KR100893260B1 - 기능성 박막, 그 제조방법 및 이를 이용한 표시장치 - Google Patents

Abstract

기저부 위에 미세 입자와 용매가 포함된 용액을 도포하는 단계; 상기 용매를 제거하는 단계; 상기 미세 입자의 크기를 줄이는 단계; 상기 미세 입자를 포함한 기저부에 투명막을 도포하는 단계; 및 상기 미세 입자를 제거하는 단계를 포함하여 단순하고, 저렴한 광효율을 향상시키는 기능성 박막의 제조 방법을 제공하며, 또한 오목부 및 상기 오목부의 외곽을 감싸는 볼록부를 포함하는 기저부; 및 상기 기저부 상에 위치하며, 상기 오목부에 연장되는 구멍을 포함하는 투명막을 포함하여 광효율을 향상시키는 기능성 박막 및 이를 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다.

나노 파티클, 미세 입자, 외부광효율, 나노 패턴, 표시 장치

Description

기능성 박막, 그 제조방법 및 이를 이용한 표시장치{Functional Thin Film, Fabrication Method of using the same, and Display Device by using the same}

도 1은 종래기술의 표시장치에 대한 정면도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 대한 정면도이다.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시예에 따른 기능성 박막 제조방법에 대한 공정을 단면도와 평면도를 함께 도시한 것이다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 식각하는 시간별 미세 입자의 사진이다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 중 도 3e에 대응되는 공정에서의 기능성 박막의 단면사진이다.

도 6a 내지 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 중 도 3f 내지 도 3g에 대응되는 공정에서의 기능성 박막의 단면사진과 평면사진이다.

도 7은 본 발명의 실시예와 비교예에 대한 비교 그래프를 도시한 것이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 종래기술의 표시장치, 101 : 기판,

102 : 버퍼층, 103 : N 타입 질화물 층,

104 : 발광층, 105 : P 타입 질화물 층,

111 : 제 1 전극, 112 : 제 2 전극,

200 : 본 발명의 표시장치, 201 : 기판,

202 : 버퍼층, 203 : N 타입 질화물 층,

204 : 발광층, 220 : 기능성 박막층,

221, 1100 : 기저부, 222 : 투명막,

211 : 제 1 전극, 212 : 제 2 전극,

1210 : 제 1 크기 미세 입자, 1211 : 제 2 크기 미세 입자,

1220 : 용매, 1300 : 투명막,

1310 : 구멍, 1320 : 오목부,

1321 : 볼록부.

미국 특허공개번호 20070076417,

미국 특허등록번호 6476550,

대한민국 특허공개번호 2006-0089971,

미국 특허공개번호 20060255282.

본 발명은 광 효율을 높이기 위한 기능성 박막 및 그 제조 방법에 관한 것이며, 또한 본 발명은 상기 기능성 박막이 채용된 표시장치에 관한 것이다.

표시장치에서 취출되는 광원은 관찰자의 시야에 들어오기 전까지 표시장치내에 형성된 다양한 매질층에 의해 굴절을 하게 되며, 광원의 각도에 따라서는 매질층에서 전반사를 하여 관찰자의 시야에 들어오지 못하여 광효율이 떨어지는 문제점이 있었다.

도 1을 참조하여 종래의 표시소자에서의 문제점을 설명하면 다음과 같다.

일반적으로 질화물 반도체 발광 소자는 사파이어 기판을 사용한 기판(101)상에 버퍼층(102)을 형성하고, 그 위에 N 타입 질화물층(103)을 형성하며, 그 상부의 일부에는 제 1 전극(111)을 형성하고, 나머지 층 상에 발광층(104), 그 상부에 P 타입 질화물층(105)을 형성하고, 마지막으로 제 2 전극(112)을 형성하여 전류를 공급하여 발광층(104)에서 발생하는 광원을 P 타입 질화물층(105)을 통하여 관찰자에게 표시하고자 하는 광을 전달하는 방식이다. 그러나, 일반적으로 사용되는 질화물 반도체는 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1이며, 광굴절률은 2.2 내지 2.9 사이의 값을 갖게 된다. 따라서, P 타입 질화물층(105)에서 공기로 광이 이동할 때 고굴절률층에서 저굴절률층으로 매질이 변함에 따라 전반사에 의해 광이 관찰자에게 전달되지 않는 현상이 일어나고, 이에 따라 LED의 외부양자효율은 10% 내지 20%에 불과한 문제점이 있다.

