JP2018060868A - 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ - Google Patents
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Abstract
【課題】 十分な輝度が得られる発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップを提供することである。【解決手段】 発光ダイオードチップの製造方法であって、結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、内部に複数の気泡が形成された透明基板の裏面に該ウエーハの各LED回路に対応して複数の溝を形成する透明基板加工工程と、該透明基板加工工程を実施した後、該ウエーハの裏面に該透明基板の表面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板とともに切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図2
Description
本発明は、発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップに関する。
サファイア基板、GaN基板、SiC基板等の結晶成長用基板の表面にn型半導体層、発光層、p型半導体層が複数積層された積層体層が形成され、この積層体層に交差する複数の分割予定ラインによって区画された領域に複数のLED(Light Emitting Diode)等の発光デバイスが形成されたウエーハは、分割予定ラインに沿って切断されて個々の発光デバイスチップに分割され、分割された発光デバイスチップは携帯電話、パソコン、照明機器等の各種電気機器に広く利用されている。
発光デバイスチップの発光層から出射される光は等方性を有しているため、結晶成長用基板の内部にも照射されて基板の裏面及び側面からも光が出射する。然し、基板の内部に照射された光のうち空気層との界面での入射角が臨界角以上の光は界面で全反射されて基板内部に閉じ込められ、基板から外部に出射されることがないから発光デバイスチップの輝度の低下を招くという問題がある。
この問題を解決するために、発光層から出射された光が基板の内部に閉じ込められるのを抑制するために、基板の裏面に透明部材を貼着して輝度の向上を図るようにした発光ダイオード(LED)が特開2014−175354号公報に記載されている。
然し、特許文献1に開示された発光ダイオードでは、基板の裏面に透明部材を貼着することにより輝度が僅かに向上したものの十分な輝度が得られないという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、十分な輝度が得られる発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップを提供することである。
請求項1記載の発明によると、発光ダイオードチップの製造方法であって、結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、内部に複数の気泡が形成された透明基板の裏面に該ウエーハの各LED回路に対応して複数の溝を形成する透明基板加工工程と、該透明基板加工工程を実施した後、該ウエーハの裏面に該透明基板の表面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板とともに切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法が提供される。
好ましくは、透明基板加工工程において形成される溝の断面形状は、三角形状、四角形状、又は半円形状の何れかである。好ましくは、透明基板加工工程において形成される溝は、切削ブレード、エッチング、サンドブラスト、レーザーの何れかで形成される。
好ましくは、該透明基板は、透明セラミックス、光学ガラス、サファイア、透明樹脂の何れかで形成され、該一体化工程において該透明基板は透明接着剤でウエーハに接着される。
請求項5記載の発明によると、発光ダイオードチップであって、表面にLED回路が形成された発光ダイオードと、該発光ダイオードの裏面に貼着された内部に複数の気泡が形成された透明部材とを備え、該透明部材の該発光ダイオードとの貼着面の反対側の面には溝が形成されている発光ダイオードチップが提供される。
本発明の発光ダイオードチップは、LEDの裏面に貼着された透明基板の裏面に溝が形成されていると共にその内部に複数の気泡が形成されているので、透明部材の表面積が増大するのに加え、光が透明部材内で複雑に屈折して透明部材内に閉じ込められる光の量が減少し、透明部材から出射される光の量が増大して発光ダイオードチップの輝度が向上される。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、光デバイスウエーハ(以下、単にウエーハと略称することがある)11の表面側斜視図が示されている。
光デバイスウエーハ11は、サファイア基板13上に窒化ガリウム(GaN)等のエピタキシャル層(積層体層)15が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ11は、エピタキシャル層15が積層された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。
ここで、本実施形態の光デバイスウエーハ11では、結晶成長用基板としてサファイア基板13を採用しているが、サファイア基板13に替えGaN基板又はSiC基板等を採用するようにしてもよい。
積層体層(エピタキシャル層)15は、電子が多数キャリアとなるn型半導体層(例えば、n型GaN層)、発光層となる半導体層(例えば、InGaN層)、正孔が多数キャリアとなるp型半導体層(例えば、p型GaN層)を順にエピタキシャル成長させることにより形成される。
サファイア基板13は例えば100μmの厚みを有しており、積層体層15は例えば5μmの厚みを有している。積層体層15に複数のLED回路19が格子状に形成された複数の分割予定ライン17によって区画されて形成されている。ウエーハ11は、LED回路19が形成された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。
本発明実施形態の発光ダイオードチップの製造方法によると、まず図1に示すような光デバイスウエーハ11を準備するウエーハ準備工程を実施する。また、内部に複数の気泡が形成された透明基板を準備する透明基板準備工程を実施する。
