JPH10320772A - 高密度磁気記録媒体作製法およびこれによる高密度磁気記録媒体 - Google Patents
高密度磁気記録媒体作製法およびこれによる高密度磁気記録媒体Info
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- JPH10320772A JPH10320772A JP13191297A JP13191297A JPH10320772A JP H10320772 A JPH10320772 A JP H10320772A JP 13191297 A JP13191297 A JP 13191297A JP 13191297 A JP13191297 A JP 13191297A JP H10320772 A JPH10320772 A JP H10320772A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性粒子を孤立化させた記録ビットを持つ高
密度磁気記録媒体を作製すること。 【解決手段】 ２次元に配列した直径数ナノメートルか
ら数マイクロメートルの微粒子をマスクとして用い、リ
ソグラフィー技術により磁性粒子を孤立化させた記録ビ
ットを持つ磁気記録媒体を作製する。
密度磁気記録媒体を作製すること。 【解決手段】 ２次元に配列した直径数ナノメートルか
ら数マイクロメートルの微粒子をマスクとして用い、リ
ソグラフィー技術により磁性粒子を孤立化させた記録ビ
ットを持つ磁気記録媒体を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高密度記録媒体の作
製法およびこれによる高密度記録媒体に関する。
製法およびこれによる高密度記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化社会の要求に従い、磁気ディ
スクなど記録メディアの高密度化が進んでいる。それに
伴い、情報を書き込む単位であるビットの微小化が要求
されている。現在の磁気記録の場合、連続磁気記録媒体
にビットとして磁性粒子を書き込んでいくため、ビット
を微小化、高密度化した場合、磁性粒子間の相互作用に
起因する媒体ノイズが増大し、情報を正確に読めなくな
る可能性が大きい。
スクなど記録メディアの高密度化が進んでいる。それに
伴い、情報を書き込む単位であるビットの微小化が要求
されている。現在の磁気記録の場合、連続磁気記録媒体
にビットとして磁性粒子を書き込んでいくため、ビット
を微小化、高密度化した場合、磁性粒子間の相互作用に
起因する媒体ノイズが増大し、情報を正確に読めなくな
る可能性が大きい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この問題を回避するた
め、磁性粒子を孤立化させた記録ビットを持つ磁気記録
媒体が提案されている（S. Y. Chou，et al.，J. Appl.
Phys. 76(1994)， PP6673-6675）。磁性粒子が孤立し
た構造の磁気記録媒体の作製方法として、半導体素子作
成技術の応用が考えられる。しかし、現在最も一般的な
光リソグラフィーによる一括転写法では一つの構成要素
の表面積の大きさを１００ｎｍ2より小さくした構造を
作製することは困難である。一方、電子線描画法で行っ
た場合、より微細な構造物はできるが、ウエハ全面を描
画し作製するのに時間がかかり作製単価がかかる。
め、磁性粒子を孤立化させた記録ビットを持つ磁気記録
媒体が提案されている（S. Y. Chou，et al.，J. Appl.
