JP2006261659A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子を構成するように成長基板上に半導体層を積層し、電極を形成する半導体発光素子の製造方法において、いずれかの半導体層上に、粒径が0.01μm以上10μm以下の粒子を面密度2×106cm-2以上2×1010cm-2以下の範囲で配置した後、該粒子をエッチングマスクとしてドライエッチングをおこない、錐体形状または錐台形状の凸部を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【選択図】なし
Description
(i)錐、錐台から選ばれる凸部を有する半導体層、
(ii)電極、及び
凸部が錐台である場合、凸部は高さが0.05μm〜5.0μmであり、下底面の直径が0.05μm〜2.0μmであり、凸部が錐である場合、凸部は高さが0.05μm〜5.0μmであり、底面の直径が0.05μm〜2.0μmである。
図1は本発明による発光素子の製造方法の一例を示している。
図1(a)は、単結晶性の基板2上に、例えば有機金属熱分解法(MOCVD法)を用いて所要の半導体結晶薄膜層を積層形成したものである。本発明の製造方法は半導体層が三族窒化物半導体からなる場合に好適に適用できるので、以下、三族窒化物半導体層をサファイア成長基板上に積層することにより半導体発光素子を作製する場合について説明する。
次に、ICPドライエッチング法などの公知のドライエッチング方法によってn型コンタクト層3が露出するまでエッチングし、メサ形状を形成する(図1(c))。
条件B
半導体層:GaN
粒子(マスク):平均粒径0.37μmの球状コロイダルシリカ、
基板バイアスパワー:100W、
ICPパワー:200W、
圧力:0.8Pa、
CHF3:100sccm、
前述のように、ドライエッチングを条件Aで行うと、半導体層(GaN)とシリカ粒子の両方がエッチングされる。条件Aの操作と条件Bの操作を適度な時間で交互に繰り返し行う場合、形成される凸部の側壁傾斜角度は、条件Aの操作を行って形成される凸部のものより、緩やかである。
さらに、ドライエッチングを次の条件C(条件Aにおいてアルゴンを減少させている)で行う場合、半導体層(GaN)に対するシリカ粒子のエッチング速度比は小さい。条件Cの操作を行って形成される凸部の側壁傾斜角度は、条件Aの操作を行って形成される凸部のものより、急である。
条件C
基板バイアスパワー:100W、
ICPパワー:200W、
圧力:0.8Pa、
塩素ガス:20sccm、
ジクロルメタン:10sccm、
アルゴン:0sccm。
また、本発明の製造方法により、例えば、次の(i)及び(ii)を含む半導体素子が得られる。
(i)錐、錐台から選ばれる凸部を有する半導体層、
(ii)電極、及び凸部が錐台である場合、凸部は高さが0.05μm〜5.0μmであり、下底面の直径が0.05μm〜2.0μmであり、凸部が錐である場合、凸部は高さが0.05μm〜5.0μmであり、底面の直径が0.05μm〜2.0μmである。
半導体層に含まれる凸部は、光取り出し面に対する垂直断面により凸部の頂点を分割したとき、その断面の輪郭線が少なくとも2つ曲線部分を含み、かつ凸部の底部側にある曲線部分の曲率半径がそれより頂点側にある曲線部分の曲率半径に比べて大きいものであることが好ましく、例えば、石筍等の形状を有することが好ましい。凸部を有する半導体層は、低温バッファー層、n型コンタクト層、発光層またはp型コンタクト層であり、好ましくはp型コンタクト層である。
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれらの実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものである。
図5は、窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子の構造を模式的に示す断面図である。該窒化物系化合物半導体の製造方法としては、種々の公知方法が挙げられるが、有機金属気相成長成長法(MOVPE法)や分子線エピタキシャル成長法(MBE法)などが好適である。以下の実施例では有機金属気相成長成長法で成長させた。
シリカ粒子の配置の前までは実施例1と同様にして行った。実施例2の粒子としてはコロイダルシリカスラリー(扶桑化学工業(株)“PL−5”1次粒径110nm)に含まれているシリカ粒子を用いた。スピンコート法でコロイダルシリカスラリー(濃度2wt%)を塗布し、p型コンタクト層上にシリカ粒子を配置した。走査型電子顕微鏡(SEM)で観察したところ、粒子密度6×109cm-2であった。実施例2のエッチング条件は、基板バイアスパワー100W、ICPパワー200W、圧力0.8Pa、塩素ガス20sccm、ジクロルメタン10sccm、アルゴン40sccm、処理時間2.5分間といった条件で処理した。この条件でのエッチングをおこなうと、GaNに対しては、基板面に垂直方向に約0.2μmエッチングされ、かつ、シリカ粒子の横サイズは0.05μm以下に減少していた。水平な面内における直径は、該粒子のドライエッチング処理前の直径の約50%になっていた。
シリカ粒子の配置を行わず、凸部を形成しなかった以外は実施例1と同様にして半導体発光素子を作製した。
シリカ粒径 粒子密度 凸形状高さ 光出力
(μm) (cm -2 ) (nm) (mW)
実施例1 0.37 3×108 600 8.0
実施例2 0.11 6×109 200 8.0
比較例1 − − − 3.4
コロイダルシリカスラリー濃度の変更以外は実施例1と同様におこなった。実施例3の粒子としては実施例1と同じであり、コロイダルシリカスラリー(扶桑化学工業(株)“PL−20”平均粒径370nmを用いた。スピンコート法でコロイダルシリカスラリー(濃度15wt%)を塗布し、p型コンタクト層上にシリカ粒子を配置した。走査型電子顕微鏡(SEM)で観察したところ、粒子密度9×108cm-2であった。
シリカ粒子の配置の前までは実施例1と同様にして行った。実施例4の粒子としてはコロイダルシリカスラリー(日本触媒(株)“KE−W50”1次粒径550nm)に含まれているシリカ粒子を用いた。スピンコート法でコロイダルシリカスラリー(濃度10wt%)を塗布し、p型コンタクト層上にシリカ粒子を配置した。走査型電子顕微鏡(SEM)で観察したところ、粒子密度2×108cm-2であった。実施例4のエッチング条件は、基板バイアスパワー100W、ICPパワー200W、圧力0.8Pa、塩素ガス20sccm、ジクロルメタン10sccm、アルゴン40sccm、処理時間10分間といった条件で処理した。この条件でのエッチングをおこなうと、GaNに対しては、基板面に垂直方向に約0.9μmエッチングされ、かつ、シリカ粒子の横サイズは0.3μm以下に減少していた。水平な面内における直径は、該粒子のドライエッチング処理前の直径の約55%になっていた。
