JP3036495B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
1-x-y N(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)の窒化ガリ
ウム系化合物半導体とその製造方法に関する。特に、基
板上に横方向エピタキシャル成長(ELO)を用いた方
法に関する。
ペクトルが紫外から赤色の広範囲に渡る直接遷移型の半
導体であり、発光ダイオード(LED) やレーザダイオード
(LD)等の発光素子に応用されている。この窒化ガリウム
系化合物半導体では、通常、サファイア上に形成してい
る。
来技術では、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物
半導体を形成すると、サファイアと窒化ガリウム系化合
物半導体との熱膨張係数差により、半導体層にクラッ
ク、そりが発生し、ミスフットにより転位が発生し、こ
のため素子特性が良くないという問題がある。
み、クラック、転位のない窒化ガリウム系半導体層を形
成することで、素子特性を向上させると共に、効率のよ
い製造方法を実現することである。
を解決するために、請求項1に記載の手段は、基板上に
第1の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させ、その
後、その第1の窒化ガリウム系化合物半導体を、基板の
露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子
状等の島状態にエッチングし、その後、島状態の第1の
窒化ガリウム系化合物半導体を核として成長するが、基
板の露出部を核としてはエピタキシャル成長しない第2
の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させ、基板の露出
面上は横方向成長により形成することを特徴とする窒化
ガリウム系化合物半導体の製造方法である。
を意味する。これにより、第2の窒化ガリウム系化合物
半導体は、基板の露出部には成長せず、第1の窒化ガリ
ウム系化合物半導体上に3次元的、即、面方向にも成長
し、基板の上方向では一様に成長される。この結果、基
板と窒化ガリウム系化合物半導体との間のミスフィット
に基づく転位は縦方向に成長し、横方向へは成長しな
い。よって、基板の露出部上の第2の窒化ガリウム系化
合物半導体の縦方向の貫通転位はなくなり、第1の窒化
ガリウム系化合物半導体の上の部分だけ縦方向の貫通転
位が残る。この結果、第2の窒化ガリウム系化合物半導
体の縦方向の貫通転位の面密度が極めて減少する。従っ
て、第2の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性が向上
する。また、基板の露出部とその上の第2の窒化ガリウ
ム系化合物半導体とは化学的に接合していないので、第
2の窒化ガリウム系化合物半導体のそりが防止されると
共に応力歪みがその半導体に入ることが抑制される。
シリコン、又は、炭化珪素としたことであり、そられの
基板上で得られる第2の窒化ガリウム系化合物半導体の
結晶性を向上させることができる。
態に形成される第1の窒化ガリウム系化合物半導体をア
ルミニウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体、第2の
窒化ガリウム系化合物半導体をアルミニウムを含まない
窒化ガリウム系化合物半導体としたことを特徴とする。
アルミニウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体はシリ
コン上にエピタキシャル成長するが、アルミニウムを含
まない窒化ガリウム系化合物半導体はシリコン上にエピ
タキシャル成長しない。よって、シリコン基板上に島状
態の第1の窒化ガリウム系化合物半導体を形成し、その
後、その第1の窒化ガリウム系化合物半導体上にはエピ
タキシャル成長するが、シリコン基板の露出部にはエピ
タキシャル成長しない第2の窒化ガリウム系化合物半導
体を形成することができる。これにより、シリコン基板
の露出部上は、第1の窒化ガリウム系化合物半導体を核
として、第2の窒化ガリウム系化合物半導体が横方向に
エピタキシャル成長することになり、結晶性の高い窒化
ガリウム系化合物半導体を得ることができる。
基づいて説明する。 (第1実施例)図1は、本発明の第1実施例に係わる窒
化ガリウム系化合物半導体の断面構成を示した模式図で
ある。シリコン基板1の上には膜厚約1000ÅのAl0.15Ga
0.85N層(第1の窒化ガリウム系化合物半導体)2がス
トライプ状(図1(b))又は格子状(図1(c))に
形成されている。又、シリコン基板1上の層2を除いた
露出領域A及び層2の上面領域Bには膜厚約10μmのGa
N 層(第2の窒化ガリウム系化合物半導体)3が形成さ
れている。
について説明する。この半導体は、スパッタリング法及
び有機金属気相成長法(以下「MOVPE 」と略す)により
製造された。MOVPE で用いられたガスは、アンモニア(N
H3) 、キャリアガス(H2,N2) 、トリメチルガリウム(Ga
