JP2007266472A

JP2007266472A - 窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法

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Publication number: JP2007266472A
Application number: JP2006091815A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Tanaka; 進一田中; Tadashi Horio; 直史堀尾; Takako Chinone; 崇子千野根; Kichiko Yana; 吉鎬梁; Munehiro Kato; 宗弘加藤; Satoshi Tanaka; 聡田中
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 2006-03-29
Filing date: 2006-03-29
Publication date: 2007-10-11
Anticipated expiration: 2026-03-29
Also published as: JP5187610B2

Abstract

【課題】基板剥離における簡便化と剥離面のダメージの軽減を図った窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
出発基板上に出発基板表面を選択的に露出する端部から連続したパターンの犠牲膜を形成する。犠牲膜を含んだ出発基板上にボイド窒化物半導体層を形成する。ボイド窒化物半導体層の上に素子形成用窒化物半導体層を形成する。素子形成用窒化物半導体層上に支持基板を取り付けた後、犠牲膜を除去して出発基板をボイド窒化物半導体層から剥離させる。
【選択図】
図３

Description

本発明は、半導体ウエハないし半導体発光装置及びその製造方法に関し、特に窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法に関する。

近年発光ダイオード（ＬＥＤ）の高出力化に伴い、機器のインジケーターランプから屋外表示灯、液晶の背面照明、また室内照明へと利用分野が日々拡大している。更なる高出力化が市場では望まれている。

ＬＥＤの高出力化には、内部量子効率の上昇、光取り出し効率の向上、パッケージ損失の低減、素子の放熱性向上などの方法により成し遂げられてきたが、まだまだ改善の余地はある。

現在、最も高出力化が望まれているＬＥＤは白色ＬＥＤだが、その光源となるインジウムガリウムナイトライド（ＩｎＧａＮ）系ＬＥＤの内部量子効率は７０％まで到達し改善に限界が来つつある。そこで光取り出し効率を改善する開発が盛んに行われている。窒化物半導体において光取り出し効率を改善するには、基板／窒化物半導体界面、窒化物半導体／大気（あるいは樹脂）、樹脂／大気界面の各界面の改良が必要となる。特に、基板／窒化物半導体界面においては、後工程における基板剥離の際のダメージ軽減と光取り出し効率向上を両立する改善が望まれている。

特開２００３−３１８４４３に、基板上にファセット面を持ったｎ型窒化物半導体層を形成し、その上に発光層、ｐ型窒化物半導体層を形成した後、基板を剥離しファセット面が光取り出し面となる窒化物半導体の製造方法が開示されている。

特開２００３−３１８４４３

特開２００３−３１８４４３に開示された方法では、シリコン（Ｓｉ）製の出発基板の剥離手法として、ケミカルエッチングを用いているが、他の手法の開発も求められている。

本発明の目的は、基板剥離における簡便化と剥離面のダメージの軽減を図った窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法を提供することである。

本発明の一観点によれば、出発基板上に該出発基板表面を選択的に露出する端部から連続したパターンの犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜を含んだ出発基板上に第１窒化物半導体層をエピタキシャル成長温度より低い温度で成長させる工程と、前記第１窒化物半導体層をエピタキシャル成長温度以上の温度で加熱処理し、多数の島状ないしポーラス状のボイド形成層を形成する工程と、前記ボイド形成層の上に第２窒化物半導体層を成長させ、ボイド窒化物半導体層を形成する工程と、前記ボイド窒化物半導体層の上に素子形成用窒化物半導体層を形成する工程と、前記素子形成用窒化物半導体層上に支持基板を取り付けた後、前記犠牲膜を除去して前記出発基板を前記ボイド窒化物半導体層から剥離させる工程とを含む窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の他の観点によれば、露出面もしくは基板との界面に端部から連続したパターンの凹部を有する多孔性のボイド窒化物半導体層と、前記ボイド窒化物半導体層上に形成された素子形成用窒化物半導体層と、前記ボイド窒化物半導体層の下もしくは前記素子形成用窒化物半導体層の上に取り付けられた支持基板とを有する窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置が提供される。

基板剥離における簡便化と剥離面のダメージの軽減を図ることが出来る。

図１〜図３を参照して、第１の実施例による窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置の製造方法について説明する。図１に、基板上に犠牲膜を形成する工程を表した概略断面図を示す。

