JP2012186195A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第1電極層と、第2電極層と、を備える。構造体は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。第2電極層は、構造体の第2半導体層の側に設けられる。第2電極層は、金属部と、複数の開口部と、を有する。金属部は、第1半導体層から第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10nm以上、50nm以下である。開口部は、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、円相当直径が10nm以上、5μm以下である。第1電極層は、構造体の第1半導体層の側に設けられる。第1電極層は、金属製であって、第1半導体層と接する部分を有する。
【選択図】図1
Description
構造体は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。
第2電極層は、構造体の第2半導体層の側に設けられる。
第2電極層は、金属部と、複数の開口部と、を有する。
金属部は、第1半導体層から第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル(nm)以上、50nm以下である。
開口部は、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、円相当直径が10nm以上、5マイクロメートル(μm)以下である。
第1電極層は、構造体の第1半導体層の側に設けられる。
第1電極層は、金属製であって、第1半導体層と接する部分を有する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、以下の説明では、一例として、第1導電形をn形、第2導電形をp形とした具体例を挙げる。
図1は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的斜視図である。
第1の実施形態に係る半導体発光素子110は、構造体100、第1電極層30、第2電極層20、を備える。
構造体100に含まれる第1半導体層51、活性層53及び第2半導体層52は、図示しない成長用基板(例えば、サファイア基板)の上で結晶成長した層である。
なお、実施形態では、説明の便宜上、構造体100の第2半導体層52の側を表面側または上側、構造体100の第1半導体層51の側を裏面側または下側とする。また、第1半導体層51から第2半導体層52に向かう方向に沿った積層方法をZ方向とする。
円相当直径=2×(面積/π)1/2
ここで、面積は、開口部21のZ方向からみたときの面積である。
また、半導体発光素子110では、第1半導体層51の裏面側に金属製の第1電極層30が設けられていることから、半導体発光素子110で発生した熱を、第1電極層30を介して効率良く放出できる。
すなわち、半導体発光素子110によれば、発光層530での発光効率の向上、第2電極層20からの放出光の輝度の向上を図ることが可能となる。
半導体発光素子110は、例えばGaNの電流拡散層511を備え、この電流拡散層511の上に、例えばSiがドープされたn形GaNによるクラッド層512と、InGaNによる発光層530と、p形AlGaNによるクラッド層521と、を含むヘテロ構造が形成される。
コンタクト層に用いられる材料は、例えば、コンタクト層に隣接する電流拡散層522の材料、及び、第2電極層20に用いられる材料に基づいて適切に選択すればよい。
ここで、構造体100のZ軸方向に沿った厚さは、数μm以上、20μm以下である。第1電極層30のZ方向に沿った厚さを1μm以上、500μm以下にすることが好ましく、より好ましくは、10μm以上、100μm以下である。
そして、実施形態に係る半導体発光素子110において、発光層530から放出された光は、第2半導体層52の第2電極層20が設けられた全面から外部に放出される。半導体発光素子110は、例えば、中心波長400nm以上、650nm以下の光を放出する。
図2は、シミュレーション計算に用いた半導体発光素子を例示する模式的断面図である。
図2(a)は、実施形態に係る半導体発光素子110を例示する模式的断面図である。
半導体発光素子110では、第1電極層30が第1半導体層51の裏面側に設けられている。
図2(b)は、参考例に係る半導体発光素子190を例示する模式的断面図である。
半導体発光素子190では、第1電極層39が第1半導体層51の表面側の一部に設けられている。
なお、いずれの図においても、パッド電極202はチップの中央にあったり、端にあってもよい。
図3は、半導体発光素子の特性を例示する図である。
図3(a)は、半導体発光素子の電流−出力特性を例示している。
図3(b)は、半導体発光素子の電圧−電流特性を例示している。
図3(a)に表したように、半導体発光素子190の電流−出力特性では、電流が所定の値(Ipk)を超えると出力の飽和が発生している。半導体発光素子190では、第1電極層39の抵抗値が第1電極層30の抵抗値よりも大きいため、電流の増加に伴い第1電極層39の周辺の発熱が増加する。この発熱の増加によって、電流Ipkを超えると出力の低下が発生すると考えられる。
また、第2電極層20の金属部23の材料となる金属には、例えば、Ag、Auをベース金属とすることが好ましい。これにより、吸収損失が抑制できる。さらに、金属部23の材料となる金属には、Al、Zn、Zr、Si、Ge、Pt、Rh、Ni、Pd、Cu、Sn、C、Mg、Cr、Te、Se、Tiから選択された少なくとも1つの材料または合金であることが好ましい。これにより、オーミック性、密着性、耐熱性が向上する。金属部23の材料となる金属には、十分な導電性および熱伝導性を有しているものを用いることが望ましい。ただし、実施形態はこれに限定されず、任意の金属を用いることができる。
なお、複数の電流供給源が設けられている場合には、各電流供給源のそれぞれに対応して第2電極層20の金属部23が連続していればよい。
次に、第2の実施形態を説明する。第2の実施形態は、半導体発光素子の製造方法である。
開口部を有する第2電極層を形成させる方法のひとつは、電子線描画による方法である。この方法を利用した第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、次の工程を備える。
すなわち、当該製造方法は、成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成し、当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程(a1)と、当該金属層の上にレジスト膜を形成する工程(a2)と、当該レジスト膜に電子線を照射し、現像し、複数の第1レジスト開口部及び第2レジスト開口部を有するレジスト層を形成する工程(a3)と、当該レジスト層をマスクとして当該金属層をエッチングし、複数の開口部を有する第2電極層を形成する工程(a4)と、構造体から成長用基板を剥離した後、構造体の第1半導体層側に第1半導体層と接する部分を有する金属製の第2電極層を形成する工程(a5)と、を備える。