(CH3)3)(以下「TMG 」と記す)、トリメチルアルミニ
ウム(Al(CH3)3)(以下「TMA 」と記す)である。
洗浄した (111)面、 (100)面、又は、(110) 面を主面と
したn−シリコン基板1をMOVPE装置の反応室に載
置されたサセプタに装着する。次に、常圧でH2を流速2
liter/分で約10分間反応室に流しながら温度1150℃で基
板1をベーキングした。
N2又はH2を10liter/分、NH3 を10liter/分、TMG を1.0
×10-4モル/分、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)
(以下「TMA 」と記す)を1.0 ×10-5モル/分、H2ガス
により0.86ppm に希釈されたシランを20×10-8モル/分
で供給し、膜厚約1000Å、Si濃度1.0 ×1018/cm3のAl
0.15Ga0.85N 層2を形成した。
スパッタリングにより膜厚約2000Åに形成し、レジスト
を塗布して、フォトリソグラフィによりSiO2層を所定形
状にエッチングした。次に、この所定形状のSiO2層をマ
スクとして、Al0.15Ga0.85N層2をドライエッチングし
た。このようにして、層2の上部領域Bの幅bが約5μ
m、基板1の露出領域Aの間隔aが約5μmのストライ
プ状(図1(b))又は格子状(図1(c))に形成し
た。
℃にしてN2又はH2を20liter/分、NH3 を10liter/分、TM
G を1.0 ×10-4モル/分、H2ガスにより0.86ppm に希釈
されたシランを20×10-8モル/分で供給して、膜厚約10
μmのGaN 層3をエピタキシャル成長させた。このと
き、GaN は、Al0.15Ga0.85N 層2の上に、このAl0.15Ga
0.85N を核として、エピタキシャル成長する。しかし、
シリコン基板1の露出領域Aの上には、GaN はエピタキ
シャル成長しない。そして、シリコン基板1の露出領域
Aでは、Al0.15Ga0.85N 層2上に成長したGaN を核とし
て、GaN が横方向、即ち、シリコン基板1の面方向に沿
ってエピタキシャル成長する。このGaN 層3は、Al0.15
Ga0.85N 層2の上部領域Bにだけ縦方向に転位が生じ、
シリコン基板1の露出領域Aでは、横方向のエピタキシ
ャル成長であるために、転位は生じない。シリコン基板
1の露出領域Aの面積をAl0.15Ga0.85N 層2の上部領域
Bの面積に比べて大きくすることで、広い面積に渡って
結晶性の良好なGaN 層3を形成することができる。ま
た、シリコン基板1とその上のGaN は化学的に結合して
いないために、GaN 層3のそり、応力歪みを極めて大き
く減少させることができる。
は格子状に形成されたシリコン基板1の露出領域Aの幅
aを約5μmとしたが、露出領域Aの幅aが10μmを超
えると横方向の成長に長時間必要となり、シリコン基板
1の露出領域Aの幅aが1μm未満になると、良好なGa
N 膜の形成が困難となるので、望ましくは1〜10μmの
範囲が良い。また、Al0.15Ga0.85N 層2の上部領域Bの
幅bを5μmとしたが、Al0.15Ga0.85N 層2の上部領域
Bの幅bが10μmを超えると転位発生の確率が増大し、
上部領域Bの幅bが1μm未満になると横方向の成長の
ための核形成が良好でできず、したがって、結晶性の良
い横方向のエピタキシャル成長が困難となる。よって、
望ましくは1〜10μmの範囲が良い。また、層3の結晶
性の観点から、シリコン基板1の露出領域Aの幅aのAl
0.15Ga0.85N 層2の上部領域Bの幅bに対する割合a/
bは1〜10が望ましい。
たが、他の導電性基板、サファイア基板、炭化珪素等を
用いることができる。導電性基板を用いた場合には、基
板の裏面と基板上に形成された素子層の最上層とに電極
を形成して、基板面に垂直に電流を流すことができ、発
光ダイオード、レーザ等における電流供給効率が向上す
る。本実施例では、層2の組成をAl0.15Ga0.85N とした
が、任意組成比の一般式Alx Gay In1-x-y N(0 ≦x ≦1,
0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)の窒化ガリウム系化合物半導体
を用いることができる。シリコン基板1上にエピタキシ
ャル成長させるには、Alx Ga1-x N(0 <x ≦1)(AlN を
含む) が望ましい。また、層3は、任意組成比の一般式
Alx Gay In1-x-y N(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)
の窒化ガリウム系化合物半導体を用いることができ、層
2と同一組成比であっても、異なる組成比であっても良
いが、基板に対してエピタキシャル成長しない組成比と
する必要がある。又、本実施例では、層2の膜厚を約10
00Åとしたが、層2は厚いとクラックが多くなり、薄い
と層2を核として層3が成長しない。よって、層2の厚
さは、500 Å〜2000Åが望ましい。
1の窒化ガリウム系化合物半導体として、Al0.15Ga0.85
N 層2を1層だけ設けられている。本実施例では、第1
