JP2007019318A - 半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法及び半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板1の表面1A上に無機粒子2を配置し、無機粒子2をエッチングマスクとして基板1をドライエッチング処理することによって、前記基板の前記表面に前記無機粒子の形状に対応した凸部1Bを形成し、これにより表面1Aを凹凸状態に加工する。無機粒子2は、酸化物粒子、窒化物粒子、炭化物粒子、硼化物粒子、硫化物粒子、セレン化物粒子および金属粒子等、又はこれらの混合物であってもよい。基板1の凹凸状態面に屈折率の異なる3−5族窒化物半導体層を積層して発光効率に優れた半導体発光素子を製造することができる。
【選択図】 図1
Description
被覆率(%)=((d/2)2 ×π・P・100)/S
図4に示した層構造を有する3−5族窒化物化合物半導体を次のようにして作製した。先ず、成長基板として、サファイアC面を両面研磨したものを用意した。無機粒子としては、球状シリカ(宇部日東化成(株)社製 ハイプレシカ 平均粒径5μm)を用い、これをエタノールに分散させた4重量%スラリーを用いた。該スラリーを停止しているスピナー上で該サファイア基板に塗布した後、500rpmで10秒間回転させ、続けて2500rpmで40秒間を回転して該サファイア基板を乾燥させた。エッチング前の該サファイア基板上のシリカの被覆率は69%であった。続いて、該サファイア基板を深さ2.25μmまでドライエッチングして基板表面に凸部を形成した。
成長基板として、サファイアC面を両面研磨したものを用意した。無機粒子としては、球状シリカ(宇部日東化成(株)社製 ハイプレシカ 平均粒径3μm)を用い、これをエタノールに分散させた4重量%スラリーを用いた。該スラリーを停止しているスピナー上で該サファイア基板に塗布した後、500rpmで10秒間回転させ、続けて2500rpmで40秒間を回転して該サファイア基板を乾燥させた。エッチング前の該サファイア基板上のシリカの被覆率は22%であった。
成長基板として、サファイアC面を両面研磨したものを用意した。無機粒子としては、球状シリカ(宇部日東化成(株)社製 ハイプレシカ 平均粒径1μm)を用い、これをエタノールに分散させた4重量%スラリーを用いた。該スラリーを停止しているスピナー上で該サファイア基板に塗布した後、500rpmで10秒間回転させ、続けて2500rpmで40秒間を回転して該サファイア基板を乾燥させた。エッチング前の該サファイア基板上のシリカの被覆率は38%であった。
成長基板として、サファイアC面を両面研磨したものを用意した。無機粒子としては、球状シリカ(宇部日東化成(株)社製 ハイプレシカ 平均粒径1μm)を用い、これをエタノールに分散させた4重量%スラリーを用いた。該スラリーを停止しているスピナー上で該サファイア基板に塗布した後、500rpmで10秒間回転させ、続けて2500rpmで40秒間を回転して該サファイア基板を乾燥させた。エッチング前の該サファイア基板上のシリカ被覆率は38%であった。
サファイア基板を凹凸状面に加工しなかったこと以外は実施例1と同様にして3−5族窒化物半導体発光素子を作製した。得られた3−5族窒化物半導体発光素子に通電し、通電20mAでの光出力を測定したところ、3.2mWであった。
成長基板として、サファイアC面を両面研磨したものを用意した。先ず該サファイア基板にフォトリソグラフィー法を用いて各辺5μmの正六角形のレジストパターンを形成した後、蒸着法を用いてNiを5000Å蒸着した。正六角形以外の場所をリフトオフし、正六角形の場所だけにNi層を形成した。
1A、1C 表面
1B 凸部
2 無機粒子
3 n型3−5族窒化物半導体
4 発光層
5 p型3−5族窒化物半導体
6 n型電極
7 p型透明電極
8 p型電極
10 3−5族窒化物半導体発光素子
Claims (8)
- 基板上に半導体を積層してなる半導体発光素子において、表面に少なくとも曲面を有する凸部が島状に形成されてなる基板を備えていることを特徴とする半導体発光素子。
- 基板上に半導体層を積層してなる半導体発光素子の製造方法において、基板を用意し、該基板の表面上に無機粒子を配置し、該無機粒子をエッチングマスクとして該基板をドライエッチング処理することによって前記基板の前記表面に前記無機粒子の形状に対応した凸部を形成し、これにより前記基板の前記表面を凹凸状態に加工する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 前記無機粒子の形状は、球状、多角錐状、直方体状、針状からなる群より選ばれる1種以上の形状となっている請求項2記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板の凹凸状態加工面上に前記基板の屈折率とは異なる屈折率を有する半導体層を形成する工程をさらに含む請求項2又は請求項3記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記無機粒子が、酸化物粒子、窒化物粒子、炭化物粒子、硼化物粒子、硫化物粒子、セレン化物粒子および金属粒子からなる群より選ばれる1種以上からなる請求項2、請求項3又は請求項4記載の半導体発光素子の製造方法。
- 半導体発光素子用基板の製造方法において、基板を用意し、該基板の表面上に無機粒子を配置し、該無機粒子をエッチングマスクとして該基板をドライエッチング処理することによって前記基板の前記表面に前記無機粒子の形状に対応した凸部を形成し、これにより前記基板の前記表面を凹凸状態に加工する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子用基板の製造方法。
- 前記無機粒子の形状は、球状、多角錐状、直方体状、針状からなる群より選ばれる1種以上の形状となっている請求項6記載の半導体発光素子用基板の製造方法。
- 前記無機粒子が、酸化物粒子、窒化物粒子、炭化物粒子、硼化物粒子、硫化物粒子、セレン化物粒子および金属粒子等からなる群より選ばれる1種以上からなる請求項6又は請求項7記載の半導体発光素子用基板の製造方法。
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Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008133180A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-06-12 | Siltron Inc | 金属層上に成長した化合物半導体基板、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子 |
JP2008270416A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Sanken Electric Co Ltd | 物体に粗面を形成する方法 |
KR100871649B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2008-12-03 | 고려대학교 산학협력단 | 발광 다이오드의 사파이어 기판 패터닝 방법 |
JP2009010060A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Touchtek Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2009102218A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Siltron Inc | 化合物半導体基板の製造方法 |
WO2009063954A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Ulvac, Inc. | 基板処理方法及びこの方法によって処理された基板 |
JP2009129962A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 表面微細構造製造方法およびダイヤモンドナノ電極製造方法とその電極体 |
JP2009158478A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-07-16 | Oji Paper Co Ltd | プラズモニック結晶面発光体、画像表示装置及び照明装置 |
WO2009142265A1 (ja) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
JP2010092936A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Yamaguchi Univ | 半導体装置 |
KR101101858B1 (ko) | 2010-05-27 | 2012-01-05 | 고려대학교 산학협력단 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2012079720A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
KR101229063B1 (ko) * | 2011-01-21 | 2013-02-04 | 포항공과대학교 산학협력단 | 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드 |