Phys. 76(1994)， PP6673-6675）。磁性粒子が孤立し
た構造の磁気記録媒体の作製方法として、半導体素子作
成技術の応用が考えられる。しかし、現在最も一般的な
光リソグラフィーによる一括転写法では一つの構成要素
の表面積の大きさを１００ｎｍ2より小さくした構造を
作製することは困難である。一方、電子線描画法で行っ
た場合、より微細な構造物はできるが、ウエハ全面を描
画し作製するのに時間がかかり作製単価がかかる。
【０００４】本発明の目的は磁性粒子を孤立化させた記
録ビットを持つ高密度磁気記録媒体を容易に作成する方
法およびこれにより作成した高密度磁気記録媒体を提供
することである。
録ビットを持つ高密度磁気記録媒体を容易に作成する方
法およびこれにより作成した高密度磁気記録媒体を提供
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目標を達成するため
に、本発明では、一層二次元に配列したラテックス球や
シリカ球、金属コロイド等の直径数ナノメートルから数
マイクロメートルの微粒子をマスクとして用い、リソグ
ラフィー技術により磁性粒子を孤立化させた記録ビット
を持つ磁気記録媒体を作製することを特徴とする。
に、本発明では、一層二次元に配列したラテックス球や
シリカ球、金属コロイド等の直径数ナノメートルから数
マイクロメートルの微粒子をマスクとして用い、リソグ
ラフィー技術により磁性粒子を孤立化させた記録ビット
を持つ磁気記録媒体を作製することを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のパターン形成方法を図
１、図２を用いて説明する。
１、図２を用いて説明する。
【０００７】図１(a)は、基板１表面に直径数ナノメー
トルから数マイクロメートルの実質的に大きさがそろっ
た微粒子２を一層二次元に密着した状態になるように配
列させた状態の斜視図を示す。この状態の微粒子に対し
て、図示は省略したが、酸素を用いた反応性イオンエッ
チングを施し、配列された微粒子の相互間に隙間を作
る。図１(b)に、斜視図で示すように、相互間に隙間を
持つように配列された微粒子をマスクとし基板１の表面
にマスク材３を蒸着する。このマスク材３は、磁性体あ
るいは非磁性体のいずれでも良い。図１(b)は基板１の
表面にマスク材３が蒸着された状態を微粒子２とともに
模式的に断面で示す拡大図である。その後、基板１に超
音波による洗浄操作を行うことにより、図１(c)に側面
部を断面で示した斜視図で示すように、微粒子２を取り
除く。微粒子２が取り除かれると、図１(b)を参照して
明らかなように、基板１の表面に残ったマスク材３は微
粒子２のあった部分のみがかけた状態のマスクを形成す
る。これをマスクとして、図１(d)に側面部を断面で示
した斜視図で示すように、異方性エッチングにより基板
１の表面から垂直に円筒形の穴を開ける。次いで、図１
(e)に側面部を断面で示した斜視図で示すように、この
円筒形の穴に磁性体４を埋め込み磁性粒子を孤立化させ
た記録ビットを持つ磁気記録媒体を作製する。
トルから数マイクロメートルの実質的に大きさがそろっ
た微粒子２を一層二次元に密着した状態になるように配
列させた状態の斜視図を示す。この状態の微粒子に対し
て、図示は省略したが、酸素を用いた反応性イオンエッ
チングを施し、配列された微粒子の相互間に隙間を作
る。図１(b)に、斜視図で示すように、相互間に隙間を
持つように配列された微粒子をマスクとし基板１の表面
にマスク材３を蒸着する。このマスク材３は、磁性体あ
るいは非磁性体のいずれでも良い。図１(b)は基板１の
表面にマスク材３が蒸着された状態を微粒子２とともに
模式的に断面で示す拡大図である。その後、基板１に超
音波による洗浄操作を行うことにより、図１(c)に側面
部を断面で示した斜視図で示すように、微粒子２を取り
除く。微粒子２が取り除かれると、図１(b)を参照して
明らかなように、基板１の表面に残ったマスク材３は微
粒子２のあった部分のみがかけた状態のマスクを形成す
る。これをマスクとして、図１(d)に側面部を断面で示
した斜視図で示すように、異方性エッチングにより基板
１の表面から垂直に円筒形の穴を開ける。次いで、図１
