JP2007273746A - 固体表面の微細加工方法および発光素子 - Google Patents
固体表面の微細加工方法および発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007273746A JP2007273746A JP2006097930A JP2006097930A JP2007273746A JP 2007273746 A JP2007273746 A JP 2007273746A JP 2006097930 A JP2006097930 A JP 2006097930A JP 2006097930 A JP2006097930 A JP 2006097930A JP 2007273746 A JP2007273746 A JP 2007273746A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- solid surface
- particles
- solid
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 title claims abstract 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 212
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 127
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 25
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 13
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 10
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- -1 oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000010951 particle size reduction Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012718 coordination polymerization Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 1
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000010099 solid forming Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/855—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe for manufacture of nanostructure
- Y10S977/856—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe for manufacture of nanostructure including etching/cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】1層だけ配列された粒子からなる単粒子層2を、固体表面に形成する第1の工程と、該単粒子層2の形成された固体表面を、エッチングして(第1のエッチング)、該粒子を小粒径化する第2の工程と、該小粒径化された粒子を有する固定表面全体に、マスク材料薄膜4を形成する第3の工程と、該小粒径化した粒子を除去することにより、小粒径化した粒子の跡に、小粒径化した粒子と略等しい直径の穴のあいたマスク5を形成する第4の工程と、該マスク5を利用して固体表面をエッチングし(第2のエッチング)、マスクの穴の直下の固体表面に、マスクの穴と略等しい直径の穴を形成する第5の工程を行う。
【選択図】図1
Description
そこで別な方法として、ナノサイズの粒子をマスクとしてエッチングして微細な加工を行うことが提案されている(特許文献3)。
この方法によれば、はじめの粒子に粒径のそろった単分散の粒子を用いて最密充填させれば、周期的な円孔配列型の2次元フォトニック結晶をつくることができ、また最密充填でないランダム配列の単粒子層を用いればランダムな円孔配列をつくることも可能である。ナノ粒子のエッチング条件を調整することにより、同じ大きさの粒子からでも、内径の異なる円孔配列を簡単につくることができる。さらに、粒子材料とエッチャントガス条件を選べば、各種の固体材料表面にも円孔配列構造が形成可能であることを見出し、本発明を完成させるに到った。
〔2〕1層だけ配列された粒子からなる単粒子層を、固体表面に形成する第1の工程と、
該単粒子層の形成された固体表面を、エッチングして(第1のエッチング)、該粒子を小粒径化する第2の工程と、該小粒径化された粒子を有する固定表面全体に、マスク材料薄膜を形成する第3の工程と、該小粒径化した粒子を除去することにより、小粒径化した粒子の跡に、小粒径化した粒子と略等しい直径の穴のあいたマスクを形成する第4の工程と、該マスクを利用して固体表面をエッチングし(第2のエッチング)、マスクの穴の直下の固体表面に、マスクの穴と略等しい直径の穴を形成する第5の工程をこの順で含む固体表面の微細加工方法、
に係るものである。
また、本発明は〔3〕窒化物半導体からなる発光素子であり、請求項1または2で示した方法によって微細な穴が、光取出し面および/または対向面の全面または一部領域に形成されている発光素子に係るものである。
本発明の微細加工方法を図1を使って説明する。
まず、基板となる固体表面の必要なパターンに粒子を重なりのない1層の粒子層(単粒子層)となるように配列させる(図1(a))。
図1(b)〜(d)は、パターン状に粒子配列部を形成させるために、一旦基板全面に粒子配列をさせた後でフォトリソグラフィにより不要部分の粒子を除く方法を例示してある。また、はじめからパターン状に粒子配列部を形成させる方法を利用しても良い。例えば、パターン状に基板表面の電荷状態を変化させたあとで粒子分散液を展開することにより粒子配列パターンを形成する方法などである。
粒子配列部の状態を図1(e)に断面図と平面図で示す。この状態の配列粒子を第1のエッチングにより小粒径化する(図1(f))。これにより、元の粒子の中心位置を変えることなく、粒径だけ小さくなった状態を実現できる。元の粒子配列が2次元最密充填構造である場合には、この小粒径化エッチング工程により等間隔に各粒子が離れて配列したフォトニック結晶構造作製の基礎となる粒子配列ができる。
次に、表面全面にマスク材料薄膜を形成したあと(図1(g))、小粒径化した粒子を除去する(図1(h))。この工程のあとで、もとの粒子配列の各粒子の中心位置に忠実に、小粒径化した粒子の直径とほぼ等しい内径を有する多数の穴のあいたマスクができる。
最後に、このマスクを利用して第2のエッチングを行うことにより、もとの粒子配列位置に忠実に多数の穴のあいた固体表面を形成することができる(図1(i))。
本発明に用いる粒子の材質としては、特に制限はなく、無機粒子、有機粒子が好適に利用できる。無機粒子としては、例えば、酸化物、窒化物、炭化物、硼化物および硫化物等の化合物からなる粒子や金属粒子等が挙げられる。
無機粒子の具体例として、酸化物としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア、セリア、酸化亜鉛、酸化スズ等が挙げられ、シリカが好ましい。窒化物としては、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化硼素等が挙げられる。炭化物としては、SiC、炭化硼素、ダイヤモンド、グラファイト、フラーレン類等が挙げられる。硼化物としては、ZrB2、CrB2等が挙げられる。