まず、図１（Ａ）に示すように、例えばサファイアを用いた出発基板１の研磨されたｃ面上に、犠牲膜形成層２を形成する。犠牲膜形成層２は、例えばＳｉＯ_２を化学気相堆積（ＣＶＤ）、スパッタリングまたは蒸着などを用いて形成する。

次に、図１（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィーによって犠牲膜形成層２の上にストライプ状のレジスト３を形成する。

その後、図１（Ｃ）に示すように、レジスト３をエッチングマスクとしてバッファードフッ酸（ＢＨＦ）や希フッ酸（ＤＨＦ）によって犠牲膜形成層２をエッチング除去し、出発基板１がストライプ状に露出するような開口２ｈを有する犠牲膜２ｓを形成する。

その後、図１（Ｄ−１）に示すように、レジストリムーバーによりレジスト３を除去する。すると、出発基板１上に犠牲膜２ｓが残る。

図１（Ｄ−２）に、図１（Ｄ−１）で示した犠牲膜２ｓを含む出発基板１の平面図を示す。図１（Ｄ−２）に示すように、出発基板１の表面１Ａがストライプ状に露出するように犠牲膜２ｓが形成される。

図２に、犠牲膜２ｓの他のパターンの例を示す。犠牲膜２ｓのパターンは、後工程において犠牲膜２ｓを除去する際のエッチャントが入り込み易く、犠牲膜２ｓを除去するのに充分な構造であればストライプに限定されない。例えば、図２（Ａ）に示すように、露出表面１Ａが円形の開口２ｈが連続的に形成されたパターンでも良いし、図２（Ｂ）に示すように、格子状のパターンでも良い。その他、種々のパターンが可能である。

図３に、犠牲膜２ｓ形成後の窒化物半導体ウエハ及びそれを用いた発光素子の製造方法を表した概略断面図を示す。犠牲膜２ｓ形成後の工程は以下のようになる。

まず、犠牲膜２ｓが形成された出発基板１を有機化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）装置に導入する。

次に、この出発基板１を１０００℃に昇温し、水素雰囲気下に７分間置くことにより、露出表面１Ａに付着している酸素分子やＯＨ基などを熱処理により除去する、いわゆるサーマルクリーニングを行う。

図３（Ａ）に示すように、犠牲膜２ｓを含む出発基板１上に、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）などからなる第１窒化物半導体層４を成長させる。トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を１０．４μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニア（ＮＨ_３）を３．３ＬＭ（２５℃、１気圧校正）供給し、水素と窒素の混合雰囲気下、基板温度５２５℃で３分間結晶性の低いアモルファス的な第１窒化物半導体層４を成長させる。なお、第１窒化物半導体層４は、成長開始時は犠牲膜２ｓ上には成長せず、露出表面１Ａ上にて成長する。ある程度成長した時点で窒化物半導体の結晶が横方向にも成長し、犠牲膜２ｓを挟んで隣り合った結晶同士が結合することで成長が進行する。これにより、犠牲膜２ｓ上にも第１窒化物半導体層４が形成される。ここで、基板上に直接エピタキシャル層を成長できる温度に比べて基板温度が低温であることに注意する。

図３（Ｂ）に示すように、形成した第１窒化物半導体層４を熱処理する。熱処理は、４分間で基板温度を１０００℃まで昇温し、１０００℃を２分から４０分保持することで行う。すると、第１窒化物半導体層４が島状ないしポーラス状のボイド形成層４Ｂとなる。

次に、図３（Ｃ）に示すように、ボイド形成層４Ｂを多数のボイド５ｂを有するボイド窒化物半導体層５にする。まず、ボイド形成層４Ｂ上に、成長速度を抑えて、不純物を添加しない第１ＧａＮ層を成長させる。ＴＭＧを２３μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＮＨ_３を２．２ＬＭ供給し、水素と窒素の混合雰囲気下で基板温度を１０００℃にして１５分間、厚さ０．３μｍまで第１ＧａＮ層を成長させる。

その後、成長速度を高めて、不純物を添加しない第２ＧａＮ層を成長させる。ＴＭＧを４５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＮＨ_３を４．４ＬＭ供給し、水素と窒素の混合雰囲気下で基板温度を１０００℃にして４３分間、厚さ２μｍまで第２ＧａＮ層を成長させる。こうして、ボイド窒化物半導体層５が形成される。

形成されるボイド５ｂは、屈折率がほぼ１の気体であり、例えば窒素である。なお、図３に示すボイド窒化物半導体層５は１層だけであるが、第１窒化物半導体層４形成〜第２ＧａＮ層積層の工程を数回繰り返すことにより２層以上のボイド窒化物半導体層５を形成しても良い。

