KR20120077534A - 나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 나노 구조체를 활용한 건식 에칭을 통해 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 광 추출 효율이 우수한 발광다이오드에 관한 것이다.
본 발명은, 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 수직형 발광다이오드의 제조방법으로서, (a) 상기 제2 반도체층의 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계; (b) 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층을 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 요철부를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 요철부를 습식에칭하여 상기 요철부를 구성하는 각각의 요철 표면에 서브요철부가 형성되도록 미세 패터닝하는 단계;를 포함하는 방법을 제공한다.

Description

나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드 {METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING DIODE USING NANO-STRUCTURE AND LIGHT EMITTING DIODE MANUFACTURED THEREBY}
본 발명은 나노 구조체를 활용한 건식에칭을 통해 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드를 제조하는 방법과 이 방법에 의해 제조된 광 추출 효율이 우수한 발광다이오드에 관한 것이다.
백색광원 질화갈륨계 발광다이오드는 에너지 변환 효율이 높고, 수명이 길며, 빛의 지향성이 높고, 저전압 구동이 가능하며, 예열 시간과 복잡한 구동회로가 필요하지 않고, 충격 및 진동에 강하기 때문에 다양한 형태의 고품격 조명 시스템의 구현이 가능해, 가까운 미래에 백열등, 형광등, 수은등과 같은 기존의 광원을 대체할 고체 조명(solid-state lighting) 광원으로 기대되고 있다.
질화갈륨계 발광다이오드가 기존의 수은등이나 형광등을 대체하여 백색광원으로서 쓰이기 위해서는 열적 안정성이 뛰어나야 할 뿐만 아니라 낮은 소비 전력에서도 고출력 빛을 발할 수 있어야 한다.
현재 백색광원으로 널리 이용되고 있는 수평구조의 질화갈륨계 발광다이오드는 상대적으로 제조단가가 낮고 제작 공정이 간단하다는 장점이 있으나, 인가전류가 높고 면적이 큰 고출력의 광원으로 쓰이기에는 부적절하다는 단점이 있다.
이러한 수평구조 발광다이오드의 단점을 극복하고 대면적의 고출력 발광다이오드 적용이 용이한 소자가 수직구조 발광다이오드이며, 수직구조 발광다이오드는 기존의 수평구조 소자와 비교하여 여러 가지 장점이 있다. 수직구조 발광다이오드에서는 전류 확산 저항이 작아 매우 균일한 전류 확산을 얻을 수 있어, 보다 낮은 작동 전압과 큰 광출력을 얻을 수 있으며, 열전도성이 좋은 금속 또는 반도체 기판을 통해 원활한 열방출이 가능하기 때문에 보다 긴 소자 수명과 월등히 향상된 고출력 작동이 가능하다. 이러한 수직구조 발광다이오드에서는 최대 인가전류가 수평구조 발광다이오드에 비해 증가하므로 조명용 백색광원으로 널리 이용될 것으로 전망되고 있다.
질화갈륨계 수직형 발광다이오드의 제조에 있어 소자의 광출력을 크게 향상시킬 수 있는 부분은 소자 상부의 n형 반도체층이다. 매끄러운 평면으로 이루어진 n형 반도체층의 굴절률과 대기의 굴절률에 큰 차이가 있기 때문에, 도 1a에 도시된 바와 같이 대기/반도체층 계면에서 일어나는 전반사가 발생하여 활성층에서 발생된 빛의 상당부분이 외부로 빠져나올 수 없기 때문에 높은 광출력을 기대할 수 없다. 따라서 반도체층 표면을 인위적으로 변형하여 전반사가 일어나는 것을 방지하여 최소한의 손실로 빛을 외부로 빠져나오게 하는 것이 필요하다.
이에 따라 종래에는 n형 반도체 표면을 KOH, NaOH와 같은 염기성 용액을 이용한 습식에칭을 통해 n형 반도체 표면에 피라미드 형태의 나노 구조물을 형성함으로써, 발광다이오드의 광추출을 크게 개선하고 있다.
그런데, 습식에칭을 이용한 피라미드 구조물 형성 방법의 경우, 습식에칭 과정 중에 n형 전극, 전도성 기판, 발광다이오드 메사 구조 등이 손상되는 것을 방지하기 위한 보호막의 형성이 요구될 뿐 아니라, 습식에칭 과정을 통해서는 기술적으로 대면적의 나노구조물 균일하게 형성하기 어려운 문제점이 있다.
