JPS58120255A - 平版印刷マスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明げ平版印刷マスクに関する１１％に、本発明は表
面のエツチングおよび表面への堆積（デボジッタ１ン）
を行うために使用するマスクに関す０ 科学および工学の多くの領域で、材料の表面にサブミク
ロン寸法のパターンを形成するためのサブミクロン加工
技術が必要とされている。このことｒ１％に平版印刷技
術の改良により個々の構成部品の寸法低下が行われてい
る電子産業において明らかである。

大抵のミクロ（微細〕加工技術は三次元マスクを形成す
るために微細線平版印刷法を用いてノくターンを輻射線
感応レジストに転写する。次に、これらのパターンはエ
ツチングにより材料の表面に転写される。

被エツチ面はエツチング剤による腐食に耐える物質すな
わちレジストでおおわれる。レジストａ、その下の被エ
ツチ領域が露出されるようにノ（ターニングされる。エ
ッチ工程後、レジストｈ除去され、エツチングにより所
望のパターンが表面に残される。輻射線感応レジストは
電離線によって誘起される化学的ま７？：は物理的変化
によってパターンの形成が可能なレジストである。レジ
ストが化学的にまたは物理的に変化せしめられた後、レ
ジストは現＠婆れる。レジスト現像により、レジスト照
射によりレジストの溶解綾が大きく変わる浴剤を用いて
レジスト嘆の溶解が行われる。微細線平版印刷で用いら
れ＜）レジストのほとんどに、適当な現像剤に対する醪
解度が照射により著しく増大するか′または減少するか
どうかにより２つの群に属するものとして機能的に分類
される重合体である。これらのレジストは各々普通ポジ
レジストおよびネガレジストと呼ばれている。

レジスト加工法Ｋに２つの基本的種類、すなわち、減法
（５ｕｂｓｔｒａｃｔｉｖｅ　）及び加法（ａｄｄｉｔ
ｉｖｅ）かめる。減法ミクロ加工法では、レジストは未
露光物置に液体または気体エッチ剤−普通各々湿式また
は乾式１．チングと呼ばれる−による腐食から保−する
。湿式エツチングでは、レジスト被債サンプルはエッチ
剤に浸漬されるかまたはエッチ剤がレジスト４ａ援面に
噴霧される。乾式エツチング法Ｋ１１−１３つの基本的
樵類すなわち化学エツチング、物理工、テングおよびこ
れら２つの混成エツチングが存在する。乾式化学エツチ
ングに、エッチ剤が気体−普通プラズマ中に生成する反
応性原子まｆｃハラシカルーであることを除いて湿式化
学工、チングと本質的に同じである。乾式物理エツチン
グは普通イオンミリングと呼ばれる。

コリメーターで平行にされたイオンビーＡＨ表面に当た
り、原子および原子群を物理的に追い出す。

この方法は主として物理的方法でめクー衝突イオンｉｆ
通化学的に不活性な楕であるー、したがって、レジスト
および基板の相対エッチ速度は大抵それらの相対的機械
的性質により決定逼れる。

加法ミクロ加工法では、基板のレジストにより保護され
ていない領域にのみ物質力；添力口される。

３つの方法すなわちリフ゛）゛オフ、メッキおよびイオ
ン注入が主として使用される。リフトオフ技術では、レ
ジストにはアンダーカットにより慎重にパターンが形成
てれ、その結果張り出したレジスト物質によりレジスト
側壁が保護される。次に一十分に照準された源たとえば
基板から遠くｌ＠ｔ′また蒸発源から物質がビームとし
て堆積場れる。レジストのアンダーカットがレジスト１
ｌｌ１４ｉｉｒｃ吻質ｄ！付着するのｔ妨げるように照
準を行うこと力１必要でおる。レジスト表面上の物質は
レジスト’ｔ−基板力）ら剥離する場合に除去され、・
クターン状の物質ｄｌ後に残される。

マイクロメータおよびそれ以下のレジスト特徴を正確に
再生する他の加法は、メッキである。レジストにより保
−されていない領域にのみ物質を付着させるために電気
メッキもまた無電解メッキも使用することが田来る。