(e)に側面部を断面で示した斜視図で示すように、この
円筒形の穴に磁性体４を埋め込み磁性粒子を孤立化させ
た記録ビットを持つ磁気記録媒体を作製する。
【０００８】図２(a)は、基板５表面に直径数ナノメー
トルから数マイクロメートルの実質的に大きさがそろっ
た微粒子６を一層二次元に密着した状態になるように配
列させた状態の斜視図を示す。この状態の微粒子に対し
て、図示は省略したが、酸素を用いた反応性イオンエッ
チングを施し、配列された微粒子の相互間に隙間を作
る。図２(b)に斜視図で示すように、相互間に隙間を持
つように配列された微粒子６をマスクとし基板５に異方
性エッチングを施し、微粒子６の無い部分に対応する位
置の基板を取り除く。その後、基板５に超音波による洗
浄操作を行うことにより、図２(c)に斜視図で示すよう
に、微粒子６を取り除く。その結果、基板５の上に基板
５と同じ材料からなる多数の円柱が形成された原版が得
られる。図２(d)に側面部を断面で示した斜視図で示す
ように、この原版を利用してレプリカを作製し、表面に
多数の配列した円筒形の穴８を有する基板７を得る。次
いで、図２(e)に側面部を断面で示した斜視図で示すよ
うに、その穴に磁性体９を埋め込み磁性粒子を孤立化さ
せた記録ビットを持つ磁気記録媒体を作製する。
トルから数マイクロメートルの実質的に大きさがそろっ
た微粒子６を一層二次元に密着した状態になるように配
列させた状態の斜視図を示す。この状態の微粒子に対し
て、図示は省略したが、酸素を用いた反応性イオンエッ
チングを施し、配列された微粒子の相互間に隙間を作
る。図２(b)に斜視図で示すように、相互間に隙間を持
つように配列された微粒子６をマスクとし基板５に異方
性エッチングを施し、微粒子６の無い部分に対応する位
置の基板を取り除く。その後、基板５に超音波による洗
浄操作を行うことにより、図２(c)に斜視図で示すよう
に、微粒子６を取り除く。その結果、基板５の上に基板
５と同じ材料からなる多数の円柱が形成された原版が得
られる。図２(d)に側面部を断面で示した斜視図で示す
ように、この原版を利用してレプリカを作製し、表面に
多数の配列した円筒形の穴８を有する基板７を得る。次
いで、図２(e)に側面部を断面で示した斜視図で示すよ
うに、その穴に磁性体９を埋め込み磁性粒子を孤立化さ
せた記録ビットを持つ磁気記録媒体を作製する。
【０００９】ナノスケール構造のレプリカ作成技術はPe
ter R. Krauss等が提案する圧縮によるナノインプリン
ト（P R. Krauss，et al.，J. Vac. Sci. Technol. B13
(1995)，PP．2850-2852 ）で直径25nm、高さ５０nmの構
造物が複製できることが報告されている。
ter R. Krauss等が提案する圧縮によるナノインプリン
ト（P R. Krauss，et al.，J. Vac. Sci. Technol. B13
(1995)，PP．2850-2852 ）で直径25nm、高さ５０nmの構
造物が複製できることが報告されている。
【００１０】本発明では、ラテックス球やシリカ球、金
属コロイド等の直径数ナノメートルから数マイクロメー
トルの微粒子をマスクとして用いるため、高価な電子線
描画装置や露光装置を必要としない。また各微粒子に対
応して形成され、配列した磁性粒子は孤立化されたもの
となるから、孤立化された記録ビットを持つ高密度磁気
記録媒体を容易に、安価に作製することができる。
属コロイド等の直径数ナノメートルから数マイクロメー
トルの微粒子をマスクとして用いるため、高価な電子線
描画装置や露光装置を必要としない。また各微粒子に対
応して形成され、配列した磁性粒子は孤立化されたもの
となるから、孤立化された記録ビットを持つ高密度磁気
記録媒体を容易に、安価に作製することができる。
【００１１】以下に、この発明の実施例を図に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１２】実施例１ 本実施例の高密度記録媒体の作製法を図３を用いて説明
する。図３(a)〜(e)は本実施例の要点を示した行程図で
ある。いずれの図も断面図である。
する。図３(a)〜(e)は本実施例の要点を示した行程図で
ある。いずれの図も断面図である。