또한, 한국공개특허공보 제2010-91856호에는, 적층된 질화물계 반도체의 상부면에 다결정 산화막을 형성하고, 상기 다결정 산화막에 산성 용액을 이용한 습식에칭을 하여 나노 구(nanosphere)를 형성한 후, 상기 나노 구를 마스크로 활용하여 건식 에칭함으로써 질화물계 반도체 표면에 반구형의 패턴이 형성되도록 하는 방법이 개시되어 있다. 그런데, 이 방법도 형성된 나노구조물의 균일도가 떨어지고 광 추출 효율의 개선도 제한적인 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 과제는 광 추출에 매우 효과적인 패턴을 발광다이오드를 구성하는 반도체 표면에 형성할 수 있는 발광다이오드의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 과제는 광 추출에 매우 효과적인 패턴이 형성된 발광다이오드를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 수단으로 본 발명은, 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 수직형 발광다이오드의 제조방법으로서, (a) 상기 제2 반도체층 상에 구(sphere) 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계; (b) 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층을 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 요철부를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 요철부를 습식에칭하여 상기 요철부를 구성하는 각각의 요철 표면에 서브요철부가 형성되도록 미세 패터닝하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명에 따른 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 나노구조체는 폴리스틸렌, 폴리에틸렌, 실리카 또는 유리로 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 구 모양의 나노구조체의 지름은 100nm ~ 3㎛인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 나노구조체는 서로 다른 직경을 갖는 2 종 이상의 것이 혼합되어 사용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 습식에칭은 1M ~ 8M 농도의 KOH 또는 NaOH 등의 용액에서 5분 ~ 60분간 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 (a) 단계 전에 상기 제2 반도체층을 표면처리하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 요철부에 추가로 나노선 또는 나노막대를 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 제2 반도체층이 n-face를 갖는 n형일 수 있다.
또한, 상기 다른 과제를 해결하기 위한 수단으로 본 발명은, 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하며, 상기 제2 반도체층의 표면에는 요철부가 형성되어 있고, 상기 요철부를 구성하는 각각의 요철의 표면에는 다시 서브요철부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드를 제공한다.
또한, 상기 본 발명에 따른 발광다이오드에 있어서, 상기 제2 반도체층의 표면에 추가로 나노선 또는 나노막대가 형성될 수 있다.
또한, 상기 본 발명에 따른 발광다이오드에 있어서, 상기 요철부는 반구형으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 본 발명에 따른 발광다이오드에 있어서, 상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층은 질화갈륨으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 반도체의 패터닝 기술을 적용하게 되면 종래의 평편한 n형 반도체 표면을 가지는 수직 발광다이오드에 비해 광출력이 2.5배 이상 증가할 수 있어, 특히 고출력 발광다이오드에 적합하게 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 현재 널리 사용되고 있는 질화물갈륨계 발광다이오드의 제조공정에 즉시 적용할 수 있고, 수직형뿐만 아니라 수평형 발광 다이오드 구조에도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 방법은 제조단가가 높으며 대면적 웨이퍼 공정에의 적용이 어려운 전자선 리소그라피 패터닝을 사용하지 않기 때문에, 일반적인 나노구조물 형성방법에 비하여 단시간 내에 나노구조물을 형성할 수 있는 특징이 있어, 대면적 적용, 제조단가의 절감, 공정시간 단축 등의 효과를 얻을 수 있다,
도 1은 본 발명에서 형성한 반구 모양의 표면 구조물을 형성하였을 때 발광다이오드의 광 추출 효율이 향상되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에서 구 모양의 나노구조체을 이용하여 반구 모양의 나노구조물 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 n형 질화물갈륨계 수직형 발광다이오드 표면과 그 위에 형성된 구 모양의 나노구조체, 건식에칭을 통해 형성된 나노구조물 및 수직형 발광다이오드 표면에 반구 형태의 나노구조물이 형성된 상태를 보여주는 주사전자현미경(SEM) 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 질화물갈륨계 수직형 발광다이오드의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 반구 모양의 나노구조물에 미세 패턴을 추가적으로 형성한 것을 보여주는 주사전자현미경 사진이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 반구 모양의 나노구조물을 질화물갈륨계 수평형 발광다이오드에 형성하는 과정을 설명하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 반구 모양의 나노구조물을 형성한 후 추가적으로 나노선 또는 나노막대를 성장시킨 질화물갈륨계 수직형 발광다이오드를 설명하는 도면이다.
