることができる。
色を表示する表示モジュール280Rに用い、緑色の光を効率よく取り出す微小共振器お
よび緑色の光を透過する着色層を、緑色を表示する表示モジュールに用い、または青色の
光を効率よく取り出す微小共振器および青色の光を透過する着色層を、青色を表示する表
示モジュールに用いてもよい。
表示モジュールに用いてもよい。
さまざまなトランジスタを駆動回路SDのトランジスタMDに用いることができる。例え
ば、駆動トランジスタM0と同様の構成をトランジスタMDに用いることができる。
領域201は、マトリクス状に配設された複数の画素202を備える。領域201は表示
情報を表示することができ、領域201に配設された画素の座標情報と関連付けられた検
知情報を供給することができる。例えば、領域201に近接するものの有無を検知して、
その座標情報と共に供給することができる。
導電性を有する材料を配線211または端子219に用いることができる。
用いることができる。
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線等
に用いることができる。
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
樹脂、染料を含む樹脂の他、黒色クロム膜等の無機膜を遮光層267BMに用いることが
できる。カーボンブラック、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等
を遮光層267BMに用いることができる。
機材料と有機材料が積層された材料などを用いることができる。具体的には、酸化珪素ま
たは窒化珪素等を含む膜、アクリルまたはポリイミド等もしくは感光性樹脂等を適用でき
る。
料または無機材料と有機材料の複合材料などを含む膜を機能膜267pに用いることがで
きる。具体的には、アルミナまたは酸化珪素などを含むセラミックコート層、UV硬化樹
脂等のハードコート層、反射防止膜、円偏光板などを適用できる。
子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な
素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えば、E
L(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子
、無機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)、
トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子イ
ンク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイ(
PDP)、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表示素子
、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッタ
ー)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレンス・モジュレーショ
ン)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子、エレク
トロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた
表示素子などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的な作用または磁気
的な作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有して
いてもよい。EL素子を用いた表示装置の一例としては、ELディスプレイなどがある。
電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ(
FED)又はSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface−conduct
ion Electron−emitter Display)などがある。液晶素子を
用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型
液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディ
スプレイ)などがある。電子インク、電子粉流体(登録商標)、又は電気泳動素子を用い
た表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイ
や反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射
電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が
、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下
に、SRAMなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力
を低減することができる。なお、LEDを用いる場合、電極の下に、グラフェンやグラフ
ァイトを配置してもよい。グラフェンやグラファイトは、複数の層を重ねて、多層膜とし
てもよい。このように、グラフェンやグラファイトを設けることにより、その上に、結晶
を有するn型GaN半導体層などを容易に成膜することができる。なお、グラフェンやグ
ラファイトと、結晶を有するn型GaN半導体層との間に、AlN層を設けてもよい。な
お、このGaN半導体層は、MOCVDで成膜してもよい。ただし、グラフェンを設ける
ことにより、スパッタ法で成膜することも可能である。
は、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いること
が出来る。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)、又はTF
D(Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティブ素子
、非線形素子)を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。
い。例えば、情報を表示しないようにしてもよい。一例としては、照明装置として用いて
もよい。照明装置に適用することにより、デザイン性に優れたインテリアとして、活用す
ることができる。または、様々な方向を照らすことができる照明として活用することが出
来る。または、バックライトやフロントライトなどの光源として用いてもよい。つまり、
表示パネルのための照明装置として活用してもよい。
様々なトランジスタを表示装置200Dに用いることができる。
図6(C)に図示する。
る駆動トランジスタM0およびトランジスタMDに適用することができる。
Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物で表記される
膜を含むことが好ましい。または、InとZnの双方を含むことが好ましい。
ミニウム(Al)、またはジルコニウム(Zr)等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(P
r)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(
Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウ
ム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)等がある
。
n−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In
−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−
Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−G
d−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho
−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−
Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、In−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−H
f−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系
酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物、In−G
a系酸化物を用いることができる。
酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn
以外の金属元素が入っていてもよい。
を、図6(C)に図示する駆動トランジスタM0およびトランジスタMDに適用できる。
に図示する。
を含む半導体層を、図6(D)に図示する駆動トランジスタM0およびトランジスタMD
に適用することができる。
図7は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図7(A)は本発明の一態
様の表示装置200Eの上面図であり、図7(B)は図7(A)の切断線A−BおよびC
−Dにおける断面を含む断面図である。
む遮光層267BMが基材270と発光素子250Rの間に配置されている点、機能膜2
67pが基材270側に設けられている点および表示モジュール280Rが光を基材27
0が設けられている側に射出する点が、図6を参照しながら説明する表示装置200Dと
異なる。他の構成は同様の構成を用いることができる。
とができる。また、表示装置200Eは基材270が設けられている側に近接または接触
するものを検知して検知情報を供給できる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を用いた入出力装置で構成することができ
る情報処理装置の構成について、図8を参照しながら説明する。
態を説明する投影図であり、図8(B)は図8(A)の切断線X1−X2における情報処
理装置K100の断面図である。図8(C)は入出力装置K20が折り畳まれた状態を説
明する投影図である。
本実施の形態で説明する情報処理装置K100は、入出力装置K20と、演算装置K10
と、筐体K01(1)乃至筐体K01(3)を有する(図8参照)。
入出力装置K20は、表示部K30および入力装置K40を備える。入出力装置K20は
、画像情報Vを供給され且つ検知情報Sを供給する(図8(B)参照)。
あるとともに、入力装置K40でもある。
装置K20は、タッチパネルである。
表示部K30は、第1の領域K31(11)、第1の屈曲できる領域K31(21)、第
2の領域K31(12)、第2の屈曲できる領域K31(22)および第3の領域K31
(13)がこの順で縞状に配置された領域K31を有する(図8(A)参照)。
第2の屈曲できる領域K31(22)に形成される第2の畳み目で折り畳まれた状態およ
び展開された状態にすることができる(図8(A)および図8(C)参照)。
演算装置K10は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え
る。また、画像情報Vを供給し且つ検知情報Sを供給される。
筐体は、筐体K01(1)、ヒンジK02(1)、筐体K01(2)、ヒンジK02(2
)および筐体K01(3)を含み、この順に配置される。
1(3)は、入出力装置K20を保持し、入出力装置K20を折り畳まれた状態または展
開された状態にすることができる(図8(B)参照)。
装置を例示する。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置K20を2か所で折って
折り畳むことができる。
い。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置K20を(n−1)箇所で折って折り
畳むことができる。
10AおよびバッテリーK10Bを収納する。
)を筐体K01(2)に対して回動可能に接続する。
)を筐体K01(3)に対して回動可能に接続する。
。
0Bに供給する。
る。
折り畳みセンサK41は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、
筐体の状態を示す情報を供給する。
は第1の領域K31(11)に第1の画像を含む画像情報Vを供給する(図8(C)参照
)。
10は表示部K30の領域K31に画像情報Vを供給する(図8(A))。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を用いた入出力部で構成することができる
情報処理装置の構成について、図9を参照しながら説明する。
。
底面図ある。
情報処理装置3000Aは、入出力部3120および入出力部3120を支持する筐体3
101を有する(図9(A−1)乃至図9(A−3)参照)。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
。
令を供給することができる。
情報処理装置3000Bは、入出力部3120および入出力部3120bを有する(図9
(B−1)および図9(B−2)参照)。
を有するベルト状の筐体3101bを有する。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
力部3120に表示情報を表示することができる。
給することができる。
情報処理装置3000Cは、入出力部3120ならびに入出力部3120を支持する筐体
3101および筐体3101bを有する(図9(C−1)および図9(C−2)参照)。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の作製方法について、図11乃至図13を参照しなが