次に、図３（Ｄ）に示すように、ボイド窒化物半導体層５の上にｎ型窒化物半導体層６を形成する。まず、Ｓｉを添加した第１ｎ型ＧａＮ層を成長させる。ＴＭＧを４５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＮＨ_３を４．４ＬＭ供給し、水素と窒素の混合雰囲気下で基板温度を１０００℃にして７７分間、厚さ３．５μｍまで第１ｎ型ＧａＮ層を成長させる。添加するＳｉのＧａＮに対する分子（原子）数の比Ｓｉ／ＧａＮは６Ｅ−５（６×１０^−５、ａ×１０^ｎをａＥｎと表記）である。

その後、Ｓｉの添加量を第１ｎ型ＧａＮ層よりも少なくした第２ｎ型ＧａＮ層を成長させる。ＴＭＧを４５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＮＨ_３を４．４ＬＭ供給し、水素と窒素の混合雰囲気下で基板温度を１０００℃にして１０分間、厚さ０．４μｍまで第２ｎ型ＧａＮ層を成長させる。添加するＳｉのＧａＮに対する分子（原子）数の比Ｓｉ／ＧａＮは１Ｅ−５である。こうして、ｎ型窒化物半導体層６が形成される。

次に、図３（Ｄ）に示すように、ｎ型窒化物半導体層６の上に、発光層７を形成する。ここでは量子井戸（ＱＷ）層を形成する。バリア層としてＳｉを添加したＧａＮ層、ウェル層としてインジウムガリウムナイトライド（ＩｎＧａＮ）層を成長させる。バリア層を形成するために、ＴＭＧを３．６μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＮＨ_３を４．４ＬＭ供給し、窒素雰囲気下で基板温度を７１５℃にして３２０秒間、ＧａＮ層を成長させる。添加するＳｉのＧａＮに対する分子（原子）数の比Ｓｉ／ＧａＮは４．５Ｅ−６である。ウェル層を形成するために、ＴＭＧを３．６μｍｏｌ／ｍｉｎ、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＮＨ_３を４．４ＬＭ供給し、窒素雰囲気下で基板温度を７１５℃にして３１秒間、ＩｎＧａＮ層を成長させる。以上で発光層７が形成される。なお、発光層７はＱＷ構造でない窒化物半導体層でも良い
次に、図３（Ｄ）に示すように、発光層７の上に、ｐ型窒化物半導体層８を形成する。まず、マグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型アルミガリウムナイトライド（ＡｌＧａＮ）層を成長させる。ＴＭＧを８．１μｍｏｌ／ｍｉｎ、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を７．５６μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＮＨ_３を４．４ＬＭ供給し、水素と窒素の混合雰囲気下で、基板温度を８７０℃にして５分間、厚さ４０ｎｍまでｐ型ＡｌＧａＮ層を成長させる。添加するＭｇのＧａＮに対する分子（原子）数の比Ｍｇ／ＧａＮは０．０１８４である。

その後、Ｍｇを添加した第１ｐ型ＧａＮ層を成長させる。ＴＭＧを１８μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＮＨ_３を４．４ＬＭ供給し、水素と窒素の混合雰囲気下で基板温度を８７０℃にして４分間、厚さ１００ｎｍまで第１ｐ型ＧａＮ層を成長させる。添加するＭｇのＧａＮに対する分子（原子）数の比Ｍｇ／ＧａＮは０．０１１である。

さらに、第１ｐ型ＧａＮ層よりＭｇの添加量が多い第２ｐ型ＧａＮ層を成長させる。ＴＭＧを１８μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＮＨ_３を４．４ＬＭ供給し、水素と窒素の混合雰囲気下で基板温度を８７０℃にして２分間、厚さ５０ｎｍまで第２ｐ型ＧａＮ層を成長させる。添加するＭｇのＧａＮに対する分子（原子）数の比Ｍｇ／ＧａＮは０．０１３である。こうして、ｐ型窒化物半導体層８が形成される。