シリカ粒子の配置を行わず、凸部を形成しなかった以外は実施例3、4と同様にして半導体発光素子を作製した。
シリカ粒径 粒子密度 凸形状高さ 光出力
(μm) (cm -2 ) (nm) (mW)
実施例3 0.37 9×108 600 12.7
実施例4 0.55 2×108 900 10.1
比較例2 − − − 5.5
2 基板
3 n型コンタクト層
4 発光層
5 p型コンタクト層
6 レジスト
7 n電極
8 p電極
9 低温バッファー層
10 n型の窒化物系化合物半導体層
11 AlGaN層
Claims (18)
- 半導体発光素子を構成するように成長基板上に半導体層を積層し、電極を形成する半導体発光素子の製造方法において、いずれかの半導体層上に、粒径が0.01μm以上10μm以下の粒子を面密度2×106cm-2以上2×1010cm-2以下の範囲で配置した後、該粒子をエッチングマスクとしてドライエッチングをおこない、錐体形状または錐台形状の凸部を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 粒子の粒径が0.1μm以上2.0μm以下の範囲であり、粒子形状が球状である請求項1に記載の製造方法。
- ドライエッチング後における前記粒子の成長基板面に水平な面方向における最大径が、ドライエッチング前における該粒子の粒径の80%以下である請求項1または2に記載の製造方法。
- 凸部が錐体形状であるかまたは、錐台形状であって凸部の成長基板側の下底の面積に対して、成長基板とは反対側の上底の面積が25%以下である請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
- 錐体形状、錐台形状がそれぞれ円錐形状、円錐台形状である請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法。
- 円錐台形状の凸部の下底面の直径が0.05μm以上2.0μm以下の範囲であり、かつ該凸部の高さが0.05μm以上5.0μm以下の範囲であるかまたは、円錐形状の凸部の底面の直径が0.05μm以上2.0μm以下の範囲であり、かつ該凸部の高さが0.05μm以上5.0μm以下の範囲である請求項5に記載の製造方法。
- 粒径が0.01μm以上10μm以下の粒子を面密度2×106cm-2以上2×1010cm-2以下の範囲で配置した後であって、該粒子をエッチングマスクとしてドライエッチングをおこない、錐体形状または錐台形状の凸部を形成する前に、半導体層上にレジスト膜を塗布し、次いでフォトリソグラフィー法により該レジスト膜を所定の形状にパターニングを行い、かつ、前記ドライエッチング後に、該レジストで被覆されていて凸部が形成されていない部分のレジストを除去する請求項1〜6に記載の製造方法。
- 半導体層が三族窒化物半導体からなる請求項1〜7に記載の製造方法。
- 粒子の主成分が、酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、硫化物のいずれかである請求項1〜8に記載の製造方法。
- 粒子の主成分が、シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア、セリア、マグネシア、酸化亜鉛、酸化スズおよびイットリウムアルミニウムガーネットのいずれかである請求項9記載の製造方法。
- 粒子の主成分が、Si、Ni、W、Ta、Cr、Ti、Mg、Ca、Al、Au、AgおよびZnからなる群より選ばれる1種以上の金属である請求項1〜8に記載の製造方法。
- 粒子を半導体膜上にスピンコートにより配置する請求項1〜11のいずれかに記載の製造方法。
- 凸部の少なくとも一部を透明性電極膜で被覆することを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項1〜13のうちのいずれか1つの製造方法により製造された半導体発光素子。
- 次の(i)〜(ii)を含む半導体素子。
(i)錐、錐台から選ばれる凸部を有する半導体層、
(ii)電極、及び
凸部が錐台である場合、凸部は高さが0.05μm〜5.0μmであり、下底面の直径が0.05μm〜2.0μmであり、凸部が錐である場合、凸部は高さが0.05μm〜5.0μmであり、底面の直径が0.05μm〜2.0μmである。 - 凸部は、光取り出し面に対する垂直断面により凸部の頂点を分割したとき、その断面の輪郭線が少なくとも2つ曲線部分を含み、かつ凸部の底部側にある曲線部分の曲率半径がそれより頂点側にある曲線部分の曲率半径に比べて大きいものである請求項15記載の半導体素子。
- 半導体層は、低温バッファー層、n型コンタクト層、発光層及びp型コンタクト層からなる群より選ばれる請求項15記載の半導体素子。
- 半導体層はp型コンタクト層である請求項17記載の半導体素子。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008091880A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-04-17 | Agency For Science Technology & Research | マイクロおよびナノ構造の作製方法 |
JP2009129962A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 表面微細構造製造方法およびダイヤモンドナノ電極製造方法とその電極体 |
WO2009084325A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Led素子およびled素子の製造方法 |
WO2009158158A3 (en) * | 2008-06-26 | 2010-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Method of fabricating light extractor |
US8089081B2 (en) | 2008-09-12 | 2012-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
US8461608B2 (en) | 2008-06-26 | 2013-06-11 | 3M Innovative Properties Company | Light converting construction |
US9053959B2 (en) | 2008-06-26 | 2015-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor light converting construction |