이하에서는, 본 발명의 바람직한 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예에 불과한 것으로 이에 의해 본 발명의 권리범위가 축소 및 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, '구(sphere) 모양'이란 한 점에서 같은 거리에 있는 모든 점으로 이루어진 입체 모양이라는 수학적 정의의 구뿐 아니라, 외견상 둥글게 생긴 형상의 것을 모두 포괄하는 의미로 사용한다. 또한, '반구 모양'이란 상기 '구(sphere) 모양'의 절반은 물론 절반보다 크기가 크거나 작은 절단면을 포함하는 모든 형상을 포괄하는 의미로 사용한다.
도 1은 본 발명에서 형성한 반구 모양의 표면 구조물을 이용해 발광다이오드의 광 추출 효율 향상을 설명하기 위한 도면이다. 도 1a에 도시된 바와 같이 매끈한 표면의 반도체 기판의 경우, 질화갈륨 반도체 기판의 굴절률(n~2.5)과 대기의 굴절률(n=1)이 크게 다르기 때문에 전반사에 대한 임계각이 23.5°에 불과하다. 이에 따라 반도체 내부에서 발생한 빛이 외부로 빠져나오지 못하고, 내부에서 소멸하여 광 추출 효율이 낮은 문제점이 있다. 이에 비해 도 1b와 같이 반도체 표면에 반구 형태의 구조물을 형성할 경우, 모든 방출 방향에 대해 임계각이 존재하지 않기 때문에 내부에서 발생한 빛이 대기 중으로 방출될 확률이 급격하게 증가하여 발광 다이오드의 광 추출 효율을 크게 향상시킬 수 있으므로, 본 발명자들은 반도체 기판의 표면에 균일한 반구형 형상을 구현할 수 있는 반도체 표면의 패터닝 방법을 개발하게 되었다.
도 2는 본 발명에 따른 발광다이오드의 패터닝 형성 공정도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 발광다이오드의 패터닝 형성 공정은, 반도체 표면상에 구형구조체 코팅 공정(S10), 건식에칭 공정(S20), 전극형성 공정(S40) 및 미세패터닝 공정(S40)을 포함하여 이루어진다.
먼저, 상기 구형구조체 코팅 공정(S10)에 대해 설명한다. 본 발명의 실시예에서 사용된 발광다이오드는 도 2a에 도시된 바와 같이, 수직형 발광다이오드로서, 하부에서 순서대로, 전도성기판(10), p형 반도체층과 접속하며 발생한 빛을 반사할 수 있는 전극(20), p형 반도체층(30), 활성층(40) 및 n형 반도체층(50)이 순차적으로 형성된 것으로, p형과 n형 반도체층(30,50)은 모두 질화갈륨으로 이루어진 것을 사용하였다. 상기 n형 반도체층(50)의 상부에, 폴리스틸렌으로 이루어진 직경 500nm의 구형구조체를 마이크로 피펫을 이용하여 면적에 해당하는 양만큼을 이용하여 탈이온수(Deionized Water)와 함께 기판에 떨어뜨려 스핀코팅함으로써, n형 반도체층(50) 상에 균일한 구형구조체의 단일층이 형성되도록 하였다. 본 발명의 실시예에서는 폴리스틸렌으로 제조된 구형구조체를 사용하였으나, 폴리에틸렌, 실리카(SiO2) 또는 유리로 이루어진 것도 사용될 수 있다.
상기 건식에칭 공정(S20)은 상기 구형구조체 코팅 공정(S10)을 통해 균일하게 도포된 구형구조체를 마스크로 활용하여 에칭하는 공정으로서, 본 발명의 실시예에서는 ICP(Inductive Coupled Plasma) 에칭장비(etcher)를 이용하여 Cl2:BCl3 가스를 7:3의 조성으로 적용하여 건식에칭을 수행하였다. 그러나 구형구조체(60)와 n형 반도체층(50)을 동시에 에칭할 수 있는 방법이라면 어떤 것이라도 사용할 수 있다.