ら説明する。
本実施の形態で説明する作製方法は、第1の搬送ベルト101を用いる(図11(A)参
照)。
基板21を含む表層91bを積層体91から分離して、第2の残部91aを得る。
1の搬送ベルト101に移す(図11(A)参照)。
する第7のステップおよび第8のステップを実施する。
図11(B)を参照しながら説明する作製方法は、第1の搬送ベルト101と、第2の搬
送ベルト102と、を用いる。なお、第1の残部90aを第2の搬送ベルト102を用い
て搬送しながら、第3のステップ乃至第6のステップを実施する点が、図11(A)を参
照しながら説明する作製方法と異なる。
2に載せる。
する第3のステップ乃至第6のステップを実施する。
図12を参照しながら説明する作製方法は、第1の搬送ベルト101を用いる。なお、複
数の加工部材をまとめて処理するバッチ式の方法を、第4のステップにおいて用いる点が
、図11(A)を参照しながら説明する連続式の作製方法と異なる。
図13(A)を参照しながら説明する作製方法は、環状の第1の搬送ベルト101を用い
る方法である。
性の表面を環状の第1の搬送ベルト101に形成するステップと、洗浄装置104を用い
て粘着性の表面を除去するステップと、を備える。
10を参照しながら説明する。
0の構成を説明する断面図である。図10(B1)は表示装置1200の外観の写真であ
る。図10(B2)は表示装置1200を曲げた状態の外観の写真である。
写真である。
30と、第2の被剥離層1023と、接着層1032と、第2の支持体1042と、を有
する(図10(A)参照)。
第1の支持体1041は、可撓性を備える。厚さ50μmのエポキシ樹脂を用いた。
リーボンド社製)を、第1の被剥離層1013に、スピンコーターを用いて硬化後の厚さ
が50μmになるように塗布し、その後硬化して形成した。
ける複屈折は6.0×10−5であった。ガラス基板上にスピンコーターを用いて形成し
た試料を測定に用いた。位相差フィルム・光学材料検査装置(型番:RETS−100大
塚電子株式会社製)を用いて測定したリタデーションから複屈折を求めた。また、23℃
の環境において、回転検光子法を用いて測定を行った。
第1の被剥離層1013は、絶縁膜1013aと表示部1013bを備える。なお、絶縁
膜1013aは、表示部1013bより第1の支持体1041側に配置される。
回路を備える。また、画素に画像信号を供給する配線および画素に電源電位を供給する配
線等を備える。配線は端子1219と電気的に接続される。
るための副画素を備える。副画素は、光を射出する発光素子と発光素子を駆動する画素回
路とを備える。
電極を上部電極に用い、白色の光を発するように積層された層を発光性の有機化合物を含
む層に用いた。発光素子は、上部電極を介して第2の支持体1042側に光を取り出す構
成とした。
透光性を有する導電膜の厚さは、副画素が表示する色に合わせて調整した。
接合層1030は、第1の被剥離層1013と第2の被剥離層1023を貼り合わせる。
厚さおよそ5μmのエポキシ樹脂(株式会社アルテコ社製)を接合層1030に用いた。
第2の被剥離層1023は、絶縁膜1023aとカラーフィルタ1023bとを備える。
なお、絶縁膜1023aは、カラーフィルタ1023bより第2の支持体1042側に配
置される。
青色の光を透過する領域と、を備える。赤色の光を透過する領域は赤色を表示するための
副画素に重なるように、緑色の光を透過する領域は緑色を表示するための副画素に重なる
ように、青色の光を透過する領域は青色を表示するための副画素に重なるよう配置した。
bの各領域の間に設けた。
接着層1032は、第2の被剥離層1023と第2の支持体1042と貼り合わせる。厚
さおよそ5μmのエポキシ樹脂(株式会社アルテコ社製)を接着層1032に用いた。
第2の支持体1042は可撓性を有する。透光性を有するアラミドフィルムを第2の支持
体1042に用いた。
作製した表示装置1200は、厚さ100μmであった(図10(B1)参照)。表示装
置1200は可撓性を有し、およそ5mmの曲率半径で繰り返し曲げることができた(図
10(B2)参照)。
10(C1)乃至図10(C3)参照)。具体的には、白色の画像、市松模様の画像およ
びカラーバーの表示をすることができた。
と同様の構成を備える表示装置1200Bを作製した。
保存をした。
保存後に画像を表示した結果、良好な表示をすることができた。具体的には、白色の画像
および市松模様の画像を表示することができた。
層1023に生じることなく繰り返し曲げることができ、良好な画像を表示することがで
きた。
K02 ヒンジ
K10 演算装置
K10A アンテナ
K10B バッテリー
K20 入出力装置
K30 表示部
K31 領域
K40 入力装置
K41 センサ
K45 釦
K100 情報処理装置
11 基板
12 剥離層
13 被剥離層
13s 起点
21 基板
22 剥離層
23 被剥離層
30 接合層
32 接着層
41 支持体
42 支持体
80 加工部材
80a 残部
80b 表層
90 加工部材
90a 残部
90b 表層
91 積層体
91a 残部
91b 表層
91s 起点
99 ノズル
200A 発光装置
200B 発光装置
200C 発光装置
200D 表示装置
200E 表示装置
201 領域
202 画素
202R 副画素
209 フレキシブルプリント基板
210 基材
210a 絶縁膜
210b 支持体
211 配線
219 端子
221 絶縁膜
228 隔壁
250 発光素子
250R 発光素子
251 下部電極
252 上部電極
253 層
260 接合層
267BM 遮光層
267p 機能膜
267R 着色層
270 基材
270a 絶縁膜
270b 基材
270c 樹脂層
280R 表示モジュール
1013 被剥離層
1013a 絶縁膜
1013b 表示部
1023 被剥離層
1023a 絶縁膜
1023b カラーフィルタ
1030 接合層
1032 接着層
1041 支持体
1042 支持体
1200 表示装置
1200B 表示装置
1201 画素領域
1219 端子
3000A 情報処理装置
3000B 情報処理装置
3000C 情報処理装置
3101 筐体
3101b 筐体
3120 入出力部
3120b 入出力部
Claims (1)
- 筐体の表面と前記表面に連続する側面とに沿った形状を有する表示装置の作製方法であって、
EL素子を含む層と、
前記EL素子を含む層の第1の面と重なる領域を有する基板と、
前記EL素子を含む層の前記第1の面と対向する第2の面と重なる領域を有する第1の支持体と、を備えた部材を用い、
前記基板から前記EL素子を含む層を剥離させた後、前記EL素子を含む層の前記第1の面上に流動性を有する材料を塗布し、
前記材料を硬化して、前記第1の支持体と前記EL素子を含む層と第2の支持体とを有する表示装置を形成する、表示装置の作製方法。
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