の窒化ガリウム系化合物半導体として、Al0.15Ga0.85N
層21とその上のGaN 層22の2層で形成したことを特
徴とする。
ガリウム系化合物半導体の断面構成を示した模式図であ
る。シリコン基板1の上には膜厚約1000ÅのAl0.15Ga
0.85N層21が形成され、この層21上に、膜厚約1000
ÅのGaN 層22が形成されている。層21と層22とで
第1の窒化ガリウム系化合物半導体が構成される。これ
らの層21と層22層は、第1実施例と同様にストライ
プ状又は格子状に形成されている。層22及びシリコン
基板1の露出領域A上には、膜厚約10μmのGaN層3が
形成されている。
導体は、第1実施例において、層21、層22をシリコ
ン基板1上に一様に形成した後、所定パターンのSiO2層
をマスクにして、層21、層22をドライエッチングで
図1(b)又は(c)に示すように、ストライプ状又は
格子状にする。その後のGaN 層3の形成は第1実施例と
同一である。
の通りである。GaN は、GaN 層22の上部領域BのGaN
を核として、面に垂直方向に成長する。そして、シリコ
ン基板1の露出領域Aでは、層22の露出領域B上に成
長したGaN を核として、GaNが横方向にエピタキシャル
成長する。このようにして、本実施例では、GaN がGaN
を核として縦方向にも横方向にもエピタキシャル成長す
るので、第1実施例よりも、さらに、結晶性の高いGaN
が得られる。
GaN としたが、層22と層3とを同一組成比の一般式Al
x Gay In1-x-y N(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1,0 ≦x+y ≦1)の
窒化ガリウム系化合物半導体としても良い。但し、層2
は基板に対してエピタキシャル成長しない組成比とする
必要がある。基板にシリコンを用いた場合には、Alが含
まれない窒化ガリウム系化合物半導体を用いるのが良
い。勿論、層22と層3との組成比を変化させても良
い。
又は、シリコン基板1から層2又は層22までの部分C
を研磨又はエッチングにより除去することにより、無転
位のGaN 基板を得ることができる。上記の全実施例にお
いて、層3にGaN を用いたが、任意組成比のInGaN を用
いても良い。また、層3の上に、他の材料の半導体層を
形成しても良い。特に、窒化ガリウム系化合物半導体を
さらに成長させることで、発光ダイオード、レーザ等の
特性の良好な素子を得ることができる。また、上記の全
実施例において、基板1と層2、又は層22の間に、任
意組成比のAlGaN のバッファ層や AlGaInNのバッファ層
を設けても良い。このバッファ層は層2、層22の単結
晶成長温度よりも低温で形成されるアモルファス状又は
微結晶の混在したアモルファス等の結晶構造をしたもの
である。
造を有した発光ダイオード、レーザを形成することがで
きる。上記の全実施例において、MOVPE 法は常圧雰囲気
中で行われたが、減圧成長下で行っても良い。また、常
圧、減圧の組み合わせで行なって良い。本発明で得られ
たGaN 系化合物半導体は、LEDやLDの発光素子に利
用可能であると共に受光素子及び電子ディバイスにも利
用することができる。
ウム系化合物半導体の構造を示した模式的断面図。
ウム系化合物半導体の構造を示した模式的断面図。
合物半導体) 3 GaN 層(第2の窒化ガリウム系化合物半導
体) 21 Al0.15Ga0.85N 層(第1の窒化ガリウム系化
合物半導体) 22 GaN 層(第1の窒化ガリウム系化合物半導
体)
Claims (3)
- 【請求項1】基板上に第1の窒化ガリウム系化合物半導
体を成長させ、その後、その第1の窒化ガリウム系化合
物半導体を、前記基板の露出部が散在するように、点
状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチング
し、その後、前記島状態の前記第1の窒化ガリウム系化
合物半導体を核として成長するが、前記基板の露出部を
核としてはエピタキシャル成長しない第2の窒化ガリウ
ム系化合物半導体を成長させ、前記基板の露出面上は横
方向成長により形成することを特徴とする窒化ガリウム
系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項2】前記基板は、サファイア、シリコン、又
は、炭化珪素であることを特徴とする請求項1に記載の
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項3】前記基板はシリコンであり、前記島状態に
形成される前記第1の窒化ガリウム系化合物半導体は、
アルミニウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体であ
り、前記第2の窒化ガリウム系化合物半導体はアルミニ
ウムを含まない窒化ガリウム系化合物半導体であること
を特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系化合物半
導体の製造方法。
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