金属粒子としては、金、銀、白金、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、鉄等が挙げられる。
有機粒子の具体例としては、ポリスチレン等のスチレン系樹脂、ポリメチルメタクリレート(通称PMMA)等のアクリル系樹脂、ポリエチレンやポリプロピレン等の配位重合によって得られる重合体、ポリカーボネート、ポリアミド(ナイロン66など)、ポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリアリーレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等の縮重合によって得られる重合体、ナイロン6やポリカプロラクトン等の開環重合により得られる重合体、顔料等の有機物結晶などが挙げられ、ポリスチレンが好ましい。
これらの中で、粒子としてシリカが好ましい。
粒子の大きさは、所望の円孔配列構造に応じて適宜選択できるが、平均粒径は10nm以上10μm以下が好ましく、50nm以上1μm以下がより好ましい。該平均粒径が10nm以上であれば、本発明の工程の制御性がよりよくなるので好ましい。また10μm以下であれば、通常のフォトリソグラフィによる方法より本発明による方法のほうがより簡便になるので好ましい。
粒子の粒度分布に関して、特別な制限は無いが、単粒子層の形成の容易さの観点からは、シャープな粒度分布のもの、とりわけ単分散のものが、粒度分布が大きなものよりも好ましい。しかしながら粒径の異なる単分散の粒子を混合したものを利用しても良い。例えば、2つの粒径の混合粒子を用いると、小さな粒子部分だけ消失させて大きな粒子の跡だけに円孔を作製するなど、単一粒径の場合には作製できない円孔配列を作製できる。
本発明における粒子単粒子層を形成する方法としては、移動集積法、引き上げ法、スピンコート法などの公知の方法を用いて行うことができる。移動集積法とは、粒子が分散液中に分散した粒子分散液を基板表面に展開し、溶媒の蒸発速度を精密に制御すると、溶媒の表面張力によって粒子が移動し集積化することを利用した方法である。引き上げ法とは、基板を粒子分散液に浸漬した後、基板を適当な速度で引き上げることにより、単粒子層を形成する方法である。またスピンコート法は粒子分散液を回転する基板の上に展開して単粒子層を形成する方法である。
本発明における、穴の配列した構造の凹凸構造をつくりつける固体表面としては、各種の固体材料の表面を用いることができ、例えば、半導体結晶表面、誘電体表面、光透過性導電性材料表面、金属表面が挙げられる。
半導体としては、Si、Geなどの半導体、GaAs、InP、GaNなどの化合物半導体、InGaAlAs、InGaAlP、InGaAsP、InGaAlNなどの混晶半導体が挙げられ、窒化物半導体が好ましい。
誘電体の例としては、SiO2、SiNxなどの非晶質誘電体、サファイアなどの結晶性誘電体材料が挙げられる。
光透過性導電性材料としては、ITO、ZnO、SnO2などが挙げられ、ITOが好ましい。
金属としては、Au、Al、Cuなどの金属材料、磁性金属材料が挙げられる。
また、これらの材料を積層した材料などを用いることができる。
特に光透過性導電性材料であるITOに関しては、その製法によって表面平坦性が大きく異なることが知られているが、蒸着法や塗布法で作製したITOよりもスパッタ法で作製したITOの方が平坦性に優れているので好ましい。なかでも対向ターゲットスパッタ法で作製したITOは、表面平坦性が優れているので本発明を適用する固体表面として好適なだけでなく、成膜時のプラズマダメージがほとんど発生しないので、発光素子等に用いるオーミック電極の作製方法としても優れている。
本発明では、固体表面に配列された粒子の単粒子層に対して、第1のエッチングを行い、各々の粒子の位置を変えることなく粒径だけを小さくさせる。単一粒径の球状粒子が最密充填されている場合には、この工程を行うことにより、同じ粒径まで小粒径化した粒子が等間隔で配列した単粒子層をつくることができる。この構造はフォトニック構造の結晶を作るための基礎になる。
この工程では粒子のエッチングとともに、粒子の隙間を通して露出した固体表面部分が同時にエッチングされる。粒子のエッチングレートの、固体表面のエッチングレートに対する比(いわゆる選択比)が1以上であること、つまり固体表面よりも粒子の方が早くエッチングされる条件で行うことが好ましく、更に好ましくは選択比は2以上である。選択比が大きいほうが固体表面のエッチングが少なく平坦性が保持されるので好ましい。選択比が1以上であれば、固体表面の凹凸がより小さくなり、後の工程がより容易になるので好ましい。
粒子がシリカ粒子の場合のエッチングにおいては、フッ素を含む分子を含有するガスを用いると大きなエッチングレートが得られるので、上記の固体との選択比に関連して利用できる固体材料の選択の自由度が広がるので有利である。例えば、CF4、CHF3、C2H2F2、C2F3Cl3などを好適に用いることができる。
本発明において、粒子がシリカであり、固体が窒化物半導体またはITO薄膜であり、第1のエッチングのガスとしてフッ素を含む分子を含有するガスを用いてドライエッチングすることが好ましい。
また、ポリスチレンラテックス等の高分子材料からなる粒子のエッチングには、酸素を含むガスを用いると大きなエッチングレートが得られるので、上記の固体との選択比に関連して利用できる固体材料の選択の自由度が広がるので有利である。
本発明において、粒子が高分子からなる粒子であり、固体が金属またはITOであり、エッチングガスとして酸素を含有するガスを用いてドライエッチングすることが好ましい。
特に固体材料が酸化物、特にシリカである場合には、非常に大きな選択比が得られる場合が多いので好適に用いることができる。
本発明の第1のエッチングにおけるエッチングの異方性については特に制限は無く、異方性の大きなエッチングでも等方的なエッチングでもよい。異方性エッチングの場合は、横方向のエッチングはほとんど無いので粒子が扁平化しつつ次第に小粒径化する。粒径の時間変化はエッチング時間に比例せず、時間とともに次第に小粒径化の速度が速くなるので粒径の制御は容易ではない。しかし、あらかじめエッチング時間とエッチング深さの検量線を取っておけば十分制御可能である。
エッチング圧力の制御により横方向のエッチング速度を高めることができるので、等方性エッチングに近づけることができる。これにより、小粒径化の速度を早めることができるので有利である。また、異方性エッチングの場合よりも扁平化の程度が小さくなるので後工程における粒子の除去が容易になるので好ましい。
本発明においては、第1のエッチングの後に、第2のエッチングにおいて利用するマスク材料の薄膜を固体表面全体に形成する。マスクに利用する材料としては、次工程の粒子除去に利用する薬液に対する耐性があること、かつ次々工程の第2のエッチングにおいて固体材料のエッチングレートの、マスクのエッチングレートに対する比が大きいものが好ましい。
固体材料がSi、GaN、InGaPなどの半導体やSiO2、SiNx、サファイア等の誘電体材料、ITOなどの光透過性導電性材料の場合には塩素系材料ガスまたはフッ素系材料ガスを用いて第2のエッチングを行うことができる。この場合には、塩化物またはフッ化物となったときに蒸気圧が小さな遷移金属類のマスクが好適に利用できる。なかでもNiはエッチングレートが小さく好ましい。また固体材料が金属系材料、磁性金属材料である場合にも、Niはエッチングレートが小さくマスクとして好適に利用できる。
マスクを形成後に次工程の粒子除去が行えるようにマスク材の成膜条件と膜厚を制御することが好ましい。マスク厚は、小粒径化した粒子の高さの50%以下であることが好ましい。これよりもマスク厚が厚いと、粒子上部に形成された膜と固体表面部に形成された膜が連結してしまうので、粒子の除去が困難になる。これを防ぐため、上記の膜厚制御の他にも、マスク材料の成膜には、マスク材料粒子が固体表面に対して略垂直方向から衝突堆積し、粒子の下側には成膜されない陰部分が生じるようにすることが好ましい。この条件を満たすようなマスクの成膜を行うことにより、粒子の上部に堆積したマスクと、固体表面に直接堆積したマスクが連結されることがなくなるので、粒子を溶解する薬液で処理することにより粒子を溶解除去し、同時に粒子上のマスクも除去することができる(以後、この粒子と粒子上のマスクの除去を単に「粒子リフトオフ」と呼ぶ場合がある)。
