JP2009129962A - 表面微細構造製造方法およびダイヤモンドナノ電極製造方法とその電極体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料P1の試料表面にナノダイヤモンド微粒子P2を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸P3を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。
【選択図】図1
Description
表面にナノメートルオーダーの微細な凹凸を製造する場合、マスク材のサイズもナノメートルスケールであることが必須である。従来、金属薄膜を表面に蒸着し、蒸着中あるいはその後に熱処理等を加えて粒状に加工することにより微小ハードマスクを製造し、これをエッチングすることにより、表面に微細構造を製造する方法が公知である。しかし、ナノメートルオーダーの微細構造を製造する場合、薄膜の厚さもナノメートルオーダーでなければならず、かつ、均一である必要があり、非常に困難である。さらに、金属微粒子の粒径をナノメートルオーダーで均一に加工することは非常に困難である。
ダイヤモンドは、化学的安定性、生体適合性、半導体特性、硬度、熱伝導性等の物性の高さから、電子デバイス、バイオデバイス、マイクロ切削工具等への応用が期待されている。しかし、その化学的安定性から、ウエットエッチング法のような簡便なエッチング方法が適用できず、ダイヤモンド自体の正確な微細加工が困難であるという問題がある。
このように、ナノメートルオーダーの微細構造を、再現性よく、均一で、かつ、簡便に製造可能な方法は存在しない。したがって、ダイヤモンドを用いたナノメートルオーダーの電極体は存在しないのが実情である。
また、本発明では、種付けするナノダイヤモンド微粒子を直径1nm〜1000nmのナノダイヤモンド微粒子とすることができる。
さらに、本発明は、試料をナノダイヤモンド微粒子のアルコール分散液若しくは水分散液に浸漬させ10〜120分の超音波処理を行うことにより種付けすることができる。
また、本発明においては、ナノダイヤモンド微粒子のアルコール分散液若しくは水分散液を試料表面に滴下し、スピンコート法により表面に種付けすることができる。
さらに、本発明では、種付けされるダイヤモンド試料が、単結晶ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンド、及び上記ダイヤモンドにホウ素、リン、窒素の不純物がドープされた各種ダイヤモンドとすることができる。
また、本発明では、表面に種付けされたナノダイヤモンド微粒子を、常温硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂を用いて固定化した後、ドライエッチングを行うことができる。
さらに、本発明は、表面に種付けされたナノダイヤモンド微粒子を核としてダイヤモンドを結晶成長させてナノダイヤモンド微粒子を固定化した後、ドライエッチングを行うことができる。
さらに本発明は、本発明の表面微細構造製造方法により製造された微細構造表面に絶縁物質を成膜する工程と、絶縁物質をエッチングする工程により、ナノメートルオーダーの導電性ダイヤモンド部位を露出させることを特徴とするダイヤモンドナノ電極製造方法である。
また、本発明は、本発明のダイヤモンドナノ電極製造方法で得られたダイヤモンドナノ電極体において、絶縁性ダイヤモンドをナノ電極の突起部分に成膜する工程の後、絶縁物質をすべて除去する工程により、表面がすべてダイヤモンドであり、かつ、ナノサイズの電極を露出させることを特徴とするダイヤモンドナノ電極製造方法である。
本発明は、試料表面にナノダイヤモンド微粒子を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、次いでドライエッチングを行うことにより、ナノメートルオーダーの表面微細構造の製造方法と、さらにこの微細構造から、ダイヤモンドナノ電極を製造する方法およびダイヤモンドナノ電極に関するものである。ダイヤモンドは化学的に安定で、かつ、非常に硬度が高いため、いかなる基板に対しても良好なハードマスク材となる。
また、本発明は、種付けするダイヤモンド微粒子が直径1nm〜1000nmナノダイヤモンド微粒子を用いることができる。これらのナノダイヤモンド微粒子をダイヤモンド表面に種付けすることにより、次いで行うドライエッチングの際にハードマスクの役割を担うため、表面に1nm〜1000nmの任意のサイズの微細構造を製造することができる。
さらに本発明は、試料をダイヤモンド微粒子のアルコール分散液若しくは水分散液に浸漬させ10〜120分の超音波処理を行うことにより種付けすることができる。超音波処理を行うことにより、ダイヤモンド表面に均一にダイヤモンド微粒子を種付けすることができる。