図4は、電子線描画を利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。
先ず、図4(a)に表したように、サファイア基板等の成長用基板10上に第1半導体層51を形成し、第1半導体層51上に活性層53を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。
次いで、第2半導体層52の上に金属層20Aを形成する。その後、金属層20Aと第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、所定時間のアニールを行う。次に転写層としてシリコン酸化膜201Aを例えば真空蒸着する。そして、シリコン酸化膜201Aの上に電子線用のレジスト膜200Aの層を形成する。
次に、表面である第2電極20側に、電極保護用の樹脂をコーティングし、さらに補助基板(図示せず)を貼り付ける。
次に、剥がした裏面に銀をスパッタし、さらにメッキで銀を約50μm積層させ、第1電極層30を形成する。
そして、表面の樹脂を有機溶媒により溶解することで補助基板(図示せず)を剥離する。最後にダイシングにより素子を分離し、半導体発光素子110を完成させる。
第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の別のひとつは、型を利用するものである。その方法は、次の工程を備える。
すなわち、当該製造方法は、成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成し、当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程(b1)と、当該金属層の上にレジスト膜を形成する工程(b2)と、レジスト膜に、凸部を有する型の凸部を押し付けて、当該レジスト膜に複数のレジスト凹部を有するレジスト層を形成する工程(b3)と、当該レジスト層をマスクとして当該金属層をエッチングし、レジスト凹部に対応した複数の開口部を有する第2電極層を形成する工程(b4)と、構造体から成長用基板を剥離した後、構造体の第1半導体層側に第1半導体層と接する部分を有する金属製の第1電極層を形成する工程(b5)と、を備える。
図5は、型を利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。
先ず、図5(a)に表したように、サファイア基板等の成長用基板10上に第1半導体層51を形成し、第1半導体層51上に活性層53を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。
次いで、第2半導体層52の上に金属層20Aを形成する。その後、金属層20Aと第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、所定時間のアニールを行う。そして、金属層20Aの上に転写層としてシリコン酸化膜201Aを例えば真空蒸着する。さらにレジスト膜801Aの層を形成する。
例えば、型802の凸部802aが設けられた転写面において、複数の凸部802aが設けられている。
型802は、例えば石英上に電子線リソグラフィにて所望の構造を形成させることにより製造することができる。なお、型802の材料及び型802の微細凹凸構造の形成手法はこれに限定されない。例えば、型802を後述するブロックコポリマー(ブロック共重合体)の自己組織化や、微粒子マスクを用いた方法により形成することも可能である。
次に、表面である第1電極20側に、電極保護用の樹脂をコーティングし、さらに補助基板(図示せず)を貼り付ける。
次に、剥がした裏面に銀をスパッタし、さらにメッキで銀を約50μm積層させ、第1電極層30を形成する。
そして、表面の樹脂を有機溶媒により溶解することで補助基板(図示せず)を剥離する。最後にダイシングにより素子を分離し、半導体発光素子110を完成させる。
第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の別のひとつは、ブロックコポリマーの自己組織化による相分離を利用するものである。その方法は、次の工程を備える。
すなわち、当該製造方法は、成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成し、当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程(c1)と、当該金属層の少なくとも一部の表面にブロックコポリマーを含む組成物を塗布し、当該ブロックコポリマーを相分離させてミクロドメインパターンを生成する工程(c2)と、当該ミクロドメインパターンをマスクとして当該金属層をエッチングして、複数の開口部を有する第2電極層を形成する工程(c3)と、構造体から成長用基板を剥離した後、構造体の第1半導体層側に第1半導体層と接する部分を有する金属製の第1電極層を形成する工程(c4)と、を備える。
図6は、ブロックコポリマーの自己組織化を利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。
先ず、図6(a)に表したように、サファイア基板等の成長用基板10上に第1半導体層51を形成し、第1半導体層51上に活性層53を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。
次いで、第2半導体層52の上にコンタクト層14を形成し、その上に金属層20Aを形成する。その後、金属層20Aと第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、所定時間のアニールを行う。そして、金属層20Aの上に、例えばシリコン酸化膜701Aを形成する。
次に、表面である第1電極20側に、電極保護用の樹脂をコーティングし、さらに補助基板(図示せず)を貼り付ける。
次に、剥がした裏面に銀をスパッタし、さらにメッキで銀を約50μm積層させ、第1電極層30を形成する。
そして、表面の樹脂を有機溶媒により溶解することで補助基板(図示せず)を剥離する。最後にダイシングにより素子を分離し、半導体発光素子110を完成させる。
第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の別のひとつは、シリカ等の微粒子の単分子層をマスクとして利用するものである。その方法は、次の工程を備える。
すなわち、当該製造方法は、成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成し、当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程(d1)と、当該金属層の上にレジスト膜を形成する工程(d2)と、当該レジスト膜の表面に微粒子の単粒子層を形成させる工程(d3)と、当該単粒子層をマスクとして当該レジスト膜をエッチングし、開口部を有するレジスト層を形成する工程(d4)と、当該レジスト層の開口部に無機物質を充填して逆パターンマスクを形成する工程(d5)と、当該逆パターンマスクをマスクとして当該金属層をエッチングし、複数の開口部を有する第2電極層を形成する工程(d6)と、構造体から成長用基板を剥離した後、構造体の第1半導体層側に第1半導体層と接する部分を有する金属製の第1電極層を形成する工程(d7)と、を備える。