レジスト加工を行うｌ＠３の広く使用されている加法に
、イオン注入である。基板を適当なイし学檀の普エネル
ギーイオン（典型的には数百ＫｅＶ　）で衝撃すること
により、物質の化学的、物理的ｔたに電気的特性が変え
られる。イオンエネルギーを調節することによりイオン
が留まる＠にイオンの範囲が変えられ、添加物質の深さ
分布の制御が可能ＶＣなる。

本発明σ基板表面に大面積の平版印刷マスクを製造する
方法である。マスクは、基板にコロイド粒子の単分子層
を粒子が基ｆｉ２ＶＣ固定されるように被覆することに
より形成される。使用する堆積技術により、コロイド粒
子會表面にランダムにまたに整然と配列させることが出
来る。次に、この粒子配列を平版印刷マスクとして使用
することが出来、そして適当なエツチング法によりラン
ダムなまｆＣは整然とした配列ｗｆｉ叡に転写すること
が出来る。平版印刷マスクは堆積マスクとして使用する
ことも出来る。

本発明は、平版印刷マスクを製造する方法でろゐ。マス
クは、基板にコロイド粒子の単分子層を実質的に全表面
（約９０ＣＸ）にわたって粒子が基板に固守されるよう
に被覆することにより形成場れる。基板はエッチすべき
物質であるがま斥けその表面に添加物質が堆積される。

基板にコロイド粒子の単分子層厚さのランダム配列を被
覆する技術に周知である。そのような被覆はランダムコ
ロイド被覆と呼ばれ、その製造方法は、Ｉｌ’ｅｒ、　
　米国特ｆｆ第３．４８５．６５８号；１１ｅｒ、　　
Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ｃｏ１１ｏｉｄ　　ａｎｄ
　　ＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ　２１．５／＋
９−５９４　（１９６／ｌ）　：　　　Ｌｌｅｒ。

Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃ
ｅｒａｍｉｃ　５ｏｃｉｅｔｙ４７　（４）、　１９４
−１９ａ　（１９６４）　：　　Ｍａｒｓｈａｌｌ　ａ
ｎｄＫｉｔｃｈｅｎｅｒ、　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃ
ｏ１１ｏｉｄ　ａｎｄ　Ｉｎｆｅｒ　−ｆａｃｅ　５ｃ
ｉｅｎｃｅ　２２．３４２−！５５１　（１９６６）　
：およびＰｅ１ｆｆｅｒ　ａｎｄ　Ｄｅｃｋｎｉａｎ、
米国特許第４．３１５．９５８号に記載されている。こ
れらのコーティング技術では、コロイド粒子は基板に静
電気により引き付けられ、粒子は表面に当る点に付着す
るので、コロイド粒子のランダム配列が基板上に堆積す
る。

コロイド粒子には基板と反対の表面電荷が誘起されるの
で静電引力が生じる。

紡速した表面電荷は、コロイドと基板の表面化学により
形成される。たとえば水Ｋｍ濁したコロイド粒子は水の
ｐＨｋ変えることにより調節することが出来る表面電荷
を獲得する。事実、多くのコロイド物質でｑ、ｐＨけコ
ロイドが零の正味電荷金持つように調節することが出来
、この状態は等電点と呼ばれる。同様に、大抵の基板物
質の表面化学により、基板が浸漬される水のｐ）ｌｔ−
制御することにより変えることが出来る表面電荷が形成
サレる３コロイドの電荷が基板と反対の場合、コロイド
粒子の単分子層を基板に引き付けることが出来る。コロ
イド粒子の単分子層ｔ−！１２に引き付けるのに要する
時間ぽ、コロイドと基板の相対電荷ならびにコロイドの
粒子源ｔにより左右される。典型的ＶＣｒ［、基板とコ
ロイドが対向的に帯電される場合、単分子層は１−２０
０秒以内に付着する。単分子層が付着した後、被覆基板
は洗浄して過剰の被覆物質が除去され、基板に空気また
は窒素が吹き付けられて乾燥され、被覆は基板上に固定
される、。