이러한 문제를 해결하기 위하여 다양한 문헌에서 미세 패턴을 광 취출부에 형성함에 따라 전반사되는 빛의 양을 최소화하여 광효율을 극대화하려는 시도가 이루어지고 있다.

종래기술 문헌 미국 특허공개번호 20070076417호에서는 액정표시장치의 백라이트 유닛 중 도광판의 광 추출부에 격자구조를 형성하여 광효율을 높이는 기술이 기재되어 있으나, 포토 리쏘그라피 방법에 의한 것으로 표시장치의 광 취출부에 형성하는 나노 사이즈 미세 패턴을 형성하기 어렵다는 문제가 있다.

또한, 종래기술 문헌 미국 특허등록번호 6476550호에서는 유기 전계 발광 소자의 광 반사면 또는 광 취출면에 미세 패턴인 회절격자 구조를 형성하여 광효율을 높이는 기술이 기재되어 있으나, 나노 사이즈 미세 패턴인 회절 격자 구조를 형성하는 방법에 대해서는 상세히 기재되어 있지 않다.

또한, 종래기술 문헌 대한민국 특허공개번호 2006-0089971호에서는 발광소자의 상부면에 미세 패턴을 형성함에 있어서, 공정을 단순화하기 위하여 나노 분말을 형성한 후 나노 분발을 마스크로 하여 발광소자의 상부면에 미세 패턴을 식각 형성하는 방법이 기재되어 있으나, 나노 분말들 사이의 간격을 제어하여 원하는 패턴을 형성하기 어려운 문제가 있다.

또한, 종래기술 문헌 미국 특허공개번호 20060255282호에서는 나노 분말을 형성한 후 나노 분말을 식각하여 사이즈를 줄인 후에 나노 분말을 마스크로 하여 반도체의 상부면에 미세 패턴을 식각 형성하는 방법이 기재되어 있어, 상기 종래기술 문헌 대한민국 특허공개번호 2006-0089971호에서 언급된 문제점인 나노 분말들 사이의 간격을 제어하는 문제점은 해결되었으나, 미세 패턴을 형성하기 위해서는 이후 나노 분말을 마스크로 식각 공정을 수행하여야 하는 문제점이 있다.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 광효율을 향상시키기 위한 기능성 박막을 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 광효율을 향상시키기 위한 기능성 박막을 복잡하지 않고, 저렴한 공정으로 제조할 수 있는 제조 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 광효율이 향상된 표시장치를 제공하는 데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기능성 박막 제조방법은, 기저부 위에 미세 입자와 용매가 포함된 용액을 도포하는 단계; 상기 용매를 제거하는 단계; 상기 미세 입자의 크기를 줄이는 단계; 상기 미세 입자를 포함한 기저부에 투명막을 도포하는 단계; 및 상기 미세 입자를 제거하는 단계를 포함한다.

상기 미세 입자를 제거하는 단계 이후에 상기 투명막을 마스크로하여 상기 기저부를 식각하는 단계를 더 포함한다.

상기 미세 입자는 폴리머, 산화물, 질화물, 금속 및 실리카 중 하나를 포함한다.

상기 기저부 위에 미세 입자와 용매가 포함된 용액을 도포하는 방법은 스핀 코팅 방법이다.

상기 스핀코팅 방법은 적어도 서로 다른 회전속도를 갖는 2 단계 이상으로 구분된다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기능성 박막은, 오목부 및 상기 오목부의 외곽을 감싸는 볼록부를 포함하는 기저부; 및 상기 기저부 상에 위치하며, 상기 오목부에 연장되는 구멍을 포함하는 투명막을 포함한다.

상기 기저부와 상기 투명막은 서로 다른 광 굴절률을 갖는다.

상기 투명막은 전도성 산화막을 포함한다.

상기 오목부의 면적은 상기 볼록부의 면적보다 작다.

상기 오목부는 상기 구멍과 모양은 동일하며 면적은 작다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 상기 기능성 박막을 포함한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는, 제 1 전극; 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극에 의해 이동되는 전류의 이동 경로상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 기저부; 및 상기 기저부 상에 위치하며, 복수의 구멍을 포함하는 투명막을 포함한다.