상기 전극 형성 공정(S30)은 공지의 리소그라피 방법을 이용하여 패턴을 형성한 이후 Cr/Au을 전자선 증착법으로 사용하여 n형 전극을 형성하였다.
상기 미세패터닝 공정(S40)은 건식에칭 공정(S20)을 통해 n형 반도체층(50)의 표면에 형성된 반구형의 구조물을 구성하는 각각의 반구 형상의 요철의 표면을 미세하게 패터닝하기 위한 것으로, 구체적으로는 1M ~ 8M 농도의 KOH 또는 NaOH 등의 용액을 사용하여 5분 ~ 60분간 습식에칭하는 방법을 사용하였다. KOH 또는 NaOH의 농도가 1M농도 미만일 경우 미세 패턴이 형성이 되지 않고, 8M 농도를 초과할 경우 미세 패턴의 크기가 반구 형상의 요철보다 커지기 때문에 반구 형상이 사라지므로, 농도는 1M ~ 8M인 것이 바람직하다. 한편 본 발명의 실시예에서는 미세패터닝 공정(S40)을 전극 형성 공정(S30) 후에 실시하였으나, 전극 형성 공정(S30) 이전에 실시할 수도 있다.
[실시예 1]
스핀 코터를 이용하여 먼저 나노구조체를 기판에 떨어뜨려 놓은 후 나노구조체들이 기판에서 분산 될 수 있도록 1분 정도를 유지한 후 스핀 코팅을 시작한다. 스핀 코팅은 단계별로 시작하면 먼저 200rpm에서 1분간 스핀 코팅을 한 후 800rpm에서 30초 마지막으로 1200rpm에서 10초간 코팅을 하여 준다. 도 3a는 패터닝 전의 평편한 n형 반도체 표면을 나타내고 있으며 도 3b는 수직 발광다이오드 표면에 스핀 코팅 방법으로 형성된 구 모양의 폴리스틸렌 재질의 나노구조체를 보여주는 사진이다. 도 3b를 통해 본 발명의 실시예에 따른 방법을 통해 구 모양의 나노구조체가 균일하게 n형 반도체 표면에 형성되었음을 확인할 수 있다.
이와 같이 나노구조체가 균일하게 코팅되어 있는 기판을 ICP(Inductive Coupled Plasma) 에칭장비를 이용하여 건식에칭을 한다. 건식에칭은 Cl2와 BCl3가스를 7:3비율로 혼합하여 사용을 하며 이때 플라즈마 파워는 약 300Watt에서 척바이어스(chuck bias) -300Volt를 이용해 약 2 ~ 3분 에칭하였다. 도 3c는 n형 반도체 표면 위에 형성하고 있는 구 모양의 나노구조체를 마스크로 사용하여 건식에칭할 경우 반구 모양의 나노구조물이 매우 균일하게 형성된 상태를 보여준다.
나노구조체를 ICP 에칭장비를 이용하여 건식 에칭을 통해 나노구조물을 형성한 후, Cr/Au을 전자선증착법을 이용하여 n형 전극을 형성하였다. 도 3d는 반구 모양의 나노구조물이 형성된 n형 질화물갈륨계 수직형 발광다이오드에 n형 전극을 형성한 후 수직형 발광다이오드와 그 위에 형성되어 있는 반구 모양의 나노구조물을 보여주는 주사 전자 현미경 사진이다.
도 4는 반구 모양의 나노구조물을 가지는 n형 수직형 질화갈륨 발광다이오드와 이를 적용하지 않은 평편한 n형 수직형 질화갈륨 발광다이오드 전기 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다. 본 발명의 실시예에 따라 n형 반도체 표면에 균일한 반구 모양의 나노구조물을 형성하였을 경우 평편한 n형 반도체에 비하여 광 출력이 약 2.5배 이상 증가할 수 있음이 확인되었다.