JP5200194B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2013-05-15 | パナソニック株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子、光源および凹凸構造形成方法 |
JP2013539419A (ja) * | 2010-12-30 | 2013-10-24 | ポステック・アカデミー‐インダストリー・ファウンデーション | ナノインプリントモールドの製造方法、この方法により製造されたナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード |
WO2014030670A1 (ja) | 2012-08-21 | 2014-02-27 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板及び半導体発光素子、並びにこれらの製造方法 |
US8765509B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-07-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device |
WO2014123193A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 王子ホールディングス株式会社 | 凹凸基板及び発光ダイオードの製造方法、並びに凹凸基板、発光ダイオード及び有機薄膜太陽電池 |
JP2014239223A (ja) * | 2014-06-09 | 2014-12-18 | 王子ホールディングス株式会社 | 単粒子膜エッチングマスク付基板 |
JP2015026826A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-02-05 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板、半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法、および、半導体発光素子の製造方法 |
WO2015053363A1 (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板の製造方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子用基板、および、半導体発光素子 |
JP2015099939A (ja) * | 2009-09-07 | 2015-05-28 | エルシード株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2017513234A (ja) * | 2014-04-18 | 2017-05-25 | ポステク アカデミー−インダストリー ファウンデーション | 窒素窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2428569B (en) * | 2005-07-30 | 2009-04-29 | Dyson Technology Ltd | Dryer |
GB0515754D0 (en) | 2005-07-30 | 2005-09-07 | Dyson Technology Ltd | Drying apparatus |
GB0515744D0 (en) | 2005-07-30 | 2005-09-07 | Dyson Technology Ltd | Dryer |
GB0515750D0 (en) | 2005-07-30 | 2005-09-07 | Dyson Technology Ltd | Drying apparatus |
GB0515749D0 (en) | 2005-07-30 | 2005-09-07 | Dyson Technology Ltd | Drying apparatus |
GB2434094A (en) | 2006-01-12 | 2007-07-18 | Dyson Technology Ltd | Drying apparatus with sound-absorbing material |
KR100966367B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2010-06-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 |
KR100956499B1 (ko) * | 2008-08-01 | 2010-05-07 | 주식회사 실트론 | 금속층을 가지는 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및이를 이용한 화합물 반도체 소자 |
US8258531B2 (en) * | 2010-03-26 | 2012-09-04 | Huga Optotech Inc. | Semiconductor devices |
US8263988B2 (en) * | 2010-07-16 | 2012-09-11 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices with reduced crystal lattice dislocations and associated methods of manufacturing |
CN102024898B (zh) * | 2010-11-03 | 2013-03-27 | 西安神光安瑞光电科技有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
KR20120077534A (ko) * | 2010-12-30 | 2012-07-10 | 포항공과대학교 산학협력단 | 나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드 |
KR20130009399A (ko) * | 2011-07-15 | 2013-01-23 | 포항공과대학교 산학협력단 | 발광다이오드용 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 발광다이오드용 기판 및 이 발광다이오드용 기판을 구비한 발광다이오드의 제조방법 |
CN108886075B (zh) * | 2015-07-29 | 2021-07-13 | 日机装株式会社 | 发光元件的制造方法 |
KR20200095210A (ko) * | 2019-01-31 | 2020-08-10 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
CN111739890B (zh) * | 2020-06-23 | 2021-05-25 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 半导体器件的制造方法 |
CN116137302A (zh) * | 2021-11-16 | 2023-05-19 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 外延结构及制作方法、发光元件及制作方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4407695A (en) * | 1981-12-31 | 1983-10-04 | Exxon Research And Engineering Co. | Natural lithographic fabrication of microstructures over large areas |
JPH08238426A (ja) * | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Ebara Corp | エネルギービーム加工法 |
JP2000021772A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-21 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000106454A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-04-11 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法 |
JP2002280611A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2002289579A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 結晶成長用基板、その製造方法、およびGaN系結晶の製造方法 |
JP2005101566A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-04-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子、発光素子及びその基板の製造方法 |
JP2005129896A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 発光素子 |
