JP2005093728A - 発光装置 - Google Patents
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- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
Abstract
【解決手段】 サファイア基板50の光取出し面50aに、気泡521とその周囲の部材との屈折率差が大きい気泡担持体52を設ける。気泡担持体52は、発光波長に対して透光性を有し、屈折率が1.77以上のシリコン等の材料からなり、屈折率が1程度の空気、不活性ガス等のガスからなる複数の気泡を担持した気泡担持層を有する。このことにより、発光部で発光した光が気泡担持体52で散乱するとき、その散乱光の広がりが大きくなり、発光装置内における完全反射の繰り返しが抑えられ、光取出し効率が高くなる。
【選択図】 図1
Description
前記基板上に形成され、前記所定の波長で発光する活性部を有する半導体層と、
前記基板の前記半導体層が形成された側と反対側の面に形成され、前記所定の波長に対して透光性を有する気泡担持体とを備えたことを特徴とする発光装置を提供する。
前記気泡担持体は、前記凹凸面上に形成されていることが好ましい。
2A,2B リードフレーム
3 導電性接着剤
4 サブマウント
5 LEDチップ
6 樹脂封止部材
7 ボンティングワイヤ
8A,8B Auバンプ
20 カップ
20a 底面
20b 反射面
40 n型シリコン基板
41 p型半導体
42 n側電極
43 p側電極
44 n側電極
50 サファイア基板
50a 光取出し面
51 窒化物半導体層
52 透明気泡担持体
53 p側電極
54 n側電極
100 LEDチップ
101 サファイア基板
102 GaNバッファ層
103 n型半導体層
104 p型半導体層
105 p側電極
106 n側電極
130a,130b バンプ
110 実装基板
101a,101b 凹凸面
510 バッファ層
511 n型半導体層
512 活性層
513 p型半導体層
520 凹凸形成層
520a 凹凸面
522 気泡担持層
521 気泡
523 気泡担持層
Claims (6)
- 所定の波長に対して透光性を有する基板と、
前記基板上に形成され、前記所定の波長で発光する活性部を有する半導体層と、
前記基板の前記半導体層が形成された側と反対側の面に形成され、前記所定の波長に対して透光性を有する気泡担持体とを備えたことを特徴とする発光装置。 - 前記気泡担持体は、前記基板の前記半導体層が形成された側と反対側の面に形成されたことを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記基板は、前記半導体層が形成された側と反対側の面上に凹凸面を有し、
前記気泡担持体は、前記凹凸面上に形成されたことを特徴とする請求項2記載の発光装置。 - 前記基板は、その表面に、前記凹凸面を有する凹凸形成層を備えたことを特徴とする請求項3記載の発光装置。
- 前記基板は、その表面にエッチングによって前記凹凸面が形成されたことを特徴とする請求項3記載の発光装置。
- 前記気泡担持体は、前記気泡を担持する部材が1.77以上の屈折率を有することを特徴とする請求項1ないし5記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003325120A JP4232585B2 (ja) | 2003-09-17 | 2003-09-17 | 発光装置 |
US10/926,342 US7253450B2 (en) | 2003-09-17 | 2004-08-26 | Light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003325120A JP4232585B2 (ja) | 2003-09-17 | 2003-09-17 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005093728A true JP2005093728A (ja) | 2005-04-07 |
JP4232585B2 JP4232585B2 (ja) | 2009-03-04 |
Family
ID=34270096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003325120A Expired - Fee Related JP4232585B2 (ja) | 2003-09-17 | 2003-09-17 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7253450B2 (ja) |
JP (1) | JP4232585B2 (ja) |
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JP2018186168A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 株式会社ディスコ | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
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CN110867455A (zh) * | 2018-08-28 | 2020-03-06 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
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US20050056831A1 (en) | 2005-03-17 |
JP4232585B2 (ja) | 2009-03-04 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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