基板がコロイドと同じ電荷を獲得する場合、２つの技術
のうちの１つｔ用いてコロイド粒子を堆積させることが
出来る。コロイドと基板の等電点が異な名は、コロイド
懸濁液のｐ）（ｔＷｔ１４ｍ　Ｌ、て対向的に帯電しｆ
ｃｆ！面を得ることが出来る。またに、コロイドのｐＨ
ｖｉ−調節することが望ましくない場合、基板と反対の
電荷？持つ他のコロイドおよび所望のコロイド會堆積さ
せて基板の表面電荷の符号を変えることが出来る。基板
の表面電荷を逆にするために使用されるコロイド粒子の
大きさに所望のコロイドより小芒いことが好ましい。７
７８Ｆ細に述べるなら、基板の表面電荷ｒ逆にするため
に使用されるコロイドに、マスクの平版印刷特性を損わ
ないように十分に小さいことが必要である。

被覆中のコロイド粒子の組成は有機またに無機質であっ
てよく、粒子が帯醒表面を有するコロイド状態とするこ
とが出来る任意の物質からなっていてよい。さらに、粒
子は工、チ剤または堆積物質に抵抗性を持ち所望のパタ
ーンを生じるものでなければならない。これについては
以下に詳述する。

基板に単分子層厚の整然とした粒子配列を被覆する技術
でに、コロイドを被覆すべき基板を横切って流動格せな
がら施すことか必要である。配列の整然度は、粒径、基
板に引き付けられる度合および基板表面に沿う粒子流の
速＠に依存する。粒子のランダム配列を生じさせるため
に使用される方法に整然とした配列の形成にＩＩＬ接適
用することに出来ない。

コロ１ド粒子の整然とした配列ケ基板上に形成するＫｔ
／−１異なるコーティング法が使用される。この場合、
粒子に球形であることが必要である。コロイド粒子は、
被覆工程中基板を水平面で表面に垂Ｉｔな軸線を中心と
して（ロ）転させることにより整列格せることが出来る
。この場合、基板はスピンコーティング過程で粒子に整
列式せゐのに十分に平らであることが必要でろる。基板
の表面化学は、基板がコロイド懸濁液で濡れるように調
整逼れなければならない。コロイドが基板を濡らすこと
が出来ない場合、基板の表面化学は、対向的に帯電され
な小さいコロイド粒子のランダムなコロイド被覆を最初
に堆積することにより変えることが出来る１、整然とし
たコロイド被覆σ、コロイドｇ濁液倉基板ＶＣ′！Ｍ触
はせ、次いで基板倉コロイド粒子の密にバッキングをれ
た整列単分子層を生じるのに十分な速度で回転させるこ
とにより形成される。

コロイド葡基孜と接触させｆｃ後、１０−２０秒後にス
ピン工程會開始することが必要でめΦ。ｄ終回転速変が
余り小ていと、多層被覆が生成する。

最終回転速度が余り大きいと、単分子盾楼榎に空隙が生
じる。大きさが（Ｌ３−１５μｍの粒子の整列イヒけ、
粒子濃￥Ｖをコロイド懸濁液のｓｌ量％超にすることに
より向上される。粒子の整列化ｔｇらに向上ζせるＫは
、整然としたコロイド偵覆を堆積する曲に基板倉化学的
にエツチングすればよい。

大抵の用途の場合、最も便宜的なコロイド粒子ニ、重合
体球体たとえばポリスチレン、ポリジビニルベンゼンお
よヒポリビニルトルエンでろ心。

そのような球体に晋通輪濁重合またげエマルジ。

ン１ｆ台により製造される。そのような球体は５００人
〜２０ミクロンの大１！名で適宜製造することか出来る
。

ランダムコロイド平版印刷マスクの場合、本発明では任
意の大きさの基板上にマスクが形成される。しかしなが
ら、整然とした配列の場合、基板の大きさは回転時に過
剰のコロイド物質？消散するのに十分な大きさであるこ
とが必要である。たとえば、最小の大きさは約１２５　
ｉｎ　である。

