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  1. ガラス基板上に、有機材料を有する第１の層を形成する第１の工程と、
    前記第１の層上に、絶縁性材料を有する第２の層を形成する第２の工程と、
    前記第２の層上に、トランジスタを形成する第３の工程と、
    前記トランジスタ上に、発光素子を形成する第４の工程と、
    前記発光素子上に、支持体を形成する第５の工程と、
    前記ガラス基板を剥離する第６の工程とを有し、
    前記第５の工程の前に、熱処理（ただし、レーザ照射処理を除く）を行う工程を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
  2. ガラス基板上に、有機材料を有する第１の層を形成する第１の工程と、
    前記第１の層上に、絶縁性材料を有する第２の層を形成する第２の工程と、
    前記第２の層上に、トランジスタを形成する第３の工程と、
    前記トランジスタ上に、発光素子を形成する第４の工程と、
    前記発光素子上に、支持体を形成する第５の工程と、
    前記ガラス基板を剥離する第６の工程とを有し、
    前記第５の工程の前に、熱処理（ただし、レーザ照射処理を除く）を行う工程を有し、
    前記第６の工程の前に、前記トランジスタと電気的に接続されるＦＰＣを貼り付ける工程を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記発光素子は、陽極又は陰極を有し、
    前記陽極又は前記陰極は、接続配線を介して、前記ＦＰＣと電気的に接続されていることを特徴とする発光装置の作製方法。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記支持体は、プラスチック、ガラス、金属、又はセラミックスを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記トランジスタは、半導体層と、ゲート電極とを有し、
    前記半導体層の上方に、前記ゲート電極が配置されていることを特徴とする発光装置の作製方法。
  6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記トランジスタは、半導体層と、ゲート電極とを有し、
    前記半導体層の下方に、前記ゲート電極が配置されていることを特徴とする発光装置の作製方法。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記トランジスタは、結晶性を有する半導体層を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
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