【００１３】シリコン基板１０の表面に電極層１１とし
てクロムと金を真空蒸着によりそれぞれ10nmと50nm積層
し、その表面に磁性粒子埋込層１２として酸化シリコン
をスパッタ蒸着法で100nm積層した表面に、直径50nmの
ラッテックス球の分散溶液を滴下し、乾燥させることに
より微粒子１３を一層二次元に配列させる（図３
(a)）。基板１０はシリコンの他、酸化シリコン、ポリ
カーボネイト、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレ
ン、スチレンアクリロニトリルでも良い。また、電極層
１１は金の他に電界メッキをする際、磁性体の析出電極
として使用できる銅、銀、白金でもよい。また、磁性粒
子埋込層１２は酸化シリコンの他、異方性エッチングが
でき、非磁性かつ低電気伝導なシリコン、窒化シリコン
でも良い。微粒子１３はラッテックス球の他、酸化シリ
コン球でも良い。微粒子１３を一層二次元に配列させる
方法は上記方法の他、回転塗布法でも良い。
てクロムと金を真空蒸着によりそれぞれ10nmと50nm積層
し、その表面に磁性粒子埋込層１２として酸化シリコン
をスパッタ蒸着法で100nm積層した表面に、直径50nmの
ラッテックス球の分散溶液を滴下し、乾燥させることに
より微粒子１３を一層二次元に配列させる（図３
(a)）。基板１０はシリコンの他、酸化シリコン、ポリ
カーボネイト、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレ
ン、スチレンアクリロニトリルでも良い。また、電極層
１１は金の他に電界メッキをする際、磁性体の析出電極
として使用できる銅、銀、白金でもよい。また、磁性粒
子埋込層１２は酸化シリコンの他、異方性エッチングが
でき、非磁性かつ低電気伝導なシリコン、窒化シリコン
でも良い。微粒子１３はラッテックス球の他、酸化シリ
コン球でも良い。微粒子１３を一層二次元に配列させる
方法は上記方法の他、回転塗布法でも良い。
【００１４】このようにして作製したものに対し、酸素
を用いた反応性イオンエッチング（以下「RIE」とい
う）で微粒子１３表面を10nmエッチングして微粒子間の
隙間を開けた後、マスク１４として白金をスパッタ蒸着
法で10nm積層する（図３(b)）。マスク１４は白金の
他、磁性粒子埋込層１２を異方エッチングする際のマス
クに使用できる金、銅、アルミニウムでもよい。その
後、クロロホルム溶液に浸して超音波洗浄を施こすこと
により微粒子１３を除去し、微粒子があったところだけ
磁性粒子埋込層１２が表面に出ていて他の表面はマスク
１４により覆われた表面を得る（図３(c)）。
を用いた反応性イオンエッチング（以下「RIE」とい
う）で微粒子１３表面を10nmエッチングして微粒子間の
隙間を開けた後、マスク１４として白金をスパッタ蒸着
法で10nm積層する（図３(b)）。マスク１４は白金の
他、磁性粒子埋込層１２を異方エッチングする際のマス
クに使用できる金、銅、アルミニウムでもよい。その
後、クロロホルム溶液に浸して超音波洗浄を施こすこと
により微粒子１３を除去し、微粒子があったところだけ
磁性粒子埋込層１２が表面に出ていて他の表面はマスク
１４により覆われた表面を得る（図３(c)）。
【００１５】このようにして作製したものをフッ化炭素
を用いたRIEで磁性粒子埋込層１２を電極層１１に達す
るまで100nm異方性エッチングし、直径30nm、深さ100nm
の円筒形の穴を作製する（図３(d)）。その後、電極層
１１を電極として電気メッキにより磁性体１５としてニ
ッケルを穴の中に埋め込むことにより、50nm間隔で配列
した直径30nm、深さ100nmの磁性粒子を孤立化させた記
録ビットを持つ磁気記録媒体を作製することができる
（図３(e)）。また、電気メッキにより穴の中に埋め込
む磁性体１５はニッケルの他、鉄、コバルト、鉄−コバ
ルト−ニッケル合金、テルビウム−鉄−コバルト合金、
コバルト−クロム−タンタル合金または白金−コバルト
合金でも良い。
を用いたRIEで磁性粒子埋込層１２を電極層１１に達す
るまで100nm異方性エッチングし、直径30nm、深さ100nm
の円筒形の穴を作製する（図３(d)）。その後、電極層
１１を電極として電気メッキにより磁性体１５としてニ