상기 제 2 전극은 상기 구멍을 통하여 상기 기저부와 전기적으로 연결된다.

상기 기저부는 오목부 및 상기 오목부의 외곽을 감싸는 볼록부를 포함한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 대한 정면도를 나타낸 것으 로, 본 실시예는 본 발명의 기능성 박막을 반도체 발광 다이오드에 적용한 예를 사용하여 설명한다.

본 발명의 표시장치(200)는 Al₂O₃계열의 성분으로 된 사파이어 기판등을 이용한 기판(201)상에 질화갈륨(GaN)으로 버퍼층(202)을 50nm로 형성하고, 버퍼층(202)상에 사수소화 실리콘(Si:H4) 또는 이수소화 실리콘(Si₂H₆)가스를 이용하여 GaN층인 N 타입 질화물층(203)을 성장시켜 8㎛로 형성하고, N 타입 질화물층(203)상의 일부에 제 1 전극(211)을 형성하고, 또 다른 일부에 InGaN로 된 활성층을 성장시켜 발광층(204)을 15nm로 형성하고, 발광층(204)상에 AlGaN(Mg)로된 P 타입 질화물로 구성된 기저부(221)를 1㎛로 형성한다.

이하 도 3a 내지 도 3g에서 설명될 기능성 박막 제조방법에 의해 기저부(221) 및 투명막(220)을 포함한 기능성 박막(220)을 형성하고, 기능성 박막(220)상에 제 2 전극(212)을 형성하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(200)를 구성한다.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시예에 따른 기능성 박막 제조방법에 대한 공정을 단면과 평면도를 함께 도시한 것으로, 도 3a는 도 2에서 언급한 기저부(221)에 대응되는 부분으로 기저부(1100)를 준비하는 단계이다.

도 3b는 기저부(1100)상에 제 1 크기 미세입자(1210)와 용매(1220)를 포함한 용액을 도포하는 단계를 도시한 것으로, 금속, 질화물, 산화물, 또는 유기 고분자 중 어느 하나 이상으로 구성된 제 1 크기 미세 입자(1210)를 물, 아세톤, 또는 메 탄올 등의 용매(1220)에 혼합한 용액을 준비하는데, 제 1 크기 미세 입자(1210)는 어떠한 물질이어도 상관없으나, 폴리스타일렌, 옥사이드, 메탈, 또는 실리카등이 바람직하며, 이후에 제 1 크기 미세 입자(1210)의 크기를 줄이기 위해 사용되는 식각 가스 또는 식각 용액에 대응되는 물질을 선택하는 것이 바람직하며, 크기는 기능성 박막의 미세 패턴의 피치를 고려하여 선택하는 것이 바람직하다.

본 발명의 실시예에서는 물을 사용한 용매(1220)에 직경이 300nm인 폴리스타일렌을 사용한 제 1 크기 미세 입자(1210)를 2:1의 부피비로 혼합한 용액을 사용하였다.

이렇게 준비된 제 1 크기 미세 입자(1210)와 용매(1220)를 포함한 용액을 기저부(1100)상에 스핀코팅방법으로 형성하였다. 이때, 코팅된 막에 제 1 크기 미세입자(1210)의 균일한 배열을 위하여 분당회전수(RPM)을 조절하여 적어도 2단계 이상으로 스핀코팅을 실시하는 것이 바람직하며, 본 발명의 실시예에서는 3단계로 분당회전수(RPM)를 제어하였다.

제 1 크기 미세 입자(1210)와 용매(1220)를 포함한 용액을 기저부(1100)에 떨어뜨린 후 제 1 단계로 분당회전수를 500RPM으로 60초 동안 회전시켜서 제 1 크기 미세 입자(1210)가 배열할 수 있도록 하고, 제 2 단계로 분당회전수를 1200RPM으로 60초 동안 회전시켜서 제 1 크기 미세 입자(1210)가 서로 패키징 될 수 있도록 하고, 마지막 제 3 단계로 분당회전수를 3000RPM으로 60초 동안 회전시켜 제 1 크기 미세 입자(1210)가 2층 이상으로 배열된 것을 1층으로 형성되도록 한다.