次に、図３（Ｅ）に示すように、出発基板１の剥離を行う。ｐ型窒化物半導体層８上に、例えば銅タングステン（ＣｕＷ）からなる支持基板９を熱圧着により取り付ける。そして、出発基板１、犠牲膜２ｓ及びボイド窒化物半導体層５を含む層をＢＨＦに浸漬すると、犠牲膜２ｓが選択的にケミカルエッチングにより除去される。これにより、出発基板１とボイド窒化物半導体層５との接触面積が小さくなり、出発基板１がボイド窒化物半導体層５から剥離できる。この際、ボイド窒化物半導体層５中のボイド５ｂは、基板／ボイド窒化物半導体層界面にも存在し、基板剥離のし易さに寄与していると考えられる。なお、基板剥離は、ケミカルエッチング後に超音波あるいは加熱によるメカニカルリフトオフを併用しても良い。

こうして、下部表面に連続したパターンの凹部を有するボイド窒化物半導体層５が露出した窒化物半導体ウエハＷ１が形成される。

次に、この窒化物半導体ウエハＷ１をアクチベーションする。窒素雰囲気下８５０℃で一分間行う。

図３（Ｆ）に、この窒化物半導体ウエハＷ１を利用した窒化物半導体発光装置Ｄを示す。図３（Ｆ）に示すように、作製した窒化物半導体ウエハＷ１のｎ型窒化物半導体層６、ｐ型窒化物半導体層８の各々にｎ型電極１０、ｐ型電極１１を取り付けることにより、窒化物半導体発光装置Ｄが作製できる。

上記の製造方法により作製する窒化物半導体ウエハＷ１や窒化物半導体発光装置Ｄは、ケミカルエッチングで犠牲膜２ｓを除去することと、ボイド窒化物半導体層５中に設けたボイド５ｂにより出発基板１の剥離を簡便化している。これにより、基板剥離の際の界面５Ａへの剥離ダメージの軽減も可能となる。なお、基板の表面積が大きな場合は、ハーフダイシングやレーザーホール加工を施し、犠牲膜２ｓへのエッチャントの進入を助力することで剥離ダメージを軽減した基板剥離を実現できる。なお、露出表面１Ａの面積は、出発基板１の剥離のし易さと、第１窒化物半導体層４の結晶成長とのバランスの良い条件により決定するのが好ましい。

また、作製した窒化物半導体発光装置Ｄは、ボイド窒化物半導体層５側から光を取り出す。発光層７から発光してボイド窒化物半導体層５側に向かった光は、ボイド５ｂに当たると散乱する。実施例により形成するボイド５ｂは、先述したように屈折率がほぼ１の窒素等からできており、ボイド５ｂの周囲の窒化物半導体とは大きな屈折率差がある。このため、大きな光散乱効果が得られる。この光散乱効果に加え、大気との界面５Ａにおいても、界面５Ａの凹凸パターンによる表面積増大により、発光した光は界面５Ａを透過しやすい。これにより、光取り出し効率が向上すると考えられる。

関連実験の結果から、光取出し効率を向上させるボイド条件として、第１窒化物半導体層４の厚さ２００ｎｍ〜４００ｎｍ、第１窒化物半導体層４の加熱処理時間約２分〜約４０分、ボイド５ｂの大きさ１５０ｎｍ〜３００ｎｍ、ボイド密度１Ｅ＋８個／ｃｍ^２〜１Ｅ＋９個／ｃｍ^２が好ましいと思われる。

図４に、第１の実施例の変型例による窒化物半導体ウエハの他の形態を示す。

図４（Ａ）に示すように、例えば、窒化物半導体ウエハＷ２として、ボイド窒化物半導体層５の上に、結晶性の良い窒化物半導体層（例えば、ＧａＮ層）１２を形成し、その上に支持基板１３が取り付けられている構造のものが挙げられる。ボイド窒化物半導体層５の下には始め出発基板が付いているが、支持基板１３取り付け後に第１の実施例の方法で剥離する。

図４（Ｂ）に示すように、窒化物半導体ウエハＷ３として、ボイド窒化物半導体層５の上に、結晶性の良い窒化物半導体層（例えば、ＧａＮ層）１２を形成し、一度ボイド窒化物半導体層５の下の出発基板を剥離した後、再度支持基板１４を取り付けた構造のものが挙げられる。出発基板の剥離は第１の実施例で記載した方法で行い、支持基板の取り付けは熱圧着にて行う。

これらの窒化物半導体ウエハは、結晶性の良い窒化物半導体層１２を有し、例えば高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などの半導体装置や、種々の半導体発光装置に利用できる。半導体発光装置に用いる場合は、光取り出し効率の向上も期待できる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。