また、本発明は、ダイヤモンド微粒子のアルコール分散液若しくは水分散液を試料表面に滴下し、スピンコート法により表面に種付けすることができる。スピンコート法を用いて種付けを行うことにより、ダイヤモンド表面に均一にダイヤモンド微粒子を種付けすることができる。
さらに本発明は、種付けされるダイヤモンド試料として、単結晶ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンド、及び上記ダイヤモンドにホウ素、リン、窒素等の不純物がドープされた各種ダイヤモンドを用いることができる。種付けする物質がダイヤモンドであり、これをハードマスクとして用いるため、ダイヤモンド試料の種類にかかわらず、表面微細構造が製造可能である。
さらに本発明は、表面に種付けされたダイヤモンド微粒子を常温硬化性、熱硬化性、光硬化性樹脂を用いて固定化することができる。これにより、表面に種付けされたダイヤモンド微粒子のダイヤモンド試料への密着性が高まり、ドライエッチングの際に安定なハードマスクとなるため、より均一性の高い微細構造が製造できる。
また、本発明は、表面に種付けされたナノダイヤモンド微粒子を核としてダイヤモンドを結晶成長させて固定化することができる。これにより、表面に種付けされたダイヤモンド微粒子のダイヤモンド試料への密着性が高まり、ドライエッチングの際に安定なハードマスクとなるため、より均一性の高い微細構造が製造できる。ナノダイヤモンド微粒子の成長に、プラズマCVD、熱フィラメント等の既存の手法および装置が利用できる。ダイヤモンド成長時には、ダイヤモンド種付け基板を600〜1000℃に保持し、炭素源ガスおよび水素ガスを任意の混合比で混ぜ合わせたガスを使用することができる。さらに、これに加えて、酸素源ガス、アルゴンガス、窒素ガスを用いることができる。これにより、成膜されるダイヤモンドの粒径を制御することができる。また、n型およびp型の半導体ダイヤモンドを成膜する場合には、ホウ素源ガス、リン源ガスを用いることができる。
また、本発明は、ダイヤモンド試料として、導電性ダイヤモンドを用いることができる。これにより、ナノメートルオーダーのダイヤモンドナノ電極の製造が可能である。
さらに本発明は、製造した導電性ダイヤモンド微細構造表面に、絶縁物質を成膜し、さらに、絶縁物質をエッチングする工程により、ナノサイズのダイヤモンド電極を露出させることができる。ダイヤモンド試料を用いて製造したダイヤモンド微細構造を電極として用いることにより、化学的に安定でノイズの少ない電極となる。また、ダイヤモンド電極を微小化することにより、応答速度やS/N比の向上が見込まれる。
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本発明に係る表面微細構造製造方法である。(1)試料P1を、ナノダイヤモンド微粒子のアルコール分散液若しくは水分散液に浸漬し、10〜120分間の超音波処理により、種付け処理を行う。若しくはスピンコート法により種付け処理を行っても良い。(2)表面にナノダイヤモンド微粒子P2が種付けされる。これをハードマスクとして、ドライエッチングを行う。(3)ナノダイヤモンド微粒子が鋳型となり、使用するナノダイヤモンド微粒子の粒径と同等の表面微細構造P3が製造される。ここでは、一例として、針状構造を示しているが、ドライエッチング時間を短くすれば、ナノダイヤモンド微粒子が完全にはエッチングされないため、ドライエッチング後に、ナノダイヤモンド微粒子を除去すれば、先端が平らな突起構造が得られる。このように、非常に簡便な手法ながら、表面にナノメートルオーダーの微細構造が、製造可能である。
図3は、本発明に係る表面がすべてダイヤモンドであるダイヤモンドナノ電極体の製造方法である。(1)図2で製造したダイヤモンドナノ電極体表面に、さらに、絶縁性ダイヤモンド成膜を行う。絶縁性ダイヤモンド薄膜P6は、ダイヤモンドが露出した部分にのみ成膜される。ダイヤモンド成膜に、プラズマCVD、熱フィラメント等の既存の手法および装置が利用できる。ダイヤモンド成膜時には、ダイヤモンド種付け基板を600〜1000℃に保持し、炭素源ガスおよび水素ガスを任意の混合比で混ぜ合わせたガスを使用することができる。さらに、これに加えて、酸素源ガス、アルゴンガス、窒素ガスを用いることができる。(2)絶縁物質を酸処理により除去することにより、ナノメートルオーダーの導電性電極部位P7を露出する。エッチング方法は、既存のウエットエッチングおよびドライエッチングが適用可能である。P7はダイヤモンドナノ電極として、化学的に非常に安定でノイズが少なく、応答速度およびS/N比の向上を実現する。
次に本発明の実施例を詳述するが、本発明は、本実施形態に開示された特定の構成になんら限定されるものではなく、したがって、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