マスク材料を固体表面に対して略垂直方向から衝突堆積させる成膜方法としては、真空蒸着法、イオンビームスパッタ、レーザーアブレーション法などを利用することができる。
本発明においては、粒子リフトオフをするために、粒子を湿式エッチングする方法が挙げられ、粒子の溶解性に優れ、かつ、マスクの溶解性の乏しい湿式エッチングする方法が好ましい。
シリカ粒子の場合は、フッ酸、バッファードフッ酸等の酸やアルカリ液が利用できるが、マスクとしてNiを利用する場合には、フッ酸系よりもアルカリに耐性があるので、アルカリ液の方が好ましい。例えば、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化テトラエメチルアンモニウム水溶液などのpH12以上のアルカリ性液体が好ましい。また該アルカリ性液体を50℃以上に加熱し、超音波処理を併用すると顕著に粒子リフトオフ性が増すので特に好ましい。
本発明において、粒子がシリカであり、マスクがNiであり、エッチング液がpH12以上のアルカリ性液体であり、エッチングを50℃以上の温度で超音波処理を併用して行う組み合わせが好ましい。
また、本発明において、粒子が高分子材料の粒子であり、マスクが金属であり、エッチング液が有機溶剤である組み合わせが好ましい。
以上のようにして、粒子配列の各々の粒子位置に、忠実に、もとの粒子よりも小さな内径を有する多数の穴のあいたマスクを形成することができる。このマスクを利用してエッチングを行うことにより、固体表面に多数の穴を形成することができる。そして、Ni等の選択比の高いマスクを利用すれば、エッチングにより形成する穴の深さと内径との比(アスペクト比)を大きくすることができる。
エッチングガスは、固体材料に応じて公知のエッチングガスを利用すればよい。
固体のエッチングの後、マスクを溶解除去することにより、多数の穴が形成された表面を得ることができる。
本発明の発光素子は、窒化物半導体からなる発光素子であり、上記の方法によって微細な穴が、光取出し面および/または対向面の全面または一部領域に形成されている。
本発明によれば、従来作製が困難であった、10nm〜1μm程度の微細な、周期的またはランダムな円孔配列型の凹凸構造を、必要なパターン領域に大面積にわたって再現性よく、各種の固体表面上に形成することができるので、これを発光素子に利用することにより光取り出し効率を向上させることができる。発光素子に利用する場合の例を以下図により説明する。
図2〜8は、円孔配列凹凸構造を作製した発光素子の例である。
図2は光取出し面側の透光性電極パターンの内部に円孔配列凹凸構造を作製した発光素子の平面図と断面図である。光取出し面であるp層側に透明電極パターンを形成し、この透明電極パターン内部に凹凸構造を作製することにより取出し効率を向上させることができる。
図3は透光性電極パターンの外側に作成する例、図4は、取出し面側全面に形成する例である。凹凸を作製する場所は、光取出し面全体でなくてもよく一部分であってもその効果が現れる。
図5は、光取出し面を微小領域に分離し、その境界領域に円孔配列凹凸構造形成を作製する例であり、光取出し面の一部に凹凸を作る場合の別の例である。この例では微小領域として六角形の例が示してあるが、微小領域の形状はその他三角形、四角形、円、あるいは不定形でもよい。このような分離境界を有する構造により取出し効率を高めることができる。
本発明の方法により凹凸を形成することができるのは、上記の例のような光取出し面のみではなく、発光素子の裏面(対向面)側でも可能であり、この場合にも光取出し効率向上に効果がある。例として図2に示す発光素子の対向面側のサファイア表面にも微細な凹凸を形成した例を図6に示す。図3〜図5に対応する素子構造についても同様に対向面側に凹凸を形成することにより取出し効率を向上させることができる。
エッチングによる発光層のダメージを防止するために、穴の深さは発光層には到達しないで、かつできるだけ発光層に近い深さであることが好ましい。窒化物半導体では格子不整合の大きな基板を成長基板として用いることが一般的なので、通常は結晶品質を向上させるために3〜4μm程度の下地層を成長させ、その上に発光素子として機能するデバイス層を形成する。通常は成長基板剥離後もこの層をそのまま残すのであるが、この部分に深い穴の構造を形成することにより横方向の光導波が十分低減でき、上下方向に伝播する光の割合が高くなり光出し効率が向上できる。
本発明の方法でも作製困難なほど大きなアスペクト比が必要である場合には、剥離面全体をエッチングにより削って薄膜化し、その後で本発明の方法によりアスペクト比の大きな円孔配列構造を作製すればよい。
本発明を利用して作製した半導体結晶表面の円孔配列構造を、結晶成長のテンプレートとして利用することができる。この方法で作製できる発光素子の例を図9を用いて説明する。図9は、サファイア上に成長したGaN結晶表面に、本発明を利用して円孔配列構造を形成した後で、横方向の結晶成長を抑制した条件でGaN系半導体結晶を再成長したものである。再成長時にn型層、発光層、p型層を成長すれば発光層部分にも円孔配列構造を有する発光素子を作製することができる。このような発光層部分にも円孔配列を有する構造は、2次元フォトニック結晶の理想的な構造であり、この構造で光取出し効率が大きく向上すると言われている。この例では発光層にダメージを与えるおそれのあるエッチングを用いずに再成長で、円孔配列構造を引き継いで成長させているので発光層のダメージもなく光出力の高い発光素子を作製できる。
なお再成長時の横方向成長による穴の埋みを抑制するために、円孔内部または円孔側壁にSiO2などの成長を阻害する機能を有する酸化物薄膜を形成しておくと良い場合がある。
実施例1 (GaN上への円孔配列構造の形成)
(シリカ粒子、Niマスク利用、第1のエッチングCHF3、第2のエッチングCl2)
無機粒子として、コロイダルシリカスラリー(日産化学製、PM−4540(商品名)、1次粒径450nm、粒子濃度40重量%)に含まれているシリカ粒子を用いた。MOCVD法によりGaNをサファイア基板上に結晶成長したものをスピナーにセットし、GaN面上に25重量%に希釈したコロイダルシリカスラリーを塗布し、スピン乾燥を行った。SEMで観察したところ、単粒子層が形成されており、部分的に2次元最密充填構造ができていることを確認した(図10)。
シリカ粒子とGaNのエッチングレートの比(選択比)を求めたところ、4.5であった。また2次元最密構造部分は粒子間隔が等間隔にあいた2次元フォトニック結晶構造ができていた。
次に、Ni膜を形成した試料を、60℃に過熱したテトラメチルアンモニウム(pH14)に10分間浸漬後、超音波処理したところシリカ粒子がリフトオフし、小粒径化したシリカの直径と同じ内径を有する多数の穴があいたNiマスクが得られた(図13)。
エッチング後のGaN表面を図14に示す。アスペクト比が2以上の円孔配列の構造を形成させることができた。
なお、GaNとNiのエッチングレートの比(選択比)は約10であった。またエッチング時間と穴の深さの関係は、図15に示すように直線性が非常によいことを確認した。
基板としてサファイアC面基板を用いたことを除いては、実施例1と同様にして、単粒子層形成、小粒径化エッチング(第1のエッチング)、Niマスク形成、粒子リフトオフ、第2のエッチングを行いサファイア基板表面に円孔配列構造を形成させた。
実施例1とは、固体がGaNからサファイアに変ったことにより、第1のエッチングの選択比が大きく異なった結果となった。サファイアのエッチング速度はほぼゼロであり、従ってシリカとサファイアの選択比はきわめて大きかった。また、第2のエッチングにおけるサファイアとNiマスクとの選択比は約5であった。