도 3c는 제 1 크기 미세 입자(1210)와 용매(1220)를 포함한 용액이 기저 부(1100)에 코팅된 후 용매(1220)를 가열하여 증발시켜서 기저부(1100)상에 제 1 크기 미세 입자(1210)만 남도록 하는 단계이다.

도 3d는 기저부(1100)상의 제 1 크기 미세 입자(1210)를 식각하여 그 크기를 줄여 제 2 크기의 미세 입자(1211)간의 간격을 형성하는 단계로, 식각은 건식 식각 또는 습식 식각 중 어떠한 방법을 사용하여도 상관없으나, 미세 입자(1210,1211)로 사용된 물질에 따라 식각 가스 또는 식각 용액이 선택되어야 하며, 또한 기저부가 식각되지 않게 하기 위하여 기저부의 물질을 고려하여 선택되어야 한다. O2, CF4, 및/또는 CF4+H2를 사용하는 건식 식각 방법인 가스반응성 이온 에칭(RIE), 또는 유도결합 플라즈마 에칭(ICP)을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 식각하는 시간에 따라 제 2 크기 미세 입자(1211)들 간의 간격을 제어할 수 있다.

본 발명의 실시예에서는 O₂가스를 이용한 가스 반응성 이온 에칭(RIE)을 사용하여 60초간 제 1 크기 미세 입자(1210)를 식각하여 제 2 크기 미세 입자(1211)를 형성하였다.

도 3e는 제 2 크기 미세 입자(1211)들 사이에 투명막(1300)을 형성하는 단계로, 제 2 크기 미세 입자(1211)를 포함한 기저부(1100) 상에 투명막(1300)을 증착하였다. 여기에서, 투명막(1300)은 전도성인 것이 바람직하며, 전도성 투명막으로는 ITO, IZO, ZnO, 또는 Ni 이나 Au와 같은 일부 메탈을 사용할 수 있다.

본 발명의 실시예에서는 표시장치에 일반적으로 사용되는 ITO를 이온 빔 증착기를 이용하여 50nm로 형성하였다.

도 3f는 제 2 크기 미세 입자(1211)를 제거하여 기저부(1100) 상에 패터닝되어 단면이 사다리꼴로 형성된 투명막(1300)을 갖는 기능성 박막(220)을 구성하는 단계로, CH₂Cl₂용액을 이용하여 제 2 크기 미세 입자(1211)를 제거하여, 평면도상의 제 2 크기 미세입자(1211)의 형상과 대응되는 구멍(1310)을 형성하였다.

도 3f에서 설명한 단계에 의해 제조된 기능성 박막(220)의 기능을 좀더 향상시키기 위하여 도 3g에 설명하는 단계를 더 추가하여 제조할 수도 있다.

도 3g는 패터닝된 투명막(1300)을 마스크로 하여 기저부(1100)를 식각함으로서 기능성 박막(220)의 패턴의 깊이를 더 증가시켜 광효율을 더욱 향상시키는 단계로, 기저부(220)에 사용된 AlGaN(Mg)으로된 질화물층을 식각하기 위하여 Cl2, BCl3, HBr, 또는 Ar가스를 사용하는 유도결합 플라즈마 에칭방법(ICP)등의 건식 식각 방법 또는 KOH, 또는 HPO₄등의 용액을 사용하는 습식 식각 방법을 사용할 수 있다.

이렇게 하여 기저부(1100)는 투명막(1300)을 마스크로 하여, 투명막(1300)의 구멍(1310)에 대응되는 부분이 식각되어 오목부(1320)과 볼록부(1321)를 포함하는 기능성 박막(220)을 제조하였다.

본 발명의 실시예에서는 건식 식각 방법 중 유도결합 플라즈마 에칭방법(ICP)을 사용하였으며, 식각 가스로는 BCl₃를 이용하였다.

도 4는 제 1 크기 미세 입자(1210)를 식각하는 시간에 따른 제 2 크기 미세 입자(1211)의 크기 변화 및 간격의 변화를 보여주기 위한 사진으로 30초, 60초, 90 초 및 120초의 실험 결과 사진을 보여주고 있다.