ッケルを穴の中に埋め込むことにより、50nm間隔で配列
した直径30nm、深さ100nmの磁性粒子を孤立化させた記
録ビットを持つ磁気記録媒体を作製することができる
（図３(e)）。また、電気メッキにより穴の中に埋め込
む磁性体１５はニッケルの他、鉄、コバルト、鉄−コバ
ルト−ニッケル合金、テルビウム−鉄−コバルト合金、
コバルト−クロム−タンタル合金または白金−コバルト
合金でも良い。
【００１６】さらに、磁性体を埋め込む方法は電気メッ
キの他、真空蒸着法、あるいはスパッタ蒸着法により穴
の内部を含む表面全体に磁性体を積層しポリッシングに
より穴の外の磁性体を除去しても良い。この場合は電極
層１１を省略できる。
キの他、真空蒸着法、あるいはスパッタ蒸着法により穴
の内部を含む表面全体に磁性体を積層しポリッシングに
より穴の外の磁性体を除去しても良い。この場合は電極
層１１を省略できる。
【００１７】本実施例においては、電極層１１は磁性体
を埋め込むための電気メッキの電極として利用されたも
のである。しかし、この電極層１１は磁気記録媒体を使
用する場合の放電用電極として有用である。すなわち、
本実施例によって製作される様な磁気記録媒体は形状異
方性が大きいから、記録が安定である反面書き込みが困
難になる面がある。そのため、書き込み時には、記録ビ
ットに対応する位置を加熱する等の工夫がなされること
が多い。これを電子線を照射する形で行うときは、記録
媒体自体が帯電してしまう可能性があるが、本実施例に
おける電極層１１を磁気記録媒体の放電用電極として、
使用時に接地する形で使用すれば、記録媒体自体の帯電
防止に有用である。
を埋め込むための電気メッキの電極として利用されたも
のである。しかし、この電極層１１は磁気記録媒体を使
用する場合の放電用電極として有用である。すなわち、
本実施例によって製作される様な磁気記録媒体は形状異
方性が大きいから、記録が安定である反面書き込みが困
難になる面がある。そのため、書き込み時には、記録ビ
ットに対応する位置を加熱する等の工夫がなされること
が多い。これを電子線を照射する形で行うときは、記録
媒体自体が帯電してしまう可能性があるが、本実施例に
おける電極層１１を磁気記録媒体の放電用電極として、
使用時に接地する形で使用すれば、記録媒体自体の帯電
防止に有用である。
【００１８】実施例２ 本実施例の高密度記録媒体の作製法を図４を用いて説明
する。図４(a)〜(d)は本実施例の要点を示した行程図で
ある。いずれの図も断面図である。
する。図４(a)〜(d)は本実施例の要点を示した行程図で
ある。いずれの図も断面図である。
【００１９】シリコン基板２０の表面に、直径50nmのラ
ッテックス球の分散水溶液を滴下し、乾燥させることに
より微粒子２１を一層二次元に配列させる（図４
(a)）。基板２０はシリコンの他、酸化シリコン、アル
ミニウム、銅、タングステン、チタンでも良い。微粒子
２１はラッテックス球の他、酸化シリコン球でも良い。
微粒子２１を一層二次元に配列させる方法は上記方法の
他、回転塗布法でも良い。
ッテックス球の分散水溶液を滴下し、乾燥させることに
より微粒子２１を一層二次元に配列させる（図４
(a)）。基板２０はシリコンの他、酸化シリコン、アル
ミニウム、銅、タングステン、チタンでも良い。微粒子
２１はラッテックス球の他、酸化シリコン球でも良い。
微粒子２１を一層二次元に配列させる方法は上記方法の
他、回転塗布法でも良い。
【００２０】このようにして作製したものに対し、酸素
を用いたRIEで微粒子２１表面を10nmエッチングして微
粒子間の隙間を開けた後、微粒子２１をマスクとしてRI
Eで基板２０を100nm異方性エッチングし、微粒子２１直
下に直径30nm、深さ100nmの円柱を作製する（図４
(b)）。その後、微粒子２１を取り除いたものを原版と
してレプリカ２２を圧縮成形により作製する（図４
(c)）。このレプリカ２２の材料としては種々のものが
採用できるが、細い円柱中に入っていくことが必要であ
るから、熱軟化性の材料が有利である。このようにして
作製した表面に直径30nm、深さ100nmの円筒形の穴を有
するレプリカ２２に実施例１と同様に真空蒸着法、スパ
ッタ蒸着法とポリッシングで磁性体２３としてニッケル
を埋め込み、50nm間隔で２次元に配列した直径30nm、深
