JP3548735B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法、特にＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を形成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体は、ＬＥＤ等の短波長発光デバイスその他に広く応用されている。
【０００３】
このようなＬＥＤやレーザでは、光を効率良く閉じこめるために、０．４μｍ以上の厚さのＡｌＧａＮ（ＡｌＧａＮとＧａＮを交互に積層した超格子層を含む）をＧａＮ上に成長させる必要がある。ＡｌＧａＮ層はＧａＮ層よりも屈折率が小さく、ＧａＮ層をＡｌＧａＮ層で挟むことで光を閉じこめることができる。
【０００４】
図４には、従来の短波長レーザ（３７０ｎｍ〜４５０ｎｍ）の構成が示されている。サファイア基板１０上にｎ−ＧａＮ層１２が１μｍ以上形成され、ＧａＮ層１２上にｎ−クラッド層１４としてｎ−ＡｌＧａＮ層が０．５μｍ程度形成される。ＡｌＧａＮ層上には活性層１６としてＩｎＧａＮ層が形成され、さらにＩｎＧａＮ層上にｐ−クラッド層１８としてＡｌＧａＮ層が形成される。活性層１６から射出した光は両側のクラッド層１４、１８で反射して閉じこめられる。
【０００５】
しかしながら、クラッド層の材料であるＡｌＧａＮの格子定数はＧａＮの格子定数よりも小さいため、ＡｌＧａＮ層の中に図中矢印で示されるような面内引っ張り応力が生じ、ＡｌＧａＮの膜厚が増大するとともに引っ張り応力も増大して臨界値を超え、図に示されるようにクラック１４ａが生じてしまう問題があった。
【０００６】
そこで、例えば特開平１１−６８２５６号公報に開示されているように、ＩｎＧａＮ層を形成し、このＩｎＧａＮ上にＡｌＧａＮ層を形成してＩｎＧａＮ層をクラック防止層として機能させることが提案されている。
【０００７】
図５には、この場合の構成が示されている。図４と異なる点は、ｎ−ＧａＮ層１２とｎ−クラッド層１４との間にｉｎＧａＮ層からなるクラック防止層１３が形成されていることである。このクラック防止層１３は、１００オングストローム以上０．５μｍ以下の膜厚とされる。１００オングストロームよりも薄いとクラック防止の効果がなく、０．５μｍよりも厚いと結晶自体が黒変するためと説明されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなクラック防止層１３を形成してもＡｌＧａＮ層のクラックを防止できるのはせいぜい０．５μｍ程度であり、これ以上の膜厚とするとＡｌＧａＮ層にクラックが生じてしまう問題がある。
【０００９】
また、ＩｎＧａＮ層をクラック防止層１３として用いると、活性層から射出した紫外線をＩｎＧａＮ層で吸収してしまい、発光効率が低下してしまう問題もある。
【００１０】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みなされたものであり、その目的は、発光効率を低下させることなく、かつ、クラックもなく従来以上に厚いＡｌＧａＮ層を形成することができる方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、基板上にＧａＮ系半導体層とＡｌＧａＮ系半導体層を順次積層してなる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法であって、前記ＧａＮ系半導体層の表面が面内方向に連続膜となっておらず島状となっている状態で前記ＡｌＧａＮ系半導体層を積層することを特徴とする。
【００１３】
本方法において、前記ＡｌＧａＮ系半導体層は、ＡｌＧａＮとＧａＮを交互に積層してなる超格子層とすることができる。
【００１４】
このように、本発明においては、従来のようにＧａＮ層を十分成長させてその表面が平坦化した後にＡｌＧａＮ層を形成するのではなく、ＧａＮ層の表面が未だ平坦化されていない時点でＡｌＧａＮ層をＧａＮ層上に形成するものである。ＧａＮ層の表面が平坦でないため、その上に形成されるＡｌＧａＮ層もその初期においては平坦ではなく、複数の部位で傾斜形成される。したがって、ＡｌＧａＮ層内には面内に平行な応力だけでなく、傾斜部における傾斜方向の応力も生じ、ＡｌＧａＮ層全体としての合成応力ベクトルは平坦なＧａＮ層上に形成されるよりも小さくなる。したがって、ＡｌＧａＮ層の膜厚を増大させてもクラックの発生を抑制することができる。