更に、ウエーハ11の裏面11bに貼着する透明基板21の裏面21bにLED回路19に対応して複数の溝を形成する透明基板加工工程を実施する。この透明基板加工工程は、例えば、よく知られた切削装置を用いて実施する。
図2(A)に示すように、切削装置の切削ユニット10は、スピンドルハウジング12と、スピンドルハウジング12中に回転可能に挿入された図示しないスピンドルと、スピンドルの先端に装着された切削ブレード14とを含んでいる。
切削ブレード14の切り刃は、例えば、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定した電鋳砥石で形成されており、その先端形状は三角形状、四角形状、又は半円形状をしている。
切削ブレード14の概略上半分はブレードカバー(ホイールカバー)16で覆われており、ブレードカバー16には切削ブレード14の奥側及び手前側に水平に伸長する一対の(1本のみ図示)クーラーノズル18が配設されている。
透明基板21の裏面21bに複数の溝23を形成する透明基板加工工程では、透明基板21を図示しない切削装置のチャックテーブルで吸引保持する。そして、切削ブレード14を矢印R方向に高速回転させながら透明基板21の裏面21bに所定深さ切り込み、図示しないチャックテーブルに保持された透明基板21を矢印X1方向に加工送りすることにより、第1の方向に伸長する溝23を切削により形成する。
透明基板21を矢印X1方向に直交する方向にウエーハ11の分割予定ライン17のピッチずつ割り出し送りしながら、透明基板21の裏面21bを切削して、図2(A)に示すように、第1の方向に伸長する複数の溝23を次々と形成する。
図3(A)に示すように、透明基板21の裏面21bに形成する複数の溝23は一方向にのみ伸長する形態であってもよいし、或いは、図4に示すように、第1の方向及び該第1の方向に直交する第2の方向に伸長する複数の溝23を透明基板21の裏面21bに形成するようにしてもよい。
透明基板21の裏面21bに形成する溝は、図2(B)に示すような断面三角形状の溝23、又は図2(C)に示すような断面四角形状の溝23A、又は図2(D)に示すような断面半円形状の溝23Bの何れであってもよい。
透明基板21は、透明樹脂、光学ガラス、サファイア、透明セラミックスの何れかから形成される。本実施形態では、光学ガラスに比べて耐久性のあるポリカーボネイト、アクリル等の透明樹脂から透明基板21を形成した。尚、溝を形成する方法として、サンドブラスト、エッチング、レーザーを用いてもよい。
透明基板21の裏面21bに複数の溝23,23A,23Bを形成する透明基板加工工程を実施した後、ウエーハ11の裏面11bに透明基板21の表面21aを貼着して一体化ウエーハ25を形成する一体化工程を実施する。
この一体化工程では、図3(A)に示すように、裏面21bに第1の方向に伸長する複数の溝23が形成された透明基板21の表面に、ウエーハ11の裏面11bを透明接着剤により接着して、図3(B)に示すように、ウエーハ11と透明基板21とを一体化して一体化ウエーハ25を形成する。
代替実施形態として、図4に示すように、透明基板21の裏面21bに第1の方向及びこの第1の方向に直交する第2の方向に伸長する複数の溝23を有する透明基板21の表面21aに、ウエーハ11の裏面11bを透明接着剤により接着して、ウエーハ11と透明基板21とを一体化するようにしてもよい。ここで、透明基板21の裏面21bに形成した溝23のピッチはウエーハ11の分割予定ライン17のピッチに対応する。
一体化工程を実施した後、図5に示すように、一体化ウエーハ25の透明基板21を外周部が環状フレームFに貼着されたダイシングテープTに貼着してフレームユニットを形成し、一体化ウエーハ25をダイシングテープTを介して環状フレームFで支持する支持工程を実施する。
支持工程を実施した後、フレームユニットを切削装置に投入し、切削装置で一体化ウエーハ25を切削して個々の発光ダイオードチップに分割する分割ステップを実施する。この分割ステップについて、図6を参照して説明する。
分割ステップでは、一体化ウエーハ25をフレームユニットのダイシングテープTを介して切削装置のチャックテーブル20で吸引保持し、環状フレームFは図示しないクランプでクランプして固定する。
そして、切削ブレード14を矢印R方向に高速回転させながら切削ブレード14の先端がダイシングテープTに届くまでウエーハ11の分割予定ライン17に切り込み、クーラーノズル18から切削ブレード14及びウエーハ11の加工点に向かって切削液を供給しつつ、一体化ウエーハ25を矢印X1方向に加工送りすることにより、ウエーハ11の分割予定ライン17に沿ってウエーハ11及び透明基板21を切断する切断溝27を形成する。
切削ユニット10をY軸方向に割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する分割予定ライン17に沿って同様な切断溝27を次々と形成する。次いで、チャックテーブル20を90°回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン17に沿って同様な切断溝27を形成して、図7に示す状態にすることで、一体化ウエーハ25を図8に示すような発光ダイオードチップ31に分割する。
上述した実施形態では、一体化ウエーハ25を個々の発光ダイオードチップ31に分割するのに切削装置を使用しているが、ウエーハ11及び透明基板21に対して透過性を有する波長のレーザービームを分割予定ライン13に沿ってウエーハ11に照射して、ウエーハ11及び透明基板21の内部に厚み方向に複数層の改質層を形成し、次いで、一体化ウエーハ25に外力を付与して、改質層を分割起点に一体化ウエーハ25を個々の発光ダイオードチップ31に分割するようにしてもよい。
図8に示された発光ダイオードチップ31は、表面にLED回路19を有するLED13Aの裏面に内部に複数の気泡29が形成された透明部材21Aが貼着されている。更に、透明部材21Aの裏面に溝23が形成されている。
従って、図8に示す発光ダイオードチップ31では、透明部材21Aの裏面に溝23が形成されていると共に内部に複数の気泡29が形成されているため、透明部材21Aの表面積が増大する。よって、透明部材21A内で光が複雑に屈折して透明部材21内に閉じ込められる光の割合が減少し、透明部材21Aから出射される光の量が増大して、発光ダイオードチップ31の輝度が向上する。
10 切削ユニット
11 光デバイスウエーハ(ウエーハ)
13 サファイア基板
14 切削ブレード
15 積層体層
17 分割予定ライン
19 LED回路
21 透明基板
21A 透明部材
23,23A,23B 溝
25 一体化ウエーハ
27 切断溝
29 気泡