第１図には、本発明により製造されたコロイド粒子が球
形である平版印刷マスクの概略図がポケれている。この
マスクは、基＠４ｆＣコロイド粒子２を付層・配列させ
たものである。基＄４は腐食されるべき物質でめり、必
要な支持体６により支持式ねる。

マスク２　ｆ　：ｒ−ｓ＋テマスクとして使用する場合
、球体２が付着した面にイオンビーム８を当てることが
出来る。８Ｒ２図は、基板４の内部にエッチにより形成
された微小円柱状ポストの概略図である。

入射イオンビームは球体２および基板４ｔエツチング除
去する。球体２と基板４の相対エッチ・重度により、エ
ッチされた基板４の形状が決まる。

エッチパターンはポスト１０の規則正しい配９りである
。各ポスト１０け、円筒形である。枦Ｊとなれば、基板
およびマスクをエツチングする方向性イオンビームは基
板に衝突する前に球形マスクの赤道によって停止される
からである。エッチング工程中マスクの直径がかなり戒
少するようにマスクおよび基板をエツチングし続けると
、マスクと基板の相対エッチ速度により扁球または長球
状ポストが形成され得ろ。

基板のエッチ速度がマスクより早い場合、長球ポストが
得られる。マスクのエッチ速度が基板よ勺早い場合、扁
球ポストが得られる。別法として、等方性プラズマエツ
チング法によりあるい（ｄ方向性エッチングエ橿中にｉ
合体を溶域させることにより半球形媒を形成することが
出来る。

本発明の平版印刷マスクの製造技術のｔｌＪ点ｅゴ、サ
ブミクロン構造のランダムなまたは規則正しい配列を持
ったエッチ面を大きな領域にわたって迅・案に形成出来
るということである。ミクロ構造の特徴的寸法は２桁州
変えることが出来る。これは、１４１外敏球体は〜２０
０Ａ〜４０μｍの大きさで得られるからである。粒子間
の平均距離はコロイド粒子の堆積に甲いる技術により決
まる。

さらに、平版印刷マスクは前述したように堆積マスクと
して使用することが出来る。この場合、物質は表面に付
着した粒子間に堆積されるであろう。

本発明の効用として、薄膜太膚′シ池の光学吸収特性を
最ｉ唖化するための制御された粗さの面の製造および増
大した表面ラマン効果の研究で使用するための種々の物
質の浦雌微小柱状構造の製造が挙げられる。

！１膜太陽電池の場合他の平版印刷技術よ妙優れたＦＩ
Ｊ点は、制御卸されたｒ４期性および様相の構造を目的
とするマスクを広範囲の物質上に大きな領域にわたって
きわめて短時間で形成出来る点である。

マスクは何平方インチもの領域にわたって１分未満で形
成することが出来る。この技術によりつくつたマスクか
らつくられた表面は、薄模太嚇−池の光学吸収％註の著
しい改良を可能にした。

注意深く制御された同期性および慢相の粗い表面は、こ
れらのマスクを用いて増大表面ラマン実験で用いるエツ
チングおよび「リフトオフ」技術によりつくられた。製
造の容易さおよび速寒も本発明の利点である。しかしな
がら、主な利点け、通常平版印刷技術で池の方法により
得ることが出来ない構造を１４造出来るという点である
。

同様に、制御された同期性および検相の徂い表面け、選
沢性太・場光吸収体として使用するために製造すること
も出来る。適当な寸法の顕微碗的構造を持つ表面は、吸
収２よび反射性の点で高度のスペクトル選択性を発揮す
る仁とが出来る。表面の特徴が入射波長と同じオーダー
の大きさである場合、共鳴散乱が起り、散乱体の物理的
および幾何学的特性の組合せから選択性が生じる。