サファイア上にGaN系半導体からなる発光素子構造の結晶をMOCVD法により成長し、素子作製のため、n層露出エッチングを行い、次に対向ターゲットスパッタ法により厚さ150nmのITO薄膜を形成し、フォトリソグラフィによりオーミックp電極パターンを形成したものを基板として用いたことを除いては、実施例1と同様にして、単粒子層形成、小粒径化エッチング(第1のエッチング)、Niマスク形成、粒子リフトオフ、第2のエッチングを行い、固体表面(ITO表面)に円孔配列構造を形成させた。
この工程の後、Niマスクをバッファードフッ酸で除去し、n層露出部にAlオーミックn電極を形成して、発光素子を作製した。
ITOとNiマスクとの選択比は約5と比較的大きくできるので、第2のエッチングで形成する穴の深さは、エッチング時間を調節することにより、ITOの内部まででとどめることも、ITOを貫通させナイトライド半導体層の内部までとすることも可能である。
順方向20mAにおける発光特性を評価したところ、ITOp電極パターンに凹凸を形成しなかった場合(比較例)に比べて、ITO内部までの深さのものと、p−GaNまでの深さのものの光出力は、それぞれ1.18倍、1.24倍になった。
(LEDのメサ周辺部GaN上への円孔配列構造の形成)(ITO=p型透明電極)
実施例3における円孔配列を形成する部分を、ITO薄膜オーミックp電極パターン部に替えて、p電極の外側全面に形成することを除いては、実施例3と同様にして発光素子を作製した。
p電極の外側とは、メサ台形部分の周辺部およびn電極で覆われていないn層露出部をさし、本発明における固体表面が窒化物半導体の場合に相当するため、第1のエッチング、第2のエッチングにおける選択比は実施例1の場合とほぼ同じであった。第2のエッチングにおける選択比は約10と、実施例3の場合のITOに比べてさらに大きいので、アスペクト比の大きな深い穴を形成することができる。本実施例では第2のエッチングとして3分間のエッチングにより、深さ0.65μmの円孔配列構造を形成した。
こうして作製した発光素子の順方向20mAにおける発光特性を評価したところ、円孔配列構造を形成しなかった場合(比較例)に比べて、光出力は1.64倍になった。
2・・・・粒子単粒子層
3・・・・フォトレジスト
4・・・・マスク材料薄膜
5・・・・第2のエッチング用マスク
6、6’・・・・円孔
7・・・・基板
8・・・・n型層
9・・・・発光層
10・・・p型層
11、11’・・・透明電極
12・・・第2の電極
13・・・円孔配列構造
14・・・分離境界領域
15・・・絶縁膜
16・・・導電性支持基板
17・・・誘電体積層膜光反射層
18・・・成長用テンプレート
Claims (26)
- 固体表面上に1層だけ配列された粒子を除去した跡に、粒子直径よりも小さな直径の穴をエッチングにより固体表面に形成する固体表面の微細加工方法。
- 1層だけ配列された粒子からなる単粒子層を、固体表面に形成する第1の工程と、
該単粒子層の形成された固体表面を、エッチングして(第1のエッチング)、該粒子を小粒径化する第2の工程と、
該小粒径化された粒子を有する固定表面全体に、マスク材料薄膜を形成する第3の工程と、
該小粒径化した粒子を除去することにより、小粒径化した粒子の跡に、小粒径化した粒子と略等しい直径の穴のあいたマスクを形成する第4の工程と、
該マスクを利用して固体表面をエッチングし(第2のエッチング)、マスクの穴の直下の固体表面に、マスクの穴と略等しい直径の穴を形成する第5の工程をこの順で含む固体表面の微細加工方法。 - 第2の工程における、粒子のエッチングレートの固体のエッチングレートに対する比が1以上となる条件で異方性エッチングを行う請求項2記載の固体表面の微細加工方法。
- 第3の工程におけるマスク材料として、第5の工程での固体のエッチングレートの、マスクのエッチングレートに対する比が1以上であるマスク材料を選択する請求項2または3記載の固体表面の微細加工方法。
- 第3の工程におけるマスク材料薄膜の厚さを第4の工程の粒子除去が実行できる厚さに形成する請求項2〜4のいずれかに記載の固体表面の微細加工方法。
- 小粒径化した粒子の直径を、もとの粒子の直径の10%以上95%以下とする請求項2〜5のいずれかに記載の固体表面の微細加工方法。
- 小粒径化するとともに、粒子を扁平化する請求項2〜6のいずれかに記載の固体表面の微細加工方法。
- 固体表面が半導体結晶表面である請求項1〜7のいずれかに記載の固体表面の微細加工方法。
- 半導体結晶が窒化物半導体結晶である請求項8記載の固体表面の微細加工方法。
- 固体表面が、赤外線から紫外線の波長領域の少なくとも一部の波長領域の光に対して透過性を有する固体の表面である請求項1または2記載の固体表面の微細加工方法。
- 光透過性固体が、半導体結晶表面に形成された光透過性を有する固体薄膜である請求項10記載の固体表面の微細加工方法。
- 光透過性固体薄膜がITO薄膜である請求項11記載の固体表面の微細加工方法。
- 固体表面が金属表面である請求項1〜7のいずれかに記載の固体表面の微細加工方法。
- 金属が半導体結晶表面に形成された金属薄膜である請求項13記載の固体表面の微細加工方法。
- 粒子が、酸化物からなる請求項1〜14のいずれかに記載の固体表面の微細加工方法。
- 酸化物がシリカである請求項15記載の微細加工方法。
- 粒子が高分子材料からなる粒子である請求項1〜14のいずれかに記載の固体表面の微細加工方法。
- 高分子材料が、ポリスチレンである請求項17記載の固体表面の微細加工方法。
- 粒子がシリカであり固体が窒化物半導体またはITO薄膜であり、第1のエッチングのガスとしてフッ素を含む分子を含有するガスを用いてドライエッチングする請求項15記載の固体表面の微細加工方法。
- 粒子が高分子からなる粒子であり、固体が金属またはITOであり、エッチングガスとして酸素を含有するガスを用いてドライエッチングする請求項17記載の固体表面の微細加工方法。
- マスク材料としてNiを用いる請求項2〜20のいずれかに記載の固体表面の微細加工方法。
- 第2のエッチングに用いるマスク材料の形成を、材料粒子の入射角度を固体表面に対して略垂直にして堆積させる気相堆積法で行い、かつ、マスク材料厚を小粒径化された粒子の高さの50%以下にする請求項5記載の固体表面の微細加工方法。
- 小粒径化した粒子の除去は、粒子の溶解性に優れ、かつ、マスクの溶解性の乏しいエッチング液を用いて行う請求項2〜22のいずれかに記載の固体表面の微細加工方法。
- 粒子がシリカであり、マスクがNiであり、エッチング液がpH12以上のアルカリ性液体であり、エッチングを50℃以上の温度で超音波処理を併用して行う請求項23記載の固体表面の微細加工方法。
- 粒子が高分子材料の粒子であり、マスクが金属であり、エッチング液が有機溶剤である請求項23記載の固体表面の微細加工方法。
- 窒化物半導体からなる発光素子であり、請求項1または2で示した方法によって微細な穴が、光取出し面および/または対向面の全面または一部領域に形成されている発光素子。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006097930A JP2007273746A (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 固体表面の微細加工方法および発光素子 |
CNA2007800199507A CN101454913A (zh) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | 基板的微细加工方法、基板的制造方法及发光元件 |
US12/294,963 US7645625B2 (en) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | Method for fine processing of substrate, method for fabrication of substrate, and light emitting device |