さ100nmの磁性粒子を孤立化させた記録ビットを持つ磁
気記録媒体を作製することができる（図４(d)）。穴の
中に埋め込む磁性体２３はニッケルの他、鉄、コバル
ト、鉄−コバルト−ニッケル合金、テルビウム−鉄−コ
バルト合金、コバルト−クロム−タンタル合金または白
金−コバルト合金でも良い。なお、本発明による磁気記
録媒体では、文字どおりに等しい粒径の微粒子が使用で
きるわけではないから、磁気記録媒体の表面全体を見る
と孤立化された磁性粒子による記録ビットが、部分的に
乱れているということが起こりうる。このことは、孤立
化された磁性粒子による記録ビットを厳密に１対１にデ
ータに対応させて使用するときには障害になる可能性が
ありうる。しかし、現在の面記録でもそうであるが、１
データに対応する領域内に部分的に欠陥があること自体
は問題ではない。すなわち、磁気ヘッドの１データに対
応する領域内に少なくとも一つの孤立化された磁性粒子
による記録ビットが入るような使い方であれば、何ら支
障は無い。
を用いたRIEで微粒子２１表面を10nmエッチングして微
粒子間の隙間を開けた後、微粒子２１をマスクとしてRI
Eで基板２０を100nm異方性エッチングし、微粒子２１直
下に直径30nm、深さ100nmの円柱を作製する（図４
(b)）。その後、微粒子２１を取り除いたものを原版と
してレプリカ２２を圧縮成形により作製する（図４
(c)）。このレプリカ２２の材料としては種々のものが
採用できるが、細い円柱中に入っていくことが必要であ
るから、熱軟化性の材料が有利である。このようにして
作製した表面に直径30nm、深さ100nmの円筒形の穴を有
するレプリカ２２に実施例１と同様に真空蒸着法、スパ
ッタ蒸着法とポリッシングで磁性体２３としてニッケル
を埋め込み、50nm間隔で２次元に配列した直径30nm、深
さ100nmの磁性粒子を孤立化させた記録ビットを持つ磁
気記録媒体を作製することができる（図４(d)）。穴の
中に埋め込む磁性体２３はニッケルの他、鉄、コバル
ト、鉄−コバルト−ニッケル合金、テルビウム−鉄−コ
バルト合金、コバルト−クロム−タンタル合金または白
金−コバルト合金でも良い。なお、本発明による磁気記
録媒体では、文字どおりに等しい粒径の微粒子が使用で
きるわけではないから、磁気記録媒体の表面全体を見る
と孤立化された磁性粒子による記録ビットが、部分的に
乱れているということが起こりうる。このことは、孤立
化された磁性粒子による記録ビットを厳密に１対１にデ
ータに対応させて使用するときには障害になる可能性が
ありうる。しかし、現在の面記録でもそうであるが、１
データに対応する領域内に部分的に欠陥があること自体
は問題ではない。すなわち、磁気ヘッドの１データに対
応する領域内に少なくとも一つの孤立化された磁性粒子
による記録ビットが入るような使い方であれば、何ら支
障は無い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば磁
性粒子を孤立化させた記録ビットを持つ磁気記録媒体を
容易に作製することができる。
性粒子を孤立化させた記録ビットを持つ磁気記録媒体を
容易に作製することができる。
【図１】(a)−(e)は本発明の高密度記録媒体の作製手順
を示す概略図。
を示す概略図。
【図２】(a)−(e)は本発明の高密度記録媒体の他の作製
手順を示す概略図。
手順を示す概略図。
【図３】(a)−(e)は本発明の高密度記録媒体の他の作製
手順の実施例１の工程図。
手順の実施例１の工程図。
【図４】(a)−(d)は本発明の高密度記録媒体の他の作製
手順の実施例２の工程図。
手順の実施例２の工程図。
１：基板、２：微粒子、３：非磁性体、４：磁性体、
５：基板、６：微粒子、７：磁性体、１０：基板、１
１：電極層、１２：磁性粒子埋込層、１３：微粒子、１
４：マスク、１５：磁性体、２０：基板、２１：微粒
子、２２：レプリカ、２３：磁性体。
５：基板、６：微粒子、７：磁性体、１０：基板、１
１：電極層、１２：磁性粒子埋込層、１３：微粒子、１
４：マスク、１５：磁性体、２０：基板、２１：微粒