スペクトル選択吸収面を製造する従来法として、平らな
表面に切質を化学的および物理的に堆積する方法、平ら
な表面を化学的または物理的手段によりエツチングする
６法および通常の光および°成子平版印刷により平らな
表面にレジストでパターンを描写する方法がある。（７
’ｌ：とえば、　Ｐｈｙｓｉｃｓｏｆ　’ｌ’ｈｉｎ　
Ｆｉｌｍｓ、Ｇｅｏｒｇ　Ｈａｓｓ　ａｎｄ　Ｍａｕｒ
ｉｃｅＨ，Ｆｒａｎｃｏｍｂｅ　ｅｄｓ　Ａｃａｄｅｍ
ｉｃ　Ｐｒｅｓｓ、Ｖｏｌ、１０゜１ｑ７ｓ、ｐｙ、　
５７）。堆積法およびエツチング法により形成される構
造は、堆積されるかまたはエッチされる物質の固有の特
性により制限を受ける。このようにして形成される表面
の物理的および幾何学的特性により、得られる選択吸収
体の範囲が制御さｔする２・４常の光および′嵯子平版
印刷でこれらの１薇を克服出来るが、しかし非常に小さ
い特徴を大きな頭載にわたって形成する場合実際的な制
約が生じる。

これに対し、通常平版印刷技術ではコロイドがレジスト
として作用する任意の物質で注意深く制御された周期性
および様相の非常に小さい特徴を大きな領域にわたって
迅速に形成することが出来る。すなわち、本発明の方法
は選択太陽吸収体の製造に応…した場合、特定の目的用
の吸収体を設計するに当ってより大きい寛容度を有する
。吸収体の設計に当って實えることが出来るパラメータ
ーにＦｉ３つすなわち物質の選択、微小桂状ボスト間の
横方向距離およびポストの高き対底部幅比（アスペクト
比）がある。

一般に、太陽吸収体のアスペクト比は１より大さくなけ
ればならない。さらに艮い囁け１ｏである。微小柱状ポ
ストは出来るだけ密にバッキングされていること、すな
わち可視光の波長〜この大きさの１０倍程変であること
が必要である。

太陽吸収体を冷却用放熱器の表面として用いる場合、吸
収体の物質はその反射率がα５〜２ミクロンの波長の光
に対しては出来るだけ零に近くかつ２〜２０ミクロンの
波長の光に対しては出来るだけ１に近いようｔこ選ぶこ
とが出来る。改熱器が熱くなるにつれて、再放射された
光子の波長はワインの変位法則によりより擾い波長に変
り、・夕熱器はより多くの吸収熱を保持する。

一般的な製造法の変形列について下記に述べる。

球形電合体粒子の代りに球形金属コロイド粒子を堆積さ
せてエッチマスクを形成することが出来る。これによっ
て、〜５０Ａという小さい構造を直接つくることが出来
る。これは、この大きさの金属球をたとえば溶液還元技
術により製造出来る刀・らである。

表面に堆積されたコロイドシリカまたはアルミナ粒子の
層を介してエツチングを行うことによりｓｏ−２ｏｏｍ
寸法の不規則な形状のミクロ構造を形成することが出来
る。

５Ｏ−１００ＯＡ寸法の不規則な形状のミクロ構造は、
基板上に堆積された島（ｉｓｌｓｉｎｄ）状皮膜をエッ
チマスクとして用いることにより製造することが出来る
であろう。たとえば、厚さ〜２００にの蒸着鏝皮膜は、
エッチマスクとして作中し得る〜５０Ａ寸法の島を形成
する。これは、前述した基本技術と類似している。何と
なれば、島状皮膜は粒状皮膜と類似しておシ、シたがっ
て通常平版印刷目的に１更用出来るからである。