JP2018026514A (ja) * | 2016-08-01 | 2018-02-15 | 日亜化学工業株式会社 | ナノロッドの形成方法及び半導体素子の製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4407695A (en) * | 1981-12-31 | 1983-10-04 | Exxon Research And Engineering Co. | Natural lithographic fabrication of microstructures over large areas |
JPH08238426A (ja) * | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Ebara Corp | エネルギービーム加工法 |
JPH10200162A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2000106454A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-04-11 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法 |
JP2001155623A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Canon Inc | 突起状エミッタ及び電子放出素子の製造方法 |
JP2002289579A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 結晶成長用基板、その製造方法、およびGaN系結晶の製造方法 |
JP2003218383A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004505434A (ja) * | 1999-12-03 | 2004-02-19 | クリー インコーポレイテッド | 光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ |
-
2006
- 2006-02-17 JP JP2006040381A patent/JP2006261659A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4407695A (en) * | 1981-12-31 | 1983-10-04 | Exxon Research And Engineering Co. | Natural lithographic fabrication of microstructures over large areas |
JPH08238426A (ja) * | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Ebara Corp | エネルギービーム加工法 |
JPH10200162A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2000106454A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-04-11 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法 |
JP2001155623A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Canon Inc | 突起状エミッタ及び電子放出素子の製造方法 |
JP2004505434A (ja) * | 1999-12-03 | 2004-02-19 | クリー インコーポレイテッド | 光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ |
JP2002289579A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 結晶成長用基板、その製造方法、およびGaN系結晶の製造方法 |
JP2003218383A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008091880A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-04-17 | Agency For Science Technology & Research | マイクロおよびナノ構造の作製方法 |
JP2009129962A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 表面微細構造製造方法およびダイヤモンドナノ電極製造方法とその電極体 |
WO2009084325A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Led素子およびled素子の製造方法 |
JP5343860B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-11-13 | 三菱化学株式会社 | GaN系LED素子用電極およびGaN系LED素子ならびにそれらの製造方法。 |
WO2009158158A3 (en) * | 2008-06-26 | 2010-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Method of fabricating light extractor |
US8324000B2 (en) | 2008-06-26 | 2012-12-04 | 3M Innovative Properties Company | Method of fabricating light extractor |
US8461608B2 (en) | 2008-06-26 | 2013-06-11 | 3M Innovative Properties Company | Light converting construction |
US9053959B2 (en) | 2008-06-26 | 2015-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor light converting construction |
US8089081B2 (en) | 2008-09-12 | 2012-01-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
JP2018026514A (ja) * | 2016-08-01 | 2018-02-15 | 日亜化学工業株式会社 | ナノロッドの形成方法及び半導体素子の製造方法 |
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