JP2005183905A (ja) * | 2003-12-20 | 2005-07-07 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体の製造方法とこれを利用した窒化物半導体 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9600469D0 (en) * | 1996-01-10 | 1996-03-13 | Secr Defence | Three dimensional etching process |
DE19640594B4 (de) * | 1996-10-01 | 2016-08-04 | Osram Gmbh | Bauelement |
TW417315B (en) * | 1998-06-18 | 2001-01-01 | Sumitomo Electric Industries | GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same |
US6177359B1 (en) * | 1999-06-07 | 2001-01-23 | Agilent Technologies, Inc. | Method for detaching an epitaxial layer from one substrate and transferring it to another substrate |
JP2001313259A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子 |
US6852161B2 (en) * | 2000-08-18 | 2005-02-08 | Showa Denko K.K. | Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device |
EP1378949A4 (en) * | 2001-03-21 | 2006-03-22 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT |
JP4055503B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
TW554398B (en) * | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device |
JP3856750B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2006-12-13 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3968566B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-08-29 | 日立電線株式会社 | 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス |
JP4720125B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-07-13 | 日立電線株式会社 | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法並びにiii−v族窒化物系半導体 |
KR100712753B1 (ko) * | 2005-03-09 | 2007-04-30 | 주식회사 실트론 | 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법 |
TWI415288B (zh) * | 2005-03-22 | 2013-11-11 | Sumitomo Chemical Co | 獨立基板、其製造方法,以及半導體發光元件 |
-
2005
- 2005-07-08 JP JP2005200308A patent/JP2007019318A/ja active Pending
-
2006
- 2006-07-05 CN CN2006800247366A patent/CN101218688B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-05 US US11/922,497 patent/US20090236629A1/en not_active Abandoned
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-
2007
- 2007-12-19 GB GB0724781A patent/GB2441705A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4407695A (en) * | 1981-12-31 | 1983-10-04 | Exxon Research And Engineering Co. | Natural lithographic fabrication of microstructures over large areas |
JPH08238426A (ja) * | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Ebara Corp | エネルギービーム加工法 |
JP2000021772A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-21 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000106454A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-04-11 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法 |
JP2002280611A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2002289579A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 結晶成長用基板、その製造方法、およびGaN系結晶の製造方法 |
JP2005101566A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-04-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子、発光素子及びその基板の製造方法 |
JP2005129896A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 発光素子 |
JP2005183905A (ja) * | 2003-12-20 | 2005-07-07 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体の製造方法とこれを利用した窒化物半導体 |
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008133180A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-06-12 | Siltron Inc | 金属層上に成長した化合物半導体基板、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子 |
JP2008270416A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Sanken Electric Co Ltd | 物体に粗面を形成する方法 |
KR100871649B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2008-12-03 | 고려대학교 산학협력단 | 발광 다이오드의 사파이어 기판 패터닝 방법 |
JP2009010060A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Touchtek Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
KR100921789B1 (ko) * | 2007-10-24 | 2009-10-15 | 주식회사 실트론 | 화합물 반도체 기판 제조 방법 |
JP2009102218A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Siltron Inc | 化合物半導体基板の製造方法 |
US8158496B2 (en) | 2007-10-24 | 2012-04-17 | Siltron Inc. | Method for preparing compound semiconductor substrate |
US7816241B2 (en) | 2007-10-24 | 2010-10-19 | Siltron, Inc. | Method for preparing compound semiconductor substrate |
TWI423325B (zh) * | 2007-11-16 | 2014-01-11 | Ulvac Inc | 基板處理方法及藉由該方法處理過的基板 |
KR101159438B1 (ko) * | 2007-11-16 | 2012-06-22 | 가부시키가이샤 아루박 | 기판 처리 방법, 및 이 방법에 의해 처리된 기판 |