반구 모양의 n형 반도체 나노구조물과 전극을 형성한 발광다이오드 소자를 KOH 또는 NaOH 등의 강염기 용액에 담근 후 제논램프 광원을 이용하여 자외선을 발광다이오드에 조사하는 이른바 PCE(Photoenhance chemical etching)을 실시하였다. 이때 염기 용액은 1M 농도의 NaOH 수용액을 사용하였으며, 자외선 광원의 파장은 100nm ~ 400nm 범위로 유지하였다. 도 5는 상기한 미세 패터닝 공정의 에칭시간에 따른 n형 반도체층 표면의 형상변화를 보여주는 주사전자현미경 사진이다. 먼저, PCE를 통해 반구 형태의 n형 반도체층 표면에 미세 패턴이 형성됨을 볼 수 있다. 이에 따라 반구 모양의 n형 반도체 표면의 나노구조물만으로도 발광다이오드의 광 출력이 매우 크게 향상되지만, PCE를 함께 적용하였을 때 추가적인 광 출력 향상을 얻을 수 있게 된다.
[실시예 2]
도 6은 질화물갈륨계 수평형 발광다이오드에 적용한 반구 모양의 나노구조물 형성을 설명하는 도면이다.
도 6a에서는 질화물갈륨계 발광다이오드의 일부분만을 건식에칭을 통하여 매사 구조를 형성한 후, p형 질화물갈륨계에 산화인듐주석을 증착한다. 그리고 도 6b와 같이 산화인듐주석이 증착되어 있는 p형 질화물갈륨계 발광다이오드 표면에 구 모양의 나노구조체을 형성한 후, 도 6c와 같이 건식에칭을 한 후 도 6d에서와 같이 반구를 형성하게 되며, 그 후 n,p형 전극을 형성한 후, 도 2에 도시된 바와 같은 과정을 통해 미세패터닝을 한다. 이때 구체적인 공정조건은 실시예 1과 동일하게 수행할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 방법은 수직형은 물론 수평형 발광다이오드에도 용이하게 적용할 수 있다.
[실시예 3]
도 7은 본 발명에서의 n형 질화물갈륨계 수직형 발광다이오드의 반도체 표면에 반구 모양의 나노구조물 형성한 후 추가적으로 나노선 또는 나노막대 형성을 설명하는 도면이다.
n형 반도체 표면의 반구 모양의 나노구조물을 형성한 후, n형 전극을 형성한다. 그 후 반구 모양의 나노구조물 사이의 빈공간이나 반구 구조물 위에 나노선 및/또는 나노막대를 성장시킨다.
나노선 및/또는 나노막대를 성장시키는 방법으로는, 대면적 성장이 가능한 수열합성법을 사용한다. 수열합성법시 Zn 이온의 전구체인 질산아연6수화물(Znic nitrate hexahydrate)과 OH 이온 전구체인 Hexame(HMT)을 탈이온수에 첨가하여 반응 수용액을 만든다. 상기 반구 모양의 나노구조물을 형성시킨 기판을 반응 수용액에 침지하여 70℃에서 3시간 동안 합성시킨다.
이와 같이 추가로 나노선 및/또는 나노막대를 형성할 경우, 다중 산란에 의해 빛이 대기 중으로 방출될 확률이 증가하여 광 추출효과를 더욱 증가할 수 있다.
10: 전도성기판
20: p형 전극
30: p형 반도체층
40: 활성층
50: n형 반도체층
60: 구형구조체

Claims (12)

  1. 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 수직형 발광다이오드의 제조방법으로서,
    (a) 상기 제2 반도체층의 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계;
    (b) 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층을 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 요철부를 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 요철부를 습식에칭하여 상기 요철부를 구성하는 각각의 요철 표면에 서브요철부가 형성되도록 미세 패터닝하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구 모양의 나노구조체는 폴리스틸렌, 폴리에틸렌, 실리카 또는 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 구 모양의 나노구조체의 직경은 100nm ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 구 모양의 나노구조체는 서로 다른 직경을 갖는 2 종 이상의 것이 혼합된 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 습식에칭은 1M ~ 8M 농도의 KOH 또는 NaOH 등의 용액에서 5분 ~ 60분간 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 (a) 단계 전에 상기 제2 반도체 표면을 표면처리하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 요철부에 추가로 나노선 또는 나노막대를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 반도체층이 n-face를 갖는 n형인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법.
  9. 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하며,
    상기 제2 반도체층의 표면에는 요철부가 형성되어 있고, 상기 요철부를 구성하는 각각의 요철의 표면에는 다시 서브요철부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2 반도체층의 표면에 추가로 나노선 또는 나노막대가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 요철부는 반구형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층은 질화갈륨으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
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