表面が平坦なホウ素ドープダイヤモンド基板を用いて、実施例2と同一条件でのサイクリックボルタモグラム計測および、同一条件での1本鎖DNAの化学修飾を行った。図7aは平坦表面でのサイクリックボルタモグラムである。+0.6V付近の酸化ピークは、+3.9μAであった。また、−0.3V付近の還元ピークは、−3.5μAであった。実施例2の結果と比較して、ピークが小さい。これは、実施例2の表面が、本発明の表面微細構造製造法により、確かに表面微細構造が製造されて表面積が広がっていることを示す。一方、図7bは、図7aの表面を1本鎖DNAで化学修飾したものである。一見してほとんどピークが観察されていないことが明らかである。これは、DNA化学修飾層が抵抗として働くために、図7bのピークは、図7aのピークと比較して、小さくなったためである。図7bでは、実施例2と同一条件でDNA修飾を行ったにもかかわらず、電気化学的シグナルが計測できなくなった。この表面は、さらに相補的な1本鎖DNAを導入し、2本鎖DNAとすることで、1本鎖DNAと2本鎖DNAの電流強度の違いから、特定のDNAを検出することが可能なDNAセンサーとして用いることができる。2本鎖DNAの場合は、1本鎖DNAよりもさらに電流強度が小さくなることから、1本鎖DNAを化学修飾した時点でシグナルが観察できなくなるこの表面は、DNAセンサーとして不適切である。従って、本発明の表面微細構造はダイヤモンドナノ電極として使用することができ、DNAセンサーとして性能が良い。
Claims (10)
- シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料の試料表面にナノダイヤモンド微粒子を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法。
- 種付けするナノダイヤモンド微粒子が直径1nm〜1000nmのナノダイヤモンド微粒子であることを特徴とする請求項1に記載の表面微細構造製造方法。
- 試料をナノダイヤモンド微粒子のアルコール分散液若しくは水分散液に浸漬させ10〜120分の超音波処理を行うことにより種付けすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表面微構造製造方法。
- ナノダイヤモンド微粒子のアルコール分散液若しくは水分散液を試料表面に滴下し、スピンコート法により表面に種付けすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表面微細構造製造方法。
- 種付けされるダイヤモンド試料が、単結晶ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンド、及び上記ダイヤモンドにホウ素、リン、窒素の不純物がドープされた各種ダイヤモンドであることを特徴とする、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の表面微細構造製造方法。
- 表面に種付けされたナノダイヤモンド微粒子を、常温硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂を用いて固定化した後、ドライエッチングを行うことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の表面微細構造製造方法。
- 表面に種付けされたナノダイヤモンド微粒子を核としてダイヤモンドを結晶成長させてナノダイヤモンド微粒子を固定化した後、ドライエッチングを行うことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の表面微細構造製造方法。
- ダイヤモンド試料が、導電性ダイヤモンドであり、請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の表面微細構造製造方法により製造された表面微細構造を有するダイヤモンドナノ電極体。
- 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の表面微細構造製造方法により製造された微細構造表面に絶縁物質を成膜する工程と、絶縁物質をエッチングする工程により、ナノメートルオーダーの導電性ダイヤモンド部位を露出させることを特徴とするダイヤモンドナノ電極製造方法。
- 請求項9で得られたダイヤモンドナノ電極体において、絶縁性ダイヤモンドをナノ電極の突起部分に成膜する工程の後、絶縁物質をすべて除去する工程により、表面がすべてダイヤモンドであり、かつ、ナノサイズの電極を露出させることを特徴とするダイヤモンドナノ電極製造方法。
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