【００１５】
ここで、ＡｌＧａＮ層としては、ＡｌＧａＮ単層の他、ＡｌＧａＮを用いた超格子層とすることもできる、このような超格子層の一例はＡｌＧａＮとＧａＮを交互に積層させた層である。超格子層とすることで、ＡｌＧａＮ単層とする場合に比べてＡｌの比率を低下させて内部応力を低減することができ、ＧａＮの非平坦化表面に形成することと相俟って一層のクラック抑制効果を得ることができる。
【００１６】
本発明に係る方法は、ＧａＮ系半導体を用いたＬＥＤやレーザの製造に適用できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。ここで、本実施形態に係るレーザの全体構成は図４に示された構成と同様であるためその説明は省略し、ｎ−ＧａＮ層１２上にｎ−クラッド層１４としてのＡｌＧａＮ層を形成するステップについて説明する。なお、図４に示された構成に加え、レーザデバイスとしてはｎ型電極やｎ型コンタクト層、ｐ型電極、ｐ−コンタクト層等が存在するが、これらは周知の構成であるためその説明も省略する。当業者であれば、図４の構成に加え適宜これらの構成を付加することは容易であろう。
【００１８】
図１には、本実施形態においてＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を形成する際に前提となるＧａＮ層の成長の様子が模式的に示されている。サファイア基板１０上にＭＯＣＶＤを用いて１０７０度程度でＧａＮを成長させる際、基板１０との界面に結晶格子の荒れた領域が存在するため、成長初期にはＧａＮは一様に成長するのではなく島状に成長する（図中一点鎖線）。そして、成長が進むにつれ面内方向の成長が支配的となり、最終的に連続膜となってＧａＮ層１２が形成される（図中実線）。
【００１９】
したがって、ＧａＮ層１２の膜厚がある程度薄いと、ＧａＮ層の表面は未だ平坦になっておらず島状の成長が残っている状態にある。本実施形態では、ＧａＮの表面が平坦ではない段階、あるいは島状成長の段階でＧａＮの上にＡｌＧａＮ層を形成する。
【００２０】
図２（Ａ）、（Ｂ）には、本実施形態におけるＡｌＧａＮ層の形成の様子が示されている。図中一点鎖線はＧａＮ層１２であり、従来のように面内方向に連続膜となっておらず、表面が非平坦で島状となっている。ＧａＮ層１２の膜厚としては、従来のように１μｍ以上（例えば２μｍ）とした場合には表面がほぼ平坦化するが、０．４μｍ程度であれば未だ平坦化しておらず、島状の凹凸が存在している。この段階で（Ａ）に示されるようにＡｌＧａＮ層１４を成長させるのである。ＡｌＧａＮ層１４の各領域には従来と同様に引っ張り応力（図中ａ、ｂ）が生ずるが、島状成長部分の斜面ではその応力の向きが面内に平行ではない。このため、ＡｌＧａＮ層１４を厚く成長させると応力は大きくなるが、応力はベクトルであるため合成応力はＡｌＧａＮ層の膜厚に比例して増大することはない。
【００２１】
したがって、最終的に（Ｂ）に示されるようにＡｌＧａＮ層１４を従来以上に厚く形成しても、合成応力は大きく増大せず、クラックの発生を抑制することができる。これにより、ＡｌＧａＮ層１４をクラッド層などに用いた場合でも、従来以上に膜厚を大きくすることができるので、光閉じこめ効果あるいはキャリア閉じこめ効果を増大させることができる。
【００２２】
図３には、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ積層構造における厚さ方向の応力変化が示されている。図において、（Ａ）は表面が非平坦（島状）なＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を形成した場合の応力変化であり、（Ｂ）は表面が平坦（連続的）なＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を形成した場合（従来）の応力変化である。図において、ＧａＮ層内では圧縮応力が生じ、ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層との界面で応力が変化してＡｌＧａＮ層内では引っ張り応力となる。（Ａ）の場合にはＧａＮ層とＡｌＧａＮ層との界面で比較的応力がゆっくり変化するため、クラックの原因となる最大応力が小さくなる。すなわち、それぞれの最大応力をσａ及びσｂとすると、σａ＜σｂである。したがって、本実施形態ではクラックの発生しない臨界膜厚を従来以上に増大させることが可能となる。