즉, 제 1 크기 미세 입자(1210)의 크기는 기능성 박막(220)에 형성되는 미세 패턴의 피치에 관계가 되며, 제 2 크기 미세 입자(1211)의 크기는 기능성 박막(220)에 형성되는 미세 패턴의 형상, 즉 투명막(1300)의 구멍(1310)의 크기 또는, 기저부(1100)에 형성되는 오목부(1320)과 볼록부(1321)의 형상 및 깊이에 관계가 되는데, 미세 패턴의 피치, 즉 주파수는 발광부(204)에서 발생되는 빛의 주파수의 배수가 되는 것이 바람직하며, 본 발명의 실시예에서는 피크 주파수가 약 430nm인 빛에 대해 직경이 300nm인 제 1 크기 미세 입자(1210)를 사용함으로써 미세 패턴의 피치가 빛의 주파수의 약 0.7배 되도록 설정하였으며, 제 1 크기 미세 입자(1210)을 60초간 식각하여 직경이 240nm인 제 2 크기 미세 입자(1211)를 형성하여 투명막(1300)의 구멍(1310)의 크기는 상부를 약 240nm, 하부를 약 160nm로 형성하였다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 중 도 3e에 대응되는 공정에서의 기능성 박막의 단면사진으로, 투명막(1300)이 제 2 크기 미세 입자(1211)들 사이의 간격을 통해 기저부(1100)상에 사다리꼴의 형상으로 형성되는 것을 보여주고 있다.

도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 중 도 3f에 대응되는 기능성 박막의 단면사진과 평면사진으로, 평면상으로는 제 2 크기 미세 입자(1211)의 형상 및 크기에 대응되는 구멍(1310)이 형성되고, 단면상으로는 구멍(1310)들 사이에 사다리꼴 형상이 형성되는 것을 보여주고 있다.

도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 중 도 3g에 대응되는 공정에서의 기능성 박막의 단면사진과 평면사진으로, 평면상으로 구멍(1310)에 대응되는 형상을 유지하며, 단면상으로 기저부(1100)가 투명막(1300)의 구멍(1310)의 경사부에 연장되어 오목부(1320)과 볼록부(1321)를 형성되는 것을 보여주고 있다.

도 7은 본 발명의 실시예와 종래기술의 비교예를 이용한 실험결과를 통한 본 발명의 효과를 보여주는 그래프이다.

<비교예 1>은 도 1에 도시한 질화물 반도체를 Al₂O₃계열의 성분으로된 사파이어 기판등을 이용한 기판(101)상에 질화갈륨(GaN)으로 버퍼층(102)을 50nm로 형성하고, 버퍼층(102)상에 사수소화 실리콘(Si:H4) 또는 이수소화 실리콘(Si₂H₆)가스를 이용하여 GaN층인 N 타입 질화물층(103)을 성장시켜 8㎛로 형성하고, N 타입 질화물층(103)상의 일부에 제 1 전극(111)을 형성하고, 또 다른 일부에 InGaN로 된 활성층을 성장시켜 발광층(104)을 15nm로 형성하고, 발광층(104)상에 AlGaN(Mg)로된 P 타입 질화물로 구성된 기저부(121)를 1㎛로 형성하였다. 비교예 1의 표시장치에서 발생하는 빛을 측정한 결과로 피크 파장 430nm에서 약 1300a.u.(angstrom unit)를 나타내고 있다.

<비교예 2>는 상기 비교예 1상에 투명 산화막인 ITO를 50nm로 형성한 후에 측정한 결과로 피크 파장 430nm에서 약 900a.u.(angstrom unit)를 나타내고 있다.

<실시예 1>은 본 발명의 일 실시예에 따른 구성으로 Al₂O₃계열의 성분으로된 사파이어 기판등을 이용한 기판(201)상에 질화갈륨(GaN)으로 버퍼층(202)을 50nm로 형성하고, 버퍼층(202)상에 사수소화 실리콘(Si:H4) 또는 이수소화 실리콘(Si₂H₆)가 스를 이용하여 GaN층인 N 타입 질화물층(203)을 성장시켜 8㎛로 형성하고, N 타입 질화물층(203)상의 일부에 제 1 전극(211)을 형성하고, 또 다른 일부에 InGaN로된 활성층을 성장시켜 발광층(204)을 15nm로 형성하고, 발광층(204)상에 AlGaN(Mg)로된 P 타입 질화물로 구성된 기저부(221)를 1㎛로 형성하고, 투명막(1300)의 구멍(1310)의 크기는 상부를 약 240nm, 하부를 약 160nm로 미세 패턴된 투명막(1300)만을 형성한 후 측정한 결과로 피크 파장 430nm에서 약 1600a.u.(angstrom unit)를 나타내고 있다.