PCT/JP2007/057700 WO2007114503A1 (ja) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | 基板の微細加工方法、基板の製造方法および発光素子 |
DE112007000793T DE112007000793T5 (de) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | Verfahren zur Feinbehandlung eines Substrats, Verfahren zur Fertigung eines Substrats und lichtemittierende Vorrichtung |
TW096111200A TWI420690B (zh) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | 基板的微細加工方法、基板的製造方法及發光元件 |
KR1020087025422A KR20090009812A (ko) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | 기판의 미세 가공 방법, 기판의 제조 방법 및 발광 소자 |
GB0818657A GB2450452A (en) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | Substrate fine processing method,substrate manufacturing method and light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006097930A JP2007273746A (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 固体表面の微細加工方法および発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007273746A true JP2007273746A (ja) | 2007-10-18 |
Family
ID=38563761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006097930A Pending JP2007273746A (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | 固体表面の微細加工方法および発光素子 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7645625B2 (ja) |
JP (1) | JP2007273746A (ja) |
KR (1) | KR20090009812A (ja) |
CN (1) | CN101454913A (ja) |
DE (1) | DE112007000793T5 (ja) |
GB (1) | GB2450452A (ja) |
TW (1) | TWI420690B (ja) |
WO (1) | WO2007114503A1 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008230925A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Kobe Univ | 複合微細構造体およびその製造方法 |
JP2009129962A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 表面微細構造製造方法およびダイヤモンドナノ電極製造方法とその電極体 |
JP2009226396A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 六方非最密充填粒子配列構造材料の作製方法及び六方非最密充填粒子配列構造材料並びに同材料からなる機能性材料 |
WO2009158158A3 (en) * | 2008-06-26 | 2010-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Method of fabricating light extractor |
JP2010074090A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Meijo Univ | 発光素子、発光素子用サファイア基板及び発光素子用サファイア基板の製造方法 |
JP2011023639A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Alps Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2011146522A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Panasonic Corp | 基板の加工方法 |
JP2012186195A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2012186427A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2012526399A (ja) * | 2009-05-08 | 2012-10-25 | 1366 テクノロジーズ インク. | 堆積膜の選択的除去のための多孔質リフトオフ層 |
JP2013511151A (ja) * | 2009-11-17 | 2013-03-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 光吸収性基板の表面の微細構造化 |
KR101256979B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2013-04-19 | 전북대학교산학협력단 | 쐐기 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법 |
US8461608B2 (en) | 2008-06-26 | 2013-06-11 | 3M Innovative Properties Company | Light converting construction |
JP2013143469A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Aurotek Corp | ナノ微細構造の製造方法 |
JP2015026826A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-02-05 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板、半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法、および、半導体発光素子の製造方法 |
US9053959B2 (en) | 2008-06-26 | 2015-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor light converting construction |
JP2015212710A (ja) * | 2010-11-15 | 2015-11-26 | アメリカ合衆国 | 垂直ナノワイヤアレイ上の穿孔コンタクト電極 |