子、２２：レプリカ、２３：磁性体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 恭雄 埼玉県比企郡鳩山町赤沼2520番地 株式会 社日立製作所基礎研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】磁気媒体基板表面に実質的に大きさのそろ
った微粒子を２次元１層に密に配列すること、 該微粒子に該微粒子が配列された位置で粒径を縮小させ
る処理を施すこと、 前記磁気媒体基板表面側からマスク材を付着させるこ
と、 前記磁気媒体基板表面から前記微粒子を除去すること、 前記磁気媒体基板の前記除去された微粒子に対応する位
置にリソグラフィー技術により穿孔すること、 該穿孔に磁性材を埋めること、よりなることを特徴とす
る高密度記録磁気媒体の作製法。 - 【請求項２】前記磁気媒体基板が、支持基板、電極層、
磁性粒子埋込層の三層構造からなり、前記支持基板表面
に前記電極層があり、前記穿孔が前記電極層表面にまで
達するようになされるとともに前記穿孔への磁性材の充
填は該電極を析出電極として使用した電界メッキとした
請求項１に記載の高密度記録磁気媒体の作製法。 - 【請求項３】前記記録磁気媒体は、前記穿孔への磁性材
の充填後に表面を平坦化処理のための研磨がなされる請
求項１または２のいずれかに記載の高密度記録磁気媒体
の作製法。 - 【請求項４】基板表面に実質的に大きさのそろった微粒
子を２次元１層に密に配列すること、 該微粒子に該微
粒子が配列された位置で粒径を縮小させる処理を施すこ
と、 前記基板表面の微粒子の存在しない位置の基板材料をリ
ソグラフィー技術により除去して前記微粒子が配列され
た位置に対応して円柱の配列された構造物を形成するこ
と、 前記構造物表面から前記微粒子を除去すること、 前記微粒子の除去された前記構造物を原版として前記円
柱に対応する位置に穿孔を有する記録磁気媒体を形成す
ること、 該穿孔に磁性材を埋めること、よりなることを特徴とす
る高密度記録磁気媒体の作製法。 - 【請求項５】前記記録磁気媒体は、前記穿孔への磁性材
の充填後に表面を平坦化処理のための研磨がなされる請
求項４に記載の高密度記録磁気媒体の作製法。 - 【請求項６】磁気媒体基板が支持基板、電極層、磁性粒
子埋込層の三層構造であることを特徴とする高密度記録
磁気媒体。 - 【請求項７】前記電極層が記録時の放電用の電極として
使用される請求項６記載の高密度記録磁気媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13191297A JPH10320772A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 高密度磁気記録媒体作製法およびこれによる高密度磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13191297A JPH10320772A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 高密度磁気記録媒体作製法およびこれによる高密度磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10320772A true JPH10320772A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15069097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13191297A Pending JPH10320772A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 高密度磁気記録媒体作製法およびこれによる高密度磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10320772A (ja) |
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1997
- 1997-05-22 JP JP13191297A patent/JPH10320772A/ja active Pending
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