図7は、微粒子のマスクを利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。
先ず、図7(a)に表したように、成長用基板10上に第1半導体層51を形成し、第1半導体層51上に活性層53を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。
次いで、第2半導体層52の上にコンタクト層14を形成し、その上に金属層20Aを形成する。その後、金属層20Aと第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、所定時間のアニールを行う。そして、金属層20Aの上にレジスト膜601Aの層を形成する。
次に、表面である第1電極20側に、電極保護用の樹脂をコーティングし、さらに補助基板(図示せず)を貼り付ける。
次に、剥がした裏面に銀をスパッタし、さらにメッキで銀を約50μm積層させ、第1電極層30を形成する。
そして、表面の樹脂を有機溶媒により溶解することで補助基板(図示せず)を剥離する。最後にダイシングにより素子を分離し、半導体発光素子110を完成させる。
実施例1では、上記(A)の電子線描画を利用した方法に準じて半導体発光素子111を製造する。
実施例2では、上記(C)のブロックコポリマーの自己組織化を利用した方法に準じて半導体発光素子112を製造する。
比較のため、第2半導体層52上に円形のパッド電極のみを形成した半導体発光素子191を形成する(参考例1)。
また、図2(b)に例示した半導体発光素子190のように、開口部21を有する第2電極層20を形成し、第1電極を構造体100の第1半導体層の一部に設けた図2(b)のような半導体発光素子192も作成する(参考例2)。
同図において、横軸は電流、縦軸は出力である。
これは、構造体100の上側に第2電極層20が設けられていることで、半導体発光素子111、112及び192の電流拡散の均一性と放熱性とが向上したことによるものである。
さらに、高電流領域でも出力の低下は発生していない。
第2電極層20の面積にも依存するが、一般に100mA以上の電流量において、半導体発光素子111及び112による効果が顕著となる。
図9は、変形例に係る半導体発光素子を例示する模式的断面図である。
本変形例に係る半導体発光素子120においては、構造体100の第1半導体層51の側に支持基板が設けられている。支持基板には、Z軸方向に貫通する貫通孔10hが設けられている。そして、第1電極層30は、この貫通孔10hを介して第1半導体層51と接している。ここで、支持基板10Sは、成長用基板10であってもよい。
本変形例に係る半導体発光素子120においては、構造体100の材料として窒化物半導体が用いられている。
また、第1の導電形をn形、第2の導電形をp形として説明したが、第1の導電形をp形、第2の導電形をn形としても実施可能である。
Claims (10)
- 第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体と、
前記構造体の前記第2半導体層の側に設けられた第2電極層であって、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル以上、50ナノメートル以下である金属部と、前記方向に沿って前記金属部を貫通し、前記方向にみたときの外形の円相当直径が10ナノメートル以上、5マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する第2電極層と、
前記構造体の前記第1半導体層の側に設けられ、前記第1半導体層と接する部分を有する金属製の第1電極層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1半導体層、前記第2半導体層及び前記発光層は、窒化物半導体を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極層の前記方向に沿った厚さは1マイクロメートル以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極層は、めっきによって形成されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記構造体の前記第1半導体層の側に設けられ、前記方向に沿った貫通孔を有する支持基板をさらに備え、
前記第1電極層は、前記貫通孔を介して前記第1半導体層と接することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成する工程と、
前記第2半導体層の上に、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル以上、50ナノメートル以下の金属層を形成する工程と、
前記金属層の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクにして前記金属層をエッチングし、前記方向にみたときの形状の円相当直径が10ナノメートル以上、5マイクロメートル以下である複数の開口部を有する電極層を形成する工程と、
前記構造体から前記成長用基板を剥離した後、前記構造体の前記第1半導体層の側に、前記第1半導体層と接する部分を有する金属製の第1電極層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記マスクパターンを形成する工程では、
前記金属層の上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜に凸部を有する型の前記凸部を押し付けて、前記レジスト膜に複数のレジスト凹部を有するレジストパターンを形成することを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記マスクパターンを形成する工程では、
前記金属層の上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜に電子線または光を照射したのちに現像し、前記レジスト膜に複数のレジスト開口部が設けられたレジストパターンを形成することを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記マスクパターンを形成する工程では、
前記金属層の上にブロックコポリマー膜を形成し、前記ブロックコポリマー膜をミクロ相分離させ、ブロックコポリマー膜の1相を除去することにより、複数の開口部を作成し、前記開口部が得られたブロックコポリマー膜をマスクに用いることを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記マスクパターンを形成する工程では、
前記金属層の上に単層の微粒子を形成し、前記単層の微粒子を樹脂で固定化したのち、微粒子を除去することで樹脂膜に複数の開口部を作成し、前記開口部が樹脂膜をマスクに用いることを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019518328A (ja) * | 2016-05-13 | 2019-06-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | レーザスクライビング/プラズマエッチングによるハイブリッドのウエハ個片化処理用エッチングマスク |