WO2016064258A1 (ko) * | 2014-10-24 | 2016-04-28 | 일진엘이디(주) | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100736623B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP5283926B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2013-09-04 | 株式会社東芝 | 光透過型金属電極およびその製造方法 |
US20110101402A1 (en) * | 2008-06-26 | 2011-05-05 | Jun-Ying Zhang | Semiconductor light converting construction |
JP5512109B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2014-06-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US8183575B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-05-22 | Bridgelux, Inc. | Method and apparatus for providing a patterned electrically conductive and optically transparent or semi-transparent layer over a lighting semiconductor device |
JP5420274B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2014-02-19 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
TW201039385A (en) * | 2009-04-27 | 2010-11-01 | Aurotek Corp | Method for preparing substrate with periodical structure |
CN102148304B (zh) * | 2010-02-09 | 2013-07-03 | 和椿科技股份有限公司 | 制膜系统及制膜方法 |
KR20120005877A (ko) * | 2010-07-09 | 2012-01-17 | 삼성전자주식회사 | 프로톤 전도형 고체산화물 연료전지 제조방법 및 상기 방법으로 제조된 프로톤 전도형 고체산화물 연료전지 |
KR101407209B1 (ko) * | 2010-10-07 | 2014-06-16 | 포항공과대학교 산학협력단 | 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법 |
JP5546480B2 (ja) | 2011-03-08 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP5200194B2 (ja) | 2011-06-24 | 2013-05-15 | パナソニック株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子、光源および凹凸構造形成方法 |
US20130019918A1 (en) | 2011-07-18 | 2013-01-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Thermoelectric devices, systems and methods |
WO2013109729A1 (en) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | Silicium Energy, Inc. | Systems and methods for forming thermoelectric devices |
KR101437862B1 (ko) * | 2012-02-29 | 2014-09-16 | 한국기계연구원 | 금속 패터닝 방법 |
CN102544289B (zh) * | 2012-03-06 | 2013-12-18 | 中国科学院半导体研究所 | 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法 |
JP6353447B2 (ja) | 2012-08-17 | 2018-07-04 | マトリックス インダストリーズ,インコーポレイテッド | 熱電デバイスを形成するためのシステム及び方法 |
CN104584243B (zh) * | 2012-08-21 | 2018-12-25 | 王子控股株式会社 | 半导体发光元件用基板及半导体发光元件以及该等之制造方法 |
WO2014070795A1 (en) | 2012-10-31 | 2014-05-08 | Silicium Energy, Inc. | Methods for forming thermoelectric elements |
TWI632696B (zh) * | 2013-10-11 | 2018-08-11 | 王子控股股份有限公司 | 半導體發光元件用基板之製造方法、半導體發光元件之製 造方法、半導體發光元件用基板、以及半導體發光元件 |
JP2015122133A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 株式会社東芝 | パターン形成方法、スタンパーの製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法 |
KR20170026323A (ko) | 2014-03-25 | 2017-03-08 | 실리시움 에너지, 인크. | 열전 디바이스들 및 시스템들 |
US10290796B2 (en) | 2016-05-03 | 2019-05-14 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric devices and systems |
US10796036B2 (en) | 2016-08-08 | 2020-10-06 | International Business Machines Corporation | Prediction of inhalable particles concentration |
USD819627S1 (en) | 2016-11-11 | 2018-06-05 | Matrix Industries, Inc. | Thermoelectric smartwatch |
CN107579135A (zh) * | 2017-09-06 | 2018-01-12 | 蚌埠玻璃工业设计研究院 | 一种表面具有微结构的ZnO基透明导电玻璃制备方法 |
WO2022169926A1 (en) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Photonic resonator interferometric scattering microscopy |
CN115212727B (zh) * | 2022-06-21 | 2024-01-02 | 清华大学 | 多孔振动滤膜及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10320772A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Hitachi Ltd | 高密度磁気記録媒体作製法およびこれによる高密度磁気記録媒体 |
JP2005144569A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Hitachi Ltd | 二次元配列構造体基板および該基板から剥離した微粒子 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3739217A (en) * | 1969-06-23 | 1973-06-12 | Bell Telephone Labor Inc | Surface roughening of electroluminescent diodes |