【００２３】
なお、本実施形態においてはＧａＮ層１２上にＡｌＧａＮ層を形成しているが、ＧａＮ層１２上にＡｌＧａＮとＧａＮの超格子層を形成してもよい。
【００２４】
【実施例】
サファイアｃ面上に、厚さｔのＧａＮを１０７０度にて成長させ、その後続けてＮ周期のＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ／ＧａＮ超格子（ＳＬＳ：ｓｔｒａｉｎｅｄ ｌａｙｅｒ ｓｕｐｅｒ ｌａｔｔｉｃｅ）を成長させた。すなわち、基板／ＧａＮ層／ＡｌＧａＮとＧａＮのＳＬＳ層である。なお、成長にはＭＯＣＶＤ装置を用い、具体的には反応管内にサファイア基板をサセプタ上に載置し、Ｈ２雰囲気下でヒータを用いてサファイア基板を１１５０度まで加熱して熱処理した後に、ガス導入部からトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、ＮＨ３、Ｈ２を供給して基板温度を１０７５度に維持しながらＧａＮ及びＡｌＧａＮ層を順次成長させた。超格子におけるＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎの厚さは２ｎｍ、ＧａＮの厚さは２ｎｍである。以上のようにして成長させた後、超格子表面のクラックの発生状況を光学顕微鏡、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で詳細に観察した。肉眼ではクラックが見られない場合であっても、光学顕微鏡あるいはＡＦＭでクラックが観察される場合があった。以下にその結果を示す。
【００２５】
【表１】
ＧａＮ層の膜厚ｔが０．４μｍと薄い場合には、ＳＬＳ層の合計厚さが２μｍと非常に厚い場合であってもクラックが発生していないのに対し、ＧａＮ層の厚さが０．６μｍ以上になるとＳＬＳ層の合計厚さが１．８μｍ以下でもクラックが発生してしまう。
【００２６】
なお、ＳＬＳ層の代わりにＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎの単層をＧａＮ層上に成長させた場合には、クラックが発生する臨界厚さは約１／３となった。これは、ＳＬＳ層の平均Ａｌ組成が０．１と小さいことと、ＳＬＳ内部の歪み分布が応力をさらに下げる方向に作用しているためと考えられる。
【００２７】
また、ＧａＮ層の膜厚ｔが０．４μｍ以上の場合にはＳＬＳ層中に発生する転位密度はｔが２μｍの場合と同程度に低い値であったが、ｔが０．２μｍ以下になると転位密度が急激に増大することが観察された。
【００２８】
以上より、良好な結晶性を確保するためにはＧａＮ層の厚さは０．２μｍ以上、好ましくは０．３μｍ以上必要であり、また、クラックの発生を防止するためには必要なＡｌＧａＮ層あるいはＳＬＳ層の厚さにも依存するが、従来以上（例えば２μｍ）とするために０．５μｍ以下とすることが必要であることがわかる。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、クラックの発生を抑制しつつＧａＮ層上に厚いＡｌＧａＮ系層を形成することができ、これによりＬＥＤやレーザなどのデバイス構造とした場合に発光効率の増大や動作の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係るＧａＮ層の成長説明図である。
【図２】実施形態のＧａＮ層上のＡｌＧａＮ層成長説明図である。
【図３】応力と厚さとの関係を示すグラフ図である。
【図４】ＵＶレーザの構成図である。
【図５】ＵＶレーザの他の構成図である。
【符号の説明】
１０ サファイア基板、１２ ＧａＮ層、１４ ＡｌＧａＮ層。
【発明の属する技術分野】
本発明は窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法、特にＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を形成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体は、ＬＥＤ等の短波長発光デバイスその他に広く応用されている。