例　　１ 第３図は、銀皮膜にエツチングにより形成された個々の
微小柱状ポストの電子顕微鏡写真の複写である。ポスト
溶造は次のようにしてつくった。

（１）１インチ×６インチのきれいなガラス頻微鏡スラ
イド上に、熱蒸発（ｌたは他の適当な方法）により、銀
皮膜を堆積する。

（２）新しい銀皮膜を空気中で熟成させて衣層化学が後
のプロセス工程に適合するようにする。別法として、中
間コロイドアルミナ１を堆積する。

（３１調整された銀表面を、所望寸法の嚇分散ポリスチ
レン球のコロイド懸濁液中に浸漬する。

（４）過剰のコロイド球をすすぎ除去し、表面に静電気
的に結合した球を残す。

（５）表面に空気または窒素流を吹き付けて転機する。

ｒ６１　　付着した球体をアルゴンイオンビームミリン
グ用のマスクとして用いる。

１７１　　ミリング後、伐留皇合体を溶剤洗浄により除
去する。

例２ 第４図〜第８図は、本発明のスピンコーティング法によ
り施されたコロイド重合体球の方向性イオンエツチング
により３インチ珪素ウェハーの実質的に全ｒＩＩｉ（９
０％以上）上にわたって形成された微小柱状ポストの鑵
子顕微鏡写氏である。ポストｕ次のようにしてつくった
。

（１１きれいな３インチ珪素ウェハーを、約７ＯＡ粒子
寸法のコロイドアルミナ中に浸清し、すすぎ、気体を吹
き付けて乾燥し、後のプロセス工程と適合するアルミナ
傘分子層を残す。

（２）　　ウェハーの表面に、５００ＯＡ重合体球のコ
ロイド＠濁液をあふれさせ、乾燥するまで適当な速、Ｉ
ｔ（約５００　Ｏｒｐｍ）で回転する。

（３＋　　密にバッキングされた微結晶配列をなす付着
球体を、反応性イオンビームミリング（ＣＦ４）甲のエ
ッチマスクとして用いる。

（４）　　エツチング後、溶剤洗浄およびふき取りによ
り残留＠合体を除去する。

７１ｊ３ Ｓｔ０２の微小柱状ポストをレリ２と全く同じ方法でつ
くることが出来る。

１ダ１４ 第５図は「リフトオフ」技術により次のよう（こしてつ
くった做小柱状銀ポストの醒子顯４境写へである。

ｆｉｌ　　きれいな３インチ珪素ウェノ・−を、非常に
小さい粒度のコロイドアルミナ中に侵噴し、すすぎ、そ
して気体を吹き付けて転換し、アルミナ喚分子層を残す
。

ｆ２１　　Ｉ＆板の表向に、重合体球のコロイドシリカ
をあふれさせ、そして乾燥するまで萄当な速度で回転し
て堆積マスクを形成する。

（３）　　基板を、熱偵発器棟友は他の燻当な方向性蒸
着工程に置き、銀（または他の金１ｍりを所望の＼ 厚さまで被覆する。

（４）基板を蒸発器から取り出し、改合体球マスクを、
球体を４当な溶剤で溶解するか渣たけ超音波洗浄により
またはその両方を用いて除去する。

その結果、■台体マスクの間隙に堆積された銀皮膜は基
板上に攬り、ポストの配列が形成される。

例５ ８６図は、珪素表面をイオンミリングすること１てより
形成した小面を持つ微小柱状珪素ポストの電子顕微鏡写
真である。コロイドマスクは例４と同様にして形成し、
アルゴンイオンビームによりエツチングする。珪素およ
び重合体球は同じエッチ速度を持つので、長球形状が得
られる。また、イオンビームの物理的処理は小面を形成
する、すなわち、１１４１Ｉ面の好ましい角度をなす扁
平化が起るような処理である。

列　６ 剪７図は、珪素表面を反応性イオンビームエツチングす
ることにより形成された長球微小柱状珪素ポストの電子
顕微鏡写真である。コロイドマスク（ｆま工程２でアル
ミナ中間１−を用いて例１と同様＆（、ｌてつくる。こ
の場合、高パックグラウンド圧の反応性ガス中で反応性
イオンミリングにより長球形状が得られる。Ｌまたかつ
で、この方法は方向吐は小さく、エラチェ根で早期に露
出される側面領域はエソチェ橿後で露出される側面領域
より長い時間偵Ｉｊ向にエッチされる。したがって、清
らかなテーパー状の１ＵＩＩ壁を持つポストが形成さね
、る。