US4407695A (en) * | 1981-12-31 | 1983-10-04 | Exxon Research And Engineering Co. | Natural lithographic fabrication of microstructures over large areas |
JPS58120255A (ja) * | 1981-12-31 | 1983-07-18 | エクソン・リサ−チ・アンド・エンジニアリング・カンパニ− | 平版印刷マスクの製造方法 |
US5510156A (en) * | 1994-08-23 | 1996-04-23 | Analog Devices, Inc. | Micromechanical structure with textured surface and method for making same |
US5955749A (en) * | 1996-12-02 | 1999-09-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device utilizing a periodic dielectric structure |
JPH10189601A (ja) | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan | 微細構造体の製造方法 |
US6051149A (en) * | 1998-03-12 | 2000-04-18 | Micron Technology, Inc. | Coated beads and process utilizing such beads for forming an etch mask having a discontinuous regular pattern |
US6504180B1 (en) * | 1998-07-28 | 2003-01-07 | Imec Vzw And Vrije Universiteit | Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom |
TW576864B (en) | 2001-12-28 | 2004-02-21 | Toshiba Corp | Method for manufacturing a light-emitting device |
JP3782357B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP4096306B2 (ja) | 2003-03-10 | 2008-06-04 | 株式会社リコー | 電子放出素子 |
WO2005004247A1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Epivalley Co., Ltd. | Iii-nitride compound semiconductor light emitting device |
JP4277617B2 (ja) | 2003-08-08 | 2009-06-10 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
TWI234295B (en) | 2003-10-08 | 2005-06-11 | Epistar Corp | High-efficiency nitride-based light-emitting device |
US20050161696A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
JP2005244201A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US20050205883A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Wierer Jonathan J Jr | Photonic crystal light emitting device |
-
2006
- 2006-03-31 JP JP2006097930A patent/JP2007273746A/ja active Pending
-
2007
- 2007-03-30 DE DE112007000793T patent/DE112007000793T5/de not_active Withdrawn
- 2007-03-30 GB GB0818657A patent/GB2450452A/en not_active Withdrawn
- 2007-03-30 CN CNA2007800199507A patent/CN101454913A/zh active Pending
- 2007-03-30 US US12/294,963 patent/US7645625B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-30 KR KR1020087025422A patent/KR20090009812A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-03-30 TW TW096111200A patent/TWI420690B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-03-30 WO PCT/JP2007/057700 patent/WO2007114503A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10320772A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Hitachi Ltd | 高密度磁気記録媒体作製法およびこれによる高密度磁気記録媒体 |
JP2005144569A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Hitachi Ltd | 二次元配列構造体基板および該基板から剥離した微粒子 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008230925A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Kobe Univ | 複合微細構造体およびその製造方法 |
JP2009129962A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 表面微細構造製造方法およびダイヤモンドナノ電極製造方法とその電極体 |
JP2009226396A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 六方非最密充填粒子配列構造材料の作製方法及び六方非最密充填粒子配列構造材料並びに同材料からなる機能性材料 |
US8324000B2 (en) | 2008-06-26 | 2012-12-04 | 3M Innovative Properties Company | Method of fabricating light extractor |
WO2009158158A3 (en) * | 2008-06-26 | 2010-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Method of fabricating light extractor |
US9053959B2 (en) | 2008-06-26 | 2015-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor light converting construction |