【０００３】
このようなＬＥＤやレーザでは、光を効率良く閉じこめるために、０．４μｍ以上の厚さのＡｌＧａＮ（ＡｌＧａＮとＧａＮを交互に積層した超格子層を含む）をＧａＮ上に成長させる必要がある。ＡｌＧａＮ層はＧａＮ層よりも屈折率が小さく、ＧａＮ層をＡｌＧａＮ層で挟むことで光を閉じこめることができる。
【０００４】
図４には、従来の短波長レーザ（３７０ｎｍ〜４５０ｎｍ）の構成が示されている。サファイア基板１０上にｎ−ＧａＮ層１２が１μｍ以上形成され、ＧａＮ層１２上にｎ−クラッド層１４としてｎ−ＡｌＧａＮ層が０．５μｍ程度形成される。ＡｌＧａＮ層上には活性層１６としてＩｎＧａＮ層が形成され、さらにＩｎＧａＮ層上にｐ−クラッド層１８としてＡｌＧａＮ層が形成される。活性層１６から射出した光は両側のクラッド層１４、１８で反射して閉じこめられる。
【０００５】
しかしながら、クラッド層の材料であるＡｌＧａＮの格子定数はＧａＮの格子定数よりも小さいため、ＡｌＧａＮ層の中に図中矢印で示されるような面内引っ張り応力が生じ、ＡｌＧａＮの膜厚が増大するとともに引っ張り応力も増大して臨界値を超え、図に示されるようにクラック１４ａが生じてしまう問題があった。
【０００６】
そこで、例えば特開平１１−６８２５６号公報に開示されているように、ＩｎＧａＮ層を形成し、このＩｎＧａＮ上にＡｌＧａＮ層を形成してＩｎＧａＮ層をクラック防止層として機能させることが提案されている。
【０００７】
図５には、この場合の構成が示されている。図４と異なる点は、ｎ−ＧａＮ層１２とｎ−クラッド層１４との間にｉｎＧａＮ層からなるクラック防止層１３が形成されていることである。このクラック防止層１３は、１００オングストローム以上０．５μｍ以下の膜厚とされる。１００オングストロームよりも薄いとクラック防止の効果がなく、０．５μｍよりも厚いと結晶自体が黒変するためと説明されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなクラック防止層１３を形成してもＡｌＧａＮ層のクラックを防止できるのはせいぜい０．５μｍ程度であり、これ以上の膜厚とするとＡｌＧａＮ層にクラックが生じてしまう問題がある。
【０００９】
また、ＩｎＧａＮ層をクラック防止層１３として用いると、活性層から射出した紫外線をＩｎＧａＮ層で吸収してしまい、発光効率が低下してしまう問題もある。
【００１０】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みなされたものであり、その目的は、発光効率を低下させることなく、かつ、クラックもなく従来以上に厚いＡｌＧａＮ層を形成することができる方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、基板上にＧａＮ系半導体層とＡｌＧａＮ系半導体層を順次積層してなる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法であって、前記ＧａＮ系半導体層の表面が面内方向に連続膜となっておらず島状となっている状態で前記ＡｌＧａＮ系半導体層を積層することを特徴とする。
【００１３】
本方法において、前記ＡｌＧａＮ系半導体層は、ＡｌＧａＮとＧａＮを交互に積層してなる超格子層とすることができる。
【００１４】
このように、本発明においては、従来のようにＧａＮ層を十分成長させてその表面が平坦化した後にＡｌＧａＮ層を形成するのではなく、ＧａＮ層の表面が未だ平坦化されていない時点でＡｌＧａＮ層をＧａＮ層上に形成するものである。ＧａＮ層の表面が平坦でないため、その上に形成されるＡｌＧａＮ層もその初期においては平坦ではなく、複数の部位で傾斜形成される。したがって、ＡｌＧａＮ層内には面内に平行な応力だけでなく、傾斜部における傾斜方向の応力も生じ、ＡｌＧａＮ層全体としての合成応力ベクトルは平坦なＧａＮ層上に形成されるよりも小さくなる。したがって、ＡｌＧａＮ層の膜厚を増大させてもクラックの発生を抑制することができる。
【００１５】