<실시예 2>는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 구성으로 상기 실시예 1에서 상기 투명막(1300)을 마스크로 하여, 투명막(1300)의 구멍(1310)에 대응되는 기저부(221)를 식각하여 오목부(1320)와 볼록부(1321)를 더 형성한 후에 측정한 결과로 피크 파장 430nm에서 약 2400a.u.(angstrom unit)를 나타내고 있다.

따라서, 도 7에서 보여주는 비교예 1에 비해서 실시예 1의 경우 약 1.23배의 광효율이 증가하였으며, 실시예 2의 경우는 약 1.85배의 광효율이 증가하였으며, 비교예 2에 비해서는 실시예 1의 경우 1.78배의 광효율이 증가하였으며, 실시예 2의 경우는 약 2.67배의 광효율이 증가하였다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 미세 입자를 이용하여 단순하고, 저렴한 공정을 이용한 미세 패턴이 형성된 기능성 박막 및 이를 제조하는 방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면, 이러한 기능성 박막을 이용하여 광효율이 향상된 표시장치를 제공할 수 있다.

Claims (14)

1. 기저부와 투명막을 포함하는 기능성 박막의 제조 방법에 있어서,

   상기 기저부 위에 미세 입자와 용매가 포함된 용액을 도포하는 단계;

   상기 용매를 제거하는 단계;

   상기 미세 입자의 크기를 줄이는 단계;

   상기 미세 입자를 포함한 상기 기저부에 상기 투명막을 도포하여 상기 미세 입자들 사이의 이격공간을 매립하는 단계; 및

   습식 식각을 이용하여 상기 미세 입자를 제거하는 단계를 포함하는 기능성 박막 제조 방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 미세 입자를 제거하는 단계 이후에 상기 투명막을 마스크로하여 상기 기저부를 식각하는 단계를 더 포함하는 기능성 박막 제조 방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 미세 입자는 폴리머, 산화물, 질화물, 금속 및 실리카 중 하나를 포함하는 기능성 박막 제조 방법.
4. 제 1항에 있어서, 상기 기저부 위에 미세 입자와 용매가 포함된 용액을 도포하는 방법은 스핀코팅 방법인 것을 특징으로 하는 기능성 박막 제조 방법.
5. 제 4항에 있어서, 상기 스핀코팅 방법은 적어도 서로 다른 회전속도를 갖는 2 단계 이상으로 구분되는 기능성 박막 제조 방법.
6. 오목부 및 원형의 상기 오목부 주변에 돌출된 형상의 볼록부를 가지는 기저부; 및

   상기 볼록부의 상부에 구비된 투명막을 포함하고,

   상기 기저부와 상기 투명막은 서로 다른 광 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 기능성 박막.
7. 삭제
8. 제 6항에 있어서, 상기 투명막은 전도성 산화막을 포함하는 기능성 박막.
9. 제 6항에 있어서, 상기 오목부의 면적은 상기 볼록부의 면적보다 작은 기능성 박막.
10. 삭제
11. 삭제
12. 기판;

    상기 기판 상에 형성된 버퍼층;

    상기 버퍼층 상에 형성된 N 타입 질화갈륨층;

    상기 N 타입 질화갈륨층 상에 형성된 발광층;

    상기 발광층 상에 형성된 기능성 박막층;

    상기 N 타입 질화갈륨층 상의 일측부에 형성된 제1 전극; 및

    상기 기능상 박막층 상부에 형성된 제2 전극을 포함하고,

    상기 기능성 박막층은 오목부 및 원형의 상기 오목부 주변에 돌출된 형상의 볼록부를 가지는 기저부와,

    상기 볼록부의 상부에 구비된 투명막을 포함하고,

    상기 기저부와 상기 투명막은 서로 다른 광 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
13. 삭제
14. 삭제

Images