JP2021185591A (ja) * | 2020-05-25 | 2021-12-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5433609B2 (ja) | 2011-03-03 | 2014-03-05 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
DE102011017196A1 (de) | 2011-04-15 | 2012-10-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Polarisierte Strahlung emittierender Halbleiterchip |
KR20130039076A (ko) * | 2011-10-11 | 2013-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI695523B (zh) | 2015-02-17 | 2020-06-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體晶片 |
JP2016178234A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 株式会社東芝 | 半導体受光デバイス |
WO2017011474A1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-01-19 | Sensor Electronic Technology, Inc. | P-type contact to semiconductor heterostructure |
US10236415B2 (en) | 2015-07-13 | 2019-03-19 | Sensor Electronic Technology, Inc. | P-type contact to semiconductor heterostructure |
CN106486572B (zh) | 2015-09-02 | 2020-04-28 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光二极管芯片 |
US10361346B2 (en) * | 2015-10-27 | 2019-07-23 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same |
TWI626766B (zh) * | 2017-06-01 | 2018-06-11 | 錼創科技股份有限公司 | 發光元件 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6384084A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JPH10256602A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JP2000174339A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系半導体発光素子およびGaN系半導体受光素子 |
JP2001148511A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Showa Denko Kk | 半導体発光ダイオード |
JP2002033512A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
JP2003309286A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2004071655A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
JP2004119839A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2005039264A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置 |
JP2005064475A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2006245379A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2007123446A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2007273746A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体表面の微細加工方法および発光素子 |
JP2008187204A (ja) | 2008-04-25 | 2008-08-14 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2008263023A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii−v族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法 |
JP2009231689A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2010520640A (ja) * | 2007-03-08 | 2010-06-10 | クリー インコーポレイテッド | 電流低減構造体を有する発光デバイス及び電流低減構造体を有する発光デバイスを形成する方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04236468A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-25 | Toshiba Corp | 光通信用発光ダイオ−ド素子 |
US6291839B1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-09-18 | Lulileds Lighting, U.S. Llc | Light emitting device having a finely-patterned reflective contact |
JP3940546B2 (ja) | 1999-06-07 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
JP4443097B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2010-03-31 | ソニー株式会社 | GaN系半導体素子の作製方法 |
JP4130163B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2008-08-06 | 三洋電機株式会社 | 半導体発光素子 |