ここで、ＡｌＧａＮ層としては、ＡｌＧａＮ単層の他、ＡｌＧａＮを用いた超格子層とすることもできる、このような超格子層の一例はＡｌＧａＮとＧａＮを交互に積層させた層である。超格子層とすることで、ＡｌＧａＮ単層とする場合に比べてＡｌの比率を低下させて内部応力を低減することができ、ＧａＮの非平坦化表面に形成することと相俟って一層のクラック抑制効果を得ることができる。
【００１６】
本発明に係る方法は、ＧａＮ系半導体を用いたＬＥＤやレーザの製造に適用できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。ここで、本実施形態に係るレーザの全体構成は図４に示された構成と同様であるためその説明は省略し、ｎ−ＧａＮ層１２上にｎ−クラッド層１４としてのＡｌＧａＮ層を形成するステップについて説明する。なお、図４に示された構成に加え、レーザデバイスとしてはｎ型電極やｎ型コンタクト層、ｐ型電極、ｐ−コンタクト層等が存在するが、これらは周知の構成であるためその説明も省略する。当業者であれば、図４の構成に加え適宜これらの構成を付加することは容易であろう。
【００１８】
図１には、本実施形態においてＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を形成する際に前提となるＧａＮ層の成長の様子が模式的に示されている。サファイア基板１０上にＭＯＣＶＤを用いて１０７０度程度でＧａＮを成長させる際、基板１０との界面に結晶格子の荒れた領域が存在するため、成長初期にはＧａＮは一様に成長するのではなく島状に成長する（図中一点鎖線）。そして、成長が進むにつれ面内方向の成長が支配的となり、最終的に連続膜となってＧａＮ層１２が形成される（図中実線）。
【００１９】
したがって、ＧａＮ層１２の膜厚がある程度薄いと、ＧａＮ層の表面は未だ平坦になっておらず島状の成長が残っている状態にある。本実施形態では、ＧａＮの表面が平坦ではない段階、あるいは島状成長の段階でＧａＮの上にＡｌＧａＮ層を形成する。
【００２０】
図２（Ａ）、（Ｂ）には、本実施形態におけるＡｌＧａＮ層の形成の様子が示されている。図中一点鎖線はＧａＮ層１２であり、従来のように面内方向に連続膜となっておらず、表面が非平坦で島状となっている。ＧａＮ層１２の膜厚としては、従来のように１μｍ以上（例えば２μｍ）とした場合には表面がほぼ平坦化するが、０．４μｍ程度であれば未だ平坦化しておらず、島状の凹凸が存在している。この段階で（Ａ）に示されるようにＡｌＧａＮ層１４を成長させるのである。ＡｌＧａＮ層１４の各領域には従来と同様に引っ張り応力（図中ａ、ｂ）が生ずるが、島状成長部分の斜面ではその応力の向きが面内に平行ではない。このため、ＡｌＧａＮ層１４を厚く成長させると応力は大きくなるが、応力はベクトルであるため合成応力はＡｌＧａＮ層の膜厚に比例して増大することはない。
【００２１】
したがって、最終的に（Ｂ）に示されるようにＡｌＧａＮ層１４を従来以上に厚く形成しても、合成応力は大きく増大せず、クラックの発生を抑制することができる。これにより、ＡｌＧａＮ層１４をクラッド層などに用いた場合でも、従来以上に膜厚を大きくすることができるので、光閉じこめ効果あるいはキャリア閉じこめ効果を増大させることができる。
【００２２】
図３には、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ積層構造における厚さ方向の応力変化が示されている。図において、（Ａ）は表面が非平坦（島状）なＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を形成した場合の応力変化であり、（Ｂ）は表面が平坦（連続的）なＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を形成した場合（従来）の応力変化である。図において、ＧａＮ層内では圧縮応力が生じ、ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層との界面で応力が変化してＡｌＧａＮ層内では引っ張り応力となる。（Ａ）の場合にはＧａＮ層とＡｌＧａＮ層との界面で比較的応力がゆっくり変化するため、クラックの原因となる最大応力が小さくなる。すなわち、それぞれの最大応力をσａ及びσｂとすると、σａ＜σｂである。したがって、本実施形態ではクラックの発生しない臨界膜厚を従来以上に増大させることが可能となる。
【００２３】