JP2011526075A (ja) * | 2008-06-26 | 2011-09-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 光抽出器の作製方法 |
US8461608B2 (en) | 2008-06-26 | 2013-06-11 | 3M Innovative Properties Company | Light converting construction |
JP2010074090A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Meijo Univ | 発光素子、発光素子用サファイア基板及び発光素子用サファイア基板の製造方法 |
JP2012526399A (ja) * | 2009-05-08 | 2012-10-25 | 1366 テクノロジーズ インク. | 堆積膜の選択的除去のための多孔質リフトオフ層 |
JP2011023639A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Alps Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2013511151A (ja) * | 2009-11-17 | 2013-03-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 光吸収性基板の表面の微細構造化 |
JP2011146522A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Panasonic Corp | 基板の加工方法 |
JP2015212710A (ja) * | 2010-11-15 | 2015-11-26 | アメリカ合衆国 | 垂直ナノワイヤアレイ上の穿孔コンタクト電極 |
JP2012186195A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US9159880B2 (en) | 2011-03-03 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
US9437779B2 (en) | 2011-03-03 | 2016-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2012186427A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US8835954B2 (en) | 2011-03-08 | 2014-09-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
US9142728B2 (en) | 2011-03-08 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
KR101256979B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2013-04-19 | 전북대학교산학협력단 | 쐐기 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2013143469A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Aurotek Corp | ナノ微細構造の製造方法 |
JP2015026826A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-02-05 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板、半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法、および、半導体発光素子の製造方法 |
WO2016064258A1 (ko) * | 2014-10-24 | 2016-04-28 | 일진엘이디(주) | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7645625B2 (en) | 2010-01-12 |
CN101454913A (zh) | 2009-06-10 |
US20090114944A1 (en) | 2009-05-07 |
KR20090009812A (ko) | 2009-01-23 |
DE112007000793T5 (de) | 2009-04-02 |
TW200802976A (en) | 2008-01-01 |
WO2007114503A1 (ja) | 2007-10-11 |
TWI420690B (zh) | 2013-12-21 |
GB0818657D0 (en) | 2008-11-19 |
GB2450452A (en) | 2008-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007273746A (ja) | 固体表面の微細加工方法および発光素子 | |
TWI635624B (zh) | Semiconductor light emitting element and method of manufacturing same | |
KR101862500B1 (ko) | 광학 기판, 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자의 제조 방법 | |
JP6049875B2 (ja) | Led用パタンウェハ、及びled用エピタキシャルウェハ | |
JP4481894B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2008091880A (ja) | マイクロおよびナノ構造の作製方法 | |
JP5435523B1 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR20180061093A (ko) | 나노패턴의 형성방법, 발광소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 발광소자 | |
KR20180060585A (ko) | 나노패턴의 형성방법, 발광소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 발광소자 | |
KR100893260B1 (ko) | 기능성 박막, 그 제조방법 및 이를 이용한 표시장치 | |
US7811846B2 (en) | Semiconductor devices grown in spherical cavity arrays and its preparation method | |
JPWO2020054792A1 (ja) | 突状構造体、基板、その製造方法、及び発光素子 | |
KR102135531B1 (ko) | 발광소자용 기판 및 그 제조방법 | |
KR101392999B1 (ko) | 화합물반도체 선택적 결정 성장 방법 | |
KR20110096990A (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080131 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080515 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111025 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120306 |