JP5232798B2 (ja) * | 2007-11-16 | 2013-07-10 | 株式会社アルバック | 基板処理方法 |
RU2459312C2 (ru) * | 2007-11-16 | 2012-08-20 | Улвак, Инк. | Способ обработки подложек и подложка, обработанная этим способом |
WO2009063954A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Ulvac, Inc. | 基板処理方法及びこの方法によって処理された基板 |
JP2009129962A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 表面微細構造製造方法およびダイヤモンドナノ電極製造方法とその電極体 |
JP2009158478A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-07-16 | Oji Paper Co Ltd | プラズモニック結晶面発光体、画像表示装置及び照明装置 |
JP2009283620A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
WO2009142265A1 (ja) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
JP2010092936A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Yamaguchi Univ | 半導体装置 |
JP2015099939A (ja) * | 2009-09-07 | 2015-05-28 | エルシード株式会社 | 半導体発光素子 |
KR101101858B1 (ko) | 2010-05-27 | 2012-01-05 | 고려대학교 산학협력단 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2012079720A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US8765509B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-07-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device |
JP2013539419A (ja) * | 2010-12-30 | 2013-10-24 | ポステック・アカデミー‐インダストリー・ファウンデーション | ナノインプリントモールドの製造方法、この方法により製造されたナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード |
KR101229063B1 (ko) * | 2011-01-21 | 2013-02-04 | 포항공과대학교 산학협력단 | 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드 |
JP5200194B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2013-05-15 | パナソニック株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子、光源および凹凸構造形成方法 |
US9515223B2 (en) | 2012-08-21 | 2016-12-06 | Oji Holdings Corporation | Semiconductor light emitting device substrate including an uneven structure having convex portions, and a flat surface therebetween |
KR20150046032A (ko) | 2012-08-21 | 2015-04-29 | 오지 홀딩스 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자용 기판, 반도체 발광 소자 및 이들의 제조 방법 |
EP2922103A1 (en) | 2012-08-21 | 2015-09-23 | Oji Holdings Corporation | Substrate for semiconductor light emitting elements, semiconductor light emitting element, method for producing substrate for semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing semiconductor emitting element |
JPWO2014030670A1 (ja) * | 2012-08-21 | 2016-07-28 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板及び半導体発光素子、並びにこれらの製造方法 |
WO2014030670A1 (ja) | 2012-08-21 | 2014-02-27 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板及び半導体発光素子、並びにこれらの製造方法 |
US9748441B2 (en) | 2012-08-21 | 2017-08-29 | Oji Holdings Corporation | Dry etching method of manufacturing semiconductor light emitting device substrate |
WO2014123193A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 王子ホールディングス株式会社 | 凹凸基板及び発光ダイオードの製造方法、並びに凹凸基板、発光ダイオード及び有機薄膜太陽電池 |
JP2015026826A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-02-05 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板、半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法、および、半導体発光素子の製造方法 |
WO2015053363A1 (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板の製造方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子用基板、および、半導体発光素子 |
JPWO2015053363A1 (ja) * | 2013-10-11 | 2017-03-09 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板の製造方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子用基板、および、半導体発光素子 |
US9911897B2 (en) | 2013-10-11 | 2018-03-06 | Oji Holdings Corporation | Method for producing substrate for semiconductor light emitting elements, method for manufacturing semiconductor light emitting element, substrate for semiconductor light emitting elements, and semiconductor light emitting element |
JP2017513234A (ja) * | 2014-04-18 | 2017-05-25 | ポステク アカデミー−インダストリー ファウンデーション | 窒素窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2014239223A (ja) * | 2014-06-09 | 2014-12-18 | 王子ホールディングス株式会社 | 単粒子膜エッチングマスク付基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB0724781D0 (en) | 2008-01-30 |
WO2007007774A1 (ja) | 2007-01-18 |
GB2441705A (en) | 2008-03-12 |
US20090236629A1 (en) | 2009-09-24 |
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DE112006001766T5 (de) | 2008-05-15 |
CN101218688A (zh) | 2008-07-09 |
CN101218688B (zh) | 2012-06-27 |
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