なお、本実施形態においてはＧａＮ層１２上にＡｌＧａＮ層を形成しているが、ＧａＮ層１２上にＡｌＧａＮとＧａＮの超格子層を形成してもよい。
【００２４】
【実施例】
サファイアｃ面上に、厚さｔのＧａＮを１０７０度にて成長させ、その後続けてＮ周期のＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ／ＧａＮ超格子（ＳＬＳ：ｓｔｒａｉｎｅｄ ｌａｙｅｒ ｓｕｐｅｒ ｌａｔｔｉｃｅ）を成長させた。すなわち、基板／ＧａＮ層／ＡｌＧａＮとＧａＮのＳＬＳ層である。なお、成長にはＭＯＣＶＤ装置を用い、具体的には反応管内にサファイア基板をサセプタ上に載置し、Ｈ２雰囲気下でヒータを用いてサファイア基板を１１５０度まで加熱して熱処理した後に、ガス導入部からトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、ＮＨ３、Ｈ２を供給して基板温度を１０７５度に維持しながらＧａＮ及びＡｌＧａＮ層を順次成長させた。超格子におけるＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎの厚さは２ｎｍ、ＧａＮの厚さは２ｎｍである。以上のようにして成長させた後、超格子表面のクラックの発生状況を光学顕微鏡、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で詳細に観察した。肉眼ではクラックが見られない場合であっても、光学顕微鏡あるいはＡＦＭでクラックが観察される場合があった。以下にその結果を示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
なお、ＳＬＳ層の代わりにＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎの単層をＧａＮ層上に成長させた場合には、クラックが発生する臨界厚さは約１／３となった。これは、ＳＬＳ層の平均Ａｌ組成が０．１と小さいことと、ＳＬＳ内部の歪み分布が応力をさらに下げる方向に作用しているためと考えられる。
【００２７】
また、ＧａＮ層の膜厚ｔが０．４μｍ以上の場合にはＳＬＳ層中に発生する転位密度はｔが２μｍの場合と同程度に低い値であったが、ｔが０．２μｍ以下になると転位密度が急激に増大することが観察された。
【００２８】
以上より、良好な結晶性を確保するためにはＧａＮ層の厚さは０．２μｍ以上、好ましくは０．３μｍ以上必要であり、また、クラックの発生を防止するためには必要なＡｌＧａＮ層あるいはＳＬＳ層の厚さにも依存するが、従来以上（例えば２μｍ）とするために０．５μｍ以下とすることが必要であることがわかる。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、クラックの発生を抑制しつつＧａＮ層上に厚いＡｌＧａＮ系層を形成することができ、これによりＬＥＤやレーザなどのデバイス構造とした場合に発光効率の増大や動作の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係るＧａＮ層の成長説明図である。
【図２】実施形態のＧａＮ層上のＡｌＧａＮ層成長説明図である。
【図３】応力と厚さとの関係を示すグラフ図である。
【図４】ＵＶレーザの構成図である。
【図５】ＵＶレーザの他の構成図である。
【符号の説明】
１０ サファイア基板、１２ ＧａＮ層、１４ ＡｌＧａＮ層。
Claims (2)
- 基板上にＧａＮ系半導体層とＡｌＧａＮ系半導体層を順次積層してなる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法であって、
前記ＧａＮ系半導体層の表面が面内方向に連続膜となっておらず島状となっている状態で前記ＡｌＧａＮ系半導体層を積層することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - 請求項１記載の方法において、
前記ＡｌＧａＮ系半導体層は、ＡｌＧａＮとＧａＮを交互に積層してなる超格子層であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
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