例えば、出発基板１として、炭化珪素（ＳｉＣ）、ＧａＮなどを用いても良い。

また、犠牲膜２ｓとして、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）などを用いても良い。

また、支持基板９、１３、１４として、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、銅モリブデン（ＣｕＭｏ）、銅（Ｃｕ）などを用いても良い。

また、ボイド窒化物半導体層５の上に積層するｎ型窒化物半導体層６とｐ型窒化物半導体層８との位置を入れ替えても良い。

また、窒化物半導体層５、６、８、１２の材質は、組成式Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体であっても良い。

その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

図１は、出発基板上に犠牲膜を形成する工程を表した概略断面図および平面図である。図２は、犠牲膜の他のパターンを表した平面図である。図３は、犠牲膜形成後の窒化物半導体ウエハ及び窒化物半導体装置の製造方法を表した概略断面図である。図４は、窒化物半導体ウエハの他の形態を表した概略断面図である。

符号の説明

１出発基板
２犠牲膜形成層
３レジスト
４第１窒化物半導体層
５ボイド窒化物半導体層
６ｎ型窒化物半導体層
７発光層
８ｐ型窒化物半導体層
９、１３、１４支持基板
１０ｎ型電極
１１ｐ型電極
１２窒化物半導体層
２ｈ開口
２ｓ犠牲膜
５ｂボイド
１Ａ表面
４Ｂボイド形成層
５Ａ界面
Ｄ窒化物半導体発光装置
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３窒化物半導体ウエハ

Claims

（ａ）出発基板上に該出発基板表面を選択的に露出する端部から連続したパターンの犠牲膜を形成する工程と、
（ｂ）前記犠牲膜を含んだ出発基板上に第１窒化物半導体層をエピタキシャル成長温度より低い温度で成長させる工程と、
（ｃ）前記第１窒化物半導体層をエピタキシャル成長温度以上の温度で加熱処理し、結晶性の向上した多数の島状ないしポーラス状のボイド形成層を形成する工程と、
（ｄ）前記ボイド形成層の上に第２窒化物半導体層を成長させ、ボイド窒化物半導体層を形成する工程と、
（ｅ）前記ボイド窒化物半導体層の上に素子形成用窒化物半導体層を形成する工程と、
（ｆ）前記素子形成用窒化物半導体層上に支持基板を取り付けた後、前記犠牲膜を除去して前記出発基板を前記ボイド窒化物半導体層から剥離させる工程と
を含む窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置の製造方法。
前記出発基板としてサファイア、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いる請求項１に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置の製造方法。
前記犠牲膜の除去は、端部からのケミカルエッチングにて行う請求項１または２に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置の製造方法。
前記犠牲膜として酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）のいずれかを用いる請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置の製造方法。
前記加熱処理の時間が約２分〜約４０分である請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置の製造方法。
前記第１窒化物半導体層の厚さが２００ｎｍ〜４００ｎｍである請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置の製造方法。
さらに、
（ｇ）前記ボイド窒化物半導体層に第２の支持基板を取り付けて前記素子形成用窒化物半導体層上に取り付けた支持基板を外す工程と
を含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置の製造方法。
露出面もしくは基板との界面に端部から連続したパターンの凹部を有する多孔性のボイド窒化物半導体層と、
前記ボイド窒化物半導体層上に形成された素子形成用窒化物半導体層と、
前記ボイド窒化物半導体層の下もしくは前記素子形成用窒化物半導体層の上に取り付けられた支持基板と
を有する窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置。
前記ボイド窒化物半導体層中のボイドは窒化物半導体ではない請求項８に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置。
前記ボイド窒化物半導体層中のボイドの屈折率が前記素子形成用窒化物半導体層の屈折率よりも小さい請求項８または９に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置。
前記ボイド窒化物半導体層中のボイドは屈折率が約１の気体である請求項８〜１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置。
前記ボイド窒化物半導体層中のボイドの大きさが１５０ｎｍ〜３００ｎｍである請求項
８〜１１のいずれか１項に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置。
前記ボイド窒化物半導体層のボイド密度が１Ｅ＋８個／ｃｍ^２〜１Ｅ＋９個／ｃｍ^２である請求項８〜１２のいずれか１項に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置。
前記ボイド窒化物半導体層を形成する材料は組成式Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ［０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１］の窒化物半導体である請求項８〜１３のいずれか１項に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置。
前記素子形成用窒化物半導体層を形成する材料は組成式Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ［０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１］の窒化物半導体である請求項８〜１４のいずれか１項に記載の窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置。