31 発光ダイオードチップ
11 光デバイスウエーハ(ウエーハ)
13 サファイア基板
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21A 透明部材
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25 一体化ウエーハ
27 切断溝
29 気泡
31 発光ダイオードチップ
Claims (5)
- 発光ダイオードチップの製造方法であって、
結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、
内部に複数の気泡が形成された透明基板の裏面に該ウエーハの各LED回路に対応して複数の溝を形成する透明基板加工工程と、
該透明基板加工工程を実施した後、該ウエーハの裏面に該透明基板の表面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、
該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板とともに切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、
を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。 - 該透明基板加工工程で形成される前記溝の断面形状は三角形状、四角形状、半円形状の何れかである請求項1記載の発光ダイオードチップの製造方法。
- 該透明基板加工工程において、前記溝は切削ブレード、エッチング、サンドブラスト、レーザーの何れかで形成される請求項1記載の発光ダイオードチップの製造方法。
- 該透明基板は、透明セラミックス、光学ガラス、サファイア、透明樹脂の何れかで形成され、該一体化工程において該透明基板は透明接着剤を使用して該ウエーハに貼着される請求項1記載の発光ダイオードチップの製造方法。
- 発光ダイオードチップであって、
表面にLED回路が形成された発光ダイオードと、該発光ダイオードの裏面に貼着された内部に複数の気泡が形成された透明部材とを備え、
該透明部材の該発光ダイオードとの貼着面の反対側の面には溝が形成されている発光ダイオードチップ。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005093728A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2006278751A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系半導体発光素子 |
JP2007266472A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Stanley Electric Co Ltd | 窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法 |
WO2013114480A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子、その製造方法及び光源装置 |
US20140159090A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | Epistar Corporation | light emitting device |
JP2014175354A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光ダイオード |
WO2015030237A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 半導体発光素子及び光学フィルム |
JP2015192100A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 豊田合成株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
JP2016521463A (ja) * | 2013-05-15 | 2016-07-21 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 基板内に散乱機構を有するled |
-
2016
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005093728A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2006278751A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系半導体発光素子 |
JP2007266472A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Stanley Electric Co Ltd | 窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法 |
WO2013114480A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子、その製造方法及び光源装置 |
US20140159090A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | Epistar Corporation | light emitting device |
JP2014175354A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光ダイオード |
JP2016521463A (ja) * | 2013-05-15 | 2016-07-21 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 基板内に散乱機構を有するled |
WO2015030237A1 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 半導体発光素子及び光学フィルム |
JP2015192100A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 豊田合成株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
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