テーパーの程妾は、反応性ガスのパックグラウンド圧を
制御することにより変えることがでへる。

例７ （１）　　きれいな３インチ珪素ウェノ・−に、表面を
濡らす重合体球のコロイド懸濁液をあふれさせる。

ウェハーを乾燥するまで適当な速度で回転し、整然とし
たエツチングマスクを形成する。

（２）面積の９０％超をおおう密にバッキングされた微
小結晶配列をなす付着球体を、反応性イオンビームミリ
ング（ＣＦ４）用のエノチマスクトシ２て用いる。

（３１エツチング後、溶剤洗浄およびふき取りにより残
留酸合体を除去する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のＤ法により形成された整然とした平
版印刷マスクの概略図、第２図？ｉ本発明によるエッチ
された表面の概・略図、第３図は本発明によるマスクを
エツチングすることにより形成された個々の微小柱状銀
ポストの電子顕微鏡写真の複写、第４図は整然とし、た
構造の領域を示す本発明によるエッチされた珪素表面の
電子顕微鏡写真の複写、ｐ、５図は本姥明によるリフト
オフ技術により形成された微小柱状銀ポストの電子顕微
鏡の複写、第６図は本発明により形成された小面を持つ
微小柱状珪素ポストの電子顕微鏡写真の複写、第７図は
本発明により形成された長球微小杵状珪素ポストの電子
顕微鏡写真、第８図は整然とした構造の領域の交点を示
す本発明によるエッチされた珪素表面の電子顕微鏡写真
である。図中の主る番号を説明する： ２・・・・・・コロイド粒子、　　４・・・・・・基板
、６・・・・・・支持体、　　１０・・・・・・ポスト
。 以下余白 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、４ ＦＩＧ、６

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　基板の実質的に全表面にわたって、コロイド粒子
   の単分子層會前記粒子が前記基１ｆｆｌＫ固定されるよ
   うに被覆することｔ特徴とする、基板表面に平版印刷マ
   スク？製造する方法。 ２、前記基１ｉにパターン會エツチングによす形ｂｋす
   る工８をさらに含む、特許請求の範囲第１項に記載の製
   造方法、。 五　前記基板に薔覆會行う前記工程が、（ａ）　　前記
   基板よにコロイド粒子の分散液ｔ１コロイド°粒子の単
   分子層が前記基板に固定嘔れるＩうに沈積すること、お
   よび （ｂｌ　　ｉ！ｔＪ記コロイド粒子の前記単分子層の過
   剰酸を前記単分子層が整然と配列嘔れるように消散させ
   ること、 を含む、特ＩＦＦ請求の範囲第１墳に記載の整然と配列
   された平版印刷マスクの製造方法。 ４−　　Ａｔｌ　記Ｍ板にパターン會エツチングにより
   形成する工程をさらに含む、特許請求の範囲第３項に記
   載の方法。 ５、ＭＪ記基板上に金属を堆積して前記基板に固定され
   た前記コロイド粒子間の空間を満たす工程ｔさらに含む
   、特許請求の範囲１ｇ１項に記載の方法。 ６、　前記粒子が単分散球形重合体粒子である、特許請
   求の範囲第１墳に記載の方法３゜ｌ　前記消散工程が、
   前記基板を回転させることにより行われる、特許請求の
   範囲第５項に記載の方法。 ａ　回転工程が、空隙ケ含まない単分子層が形成される
   ような速度で行われる、％＊ｇ＊求の範囲第７項に記載
   の方法。 ９　回転工程が、２０００ｒｐｍより大きい（ロ）転速
   奪で行われる、＃！ｆｌｆｆ−請求の範囲＠７項に記載
   の方法。 １０、コロイド粒子の単分子層ｔ、基板の実質的に全表
   面にわたって前記粒子が前記基板に固定されるように被
   覆する工程および紡記基板に微小柱状ポストのパターン
   を工、チングする工ｓｔ含むことに％像とする、スペク
   トル選択吸収表面の製造方法。