KR100571818B1 (ko) * | 2003-10-08 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100586949B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2006-06-07 | 삼성전기주식회사 | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 |
US7569863B2 (en) * | 2004-02-19 | 2009-08-04 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device |
US8089093B2 (en) * | 2004-02-20 | 2012-01-03 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device including different concentrations of impurities |
KR100634503B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100638732B1 (ko) * | 2005-04-15 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 |
KR20070088145A (ko) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
JP5571870B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2014-08-13 | 株式会社東芝 | 極微細構造を有する光透過型金属電極およびその製造方法 |
JP5283926B2 (ja) | 2008-02-25 | 2013-09-04 | 株式会社東芝 | 光透過型金属電極およびその製造方法 |
US7856040B2 (en) * | 2008-09-24 | 2010-12-21 | Palo Alto Research Center Incorporated | Semiconductor light emitting devices with non-epitaxial upper cladding |
CN102217102B (zh) * | 2008-11-14 | 2015-07-15 | 三星电子株式会社 | 半导体发光器件 |
JP2011054598A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-03-03 JP JP2011046266A patent/JP2012186195A/ja active Pending
- 2011-08-31 US US13/222,281 patent/US9159880B2/en active Active
-
2015
- 2015-06-17 US US14/741,789 patent/US9437779B2/en active Active
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6384084A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JPH10256602A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JP2000174339A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系半導体発光素子およびGaN系半導体受光素子 |
JP2001148511A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Showa Denko Kk | 半導体発光ダイオード |
JP2002033512A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
JP2003309286A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Sharp Corp | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2004071655A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
JP2004119839A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2005039264A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置 |
JP2005064475A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2006245379A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2007123446A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2007273746A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体表面の微細加工方法および発光素子 |
JP2010520640A (ja) * | 2007-03-08 | 2010-06-10 | クリー インコーポレイテッド | 電流低減構造体を有する発光デバイス及び電流低減構造体を有する発光デバイスを形成する方法 |
JP2008263023A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii−v族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法 |
JP2009231689A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2008187204A (ja) | 2008-04-25 | 2008-08-14 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019518328A (ja) * | 2016-05-13 | 2019-06-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | レーザスクライビング/プラズマエッチングによるハイブリッドのウエハ個片化処理用エッチングマスク |
JP2021185591A (ja) * | 2020-05-25 | 2021-12-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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Publication number | Publication date |
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